JPS6115974A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS6115974A JPS6115974A JP59135845A JP13584584A JPS6115974A JP S6115974 A JPS6115974 A JP S6115974A JP 59135845 A JP59135845 A JP 59135845A JP 13584584 A JP13584584 A JP 13584584A JP S6115974 A JPS6115974 A JP S6115974A
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- gas
- electrode
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- gas chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマＣＶＤ装置における原料ガスのガス
室からの均等な吹外出しに関する。
室からの均等な吹外出しに関する。
（従来技術）
プラズマＣＶＤ技術は、薄膜を比較的低温で成長できる
ことを特長とする成膜技術である。プラズマＣＶＤ技術
において、たとえば高周波放電により反応ガスを放電プ
ラズマ状態におくことにより、反応ガスの化学結合は低
温で分解され、活性化された粒子が作り出され、そして
、この活性化された粒子間の反応によりＣＶＤ膜が形成
される。
ことを特長とする成膜技術である。プラズマＣＶＤ技術
において、たとえば高周波放電により反応ガスを放電プ
ラズマ状態におくことにより、反応ガスの化学結合は低
温で分解され、活性化された粒子が作り出され、そして
、この活性化された粒子間の反応によりＣＶＤ膜が形成
される。
プラズマＣＶＤ技術は、種々の物質の成膜に利用されて
いて、たとえば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を成膜する
こともできる。ａ−８ｉは、電子写真用感光体としても
適している。電子写真用感光体として使用する場合、ａ
−８ｉ膜は、大面積の円筒状基板上に、比較的厚く（２
０〜５０μｌ１１）、且つ、均一に成膜されねばならな
い。
いて、たとえば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を成膜する
こともできる。ａ−８ｉは、電子写真用感光体としても
適している。電子写真用感光体として使用する場合、ａ
−８ｉ膜は、大面積の円筒状基板上に、比較的厚く（２
０〜５０μｌ１１）、且つ、均一に成膜されねばならな
い。
第８図は、従来のａ−８ｉ用プラズマＣＶＤ装置の−−
を示す。４個のアルミニウム円筒からなる基板１，１．
・・・が、その軸の周りに回転可能なように、その軸を
平行にして一列に配置される。この−列の基板１，１．
・・・の両側に平板状の電極２が配置される。この電極
２は、外壁２ａ内壁２ｂとからなり、外壁２ａと内壁２
ｂとの間にガス室３を区画する。外壁２ａには、ガスを
外部から導入するための導入口４が設けられ、一方、内
壁２ｂには、この内壁２ｂと基板１との間の空間（放電
領域）に原料ガスを供給するための図示しない多数の小
さな開口が設けられる。図において、矢印は、この原料
ガスを通してのガスの供給を示す。
を示す。４個のアルミニウム円筒からなる基板１，１．
・・・が、その軸の周りに回転可能なように、その軸を
平行にして一列に配置される。この−列の基板１，１．
・・・の両側に平板状の電極２が配置される。この電極
２は、外壁２ａ内壁２ｂとからなり、外壁２ａと内壁２
ｂとの間にガス室３を区画する。外壁２ａには、ガスを
外部から導入するための導入口４が設けられ、一方、内
壁２ｂには、この内壁２ｂと基板１との間の空間（放電
領域）に原料ガスを供給するための図示しない多数の小
さな開口が設けられる。図において、矢印は、この原料
