JPS6119779A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS6119779A JPS6119779A JP13833584A JP13833584A JPS6119779A JP S6119779 A JPS6119779 A JP S6119779A JP 13833584 A JP13833584 A JP 13833584A JP 13833584 A JP13833584 A JP 13833584A JP S6119779 A JPS6119779 A JP S6119779A
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- JP
- Japan
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- electrode
- cylindrical
- gas
- electrodes
- substrates
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、円筒状基体上に成膜するためのプラズマＣＶ
Ｄ装置に関する。
Ｄ装置に関する。
（従来技術）
プラズマＣＶＤ技術は、薄膜を比較的低温で成長できる
ことを特長とする成膜技術である。プラズマＣＶＤ技術
において、たとえば高周波放電により反応ガスを放電プ
ラズマ状態におくことにより、反応ガスの化学結合は低
温で分解され、活性化された粒子痴作り出され、そして
、この活性化された粒子間の反応によりＣＶＤ膜が形成
される。
ことを特長とする成膜技術である。プラズマＣＶＤ技術
において、たとえば高周波放電により反応ガスを放電プ
ラズマ状態におくことにより、反応ガスの化学結合は低
温で分解され、活性化された粒子痴作り出され、そして
、この活性化された粒子間の反応によりＣＶＤ膜が形成
される。
プラズマＣＶＤ技術は、種々の物質の成膜に利用されて
いて、たとえば非晶質シリコン（ａ−３ｉ）を成膜する
こともできる。ａ−８ｉは、電子写真用感光体としても
適している。電子写真用感光体として使用する場合、ａ
−３ｉ膜は、大面積の円筒状基体上に、比較的厚く（２
０〜５０μｍ）、且つ、均一に成膜されねばならない。
いて、たとえば非晶質シリコン（ａ−３ｉ）を成膜する
こともできる。ａ−８ｉは、電子写真用感光体としても
適している。電子写真用感光体として使用する場合、ａ
−３ｉ膜は、大面積の円筒状基体上に、比較的厚く（２
０〜５０μｍ）、且つ、均一に成膜されねばならない。
第６図は、従来のａ Ｓｉ感光体用プラズマＣｖＤ装
置の一例を図式的に示す。アルミニウム円筒からなる基
体１は、その軸の周りに回転可能に、円筒状の電極２の
内部に設けられる。電極２は、この基体１と軸を共通に
配置された二枚の円筒板２ａ、２ｂからなり、〃入室３
がこの二枚の円筒板２ａ’、２ｂにより区画される。外
側の円筒板２ａには、図示しないガス供給装置から原料
ガスを導入するための導入口４が設けられ、一方、内側
の円筒板２１〕には、この円筒板２１）の内部の空間（
放電領域）に原料ガスを導入するための図示しない多数
の小さな開口が設けられる。電極２は、チャンバー５の
一部を構成している。チャンバー（真空槽）５内は、電
極２、上部５ａ、下部５ｂとがらなり、上部５ａと下部
５ｂとは、電極２に対して絶縁されている。チャンバー
５内に上記の開口から導入されるガスは、チャンバー５
の下部が呟排気口６を介して真空ポンプ７により排気さ
れる。
置の一例を図式的に示す。アルミニウム円筒からなる基
体１は、その軸の周りに回転可能に、円筒状の電極２の
内部に設けられる。電極２は、この基体１と軸を共通に
配置された二枚の円筒板２ａ、２ｂからなり、〃入室３
がこの二枚の円筒板２ａ’、２ｂにより区画される。外
側の円筒板２ａには、図示しないガス供給装置から原料
ガスを導入するための導入口４が設けられ、一方、内側
の円筒板２１〕には、この円筒板２１）の内部の空間（
放電領域）に原料ガスを導入するための図示しない多数
の小さな開口が設けられる。電極２は、チャンバー５の
一部を構成している。チャンバー（真空槽）５内は、電
極２、上部５ａ、下部５ｂとがらなり、上部５ａと下部
５ｂとは、電極２に対して絶縁されている。チャンバー
５内に上記の開口から導入されるガスは、チャンバー５
