JP4470970B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
また例えば請求項3に記載したように、前記処理容器の外周側には前記被処理体を加熱する加熱手段が設けられている。
また例えば請求項4に記載したように、前記蓋部は前記蓋部に設けた電極を兼用している。
また例えば請求項5に記載したように、前記蓋部の前記処理容器内に晒される表面には絶縁部材が設けられる。
また例えば請求項7に記載したように、前記処理容器の開口部側には、筒体状になされた金属製のマニホールド部が連設されている。
また例えば請求項8に記載したように、前記マニホールド部には、排気口を有するリング状の排気空間が形成されている。
また例えば請求項9に記載したように、前記マニホールド部には、導入されたガスを拡散させるリング状のガス拡散空間が形成されている。
また例えば請求項11に記載したように、前記蓋部は、前記処理容器内に向けて突起状になされた凸部を有している。
また例えば請求項12に記載したように、前記処理容器の一端は平面状に形成されている。
また例えば請求項14に記載したように、前記処理容器は単管構造になされている。
また例えば請求項15に記載したように、前記処理容器は、内筒と外筒とよりなる2重管構造になされている。
筒体状の処理容器の両端に電極を設けて、一方の電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、このプラズマにより複数の被処理体を処理するようにしたので、枚葉式の装置とバッチ式の装置の両者の利点を併せ持ち、スループットが高いのみならず、製品の歩留まりも高くすることができる。
図1は本発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面図、図2は処理容器内から半導体ウエハを搬出した状態、或いは搬入前の状態を示す図である。
まず、図2に示すようにローディング機構30は下方に降下された状態となっており、保持手段42であるウエハボート44と蓋部26とは一体的に処理容器4内から下方に搬出されてアンロード状態になっている。
内筒4Aの直径:330〜350mm
外筒4Bの直径:400〜450mm
電極28、74間の距離:800〜1000mm
ガス種:N2
圧力:0.5Torr(66.7Pa)
高周波電力:100ワット
次に、上記したプラズマ処理装置を用いて実際にプラズマ成膜処理を行ったので、その時の評価結果について図3及び図4を参照して説明する。ここではガスとしてNH3 とSiH4 とN2 と用いてシリコン窒化膜を成膜した。図3は成膜の評価を行う時の支持板に対する評価用のウエハの載置位置を説明するための図、図4はウエハ表面における膜厚の分布を示すグラフである。
プロセス温度:25℃
プロセス圧力:0.01Torr(真空ポンプで引き切り)
ガス流量:NH3 /SiH4 /N2 =20/25/50sccm
高周波電力:200ワット
成膜時間:15分
上記膜厚の測定の結果、X方向の成膜レートは16.8Å/min(面内均一性:±252.3%)であり、Y方向の成膜レートは5.6Å/min(面内均一性:±66.8%)であった。上記の結果、膜厚の面内均一性は不十分ではあるが、薄膜(シリコン窒化膜)を十分に堆積することができることを確認することができた。
次に、上記したプラズマ処理装置を用いて成膜(シリコン窒化膜)の圧力依存性について実験を行ったので、その評価結果について図5を参照して説明する。図5はウエハ上のX方向及びY方向における膜厚を示すグラフである。ここでウエハ上の位置については図3にて説明した場合と同じである。
プロセス温度:25℃
プロセス圧力:0.01Torr(引き切り)、0.05Torr、0.1Torr、0.50Torr
ガス流量:NH3 、SiH4 、N2 =20/25/50sccm
高周波電力:200ワット
成膜時間:15分
更には、上記各実施例においては、ウエハボート44をボート台40上に直接載置する構造としたが、これに限定されず、ボート台40上に例えば石英製の保温筒を介して上記ウエハボート44を載置するようにしてもよい。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
4 処理容器
4A 内筒
4B 外筒
6 天井部
10 マニホールド部
20 排気空間
26 蓋部
28 下部電極(電極)
30 ローディング機構
32 凸部
42 保持手段
44 ウエハボート
48 ガス拡散空間
50 ガス導入手段
52 ガス導入ノズル
54,56 絶縁部材
60 排気系
64 圧力調整弁
66 真空ポンプ
68 加熱手段
74 上部電極(電極)
80 高周波電源
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (15)
- 複数枚の被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
一端が閉じられると共に他端が開口部となって上下方向に起立され、誘電体により筒体状に形成された処理容器と、
前記複数枚の被処理体を保持すると共に前記開口部側より前記処理容器内へ収容される保持手段と、
前記保持手段を前記処理容器内に対して搬入及び搬出するローディング機構と、
前記ローディング機構に設けられて前記開口部側を気密に閉じる蓋部と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
前記処理容器内の雰囲気を排気する排気系と、
前記処理容器の閉じられた一端である天井部の外側の上面側に設けた電極と、
前記蓋部に設けた電極と、
前記2つの電極の内のいずれか一方の電極にプラズマ発生用の高周波電力を印加する高周波電源と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記2つの電極の内の他方の電極は接地されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の外周側には前記被処理体を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。
- 前記蓋部は前記蓋部に設けた電極を兼用していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記蓋部の前記処理容器内に晒される表面には絶縁部材が設けられることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス導入手段は、ガス導入ノズルを有していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の開口部側には、筒体状になされた金属製のマニホールド部が連設されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マニホールド部には、排気口を有するリング状の排気空間が形成されていることを特徴とする請求項7記載のプラズマ処理装置。
- 前記マニホールド部には、導入されたガスを拡散させるリング状のガス拡散空間が形成されていることを特徴とする請求項7又は8記載のプラズマ処理装置。
- 前記保持手段は、回転可能になされていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記蓋部は、前記処理容器内に向けて突起状になされた凸部を有していることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の一端は平面状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の一端は曲面状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器は単管構造になされていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器は、内筒と外筒とよりなる2重管構造になされていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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