ガスを通してのガスの供給を示す。
基板１，１．・・・と電極２，２とは、チャンバー（真
空槽）５内に設置される。上記の開口から放電領域内に
導入されるガスは、チャンバー５に設置た排気口６か呟
真空ポンプ７によって排気され、所定の圧力に保たれる
。ＲＦ電源８は、導入口４，４を介して、電極２に接続
され、一方、基板１，１．・・・は接地される。なお、
図示しないが、ヒーターが基板１，１．・・・と電極２
，２とに取り付けられる。
空槽）５内に設置される。上記の開口から放電領域内に
導入されるガスは、チャンバー５に設置た排気口６か呟
真空ポンプ７によって排気され、所定の圧力に保たれる
。ＲＦ電源８は、導入口４，４を介して、電極２に接続
され、一方、基板１，１．・・・は接地される。なお、
図示しないが、ヒーターが基板１，１．・・・と電極２
，２とに取り付けられる。
第９図は、従来のａ−３ｉ用プラズマＣＶＤ装置の一例
を図式的に示す。アルミニウム円筒からなる基板１は、
その軸の周りに回転可能に、円筒状の電極２の内部に設
けられる。電極２は、この基板１と軸を共通に配置され
た二枚の円筒板２ａ、 ２ｂからなり、ガス室３がこの
二枚の円筒板２ａ、 ２ｂにより区画される。外側の円
筒板２ａには、図示しないガス供給装置から原料が冬を
導入するための導入口４が設けられ、一方、内側の円筒
板２ｂには、この円筒板２ｂの内部の空間（放電領域）
に原料ガスを導入するための図示しない多数の小さな開
口が設けられる。基板１と電極２とは、チャンバー５内
に設置される。チャンバー５内に上記の開口から導入さ
れるガスは、チャンバー５の下部か呟排気口６を介して
真空ポンプ７により排気される。ＲＦ電源８は、導入口
４を介して電極２に接続され、一方、基板１は、接地さ
れる。図示しないが、ヒーターは、それぞれ、基板１と
電極２に取り付けられ、ヒーター用電源に接続される。
を図式的に示す。アルミニウム円筒からなる基板１は、
その軸の周りに回転可能に、円筒状の電極２の内部に設
けられる。電極２は、この基板１と軸を共通に配置され
た二枚の円筒板２ａ、 ２ｂからなり、ガス室３がこの
二枚の円筒板２ａ、 ２ｂにより区画される。外側の円
筒板２ａには、図示しないガス供給装置から原料が冬を
導入するための導入口４が設けられ、一方、内側の円筒
板２ｂには、この円筒板２ｂの内部の空間（放電領域）
に原料ガスを導入するための図示しない多数の小さな開
口が設けられる。基板１と電極２とは、チャンバー５内
に設置される。チャンバー５内に上記の開口から導入さ
れるガスは、チャンバー５の下部か呟排気口６を介して
真空ポンプ７により排気される。ＲＦ電源８は、導入口
４を介して電極２に接続され、一方、基板１は、接地さ
れる。図示しないが、ヒーターは、それぞれ、基板１と
電極２に取り付けられ、ヒーター用電源に接続される。
第４０図は、従来のａ−８ｉ用プラズマＣＶＤ装置の他
の例を図式的に示す。第９図に示した装置との第一の相
違は、電極２がチャンバー５の一部になっていることで
ある。チャンバー５は、電極２Ｉ上部５ｍ、下部５ｂと
からなり、下部５ｂは電極２に対して絶縁されている。
の例を図式的に示す。第９図に示した装置との第一の相
違は、電極２がチャンバー５の一部になっていることで
ある。チャンバー５は、電極２Ｉ上部５ｍ、下部５ｂと
からなり、下部５ｂは電極２に対して絶縁されている。
第二の相違は、電極２の上側の側壁が円板状であり、放
電領域に面する部分に、多数の小さな開口が一様に設け
られていることである。第三の相違は、チャンバーの上
部５ａと側壁５ｃとが−っの室３ａを区画し、導入口４
が上部５ａに取り付けられていることである。原料ガス
は、第１０図に矢印で示すように、まず、ガス室３ａに
導入され、次いで、一部は直接に、大部分は、ガス室３
を経て間接的に、放電領域に流れる。
電領域に面する部分に、多数の小さな開口が一様に設け
られていることである。第三の相違は、チャンバーの上