の下部が呟排気口６を介して真空ポンプ７により排気さ
れる。
高周波電源８は、導入口４を介して電極２に接続され、
一方、基体１は、接地される。図示しないか、ヒーター
は、それぞれ、基体１と電極２に取り付けられ、ヒータ
ー用電源に接続される。
一方、基体１は、接地される。図示しないか、ヒーター
は、それぞれ、基体１と電極２に取り付けられ、ヒータ
ー用電源に接続される。
プラズマＣＶＤによるａ−３ｉの成膜は、次のように行
われる。パッシェン則か呟自続放電開始電圧は、電極２
と基体１との開隔ｄと気体の圧力ｐとの積ｐｄに依存し
て変化する。従来は、この開隔ｄは、気体の圧力がＩＴ
ｏｒｒ近傍では、自続放電開始電圧がほぼ最小になる３
０〜５０ｍｍの範囲内で選定されていて、通常は、４０
ｍｍ程度が選ばれている。この領域では、放電の安定性
と基体へのガスの均一な供給とが得られやすいという長
所がある。シラン等の原料ガスは、ガス室３から円筒板
２ｂに設けられた多数の開口を経て、第６図に矢印で示
すように、電極２と基体１との間の空間内に導入される
。チャンバー内の圧力は、０．１〜数Ｔ ｏｒｒに保た
れる。基体１は、成膜の均一性を保つために、１０〜３
０ｒｐｍで回転される。基体１の温度は、１５０〜３０
０°Ｃに加熱される。
われる。パッシェン則か呟自続放電開始電圧は、電極２
と基体１との開隔ｄと気体の圧力ｐとの積ｐｄに依存し
て変化する。従来は、この開隔ｄは、気体の圧力がＩＴ
ｏｒｒ近傍では、自続放電開始電圧がほぼ最小になる３
０〜５０ｍｍの範囲内で選定されていて、通常は、４０
ｍｍ程度が選ばれている。この領域では、放電の安定性
と基体へのガスの均一な供給とが得られやすいという長
所がある。シラン等の原料ガスは、ガス室３から円筒板
２ｂに設けられた多数の開口を経て、第６図に矢印で示
すように、電極２と基体１との間の空間内に導入される
。チャンバー内の圧力は、０．１〜数Ｔ ｏｒｒに保た
れる。基体１は、成膜の均一性を保つために、１０〜３
０ｒｐｍで回転される。基体１の温度は、１５０〜３０
０°Ｃに加熱される。
電極２と電極（基体）１との間にＲＦ主電圧印加すると
、グロー放電が生じ、原料ガスは分解され、ａ−３ｉ膜
が、基体１上に成膜される。
、グロー放電が生じ、原料ガスは分解され、ａ−３ｉ膜
が、基体１上に成膜される。
（発明が解決しようとする問題点）
ａ−３ｉ感光体の量産化の一つの方式は、複数本の円筒
状基体を同時に一つのプラズマＣＶＤ装置で製作するこ
とである。
状基体を同時に一つのプラズマＣＶＤ装置で製作するこ
とである。
ａ Ｓｉ感光体量産装置は、特開昭５８−１０１７３
５号公報、特開昭５８−１３２７３５号公報、特開昭５
８−１８１’７１４号公報等に開示されている。第７１
’１（ａ）＋（ｂＬ（ｃ）は、これらの装置における基
体の配置を図式的に示した図である。第７ 。
５号公報、特開昭５８−１３２７３５号公報、特開昭５
８−１８１’７１４号公報等に開示されている。第７１
’１（ａ）＋（ｂＬ（ｃ）は、これらの装置における基
体の配置を図式的に示した図である。第７ 。
図（ａ）においては、４本の基体１，１．・・・が、平
行に配置した平板電極２，２の間に一列に並べられる。
行に配置した平板電極２，２の間に一列に並べられる。
第７図（Ｉ））においては、８本の基体１，１．・・・
が二重の同心円筒電極２，２の間に並べられる。
が二重の同心円筒電極２，２の間に並べられる。
第７図（ｃ）においては、円筒状電極２の内部に、５本
の基体１，１．・・・が円周上に配置されている。
の基体１，１．・・・が円周上に配置されている。
しｈ−Ｌながら、これら従来の量産装置では、各基体に
ついて、均一なプラズマ放電を発生させることが困難で
あり、まして各基体の全周について均一なプラズマ放電
を発生させることは実質上不可能であるうえ、電極内に
おける原料ガスの流れも複雑となってスムースな流れが
得られず、各基体−Ｌに均一な成膜を得ることかで外な
いといった難点があった。
ついて、均一なプラズマ放電を発生させることが困難で
あり、まして各基体の全周について均一なプラズマ放電
を発生させることは実質上不可能であるうえ、電極内に
おける原料ガスの流れも複雑となってスムースな流れが
得られず、各基体−Ｌに均一な成膜を得ることかで外な
いといった難点があった。
本発明の目的は、同軸円筒型方式のプラズマＣＶｌ’）
装置と同等の品質の成膜が可能な量産用のプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供することである。
装置と同等の品質の成膜が可能な量産用のプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、各々外部に対して
密閉されたガス室を備えた複数の円筒状電極が、排気系
を共通にして設置され、各円筒状電極内には該電極と同
軸に円筒状基体が配置され、各円筒状電極に設けた多数
のガス供給穴から原料ガスを吹き出しつつ円筒状電極と
基体との間でプラズマ放電させて基体上に成膜するよう
にしたことを特徴とする。
密閉されたガス室を備えた複数の円筒状電極が、排気系
を共通にして設置され、各円筒状電極内には該電極と同
軸に円筒状基体が配置され、各円筒状電極に設けた多数
のガス供給穴から原料ガスを吹き出しつつ円筒状電極と
基体との間でプラズマ放電させて基体上に成膜するよう
にしたことを特徴とする。
（作用）
複数台の同軸型プラズマＣＶＤ装置が集合したとみなせ
る構成を有し、安定な内部放電の下で多数本の基体上に
同時に良質のプラズマＣＶＤ膜を堆積することができる
。
る構成を有し、安定な内部放電の下で多数本の基体上に
同時に良質のプラズマＣＶＤ膜を堆積することができる
。
（実施例）
以下に、添付の図面を参照して、本発明の詳細な説明す
る。
る。
第１図に示すように、６本の円筒状の基体１゜１、・・
・が、同一円周上に等間隔で設置され、各基体１ごとに
、円筒状電極２が中心軸を同一にして配置される。電極
２，２．・・・は、夫々相互に独立したチャンバーを形
成する。いいかえれば、本装置は、第６図に示した同軸
型のプラズマＣＶＤ装置を６台集合したものに相当する
。ただし、真空排気装置（第３図７参照）は共用するの
で、電極２゜２、・・・は共通の下部チャンバー１１に
取り付けられ、排気口１２は、この下部チャンバー１１
の中心に設けられる。第２図は、この様子を示す斜視図
である。
・が、同一円周上に等間隔で設置され、各基体１ごとに
、円筒状電極２が中心軸を同一にして配置される。電極
２，２．・・・は、夫々相互に独立したチャンバーを形
成する。いいかえれば、本装置は、第６図に示した同軸
型のプラズマＣＶＤ装置を６台集合したものに相当する
。ただし、真空排気装置（第３図７参照）は共用するの
で、電極２゜２、・・・は共通の下部チャンバー１１に
取り付けられ、排気口１２は、この下部チャンバー１１
の中心に設けられる。第２図は、この様子を示す斜視図
である。
第３図は、第１図に示す装置の断面図に原料ガス供給装
置と高周波電源の接続方式を示すものである。各基体１
を回転するためのモーター１３は、それぞれ独立のチャ
ンバー５゛の上面を外部に対して閉塞する天板２２上に
取り付けられる。各組ｉ２は、それぞれ、電気絶縁性シ
ール＋Ｊｊ４を介して下部チャンバー１１に取り付けら
れるとともに、外周部には、外部に対して密閉されたガ
ス室２ａが設けられ、ガス室２ａに供給される原料ガス
を電極内面に設けた多数のガス供給穴（図示せず。）か
らチャンバー５゛内に噴外出す。
置と高周波電源の接続方式を示すものである。各基体１
を回転するためのモーター１３は、それぞれ独立のチャ
ンバー５゛の上面を外部に対して閉塞する天板２２上に
取り付けられる。各組ｉ２は、それぞれ、電気絶縁性シ
ール＋Ｊｊ４を介して下部チャンバー１１に取り付けら
れるとともに、外周部には、外部に対して密閉されたガ
ス室２ａが設けられ、ガス室２ａに供給される原料ガス
を電極内面に設けた多数のガス供給穴（図示せず。）か
らチャンバー５゛内に噴外出す。
原料ガス供給装置は、第４図により詳細に記されている
。シラン、水素等のボンベ１５，１５．・・・から出た
原料ガスは、原料ガス混合調整器１６により、所定の成
合比に混合される。すなわち、各種原料ガスは、それぞ
れ、マス７０−コントローラー１７により流量を調節さ
れた後、一本の配管内で混合される。次に、導入ガス調
整器１８．１８．・・・・ により、各電極２のガス室
２ａ内に導入される混合ガスの流量が調整される。導入
ガス調整器１８は、流量計１９とニードルバルブ２０と
からなる。
。シラン、水素等のボンベ１５，１５．・・・から出た
原料ガスは、原料ガス混合調整器１６により、所定の成
合比に混合される。すなわち、各種原料ガスは、それぞ
れ、マス７０−コントローラー１７により流量を調節さ
れた後、一本の配管内で混合される。次に、導入ガス調
整器１８．１８．・・・・ により、各電極２のガス室
２ａ内に導入される混合ガスの流量が調整される。導入
ガス調整器１８は、流量計１９とニードルバルブ２０と
からなる。
高周波型＆８に含まれている共通の発振器は、各電極２
に、高周波電源８に含まれている増幅器と高周波電源整
合ボックス２１とを介して接続される。各基体１は、接
地される。
に、高周波電源８に含まれている増幅器と高周波電源整
合ボックス２１とを介して接続される。各基体１は、接
地される。
成膜時には、各電極２内に導入されるガスの流量は、ニ
ードルバルブ２０を用いて、すべて均一になるように調
整する。次に、高周波型）原８から高周波電力を同時に
同一電力で同相で供給する。
ードルバルブ２０を用いて、すべて均一になるように調
整する。次に、高周波型）原８から高周波電力を同時に
同一電力で同相で供給する。
すなわち、各基体１上に同じ条件で成膜できるように、
原料ガスの供給と放電条件を各電極２について共通かつ
均等に調節する。そして、所定時間。
原料ガスの供給と放電条件を各電極２について共通かつ
均等に調節する。そして、所定時間。
所定工程のプラズマ放電を行ない、６本のａ−８ｉ悪感
光を同時に基体１，１．・・・上に作製する。これらの
ａ−８ｉ悪感光は、すべて、良好な電子写真画像か杓ら
れ、それらの画像には、電子写真特性上何ら差異かなか
った。
光を同時に基体１，１．・・・上に作製する。これらの
ａ−８ｉ悪感光は、すべて、良好な電子写真画像か杓ら
れ、それらの画像には、電子写真特性上何ら差異かなか
った。
第５図に示す第二の実施例においては、８本のａ−８１
感光体が同時に作製でトる。この装置においては、各電
極２は、二つ一組として、計４組に紺分けられ、各組は
、共通のルし入通路６ａで接続し、相隣る排気通路６ａ
、６ａをさらに共通の排気通路６１〕て゛接続するとい
ったように、トーナメント方式で順次に接続していって
、距離、形状を等しくして、最後に一本の排気管１２゛
に集合させたうえで、真空ポンプ７に接続される。原料
ガス供給装置と高周波電源とは、」二記の第一の実施例
と同様に接続される。
感光体が同時に作製でトる。この装置においては、各電
極２は、二つ一組として、計４組に紺分けられ、各組は
、共通のルし入通路６ａで接続し、相隣る排気通路６ａ
、６ａをさらに共通の排気通路６１〕て゛接続するとい
ったように、トーナメント方式で順次に接続していって
、距離、形状を等しくして、最後に一本の排気管１２゛
に集合させたうえで、真空ポンプ７に接続される。原料
ガス供給装置と高周波電源とは、」二記の第一の実施例
と同様に接続される。
原料ガスの供給と放電条件とを各基体１について同じに
調整して成膜を行ない、８本のａ Ｓｉ感光体が同時
に作製できた。これらのａ−８ｉ悪感光は、すべて、良
好な電子写真画像が得られ、それらガ画像には、電子写
真特性上何らの差異かなかったつ （発明の効果） 良好な膜質ですぐれた電子写真特性を示す感光体が、多
数本同時に安定に作製できる。
調整して成膜を行ない、８本のａ Ｓｉ感光体が同時
に作製できた。これらのａ−８ｉ悪感光は、すべて、良
好な電子写真画像が得られ、それらガ画像には、電子写
真特性上何らの差異かなかったつ （発明の効果） 良好な膜質ですぐれた電子写真特性を示す感光体が、多
数本同時に安定に作製できる。
排気装置、高周波電源、原料ガス供給装置を共用するた
め、設備費が安価である。また、装置が小型化できる。
め、設備費が安価である。また、装置が小型化できる。
成膜時の操作が共通なので、操作が簡略化される。
第１図は、本発明の実施例における円筒状基体と円筒状
電極との配置を示す図式的な図である。 第２図は、本発明の実施例の斜視図である。 第３図は、本発明の実施例への原料ガス供給装置と高周
波電源との接続を示す図である。 第４図は、原料ガス供給装置の接続図である。 第５図は、本発明の第二の実施例における円筒状基体と
円筒状電極との配置と排気管への接続とを示す図式的な
図である。 第６図は、従来の同軸型プラズマＣＶＤ装置の図式的な
断面図である。 第７図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、従来の量
産型プラズマＣＶＤ装置における基体と電極との配置を
示す図である。 １．１．・・・・・・基体、 ２，２．・・・・
・・電極、３・・・ガス室、 ４・・・導入口、
５・・・チャンバー、５ａ・・・チャンバー上部、
５ｂ・・・チャンバー下部、５゛・・・チャンバー、
６・・・排気口、７・・・真空ポンプ、 ８
・・・高周波電源、１１・・・チャンバー下部、 １
２．１２’・・・排気口、１３．１３・・・モーター、 １５．１５．・・・・・・ガスボンベ、１６・・・原料
ガス混合調整器、 １７．１７．・・・・・・マスフローコントローラー、
１８．１８・・・導入ガス調整器、 １９．１９．・・・・・・流量計、 ２０．２０．・・・・・・ニードルバルブ、２１．２１
・・・高周波電源整合ボックス。 ａｈ出願人 ミノルタカメラ株式会社第１図
第２図 第３図 第４図
電極との配置を示す図式的な図である。 第２図は、本発明の実施例の斜視図である。 第３図は、本発明の実施例への原料ガス供給装置と高周
波電源との接続を示す図である。 第４図は、原料ガス供給装置の接続図である。 第５図は、本発明の第二の実施例における円筒状基体と
円筒状電極との配置と排気管への接続とを示す図式的な
図である。 第６図は、従来の同軸型プラズマＣＶＤ装置の図式的な
断面図である。 第７図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、従来の量
産型プラズマＣＶＤ装置における基体と電極との配置を
示す図である。 １．１．・・・・・・基体、 ２，２．・・・・
・・電極、３・・・ガス室、 ４・・・導入口、
５・・・チャンバー、５ａ・・・チャンバー上部、
５ｂ・・・チャンバー下部、５゛・・・チャンバー、
６・・・排気口、７・・・真空ポンプ、 ８
・・・高周波電源、１１・・・チャンバー下部、 １
２．１２’・・・排気口、１３．１３・・・モーター、 １５．１５．・・・・・・ガスボンベ、１６・・・原料
ガス混合調整器、 １７．１７．・・・・・・マスフローコントローラー、
１８．１８・・・導入ガス調整器、 １９．１９．・・・・・・流量計、 ２０．２０．・・・・・・ニードルバルブ、２１．２１
・・・高周波電源整合ボックス。 ａｈ出願人 ミノルタカメラ株式会社第１図
第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）各々外部に対して密閉されたガス室を備えた複数
の円筒状電極が、排気系を共通にして設置され、各円筒
状電極内には該電極と同軸に円筒状基体が配置され、各
円筒状電極に設けた多数のガス供給穴から原料ガスを吹
き出しつつ円筒状電極と基体との間でプラズマ放電させ
て基体上に成膜するようにしたことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13833584A JPS6119779A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13833584A JPS6119779A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6119779A true JPS6119779A (ja) | 1986-01-28 |
Family
ID=15219501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13833584A Pending JPS6119779A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6119779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9920425B2 (en) * | 2014-08-13 | 2018-03-20 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13833584A patent/JPS6119779A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9920425B2 (en) * | 2014-08-13 | 2018-03-20 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
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