CN101359583B - 批量式等离子体处理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 7
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000803 paradoxical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/32779—Continuous moving of batches of workpieces
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明提供一种批量式的等离子体处理装置，具有封闭端和与此相对的开口端，同时包括具有收纳被处理基板的处理区域的筒状的处理容器，处理容器具有筒状的绝缘性主体。装置还包括：隔开间隔保持被处理基板的保持具、对处理容器内搬入搬出保持具的装载机构、和配置在装载机构上并气密地关闭开口端的盖部。在处理容器的封闭端配置第一电极，在盖部配置第二电极，第一和第二电极构成平行平板电极对。在第一和第二电极的一方连接有施加等离子体生成用的高频电力的高频电源。
Description
技术领域
本发明涉及用于对半导体晶片等的被处理基板实施使用等离子体的成膜处理或者蚀刻处理等的等离子体处理的批量式的等离子体处理装置，尤其是涉及在半导体处理领域中使用的技术。在此，所谓半导体处理是用于，通过在半导体晶片或者LCD(Liquid Crystal Display)那样的FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板等的被处理基板上按照规定的图形形成半导体层、绝缘层、导电层等，而在该被处理基板上实施用于制造包括半导体器件、与半导体器件连接的配线、电极等的构造物的各种处理。
背景技术
为了制造半导体集成电路，对由硅基板等构成的半导体晶片实施成膜、蚀刻、氧化、扩散、改质、自然氧化膜的除去等的各种处理。有关对这样的半导体晶片实施如上所述的处理，公知的有对半导体晶片一个一个实施处理的单片式的处理装置、和一次对多个半导体晶片同时实施处理的批量式的处理装置。
近年来，伴随半导体集成电路的更高集成化和更高精细化的要求，需要使晶片温度在更低的温度下进行处理。这是为了防止掺杂的杂质的轮廓(profile)的变化、或者防止代表低介电常数绝缘膜的层间绝缘膜等的膜质的劣化、或者应对下层的层叠膜的耐热温度的限制等。作为其对策之一，多使用利用等离子体的辅助降低晶片温度实施上述各种的处理的等离子体处理装置。
作为单片式的等离子体处理装置，例如公知的有在日本特开2004-285469号公报(专利文献1)、日本特开2005-64017号公报(专利文献2)等中公开的处理装置。在这些公开的处理装置中，例如在平行平板式的电极间施加高频电力发生等离子体，通过该等离子体使处理气体活性化，在比较低的温度下实施规定的成膜处理或者蚀刻处理等。
作为批量式的等离子体处理装置，例如公知的有在日本特开平2-159027号公报(专利文献3)、日本特开平3-224222号公报(专利文献4)中公开的处理装置。这些公开的等离子体处理装置是，在将晶片等间隔配置的纵型的处理容器的侧面，沿着其周方向配置有多个电极，这些电极之间施加高频电力而生成等离子体。
另外，在US2006/0205231A1(专利文献5)的等离子体处理装置中，在纵长的石英制的处理容器的一侧，沿着其高度方向设置有等离子体生成部。处理气体通过在等离子体生成部中生成的等离子体而被活性化，从横方向向处理容器内供给，由此在半导体晶片的表面实施成膜等的规定的等离子体处理。
发明内容
本发明的目的是提供能够提高生产量和产品的成品率的批量式的等离子体处理装置。
本发明的某观点是，一种批量式的等离子体处理装置，其对多个被处理基板一起实施等离子体处理，其特征在于，包括：筒状的处理容器，具有封闭端和与此相对的开口端，并且在所述封闭端和所述开口端之间具有收纳所述被处理基板的处理区域，所述处理容器具有筒状的绝缘性主体；保持具，平行地且隔开间隔地保持所述被处理基板，并且能够从所述开口端备收纳到所述处理容器内；装载机构，对于所述处理容器内搬入和搬出所述保持具；盖部，配置在所述装载机构上并气密地关闭所述开口端；气体供给系统，向所述处理容器内供给处理气体；排气系统，对所述处理容器内进行排气；配置在所述处理容器的所述封闭端的第一电极；在所述盖部配置的第二电极，所述第一和第二电极构成通过所述处理容器的所述绝缘性主体被绝缘的平行平板电极对；与所述第一和第二电极的一方连接施加等离子体生成用的高频电力的高频电源。