部５ａと側壁５ｃとが−っの室３ａを区画し、導入口４
が上部５ａに取り付けられていることである。原料ガス
は、第１０図に矢印で示すように、まず、ガス室３ａに
導入され、次いで、一部は直接に、大部分は、ガス室３
を経て間接的に、放電領域に流れる。
プラズマＣＶＤによるａ−８ｉの成膜は、次のように行
われる。パッシェン則から、自続放電開始電圧は、電極
２と基板１との間隔ｄの気体の圧力ｐとの積ｐｄに依存
して変化する。従来は、この間隔ｄは、気体の圧力がＩ
Ｔｏｒｒ近傍で自続放電開始電圧がほぼ最小になる３０
〜５０鰺−の範囲内で選定されていて、通常は、４０ｓ
ｎ程度が選ばれる。
われる。パッシェン則から、自続放電開始電圧は、電極
２と基板１との間隔ｄの気体の圧力ｐとの積ｐｄに依存
して変化する。従来は、この間隔ｄは、気体の圧力がＩ
Ｔｏｒｒ近傍で自続放電開始電圧がほぼ最小になる３０
〜５０鰺−の範囲内で選定されていて、通常は、４０ｓ
ｎ程度が選ばれる。
この領域では、放電の安定性と基板へのガスの均一な供
給とが得られやすいという長所がある。シラン等の原料
ガスは、ガス室３がら円筒板２ｂに設けられた多数の開
口を経て、第３図に矢印で示すように、電極２と基板１
との闇の空間内に導入される。チャンバー内の圧力は、
０．１〜１０Ｔｏｒｒに保たれる。基板１は、成膜の均
一性を保つために、１０〜３０ｒｐ−で回転される。基
板１の温度は、１５０〜３００℃に加熱される。電極２
と電極（基板）１との間にＲＦ電圧を印加すると、グロ
ー放電が生じ、原料が又は分解され、ａ−８ｉ膜が、基
板１上に成膜される。
給とが得られやすいという長所がある。シラン等の原料
ガスは、ガス室３がら円筒板２ｂに設けられた多数の開
口を経て、第３図に矢印で示すように、電極２と基板１
との闇の空間内に導入される。チャンバー内の圧力は、
０．１〜１０Ｔｏｒｒに保たれる。基板１は、成膜の均
一性を保つために、１０〜３０ｒｐ−で回転される。基
板１の温度は、１５０〜３００℃に加熱される。電極２
と電極（基板）１との間にＲＦ電圧を印加すると、グロ
ー放電が生じ、原料が又は分解され、ａ−８ｉ膜が、基
板１上に成膜される。
（発明の解決すべき問題点）
成膜に際し、特に電子写真用感光体のａ−８ｉ膜のよう
な厚い膜の製造に際しては、膜厚を均一に保つことが重
要である。このためには、複数種の原料からなる原料ガ
スを均一に混合することと、電極１，２の闇の空間に原
料ガスを均一に供給することがきわめて必要である。従
来の装置においては、電極２には一つのガス室３が設け
られ、その内壁に多数の開口が設けられている。原料ガ
スは、まず、ガス室３に導入され、均一化された後、開
口から吹き出す。この際に、開口の形状、分布、吹き出
し圧力、排気口の配置等の色々な対策が必要である。こ
れについては、たとえば、特開昭５８−５２４７１号公
報、特開昭５８−５２６！５０号公報、特開昭５８−１
０１７３５号公報、特開昭５８−１１．８１１１号公報
、特開昭５９−３８３７５号公報に開示されている。
な厚い膜の製造に際しては、膜厚を均一に保つことが重
要である。このためには、複数種の原料からなる原料ガ
スを均一に混合することと、電極１，２の闇の空間に原
料ガスを均一に供給することがきわめて必要である。従
来の装置においては、電極２には一つのガス室３が設け
られ、その内壁に多数の開口が設けられている。原料ガ
スは、まず、ガス室３に導入され、均一化された後、開
口から吹き出す。この際に、開口の形状、分布、吹き出
し圧力、排気口の配置等の色々な対策が必要である。こ
れについては、たとえば、特開昭５８−５２４７１号公
報、特開昭５８−５２６！５０号公報、特開昭５８−１
０１７３５号公報、特開昭５８−１１．８１１１号公報
、特開昭５９−３８３７５号公報に開示されている。
しかし、電極面から基板へのガスの一様な供給は、基板
が大型化した場合や、円筒状である場合は、非常にむつ
かしい。このため、現状では、開口の径や配置等の変更
もしくは導入口の複数化などの手段により、ようやく膜
厚の均一性を得ることがでざる。
が大型化した場合や、円筒状である場合は、非常にむつ
かしい。このため、現状では、開口の径や配置等の変更
もしくは導入口の複数化などの手段により、ようやく膜
厚の均一性を得ることがでざる。
本発明の目的は、電極面からガスの均一な供給を容易に
達成できるプラズマＣＶＤ装置を提供することである。
達成できるプラズマＣＶＤ装置を提供することである。
（問題点を解決すべき手段）
本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、真空槽内にガスを
供給するためのガス室を設けた電極と上に膜を形成する
ための基板とを真空槽内に設けたプラズマＣＶＤ装置に
おいて、上記の電極が外壁、中壁、内壁および側壁から
なり、第一のガス室が外壁、中壁および側壁から構成さ
れ、第二のガス室が中壁、内壁および側壁から構成され
、外部から第一のガス室にガスな導入するためのガス導
入口が外壁に取り付けられ、中壁と内壁とには、それぞ
れ、ガス供給用の多数の開口が設けられていて、第一の
ガス室の圧力をＰＩＴ第二のガス室の圧力をＰ２＋真空
槽の圧力をＰ３と表わすとき、Ｐｌ〉Ｐ２≧Ｐ３の関係
を保つように、上記の開口の分布、数、径が調整されて
いることを特徴とする。
供給するためのガス室を設けた電極と上に膜を形成する
ための基板とを真空槽内に設けたプラズマＣＶＤ装置に
おいて、上記の電極が外壁、中壁、内壁および側壁から
なり、第一のガス室が外壁、中壁および側壁から構成さ
れ、第二のガス室が中壁、内壁および側壁から構成され
、外部から第一のガス室にガスな導入するためのガス導
入口が外壁に取り付けられ、中壁と内壁とには、それぞ
れ、ガス供給用の多数の開口が設けられていて、第一の
ガス室の圧力をＰＩＴ第二のガス室の圧力をＰ２＋真空
槽の圧力をＰ３と表わすとき、Ｐｌ〉Ｐ２≧Ｐ３の関係
を保つように、上記の開口の分布、数、径が調整されて
いることを特徴とする。
（作用）
本発明に係るプラズマＣＶＤ装置においては、ガス室が
二重構造になっていて、且つ、二つのガス室の間に圧力
差が生じる。導入口から第１ガス室１に導入されたガス
は、まず第一ガス室で均一化される。均一化されたガス
は、第二ガス室でさらに均一化される。こうして、ガス
は、電極全域にわたって、すみやかに且つ均等に分配さ
れる。
二重構造になっていて、且つ、二つのガス室の間に圧力
差が生じる。導入口から第１ガス室１に導入されたガス
は、まず第一ガス室で均一化される。均一化されたガス
は、第二ガス室でさらに均一化される。こうして、ガス
は、電極全域にわたって、すみやかに且つ均等に分配さ
れる。
また、第二ガス室内のガスは、電極内壁と基板との開の
放電領域へは、一様に分布した多数の開口からほとんど
圧力差のない流れとなって拡散供給されるため、ガス流
速が強すぎることにより成膜時に生じる膜質の異常は生
じず、膜質は向上する。
放電領域へは、一様に分布した多数の開口からほとんど
圧力差のない流れとなって拡散供給されるため、ガス流
速が強すぎることにより成膜時に生じる膜質の異常は生
じず、膜質は向上する。
（実施例）
以下、添付の図面を参照して、本発明の詳細な説明する
。
。
第１図に示したプラズマＣＶＤ装置は、電１ｉ２の構成
を除いては、第８図に示した従来のプラズマＣＶＤ装置
と同じである。電極２は、平面状の外壁１１ａ、中壁１
１ｂ、内壁１１ｃおよび側壁ｌｉｄからなる。第一のガ
ス室１２ａは、外壁１１ａ、中壁１１１）および側壁１
１ｄにより区画され、第二のガス室１２１＋は、中壁１
１ｂ、内壁１１ｃおよび側壁ｌｉｄにより区画される。
を除いては、第８図に示した従来のプラズマＣＶＤ装置
と同じである。電極２は、平面状の外壁１１ａ、中壁１
１ｂ、内壁１１ｃおよび側壁ｌｉｄからなる。第一のガ
ス室１２ａは、外壁１１ａ、中壁１１１）および側壁１
１ｄにより区画され、第二のガス室１２１＋は、中壁１
１ｂ、内壁１１ｃおよび側壁ｌｉｄにより区画される。
第２図（ａ）の図式的な部分断面図に示すよ）に、外壁
１１ａには、外部から原料ガスを導入するために、導入
口４が取り付けられ、中壁１１ｂと内壁１１ｃには、そ
れぞれ、多数の小さな開口す、 ｂ、・・・とａ、 ａ
、・・・が一様に設けられる。いま、第一ガス室１２ａ
での圧力をｐＨ第二〃スガス２ｂでの圧力をＰ２１内壁
１１ｃと基板１との開の空間（放電領域）での圧力をＰ
、とすると、 ｐ、＞ ｐ２≧Ｐ。
１１ａには、外部から原料ガスを導入するために、導入
口４が取り付けられ、中壁１１ｂと内壁１１ｃには、そ
れぞれ、多数の小さな開口す、 ｂ、・・・とａ、 ａ
、・・・が一様に設けられる。いま、第一ガス室１２ａ
での圧力をｐＨ第二〃スガス２ｂでの圧力をＰ２１内壁
１１ｃと基板１との開の空間（放電領域）での圧力をＰ
、とすると、 ｐ、＞ ｐ２≧Ｐ。
の関係を保つことが必要である。この実施例においては
、開口す、 Ｉ＋、・・・とａｔ ａ、・・・の内径は
、いずれも１．６ｖ＋＋とじた。また、第２図（ｂ’）
の図式的な部分側面図に示すように、開口す、ｂ、・・
・とａ、 １１．・・・の位置は重ならないようにする
。開口ａ、 ａｔ・・・の数は、開口す、 ｂ、・・・
の数の約２倍とした。原料ガスは、第２図（、）に矢印
で示すように流れる。原料ガスは、第一ガス室１２ａで
均一に拡散し、第二ガス室１２ｂでさらに均一に拡散し
、開口ａ、ａ、・・・からゆるやかに放電領域に吹き出
し、拡散する。
、開口す、 Ｉ＋、・・・とａｔ ａ、・・・の内径は
、いずれも１．６ｖ＋＋とじた。また、第２図（ｂ’）
の図式的な部分側面図に示すように、開口す、ｂ、・・
・とａ、 １１．・・・の位置は重ならないようにする
。開口ａ、 ａｔ・・・の数は、開口す、 ｂ、・・・
の数の約２倍とした。原料ガスは、第２図（、）に矢印
で示すように流れる。原料ガスは、第一ガス室１２ａで
均一に拡散し、第二ガス室１２ｂでさらに均一に拡散し
、開口ａ、ａ、・・・からゆるやかに放電領域に吹き出
し、拡散する。
第３図に示すプラズマＣＶＤ装置は、電極２の構成を除
いては、第９図に示した従来のプラズマＣＶＤ装置と同
じである。ここで、チャンバー５の中央に、円筒状の基
板１が回転可能に設けられる。電極２は、基板１の軸と
同心円をなす円筒状の外壁１１ａ、中壁１１ｂ、内壁１
．１ｃと側壁ｌｉｄとからなる。第一のガス室１．２ａ
は、外壁１１ａ。
いては、第９図に示した従来のプラズマＣＶＤ装置と同
じである。ここで、チャンバー５の中央に、円筒状の基
板１が回転可能に設けられる。電極２は、基板１の軸と
同心円をなす円筒状の外壁１１ａ、中壁１１ｂ、内壁１
．１ｃと側壁ｌｉｄとからなる。第一のガス室１．２ａ
は、外壁１１ａ。
中壁１１ｂおよび側壁ｌｉｄにより区画され、第二のガ
ス室１２ｂは、中壁１１ｂ、内壁１１ｃおよび側壁１ｉ
ｄにより区画される。外壁１１ａには、外部から原料ガ
スを導入するために、導入口４が取１）付けられ、中壁
１１ｂと内壁１１ｃには、それぞれ、多数の小さな開口
が一様に設けられる。
ス室１２ｂは、中壁１１ｂ、内壁１１ｃおよび側壁１ｉ
ｄにより区画される。外壁１１ａには、外部から原料ガ
スを導入するために、導入口４が取１）付けられ、中壁
１１ｂと内壁１１ｃには、それぞれ、多数の小さな開口
が一様に設けられる。
第４図は、電極２の部分断面斜視図である。中壁１１１
］の開口と内壁１１ｃの開口とは、第１図に示した第一
の実施例と同じく、 Ｐ、＞ Ｐ２≧Ｐ３ の関係を保つように設けられる。
］の開口と内壁１１ｃの開口とは、第１図に示した第一
の実施例と同じく、 Ｐ、＞ Ｐ２≧Ｐ３ の関係を保つように設けられる。
原料ガスは、第３図に矢印で示すように流れる。
原料ガスは、第一ガス室１２ａで均一に拡散し、第二ガ
ス室１２ｂでさらに均一に拡散し、内壁１１ｃに設けた
開口からゆるやかに放電領域に吹外出し、拡散する。
ス室１２ｂでさらに均一に拡散し、内壁１１ｃに設けた
開口からゆるやかに放電領域に吹外出し、拡散する。
第５図に示すプラズマＣＶＤ装置は、電極２の構成を除
いては、第１０図に示した従来のプラズマＣＶＤ装置と
同じである。電極２は、外壁１１ａ。
いては、第１０図に示した従来のプラズマＣＶＤ装置と
同じである。電極２は、外壁１１ａ。
中壁１１ｂ、内壁ｌｉｅおよび側壁ｌｉｄ、ｌｉｅから
構成される。中壁１１ｂ、内壁１１ｃおよび側壁ｌｉｄ
、ｌｉｅは、カセットとして一体化されていて、着脱可
能である。第一のガス室１２ａは、外壁１１ａ、中壁１
１ｂおよび側壁ｌｉｄにより区画され、第二のガス室１
２ｂは、中壁１１ｂ、内壁１１ｃ、外壁１１ａ、側壁ｌ
ｉｅにより区画される。
構成される。中壁１１ｂ、内壁１１ｃおよび側壁ｌｉｄ
、ｌｉｅは、カセットとして一体化されていて、着脱可
能である。第一のガス室１２ａは、外壁１１ａ、中壁１
１ｂおよび側壁ｌｉｄにより区画され、第二のガス室１
２ｂは、中壁１１ｂ、内壁１１ｃ、外壁１１ａ、側壁ｌ
ｉｅにより区画される。
また、第三のガス室１２ｃは、チャンバー上部Ｓａ＋外
壁１１ａおよび側壁ｌｉｄにより区画され、第四のガス
室１２ｄは、側壁１１ｄ、ｌｌｅおよび中壁１１ｂによ
り区画される。図示しないが、中壁１１ｂ。
壁１１ａおよび側壁ｌｉｄにより区画され、第四のガス
室１２ｄは、側壁１１ｄ、ｌｌｅおよび中壁１１ｂによ
り区画される。図示しないが、中壁１１ｂ。
内壁１１ｃおよび側壁１１ｄ、ｌｌｅには多数の開口が
設けられる。中壁１１ｂと内壁１．１ｃとに設けた開口
は、 ｐ、＞ ｐ２≧Ｐ３ となるように内径等を調整する。同様に、第三のガス室
の圧力をＰ４、第四のガス室の圧力なＰ５としたときに
、側壁１１ｄ、ｌｉｅに設けた開口は、Ｐ、＞ Ｐ５≧
Ｐ３ となるように内径等を調整する。
設けられる。中壁１１ｂと内壁１．１ｃとに設けた開口
は、 ｐ、＞ ｐ２≧Ｐ３ となるように内径等を調整する。同様に、第三のガス室
の圧力をＰ４、第四のガス室の圧力なＰ５としたときに
、側壁１１ｄ、ｌｉｅに設けた開口は、Ｐ、＞ Ｐ５≧
Ｐ３ となるように内径等を調整する。
原料ガスは、第５図に矢印で示すように、まず第三ガス
室１２ｃに入り均一に拡散する。次に、一部は、第四ガ
ス室１２ｄに入り、均一に拡散した後、放電領域にゆる
やかに吹き出す。大部分は、一旦第一ガス室１２ａに入
り、均一に拡散した後、第二がス室１２ｂに入り、さら
に均一に拡散した後、放電領域にゆるやかに吹き出す。
室１２ｃに入り均一に拡散する。次に、一部は、第四ガ
ス室１２ｄに入り、均一に拡散した後、放電領域にゆる
やかに吹き出す。大部分は、一旦第一ガス室１２ａに入
り、均一に拡散した後、第二がス室１２ｂに入り、さら
に均一に拡散した後、放電領域にゆるやかに吹き出す。
中壁１１ｂと内壁１１ｃとを一体として外壁１１ａに対
して着脱できるので、保守が非常にやりゃすくなった。
して着脱できるので、保守が非常にやりゃすくなった。
第６図に示したプラズマＣＶＤ装置は、電極２゜２が、
チャンバー５の一部をなしていることを除いて、第１図
に示したプラズマＣＶＤ装置と同様である。詳しい説明
は、省略する。
チャンバー５の一部をなしていることを除いて、第１図
に示したプラズマＣＶＤ装置と同様である。詳しい説明
は、省略する。
第７図に示したプラズマＣＶＤ装置は、円筒状の電極２
の内側に、４個の円筒状基板１，１．・・・をその軸を
同一円周上に配置した装置である。電極２は、円筒状の
外壁１１ａ、中壁１１ｂ、内壁１１ｃおよび図示しない
側壁から構成される。第一ガス室１２ａは、外壁１１ａ
、中壁１１ｂおよび側壁によ５９区画され、第二ガス室
１２ｂは、中壁１１ｂ。
の内側に、４個の円筒状基板１，１．・・・をその軸を
同一円周上に配置した装置である。電極２は、円筒状の
外壁１１ａ、中壁１１ｂ、内壁１１ｃおよび図示しない
側壁から構成される。第一ガス室１２ａは、外壁１１ａ
、中壁１１ｂおよび側壁によ５９区画され、第二ガス室
１２ｂは、中壁１１ｂ。
内壁１１ｃおよび側壁より区画される。外壁１１ａには
、導入口４が設けられ、中壁１１ｂと内壁ｔｉｃとには
、図示しない多数の小さな開口が設けられる。この開口
は、 ｐ、＞ Ｐ２≧Ｐ３ となるように、内径等が調整される。
、導入口４が設けられ、中壁１１ｂと内壁ｔｉｃとには
、図示しない多数の小さな開口が設けられる。この開口
は、 ｐ、＞ Ｐ２≧Ｐ３ となるように、内径等が調整される。
（発明の効果）
本発明に係るプラズマＣＶＤ装置において、ガスが放電
領域に均等にゆるやかに拡散供給される。
領域に均等にゆるやかに拡散供給される。
このため、良好な膜質が得られる。また、成膜条件、真
空槽内圧、ガス流量等に幅広く適合し、全く調整の必要
がない。
空槽内圧、ガス流量等に幅広く適合し、全く調整の必要
がない。
第１図は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一例の図
式的な断面図である。 第２図（ａ）は、電極の部分断面図であり、第２図（ｂ
）は、電極の部分平面図である。 第３図は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一例の図
式的な断面図である。 第４図は、基板と電極との部分切欠き斜視図である。 第５図、第６図及び第７図は、それぞれ、本発明に係る
プラズマＣＶＤ装置の一例の図式的な断面図である。 第８図、第９図及び第１０図は、それぞれ、従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の図式的な断面図である。 １・・・基板、 ２・・・電極、 ５・・・真
空槽、１１ａ・・・外壁、 ｌｌｂ・・・中壁、
１１ｃ・・・内壁、１２ａ・・・第一ガス室、 １
２ｂ・・・第二ガス室。 特許出願人 ミノルタカメラ株式会社代 理
人 弁理士 青白 葆 ほか２名第１ｆｆｌ 第２図（ａ） 第２図（ｂ） 第３図 第５図 第７図 第８図 第９図
式的な断面図である。 第２図（ａ）は、電極の部分断面図であり、第２図（ｂ
）は、電極の部分平面図である。 第３図は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一例の図
式的な断面図である。 第４図は、基板と電極との部分切欠き斜視図である。 第５図、第６図及び第７図は、それぞれ、本発明に係る
プラズマＣＶＤ装置の一例の図式的な断面図である。 第８図、第９図及び第１０図は、それぞれ、従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の図式的な断面図である。 １・・・基板、 ２・・・電極、 ５・・・真
空槽、１１ａ・・・外壁、 ｌｌｂ・・・中壁、
１１ｃ・・・内壁、１２ａ・・・第一ガス室、 １
２ｂ・・・第二ガス室。 特許出願人 ミノルタカメラ株式会社代 理
人 弁理士 青白 葆 ほか２名第１ｆｆｌ 第２図（ａ） 第２図（ｂ） 第３図 第５図 第７図 第８図 第９図
Claims (1)
- （１）真空槽内にガスを供給するためのガス室を設けた
電極と上に膜を形成するための基板とを真空槽内に設け
たプラズマＣＶＤ装置において、上記の電極が外壁、中
壁、内壁および側壁からなり、第一のガス室が外壁、中
壁および側壁から構成され、第二のガス室が中壁、内壁
および側壁から構成され、外部から第一のガス室にガス
を導入するためのガス導入口が外壁に取り付けられ、中
壁と内壁とには、それぞれ、ガス供給用の多数の開口が
設けられていて、第一のガス室の圧力をＰ＿１、第二の
ガス室の圧力をＰ＿２、真空槽の圧力をＰ＿３と表わす
とき、Ｐ＿１＞Ｐ＿２≧Ｐ＿３の関係を保つように、上
記の開口の分布、数、径が調整されていることを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135845A JPH0694591B2 (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135845A JPH0694591B2 (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6115974A true JPS6115974A (ja) | 1986-01-24 |
| JPH0694591B2 JPH0694591B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=15161102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59135845A Expired - Lifetime JPH0694591B2 (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0694591B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989003587A1 (en) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for thin film formation by plasma cvd |
| US5789468A (en) * | 1997-03-27 | 1998-08-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Internal anticratering agent for cathodic electrocoating compositions |
| US6132581A (en) * | 1999-04-22 | 2000-10-17 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Electrocoating compositions containing polyvinylpyrrolidone crater control agents |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP59135845A patent/JPH0694591B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989003587A1 (en) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for thin film formation by plasma cvd |
| US4991542A (en) * | 1987-10-14 | 1991-02-12 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of forming a thin film by plasma CVD and apapratus for forming a thin film |
| US5789468A (en) * | 1997-03-27 | 1998-08-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Internal anticratering agent for cathodic electrocoating compositions |
| US6132581A (en) * | 1999-04-22 | 2000-10-17 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Electrocoating compositions containing polyvinylpyrrolidone crater control agents |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0694591B2 (ja) | 1994-11-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |