JPH0677138A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0677138A JPH0677138A JP12439691A JP12439691A JPH0677138A JP H0677138 A JPH0677138 A JP H0677138A JP 12439691 A JP12439691 A JP 12439691A JP 12439691 A JP12439691 A JP 12439691A JP H0677138 A JPH0677138 A JP H0677138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- flange
- cylindrical member
- port
- flanges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】個々の試料表面に均一な多層膜を形成し、また
多数の試料間で特性の一定した光学薄膜を有する製品を
得る。 【構成】耐熱性と熱透過性を有する材料で構成してなる
筒状部材１１を垂直に立てて配置し、同筒状部材１１の
開口部両端フランジを設けて構成し、前記フランジの少
なくとも一方は開閉自在に構成し、また一方のフランジ
にガス導入口１４を構成し、他方のフランジにガス排気
口１５を設け、さらにガス導入口１４の内側に均等に分
布した細孔１９を有し導電性材料で構成してなる多孔板
１８を配置し、ガス排気口を有する側のフランジに均等
に分布して開口してなるガス排気口を設けてＣＶＤ装置
を構成する。
多数の試料間で特性の一定した光学薄膜を有する製品を
得る。 【構成】耐熱性と熱透過性を有する材料で構成してなる
筒状部材１１を垂直に立てて配置し、同筒状部材１１の
開口部両端フランジを設けて構成し、前記フランジの少
なくとも一方は開閉自在に構成し、また一方のフランジ
にガス導入口１４を構成し、他方のフランジにガス排気
口１５を設け、さらにガス導入口１４の内側に均等に分
布した細孔１９を有し導電性材料で構成してなる多孔板
１８を配置し、ガス排気口を有する側のフランジに均等
に分布して開口してなるガス排気口を設けてＣＶＤ装置
を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置の改良に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、照明用ハロゲン電球と組み合わせ
て用いるコールドミラー等の表面の光学薄膜の形成には
一般に真空蒸着法、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法
が用いられている。ＣＶＤ法に用いる成膜装置としては
例えば図２に示すように、石英ガラスで上方部を幅狭に
構成してなる吊鐘状の筒状部材１と、例えば金属材料か
らなるフランジ２とによって反応室３を構成し、また同
筒状部材１の内部に試料台４を設け、また筒状部材１の
側面外周に加熱機構５を設け、さらに筒状部材１の上部
のガス導入口６より原料ガスを送り込み、さらにフラン
ジ２に設けたガス排気口７よりガスを排気するように構
成してある。
て用いるコールドミラー等の表面の光学薄膜の形成には
一般に真空蒸着法、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法
が用いられている。ＣＶＤ法に用いる成膜装置としては
例えば図２に示すように、石英ガラスで上方部を幅狭に
構成してなる吊鐘状の筒状部材１と、例えば金属材料か
らなるフランジ２とによって反応室３を構成し、また同
筒状部材１の内部に試料台４を設け、また筒状部材１の
側面外周に加熱機構５を設け、さらに筒状部材１の上部
のガス導入口６より原料ガスを送り込み、さらにフラン
ジ２に設けたガス排気口７よりガスを排気するように構
成してある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記のＣＶＤ
装置によると、ガスは１箇所の狭い導入口６より原料ガ
スを送り込み、１箇所の狭いガス排気口７よりガスを排
気するので、ガスの流れが片寄り反応室の内部全体を均
一なガス雰囲気とすることができず、反応室本体の内部
に多数装着してなる個々の試料表面に均一な多層膜を形
成できず、試料間で特性の一定した光学薄膜を有する製
品を得られない欠点がある。
装置によると、ガスは１箇所の狭い導入口６より原料ガ
スを送り込み、１箇所の狭いガス排気口７よりガスを排
気するので、ガスの流れが片寄り反応室の内部全体を均
一なガス雰囲気とすることができず、反応室本体の内部
に多数装着してなる個々の試料表面に均一な多層膜を形
成できず、試料間で特性の一定した光学薄膜を有する製
品を得られない欠点がある。
【０００４】本発明は上記の点に鑑み発明したものであ
って、ガスの流れが反応室の内部でコントロールされ、
反応室全体を均一なガス雰囲気とすることができ、反応
室の内部に多数装着してなる個々の試料の表面に均一な
多層膜を形成することができ、試料間で特性の一定した
光学薄膜を有する製品を得ることができる。
って、ガスの流れが反応室の内部でコントロールされ、
反応室全体を均一なガス雰囲気とすることができ、反応
室の内部に多数装着してなる個々の試料の表面に均一な
多層膜を形成することができ、試料間で特性の一定した
光学薄膜を有する製品を得ることができる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためにＣＶＤ装置を次の構成とする。つまり耐熱性
と熱透過性を有する材料で構成してなり筒状部材を垂直
に立てて配置してなる筒状部材と、同筒状部材の開口部
両端に高周波印加電極を支持するフランジとからＣＶＤ
反応室を構成し、同高周波印加電極に高周波電力を供給
する装置と前記筒状部材の側面を覆ってなる加熱機構と
を具備する。また上記フランジの少なくとも一方は開閉
自在に構成し、さらに一方のフランジにガス導入口を設
け、他方のフランジにガス排気口を設けて構成する。そ
してガス導入口の内側に、均等に分布した細孔を有し導
電性材料で構成してなる多孔板を、ガス導入口を塞ぐよ
うにして配置し、ガス排気口を有する側のフランジに均
等に分布して開口してなる複数個のガス排気口を設けて
構成する。
するためにＣＶＤ装置を次の構成とする。つまり耐熱性
と熱透過性を有する材料で構成してなり筒状部材を垂直
に立てて配置してなる筒状部材と、同筒状部材の開口部
両端に高周波印加電極を支持するフランジとからＣＶＤ
反応室を構成し、同高周波印加電極に高周波電力を供給
する装置と前記筒状部材の側面を覆ってなる加熱機構と
を具備する。また上記フランジの少なくとも一方は開閉
自在に構成し、さらに一方のフランジにガス導入口を設
け、他方のフランジにガス排気口を設けて構成する。そ
してガス導入口の内側に、均等に分布した細孔を有し導
電性材料で構成してなる多孔板を、ガス導入口を塞ぐよ
うにして配置し、ガス排気口を有する側のフランジに均
等に分布して開口してなる複数個のガス排気口を設けて
構成する。
【０００６】
【作用】上記した構造のＣＶＤ装置によると、 反応室
を筒状に構成し、またガス導入口の内側に、均等に分布
した細孔を有し導電性材料で構成してなる多孔板を、ガ
ス導入口を塞ぐようにして配置し、ガス排気口を有する
側のフランジに均等に分布して開口してなる複数個のガ
ス排気口を設けて構成してあるので、ガスの流れが反応
室の内部で片寄ることがなく、全体的に均一なガス雰囲
気とすることができ、反応室の内部に多数装着してなる
個々の試料表面に均一な多層膜を形成することができ、
試料間で特性の一定した光学薄膜を有する製品を得るこ
とができる。
を筒状に構成し、またガス導入口の内側に、均等に分布
した細孔を有し導電性材料で構成してなる多孔板を、ガ
ス導入口を塞ぐようにして配置し、ガス排気口を有する
側のフランジに均等に分布して開口してなる複数個のガ
ス排気口を設けて構成してあるので、ガスの流れが反応
室の内部で片寄ることがなく、全体的に均一なガス雰囲
気とすることができ、反応室の内部に多数装着してなる
個々の試料表面に均一な多層膜を形成することができ、
試料間で特性の一定した光学薄膜を有する製品を得るこ
とができる。
【０００７】
【実施例】以下本発明を図１について説明する。図にお
いて、１１は耐熱性と熱透過性を有する材料で構成した
筒状部材であって、垂直に立てて構成してある。また耐
熱性と熱透過性を有する材料としては例えば石英ガラス
あるいはパイレックスを用いて構成してある。１２及び
１３は筒状部材１１の開口部両端にそれぞれ配置してな
るフランジであって、例えばステンレス等の金属で構成
してあり、少なくとも一方は開閉自在に構成してある。
１４は一方のフランジ１２に構成してなるガス導入口、
１５は他方のフランジ１３に構成してなるガス排気口で
あって、同ガス導入口１４とガス排気口１５は天地を逆
に構成してもよい。そして、筒状部材１１と、上下２つ
のフランジ１２と１３とによって、ＣＶＤ成膜反応を行
なわせる反応室１６を構成する。
いて、１１は耐熱性と熱透過性を有する材料で構成した
筒状部材であって、垂直に立てて構成してある。また耐
熱性と熱透過性を有する材料としては例えば石英ガラス
あるいはパイレックスを用いて構成してある。１２及び
１３は筒状部材１１の開口部両端にそれぞれ配置してな
るフランジであって、例えばステンレス等の金属で構成
してあり、少なくとも一方は開閉自在に構成してある。
１４は一方のフランジ１２に構成してなるガス導入口、
１５は他方のフランジ１３に構成してなるガス排気口で
あって、同ガス導入口１４とガス排気口１５は天地を逆
に構成してもよい。そして、筒状部材１１と、上下２つ
のフランジ１２と１３とによって、ＣＶＤ成膜反応を行
なわせる反応室１６を構成する。
【０００８】１７は一方のフランジ１２に支持してなる
高周波印加電極、１８はガス導入口１４の内側に設けて
なる多孔板であって、均等に分布した細孔１９を有し導
電性材料で構成してある。他方のフランジ１３に設けて
なるガス排気口１５は複数個あり均等に分布して開口し
てある。２０は筒状部材１１の側面を覆ってなる加熱機
構であって、例えばタングステンヒータを用いて構成す
る。また筒状部材１１の内部の温度は例えば４５０℃程
度まで上昇させる。２１は高周波印加電極１７に接続し
てなる高周波電源、２２は筒状部材１１の内部に配置し
てなり接地電極を兼ねる試料台、２３は試料台２２に支
持してなる試料支持機構、２４は試料支持機構２３に支
持してなる試料であって、例えば電球と組み合わせて用
いるコールドミラー等である。２５は試料表面に均一な
膜を形成するため、試料台２２を回転自在とする回転機
構である。
高周波印加電極、１８はガス導入口１４の内側に設けて
なる多孔板であって、均等に分布した細孔１９を有し導
電性材料で構成してある。他方のフランジ１３に設けて
なるガス排気口１５は複数個あり均等に分布して開口し
てある。２０は筒状部材１１の側面を覆ってなる加熱機
構であって、例えばタングステンヒータを用いて構成す
る。また筒状部材１１の内部の温度は例えば４５０℃程
度まで上昇させる。２１は高周波印加電極１７に接続し
てなる高周波電源、２２は筒状部材１１の内部に配置し
てなり接地電極を兼ねる試料台、２３は試料台２２に支
持してなる試料支持機構、２４は試料支持機構２３に支
持してなる試料であって、例えば電球と組み合わせて用
いるコールドミラー等である。２５は試料表面に均一な
膜を形成するため、試料台２２を回転自在とする回転機
構である。
【０００９】
【発明の効果】本発明は上記したように、反応室を筒状
に構成し、またガス導入口の内側に均等に分布した細孔
を有し導電性材料で構成してなる多孔板を、ガス導入口
を塞ぐように配置し、さらにガス排気口を有する側のフ
ランジに均等に分布して開口してなる複数個のガス排気
口を設けて構成したので、ガスの流れが反応室の内部で
片寄ることがなく、全体的に均一なガス雰囲気とするこ
とができる。従って反応室の内部に多数装着してなる個
々の試料表面に均一な多層膜を形成することができ、試
料間で特性の一定した光学薄膜を有する製品を得ること
ができる特有な効果を有する。
に構成し、またガス導入口の内側に均等に分布した細孔
を有し導電性材料で構成してなる多孔板を、ガス導入口
を塞ぐように配置し、さらにガス排気口を有する側のフ
ランジに均等に分布して開口してなる複数個のガス排気
口を設けて構成したので、ガスの流れが反応室の内部で
片寄ることがなく、全体的に均一なガス雰囲気とするこ
とができる。従って反応室の内部に多数装着してなる個
々の試料表面に均一な多層膜を形成することができ、試
料間で特性の一定した光学薄膜を有する製品を得ること
ができる特有な効果を有する。
【図１】図１は本発明のＣＶＤ装置の概略断面図。
【図２】図２は従来のＣＶＤ装置の概略断面図。
１１ 筒状部材 １２、１３ フランジ １４ ガス導入口 １５ ガス排気口 １６ 反応室 １７ 高周波印加電極 １８ 多孔板 １９ 細孔 ２０ 加熱機構 ２１ 高周波電源 ２２ 試料台 ２３ 試料支持機構 ２４ 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芹田 功 埼玉県川越市芳野台２丁目８番36号 株式 会社幸和クリエイター内
Claims (1)
- 【請求項１】耐熱性と熱透過性を有する材料で構成して
なる筒状部材を垂直に立てて配置し、同筒状部材の開口
部両端に高周波印加電極を支持するフランジとからＣＶ
Ｄ反応室が構成され、同高周波印加電極に高周波電力を
供給する装置と、前記筒状部材の側面を覆ってなる加熱
機構とを具備するＣＶＤ装置において、 前記フランジの少なくとも一方は開閉自在に構成し、さ
らに一方のフランジにガス導入口を設け、他方のフラン
ジにガス排気口を設け、またガス導入口の内側に、均等
に分布した細孔を有し導電性材料で構成してなる多孔板
を配置し、ガス排気口を有する側のフランジに均等に分
布して開口してなる複数個のガス排気口を設けて構成し
たことを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12439691A JPH0677138A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12439691A JPH0677138A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677138A true JPH0677138A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=14884400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12439691A Pending JPH0677138A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677138A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310857A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Asm Internatl Nv | 炉のドアプレート |
| JP2010103544A (ja) * | 2001-01-11 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| US8166914B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-05-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus of batch type |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP12439691A patent/JPH0677138A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010103544A (ja) * | 2001-01-11 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2013065872A (ja) * | 2001-01-11 | 2013-04-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2006310857A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Asm Internatl Nv | 炉のドアプレート |
| US8166914B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-05-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus of batch type |
| KR101145538B1 (ko) * | 2007-07-31 | 2012-05-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 배치식 플라즈마 처리 장치 |
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