这里，所述绝缘性主体具有比所述处理区域大的长度，在所述处理容器的所述绝缘性主体的周围能够配置用于加热所述被处理基板的加热器。所述处理容器能够具备与所述绝缘性主体连接设置并且形成所述开口端的筒状的金属制歧管。典型的是，所述封闭端和所述开口端是所述处理容器的上端和下端，所述保持具将所述被处理基板沿上下方向上隔开间隔地保持。所述处理容器的所述绝缘性主体能够形成具有夹着间隙配置的内筒和外筒的双重管结构。所述处理容器的所述绝缘性主体也能够形成单管结构代替双重管结构。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的批量式的等离子体处理装置(纵型等离子体处理装置)的截面图。
图2是表示在图1的等离子体处理装置中从处理容器内取出晶片舟的状态的示意图。
图3是用于说明进行成膜的评价时的对于支撑板的评价用的晶片载置位置的示意图。
图4是表示晶片表面中的膜厚的分布的图表。
图5A、B是表示晶片表面的Y方向和X方向中的膜厚的分布的图表。
图6是表示设置分散型的气体供给喷嘴(气体分散喷嘴)时的状态的部分结构图。
图7是表示本发明的其他的实施方式涉及的使用单管结构的处理容器的批量式的等离子体处理装置(纵型等离子体处理装置)的截面图。
图8是表示上端形成为曲面状的处理容器的一例的部分结构图。
具体实施方式
本发明者们在本发明的开发过程中，对于等离子体处理装置相关的现有技术的问题点进行了研究。其结果是，本发明者们得到如下所述的见解。
如专利文献1和2所示的单片式的等离子体处理装置中，由于对半导体晶片一个一个进行处理，所以对每一个的处理能够相当高速化。但是，在单片式的等离子体处理装置中，与处理容器的大小有关，而与批量式的等离子体处理装置相比，在对规定个数的晶片的处理速度上比较低，因此，处理的生产量降低。
在专利文献3和4所示的批量式的等离子体处理装置中，在处理容器的侧面配置有多个电极，因此结构本身相当复杂化。并且，关于等离子体的分布，在电极的中心和端部之间产生电场的密度不同，所以在处理容器内难以得到均匀的等离子体密度。
在如图5所示的批量式的等离子体处理装置的情况下，如前所述那样从处理容器的一侧沿着晶片表面平行地流通通过等离子体进行活性化的处理气体。因此，在晶片表面内容易发生等离子体密度的不均匀分布，其结果是，成为发生充电损害使产品成品率降低的原因。
以下，参照附图关于基于上述的见解构成的本发明的实施方式进行说明。并且，在以下的说明中，对于具有大致相同的功能和结构的构成要素标注同一符号，仅在需要的情况下进行重复说明。
图1是表示本发明的实施方式涉及的批量式的等离子体处理装置(纵型等离子体处理装置)的截面图。图2是表示在图1的等离子体处理装置中从处理容器内将晶片舟取出的状态的示意图。
如图所示，该等离子体处理装置2包括具有由石英等的电介体形成的圆筒状的容器主体4(绝缘性主体)的处理容器3。容器主体4具有双重管结构，其由在上下方向上竖起的圆筒状的内筒4A、和在其外周以同心圆状配置的圆筒状的外筒4B构成。内筒4A上下端都开口，外筒4B下端开口同时上端封闭作为顶部6构成。在内筒4A内，形成用于处理半导体晶片W的处理区域5，其与在容器主体4的下端形成的开口部8(参照图2)连接。并且顶部6平坦，其上表面形成为平面状。顶部6的厚度为了具有耐压性例如设定为20mm左右。
容器主体4的整体，由构成处理容器3的下部的圆筒状的金属制歧管10支撑。具体而言，歧管10例如由不锈钢等的金属构成，其周边部由基底板12支撑。在基底板12的上侧部分，外筒4B的下端部通过O环等的密封部件14被气密地支撑。
在歧管10的高度方向中央，形成有从侧壁向内方突出的环状的支撑部16。在支撑部16上设置有内筒4A的下端部支撑内筒4A。在歧管10，以使内筒4A和外筒4B之间的间隙18连通的方式，沿着其周方向形成环状的排气空间20。通过环状的排气空间20，如后所述容器主体4内的气氛无偏移地均等地被排气。
在歧管10的下端形成成为处理容器3的搬送口的开口部，在其周边部环状地形成凸缘部22。在处理容器3的下端的搬送口、即在歧管10的下端的开口部，通过O环等的密封部件24气密地可安装拆卸地安装有盖部26。在此，盖部26的整体，例如由不锈钢等的金属的导电性板构成，兼用作下部电极28并且被接地。
盖部26由装载机构30的臂30A的前端支撑。装载机构30，在此例如由晶片舟升降机(boat Elevator)那样的升降机构构成。通过驱动装载机构30，如图2所示能够使盖部26升降。
盖部26的中央部，使容器主体4内侧朝向中心，在此向上方突出，上表面形成有平坦的支撑部32。以贯通盖26的支撑部32的中心部的方式配设有旋转轴34，同时在旋转轴34的贯通部，作为用于容许旋转轴34的旋转同时维持处理容器3内的气密性的密封部件，例如配设有磁性流体密封件36。在旋转轴34的下端连接在旋转马达38上而使之旋转，在旋转轴34的上端连接有晶片舟台40。
在晶片舟台40上，设置有用于保持作为多个被处理基板的半导体晶片W的保持具42。保持具42由晶片舟44构成，具备上下配置的顶板44A和底板44B、和在其之间架设的多个例如3个支柱46，这些例如全部由石英形成。在支柱46以规定的间隔、例如1cm的间隔形成晶片支撑槽(未图示)，通过由晶片支撑槽支撑晶片W的周边部，能够将上述的晶片W相互平行且以规定的间隔多层地支撑。
晶片W的个数没有特别的限定，例如为25～30个左右。支撑半导体晶片W的晶片舟44通过装载机构30升降，由此晶片舟44从下方的装载区域(未图示)对处理容器3内装载或者与此相反进行卸载。另外，盖部26在歧管10的下端的开口部关闭的状态下，盖部26和歧管10的内壁以及支撑部16划分的区域中形成环状的气体扩散空间48。
在歧管10上连接有向处理容器3内供给气体的气体供给系统50。具体而言，气体供给系统50，以贯通歧管10的侧壁的方式设置，例如与石英质的气体供给喷嘴52连接。气体供给喷嘴52的气体喷出口52A面临环状的气体扩散空间48开口。规定的处理气体从气体供给系统50以控制流量的方式供给，通过气体供给喷嘴52沿着气体扩散空间48扩散。在图示例中作为代表仅表示出1根气体供给喷嘴52，根据使用的气体的种类等可以配置必要根数的喷嘴。
为了保护不受等离子体的损害，在歧管10的内表面和作为盖部26的内表面的位于处理容器3内的表面，通过绝缘层54、56覆盖。作为绝缘层54、56例如可以使用薄的石英板，也可以粘贴绝缘性薄膜。划分排气空间20的歧管10的壁上形成有排气口58。在排气口58连接有排气系统60，排气系统60是在排气口58上连接的排气通路62上顺次设置压力调整阀64和真空泵66等而构成。通过排气系统60，能够对处理容器3内的环境抽真空并维持在规定的压力。
在容器主体4的外筒4B的周围，配设有用于加热半导体晶片W的加热机构68。加热机构68由形成为圆筒状的隔热件70和配设在隔热件70的内侧的加热器72构成，将配设有晶片W的处理区域5的整体包围。此外，在能够由等离子体发生的热将晶片W加热至规定的温度的情况下，就没有必要设置加热机构68。
并且，在容器主体4的平坦的顶部6的上表面侧配设有上部电极74。上部电极74例如由铝合金或者不锈钢等的金属形成为薄的圆板状。电极74的直径设定为比晶片W的直径稍大的尺寸。上部电极74通过配线78与等离子体发生用的高频电源80连接，并且在配线78的中途设置有阻抗匹配用的匹配电路76。由高频电源80对上部电极74施加高频电力。
作为该高频电力的频率，例如能够使用13.56MHz。但是，也能够使用40kHz、400kHz等。兼用作盖部26的下部电极28的支撑部32的上表面和上部电极74间的距离，只要是能够使在处理区域5内发生等离子体那样的距离，就没有特别的限定。但是，该距离作为一个例子设定在40～50cm作用的范围内。另外，所使用的半导体晶片W的尺寸能够使用直径为300mm(12英寸)的晶片或者200mm(8英寸)的晶片等，与该尺寸对应设定容器主体4的直径的大小。为了确保安全性，以覆盖处理容器3的整体地方式，配设有阻断高频率的高频(电磁)屏蔽件(未图示)。
接下来，对如上所述构成的等离子体处理装置2的动作进行说明。
首先，如图2所示使装载机构30为降下到下方的加载区域的状态。此外，作为保持具42的晶片舟44和盖部26在装载和卸载中相对于处理容器3一体地移动。
在装载区域中，将未处理的半导体晶片W多层地移载并保持在晶片舟44中。接下来，驱动装载机构30使臂30A上升，使盖部26和保持晶片W的晶片舟44一体地上升。由此，将晶片舟44从歧管10的下端的搬送口装载到预先被加热到规定的温度的处理区域5内。当晶片舟44的装载完成时，歧管10的搬送口由盖部26气密地密闭。
处理容器3内，始终通过排气系统60的真空泵66进行抽真空。如果装载完成，通过加热机构68的加热器72将晶片W加热到规定的处理温度。并且，从气体供给系统50通过气体供给喷嘴52以控制流量的方式向处理区域5内供给必要的处理气体，通过旋转马达38旋转晶片舟44。
与此同时，由高频电源80供给高频电力，该高频电力施加在设置在顶部6的上表面的上部电极74和兼用作盖部26的下部电极28之间。由此在处理区域5内发生处理气体的等离子体。
上部电极74和下部电极28通过容器主体4(绝缘性主体)被绝缘并作为电容耦合的平行平板电极对发挥功能。通过该结构，在遍布整个处理区域5内发生等离子体，对晶片W实施规定的等离子体处理，例如等离子体成膜处理或者等离子体蚀刻处理或者等离子体灰化处理等。在该情况下，在处理区域5内等离子体大致均匀地形成，因此能够抑制对晶片W的充电损害的发生提高产品的成品率，而且能够提高生产量。特别是，在此通过在盖部26形成支撑部32，能够尽可能地缩短下部电极28和上部电极74之间的距离易于发生等离子体，因此能够高效率地使处理区域5内的等离子体发生。
从气体供给喷嘴52供给的处理气体，在由歧管10和盖部26的周边部之间划分形成的环状的气体扩散空间48内向其周方向扩散。接着，处理气体在容器主体4的内筒4A内的处理区域5均等地上升与旋转的晶片W接触，在容器主体4内的顶部6向下方折回。接着，处理气体在内筒4A和外筒4B之间的间隙18内流下，通过歧管10上设置的排气口58由排气系统60排出。此外，在内筒4A和外筒4B之间的间隙18的下端，形成比外筒4B更向半径方向外侧突出的比较大的环状的排气空间20。因此，与气体扩散空间48的功能相互结合能够在配置有晶片W的处理区域5内的环境内均匀地流动并排出。
在歧管10的内表面和盖部26的内表面，配设保护用的绝缘层54、56。因此，能够防止金属制的歧管10和盖部26受到等离子体的损伤，防止异常放电的发生。
该等离子体处理时的晶片W的处理温度，能够通过由等离子体引起的辅助效果实现低温化。与处理的类型相关，例如关于等离子体成膜处理的室温，例如能够降低温度至25℃左右。
如此，依据本发明的实施方式，在筒状的处理容器3的两端配设电极、例如下部电极28和上部电极74。通过对一方的电极、例如上部电极74施加高频电力，由此发生等离子体，通过该等离子体处理多个被处理基板。由此，能够提供同时具有单片式装置和批量式装置两者的优点，不仅提高生产量，也能够提高产品的成品率的装置。
<等离子体生成的评价>
如上所述构成的等离子体处理装置2中，关于能否形成等离子体进行实验。其结果是，能够确定在遍布处理区域5的整个区域中生成等离子体。此时各部的尺寸和处理条件如下所述。
内筒A4的直径：330～350mm；
外筒AB的直径：400～450mm；
电极28、74间的距离：800～1000mm；
气体种类：N2
压力：0.5Torr(66.7Pa)
高频电力：100瓦
<成膜的评价>
使用上述等离子处理装置实际地进行等离子体成膜处理，并进行成膜的评价。这里，作为处理气体使用NH3、SiH4和N2进行硅氮化膜成膜。图3是用于说明进行成膜的评价时的对支撑板评价用的晶片的载置位置的示意图。
在上述成膜的评价时，以与直径300mm的晶片对应的大小在晶片舟44的支柱46支撑直径为300mm的支撑板82。并且，如图3所示，在支撑板82上使向单侧偏心载置的直径为200mm的评价用的晶片W。然后进行成膜，关于评价用的晶片W上的X方向和与之正交的Y方向的位置测定其膜厚。
处理条件如下所示。
处理温度：25℃
处理压力：0.01Torr(由真空泵保持)
气体流量：NH3/SiH4/N2＝20/25/50sccm
高频电力：200瓦
成膜时间：15分钟
图4是表示由该实验所得的晶片表面的膜厚的分布的图表。根据图4可知，在X方向的-100mm的附近，即在支撑板82的周边部形成膜厚260nm左右的厚的薄膜。但是，除此以外在X方向和Y方向都形成稳定的膜厚的薄膜。
上述膜厚的测定的结果，X方向的成膜速率为1.68nm/min(面内均一性：±252.3％)，Y方向的成膜速率为0.56nm/min(面内均一性：±66.8％)。上述的结果能够确认，膜厚的面内均一性虽然不充分，但是薄膜(硅氮化膜)能够充分地堆积。
<成膜的压力依存性的评价>
使用上述等离子体处理装置关于成膜(硅氮化膜)的压力依存性进行实验。在此关于晶片的设定位置和晶片上的测定位置与图3中说明的情况相同。
处理条件如下所示。
处理条件如下所示。
处理温度：25℃
处理压力：0.01Torr(抽真空保持)、0.05Torr、0.1Torr、0.50Torr
气体流量：NH3/SiH4/N2＝20/25/50sccm
高频电力：200瓦
成膜时间：15分钟
图5A表示晶片表面上的Y方向的膜厚分布，图5B表示晶片表面上的X方向的膜厚分布。如图5A所示，在压力为0.5Torr的情况下在晶片表面分散存在没有成膜的部分，成膜状态不好。与此相对，在压力为0.01～0.10Torr的情况下虽然膜厚的面内均一性并不良好，但是能够确认以充分的膜厚形成薄膜。
另外如图5B所示的情况，压力0.5Torr的情况下在晶片表面几乎没有成膜。与此相对，在压力为0.01～0.10Torr的情况下能够确认除了晶片的一侧的边缘部以外都以充分的膜厚形成薄膜。
此外，在上述实施方式中作为从气体供给系统50向环状的气体扩散空间48内供给气体的气体供给喷嘴52使用短的直管。也可以使用分散形的气体供给喷嘴(气体分散喷嘴)代替直管作为气体供给喷嘴。图6是表示设置有气体分散喷嘴时的状态的部分结构图。如图6所示，气体分散喷嘴52X弯曲为L字状并沿着容器主体4的内面(沿着晶片舟44的高度方向)向上方延伸。在气体分散喷嘴52X上，沿着其高度方向多个气体喷出口52A以遍布晶片舟44上的全部晶片W的方式按照规定的间隔形成。气体喷出口52A按照朝向个晶片W沿水平方向喷出并供给气体的方式定向。在这种情况下，由于能够对各晶片W均匀地供给气体，所以能够提高等离子体处理的面间均一性。
另外，在上述实施方式中，容器主体4具有由内筒4A和外筒4B构成的双重管结构。容器主体4也能够为单管结构代替双重管结构。图7是表示本发明的其他的实施方式涉及的使用单管结构的处理容器批量式的等离子体处理装置(纵型等离子体处理装置)的截面图。
如图7所示，处理容器3的容器主体4不具备内筒4A，作为仅由外筒4B构成的单管结构构成。由于没有设置内筒4A，所以不需要支撑内筒4A的下端部的支撑部16(参照图1)。
在该情况下，由于需要向处理容器3内的气体流的上游侧供给气体，因此与气体供给系统50连接的气体供给喷嘴52Y弯曲成L字状向上方延伸到容器主体4的顶部附近。在气体供给喷嘴52Y的上端顶端部形成气体喷出口52A，朝向容器主体4内的大致顶部供给气体。从这里供给的气体在处理容器5内与晶片W接触的同时流下从歧管10上设置的排气口58排出。
在上述单管结构的情况下，歧管10也由石英形成，也可以将其与上方的容器主体4侧构成为一体。并且，上述各实施方式中，容器主体4的顶部6形成为平面形状，也可以形成为曲面状代替平面形状。
图8是表示上端形成为曲面状的处理容器的一例的部分结构图。如图8所示，在该情况下，容器主体4的顶部6形成为曲面状。作为该曲面状能够形成为圆顶(dome)状或者半球壳状。在该情况下，上部电极74也沿着上述曲面形成为相同的曲率的曲面形状。通过将顶部6形成为曲面形状，容器主体4本身的耐压性提高，因此与平坦状的顶部比较能够使顶部6的厚度变薄。
在上述各实施方式中，构成将晶片舟44直接载置在晶片舟台40上的结构。取而代之，也可以在晶片舟台40上例如隔着石英制的保温筒载置上述晶片舟44。
在上述各实施方式中，以使上述处理容器3在上下方向上竖起的纵型地等离子体处理装置为例进行说明。也可以在将处理容器3横置的横型的等离子体处理装置中应用本发明。
另外，被处理基板也能够使用玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等的其他的基板代替半导体晶片。
Claims (20)
1. 一种批量式的等离子体处理装置，其对多个被处理基板一起实施等离子体处理，其特征在于，具备：
筒状的处理容器，具有封闭端和与此相对的开口端，并且在所述封闭端和所述开口端之间具有收纳所述被处理基板的处理区域，所述处理容器具有筒状的绝缘性主体；
保持具，平行地且隔开间隔地保持所述被处理基板，并且能够将其从所述开口端收纳到所述处理容器内；
装载机构，相对于所述处理容器内搬入和搬出所述保持具；
盖部，配置在所述装载机构上并气密地关闭所述开口端；
气体供给系统，向所述处理容器内供给处理气体；
排气系统，对所述处理容器内进行排气；
第一电极，配置在所述处理容器的所述封闭端；
第二电极，配置在所述盖部上，所述第一和第二电极构成通过所述处理容器的所述绝缘性主体被绝缘的平行平板电极对；
高频电源，与所述第一和第二电极的一方连接施加等离子体生成用的高频电力。
2. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述第一和第二电极的另一方接地。
3. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述绝缘性主体具有比所述处理区域大的长度，在所述处理容器的所述绝缘性主体的周围配置用于加热所述被处理基板的加热器。
4. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述盖部通过作为所述第二电极发挥功能的导电性板形成。
5. 根据权利要求4所述的装置，其特征在于：
所述导电性板的面对所述处理容器内的表面由绝缘层覆盖。
6. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述处理容器具备与所述绝缘性主体连接设置并且形成所述开口端的筒状的金属制歧管。
7. 根据权利要求6所述的装置，其特征在于：
所述歧管具有与所述处理区域连通的环状的排气空间、和连接所述排气空间和所述排气系统的排气口。
8. 根据权利要求6所述的装置，其特征在于：
所述气体供给系统具有贯穿所述歧管并且供给所述处理气体的气体供给喷嘴。
9. 根据权利要求8所述的装置，其特征在于：
所述气体供给喷嘴在所述处理区域的上游的规定位置开口，所述歧管与所述盖部一起形成使来自所述气体供给喷嘴的所述处理气体从所述规定位置向环状方向扩散的环状的气体扩散空间。
10. 根据权利要求6所述的装置，其特征在于：
所述盖部具有从所述开口端朝向所述封闭端突出到所述处理容器内的支撑部。
11. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
还具备在所述盖部安装的、使所述保持具旋转的机构。
12. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述封闭端和所述开口端是所述处理容器的上端和下端，所述保持具沿上下方向上隔开间隔地保持所述被处理基板。
13. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述处理容器的所述封闭端形成为平面状。
14. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述处理容器的所述封闭端形成为曲面状。
15. 根据权利要求7所述的装置，其特征在于：
所述处理容器的所述绝缘性主体形成具备夹着间隙配设的内筒和外筒的双重管结构，所述间隙一端与所述环状的排气空间连接，另一端与所述处理区域连通。
16. 根据权利要求15所述的装置，其特征在于：
所述环状的排气空间比所述处理容器的所述绝缘性主体更向半径方向外方伸出。
17. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述处理容器的所述绝缘性主体形成单管结构。
18. 根据权利要求17所述的装置，其特征在于：
所述处理容器，具备与所述绝缘性主体连接设置并且形成所述开口端的筒状的金属制歧管，所述歧管连接有所述排气系统，另一方面所述气体供给系统以从所述处理容器的所述封闭端的附近供给所述处理气体的方式构成。
19. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述气体供给系统具有沿着所述处理容器的内面延伸的、供给所述处理气体的气体分散喷嘴，在所述气体分散喷嘴上，以遍布所述保持具上的所述被处理基板的整体的方式隔开规定的间隔形成有多个气体喷射孔。
20. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述高频电源与所述第一电极连接。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007200114A JP4470970B2 (ja) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | プラズマ処理装置 |
| JP2007-200114 | 2007-07-31 | ||
| JP2007200114 | 2007-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101359583A CN101359583A (zh) | 2009-02-04 |
| CN101359583B true CN101359583B (zh) | 2011-11-16 |
Family
ID=40331986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101280894A Expired - Fee Related CN101359583B (zh) | 2007-07-31 | 2008-07-29 | 批量式等离子体处理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8166914B2 (zh) |
| JP (1) | JP4470970B2 (zh) |
| KR (1) | KR101145538B1 (zh) |
| CN (1) | CN101359583B (zh) |
| TW (1) | TWI405287B (zh) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5658463B2 (ja) | 2009-02-27 | 2015-01-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR101924488B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2018-12-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 공간이 한정된 ｐｅｃｖｄ 챔버 |
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| WO2015037877A1 (ko) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | 가천대학교 산학협력단 | 표면 처리 장치 및 표면 처리 방법 |
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| KR102622739B1 (ko) | 2022-02-10 | 2024-01-09 | 주식회사 유진테크 | 배치식 기판처리장치 |
| KR102640939B1 (ko) | 2022-03-04 | 2024-02-27 | 주식회사 유진테크 | 배치식 기판처리장치 |
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- 2007-07-31 JP JP2007200114A patent/JP4470970B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2008-07-22 TW TW097127822A patent/TWI405287B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-07-29 CN CN2008101280894A patent/CN101359583B/zh not_active Expired - Fee Related
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| Title |
|---|
| JP昭58-93322A 1983.06.03 |
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| Publication number | Publication date |
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| TWI405287B (zh) | 2013-08-11 |
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| JP2009038155A (ja) | 2009-02-19 |
| KR101145538B1 (ko) | 2012-05-15 |
| KR20090013093A (ko) | 2009-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20111116 Termination date: 20170729 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |