JPS6063376A - 気相法堆積膜製造装置 - Google Patents
気相法堆積膜製造装置Info
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- JPS6063376A JPS6063376A JP58168378A JP16837883A JPS6063376A JP S6063376 A JPS6063376 A JP S6063376A JP 58168378 A JP58168378 A JP 58168378A JP 16837883 A JP16837883 A JP 16837883A JP S6063376 A JPS6063376 A JP S6063376A
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- Japan
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- furnaces
- circuit
- reactor
- deposited film
- circle
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は気相法堆積膜製造装置における改良に関するも
のであり、詳しくは導電性基体上にプラズマＣＶＤ法に
より光導電膜、半導体膜、無機絶縁膜、有機樹脂膜を形
成するための装置における改良に関するものである。
のであり、詳しくは導電性基体上にプラズマＣＶＤ法に
より光導電膜、半導体膜、無機絶縁膜、有機樹脂膜を形
成するための装置における改良に関するものである。
従来、プラズマＣＶＤ法によって、例えば非晶質シリコ
ン感光体膜をアルミニウムなどからなる円筒金属基体表
面上に堆積して電子写真用感光体ドラムを製造する装置
は、この基体と中心軸を共有する円筒状カソード電極を
配置し、この電極と基体間にグロー放電を発生するよう
な構造を有していた。このような装置の一例を、その縦
断面図である第１図により説明すると、１１は円筒状カ
ソード電極であって、円筒状基体（アノード電極）１２
と中心軸を共有する。１３はドーナツ状電気絶縁がイシ
、１４は真空チャンバー壁、１５は高周波電源、 ′１
６は反応ガス放出パイプ、１７は真空排気管、１８は基
体加熱用のヒーター、１９は基体回転機構、２０はアー
スである。
ン感光体膜をアルミニウムなどからなる円筒金属基体表
面上に堆積して電子写真用感光体ドラムを製造する装置
は、この基体と中心軸を共有する円筒状カソード電極を
配置し、この電極と基体間にグロー放電を発生するよう
な構造を有していた。このような装置の一例を、その縦
断面図である第１図により説明すると、１１は円筒状カ
ソード電極であって、円筒状基体（アノード電極）１２
と中心軸を共有する。１３はドーナツ状電気絶縁がイシ
、１４は真空チャンバー壁、１５は高周波電源、 ′１
６は反応ガス放出パイプ、１７は真空排気管、１８は基
体加熱用のヒーター、１９は基体回転機構、２０はアー
スである。
上記の装置では、一つの反応炉に一つの基体が配置され
るので、ガスの流路により影響を受け易い非晶質シリコ
ンの膜厚の分布調整が容易であり、しかも放電安定性に
優れていることから、良好な膜特性が得られるという利
点があった。
るので、ガスの流路により影響を受け易い非晶質シリコ
ンの膜厚の分布調整が容易であり、しかも放電安定性に
優れていることから、良好な膜特性が得られるという利
点があった。
このような装置を用いて多量生産を行７：ｃう場合、反
応炉数を増加することが必要とｆｆる□が、一般に各反
応炉には個別に反応ガス供給系、真空排気系、高周波電
源などが付帯することが、放電パラメーターを一元的に
制偶１するために必要とされる。反応炉を多数用いる場
合の構成を４本の反応炉を用いた場合の構成を示す模式
図である第２図を参照して説明すると、１は反応炉、２
は整合回路、３は高周波型６（，４は同軸ケーブル、５
は真空ポンプ）６は排気管、７は反応ガス流量コン１〜
ローラー、８は反応ガス供給管である。
応炉数を増加することが必要とｆｆる□が、一般に各反
応炉には個別に反応ガス供給系、真空排気系、高周波電
源などが付帯することが、放電パラメーターを一元的に
制偶１するために必要とされる。反応炉を多数用いる場
合の構成を４本の反応炉を用いた場合の構成を示す模式
図である第２図を参照して説明すると、１は反応炉、２
は整合回路、３は高周波型６（，４は同軸ケーブル、５
は真空ポンプ）６は排気管、７は反応ガス流量コン１〜
ローラー、８は反応ガス供給管である。
第２図に示したように反応炉数が増加ずろと、その増加
に比例してイリ帯設備も増力１ル、しかも各ハラメータ
ーの制御を反応炉ごとに行なうことが必要となる。この
ように、従来の装置では反応炉の増加が付帯設備を増加
させ、しがも制御操作を繁雑にすることは避は得ないこ
とであった。
に比例してイリ帯設備も増力１ル、しかも各ハラメータ
ーの制御を反応炉ごとに行なうことが必要となる。この
ように、従来の装置では反応炉の増加が付帯設備を増加
させ、しがも制御操作を繁雑にすることは避は得ないこ
とであった。
源、整合回路、同軸ケーブルを配置すると、前述のよう
に放電パラメーターを一元的に制御できる利点はあるが
、個々にインピーダンス整合を調整しｒｒければならず
、各反応炉で全く同じ条件で堆積膜を製造するのは困難
であった。
に放電パラメーターを一元的に制御できる利点はあるが
、個々にインピーダンス整合を調整しｒｒければならず
、各反応炉で全く同じ条件で堆積膜を製造するのは困難
であった。
また、製造する堆積膜が多ければ多いほど、反応炉はも
ちろんのこと、各反応炉に高周波電力を供給するための
高周波電源、高周波グロー放電のインピーダンス整合を
調整するため整合回路等、高周波電源系統設備も多く設
けなければ１（らぬ欠点があった。
ちろんのこと、各反応炉に高周波電力を供給するための
高周波電源、高周波グロー放電のインピーダンス整合を
調整するため整合回路等、高周波電源系統設備も多く設
けなければ１（らぬ欠点があった。
本発明の目的は、反応炉の増加に伴なう付帯設備の増加
がすく、かつ制御操作も繁雑になることがｒ（い複数の
反応炉を有する気相法堆積膜製造装置を提供することに
ある。
がすく、かつ制御操作も繁雑になることがｒ（い複数の
反応炉を有する気相法堆積膜製造装置を提供することに
ある。
本発明のいま一つの目的は、各反応炉におけるインピー
ダンスが実質的に同一である気相法堆積膜製造装置を提
供することにある。
ダンスが実質的に同一である気相法堆積膜製造装置を提
供することにある。
本発明の目的は次の気相法堆積膜製造装置によって達成
される。
される。
真空槽内に基体とそれに対向する電極とを設（九それ−
らのｆｌｊｌに電圧を印加して上記真空槽内に導入され
た反応ガスを反応または分解させて上記基体」二に堆積
膜を形成するようになした反応炉を複数個有する堆積膜
製造装置において、上記反応炉を、それらの中心軸が実
質的に同一円周上にあるように配置４シ、かつ、この円
の中心に設けられた整合回路から各反応炉に放射状に実
質的に同一のインピーダンスを有する同軸ケーブルを設
けたことを特徴とする気相法堆積膜製造装置。
らのｆｌｊｌに電圧を印加して上記真空槽内に導入され
た反応ガスを反応または分解させて上記基体」二に堆積
膜を形成するようになした反応炉を複数個有する堆積膜
製造装置において、上記反応炉を、それらの中心軸が実
質的に同一円周上にあるように配置４シ、かつ、この円
の中心に設けられた整合回路から各反応炉に放射状に実
質的に同一のインピーダンスを有する同軸ケーブルを設
けたことを特徴とする気相法堆積膜製造装置。
本発明は、従来の反応炉の構造は変更することすく、ず
なわち、従来構造の反応炉を同一円周上に複数個配置１
ｔシ、それらの反応炉に共通の高周波電源、整合回路を
設け、円周上に反応炉を配置する円の中心に設けた整合
回路から同軸ケーブルを放射状に配置することによって
、装置および制御の簡素化を可能ならしめるものである
。
なわち、従来構造の反応炉を同一円周上に複数個配置１
ｔシ、それらの反応炉に共通の高周波電源、整合回路を
設け、円周上に反応炉を配置する円の中心に設けた整合
回路から同軸ケーブルを放射状に配置することによって
、装置および制御の簡素化を可能ならしめるものである
。
なお、反応炉の数を増加するには、その円周上に各反応
炉が位置する円の半径を大きくするだけで目的を達する
ことができる。
炉が位置する円の半径を大きくするだけで目的を達する
ことができる。
同軸ケーブルは、各反応炉に印加される高周波電力が、
同一に、ｙｚるように、月質、管径、形状、長さが選択
される。好ましくは、これらの同軸ケーブルは、材質、
管径、形状、長さを同一とする。
同一に、ｙｚるように、月質、管径、形状、長さが選択
される。好ましくは、これらの同軸ケーブルは、材質、
管径、形状、長さを同一とする。
本発明においては、高周波電源、整合回路等反応炉のカ
ソード電極にグロー放電電力を印加する系統を一系統と
して設けたが、反応ガス供給系統、排気系統ｒｚども同
様に一系統にすることができる。
ソード電極にグロー放電電力を印加する系統を一系統と
して設けたが、反応ガス供給系統、排気系統ｒｚども同
様に一系統にすることができる。
なお、°原料ガスとしては、アモルファスシリコン成膜
材料としてのシラン（ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ
ｓ。
材料としてのシラン（ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ
ｓ。
５ｉ４Ｈ＋ｏ等）の他、ベースガスとしてのＨ２，４希
ガス、フッソ導入用の５ＩＦ４１ ｐまたはｎ伝導の制
御用のＢ２Ｈ６ｒ ＰＨｓ ｒ ＡｓＨ３＋窒素含有用
のＮ２．ＮＨ３，酸素含有用のＮ２０． ＮＯ，炭素含
有用の炭化水素例えばＣＨ４゜Ｃ２Ｈ４等をはじめ、そ
の他のプラズマＣＶＤによって含有可能ｒｘ原子を含む
ものとして知られている各種ガスを、マスフローコント
ローラー等を用いて所定の比率で混合したものを使用す
ることができる。
ガス、フッソ導入用の５ＩＦ４１ ｐまたはｎ伝導の制
御用のＢ２Ｈ６ｒ ＰＨｓ ｒ ＡｓＨ３＋窒素含有用
のＮ２．ＮＨ３，酸素含有用のＮ２０． ＮＯ，炭素含
有用の炭化水素例えばＣＨ４゜Ｃ２Ｈ４等をはじめ、そ
の他のプラズマＣＶＤによって含有可能ｒｘ原子を含む
ものとして知られている各種ガスを、マスフローコント
ローラー等を用いて所定の比率で混合したものを使用す
ることができる。
また、５ｉＢＮ４． ＳｉＣ，ＳｉＯ２，ＳｉＯ等の絶
縁性膜の製造にも適用でき、絶縁特性の良好な膜を得る
ことができる。さらに、本発明の装置は有機樹脂膜ｌ〔
どの製造に適用することができる。
縁性膜の製造にも適用でき、絶縁特性の良好な膜を得る
ことができる。さらに、本発明の装置は有機樹脂膜ｌ〔
どの製造に適用することができる。
以下、本発明の気相法堆積膜製造装置を図面を用いて具
体的に説明する。
体的に説明する。
第３図は、本発明の気相法堆積膜製造装置において、４
基の反応炉を用いた場合の構成を示す模式図であり、第
４図はその平面図である。
基の反応炉を用いた場合の構成を示す模式図であり、第
４図はその平面図である。
図中、３１は第１図に示した反応炉と同様の反応炉で、
同一円周上に４基設置されている。それぞれの反応炉に
は、反応炉内を真空に１−るための真空排気ポンプ３５
と排気管３６および反応ガスを供給するだめの反応ガス
供給管３８、各反応炉に送る反応ガスの流量をコントロ
ールする反応ガス流量コントローラー３７を備えている
。４基の反応炉にグロー放電電力を印加するのに十分Ａ
［能力を有する高周波電源３３、高周波グロー放電のイ
ンピーダンス整合を調整する整合回路３２とが一系統と
して設けられている。整合回路３２は、円周上に４基の
反応炉を配する円の中心上に設けられ、整合回路３２か
ら、各反応炉には同軸ケーブル３４にて接続されている
。
同一円周上に４基設置されている。それぞれの反応炉に
は、反応炉内を真空に１−るための真空排気ポンプ３５
と排気管３６および反応ガスを供給するだめの反応ガス
供給管３８、各反応炉に送る反応ガスの流量をコントロ
ールする反応ガス流量コントローラー３７を備えている
。４基の反応炉にグロー放電電力を印加するのに十分Ａ
［能力を有する高周波電源３３、高周波グロー放電のイ
ンピーダンス整合を調整する整合回路３２とが一系統と
して設けられている。整合回路３２は、円周上に４基の
反応炉を配する円の中心上に設けられ、整合回路３２か
ら、各反応炉には同軸ケーブル３４にて接続されている
。
第３図および第４図に示す装置によって堆積膜を製造す
るには、まず各反応炉の堆積室内を１０’〜１．０−３
ｔｏｒｒの真空度に減圧し、その後、堆積室内に堆積膜
形成用の反応ガスおよび必要に応じてキャリアガスある
いは形成される膜中に不純物を導入するだめのドーパン
トガス等を所望の圧力、流量で導入する。例えば水素化
アモルファスシリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）膜を基体上に形
成するためには、５ｉＨａガス、Ｓｉ２Ｈ６ガス、ある
いはこれらにＨ２゜Ｈｅｒ Ａｒ等を適量比で混合した
ものを堆積室に導入する。前記の操作方法に従い、各反
応炉の堆積室内を減圧にし、基体温度を２００〜４００
”Ｃに設定し、５ＩＨ４５〜４０容量係、Ｈ２９５〜６
ｏ容量係の混合ガスを堆積室にガス圧０．１〜２ ｔｏ
ｒｒでガス流量０．１〜ｌ／、、、で導入し、高周波電
源から整合回路を通して、カソード電極に高周波電力を
印加し、グロー放電を励起し、反応ガスを分解して基体
上にａ−３ｉ：Ｈ膜を形成する。
るには、まず各反応炉の堆積室内を１０’〜１．０−３
ｔｏｒｒの真空度に減圧し、その後、堆積室内に堆積膜
形成用の反応ガスおよび必要に応じてキャリアガスある
いは形成される膜中に不純物を導入するだめのドーパン
トガス等を所望の圧力、流量で導入する。例えば水素化
アモルファスシリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）膜を基体上に形
成するためには、５ｉＨａガス、Ｓｉ２Ｈ６ガス、ある
いはこれらにＨ２゜Ｈｅｒ Ａｒ等を適量比で混合した
ものを堆積室に導入する。前記の操作方法に従い、各反
応炉の堆積室内を減圧にし、基体温度を２００〜４００
”Ｃに設定し、５ＩＨ４５〜４０容量係、Ｈ２９５〜６
ｏ容量係の混合ガスを堆積室にガス圧０．１〜２ ｔｏ
ｒｒでガス流量０．１〜ｌ／、、、で導入し、高周波電
源から整合回路を通して、カソード電極に高周波電力を
印加し、グロー放電を励起し、反応ガスを分解して基体
上にａ−３ｉ：Ｈ膜を形成する。
以下に本発明による装置を用いたａ−３ｉ：Ｈ膜製造の
参考例を示す。
参考例を示す。
参考例
第３，４図に示した気相法堆積膜製造装置により反応ガ
スとしてＳｉＬガスとＨ２ガスの混合ガスを用い、ａ−
５ｉ：Ｈ膜を製造した。真空ポンプ３５によって各反応
炉内をｌ ｔｏｒｒに減圧し、基体を予め３００℃に加
熱しておいた。５ｉＩ−Ｌガス４００ ＣＣ／＋＋ｙｉ
、Ｈ２カス８００ ＣＪ：、、／ｍｉｍの割合となるよ
うに反応ガス流量コントローラーで調節し、ガス圧を０
．５ ｔｏｒｒにて反応ガス供給管３８より導入し、堆
積室内にガスが安定して供給されている状態で高周波電
源３３によりカソード電極く二層波数１３．５６ ＭＩ
Ｉｚ 、 １．００ Ｗの高周波電力を印加し、アース
接地された基体との間でグロー放電を発生さぜａ−３ｉ
：Ｈ膜を基体」二に製造した。
スとしてＳｉＬガスとＨ２ガスの混合ガスを用い、ａ−
５ｉ：Ｈ膜を製造した。真空ポンプ３５によって各反応
炉内をｌ ｔｏｒｒに減圧し、基体を予め３００℃に加
熱しておいた。５ｉＩ−Ｌガス４００ ＣＣ／＋＋ｙｉ
、Ｈ２カス８００ ＣＪ：、、／ｍｉｍの割合となるよ
うに反応ガス流量コントローラーで調節し、ガス圧を０
．５ ｔｏｒｒにて反応ガス供給管３８より導入し、堆
積室内にガスが安定して供給されている状態で高周波電
源３３によりカソード電極く二層波数１３．５６ ＭＩ
Ｉｚ 、 １．００ Ｗの高周波電力を印加し、アース
接地された基体との間でグロー放電を発生さぜａ−３ｉ
：Ｈ膜を基体」二に製造した。
製造されたａ−５ｉ：Ｈ膜は、従来装着で製造されたａ
−８ｉ：Ｈ膜間様暗抵抗、光導電特性に優れ、均一 ７
（膜質であった。
−８ｉ：Ｈ膜間様暗抵抗、光導電特性に優れ、均一 ７
（膜質であった。
第１図は気相法堆積膜製造装置の反応炉の縦断面図であ
り、第２図は堆積膜を多量生産を行なう場合の従来の装
置の模式図であり、第３図は本発明の装置の模式図であ
り、第４図は第３図の装置の平面図である。 １．３１・・・・・反応炉 ２．３２・・・・・整合回路 ３．３３・・・・・高周波電源 ４．３４・・・・・同軸ケーブル ５．３５・−・・真空ポンプ ６．３６・ 排気管 ７．３７・・・・・・反応ガス流量コントローラー８．
３８・・・・・反応ガス供給管 １１・・・・・・・円筒状カソード電極１２・・・・・
・・・円筒状基体（アノード電極）１３・・・・・・・
・・ドーナツ状電気絶縁ガイン１４・・・・・・・・真
空チャンバー壁１５・・・・・−・・・高周波電源 １６・・・・・・・・・反応ガス放出パイプ１７・・・
・・・・・・真空排気管 １８・・・・・・・・・基体加熱用のヒーター１９ ・
・・・基体回転機構 ２０・・・・・アース 特許出願人 キャノン株式会社
り、第２図は堆積膜を多量生産を行なう場合の従来の装
置の模式図であり、第３図は本発明の装置の模式図であ
り、第４図は第３図の装置の平面図である。 １．３１・・・・・反応炉 ２．３２・・・・・整合回路 ３．３３・・・・・高周波電源 ４．３４・・・・・同軸ケーブル ５．３５・−・・真空ポンプ ６．３６・ 排気管 ７．３７・・・・・・反応ガス流量コントローラー８．
３８・・・・・反応ガス供給管 １１・・・・・・・円筒状カソード電極１２・・・・・
・・・円筒状基体（アノード電極）１３・・・・・・・
・・ドーナツ状電気絶縁ガイン１４・・・・・・・・真
空チャンバー壁１５・・・・・−・・・高周波電源 １６・・・・・・・・・反応ガス放出パイプ１７・・・
・・・・・・真空排気管 １８・・・・・・・・・基体加熱用のヒーター１９ ・
・・・基体回転機構 ２０・・・・・アース 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- （１＋ 真空槽内に基体とそれに対向する電極とを設け
、それらの間に電圧を印加して上記真空槽内に導入され
た反応ガスを反応または分解させて上記基体上に堆積膜
を形成するようになした反応炉を複数個有する堆積膜製
造装置において、上記反応炉を、それらの中心軸が実質
的に同一円周」二にあるように配置し、かつ、この円の
中心に設けられた整合回路から各反応炉に放射状に実質
的に同一のインピーダンスを有する同軸ケーブルを設け
たことを特徴とする気相法堆積膜製造装置Ｉ 。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168378A JPS6063376A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 気相法堆積膜製造装置 |
| US06/731,334 US4599971A (en) | 1983-09-14 | 1985-05-06 | Vapor deposition film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168378A JPS6063376A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 気相法堆積膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063376A true JPS6063376A (ja) | 1985-04-11 |
Family
ID=15866986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58168378A Pending JPS6063376A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 気相法堆積膜製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4599971A (ja) |
| JP (1) | JPS6063376A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908330A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing group IV atoms or silicon atoms and group IV atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4908329A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups II and VI atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4914052A (en) * | 1988-02-01 | 1990-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups III and V atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3809010C2 (de) * | 1988-03-17 | 1998-02-19 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen mikrokristalliner, n- oder p-leitender Siliziumschichten nach der Glimmentladungsplasmatechnik, geeignet für Solarzellen |
| US5919310A (en) * | 1991-10-07 | 1999-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Continuously film-forming apparatus provided with improved gas gate means |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS59215476A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-05 | Kyocera Corp | 量産型グロ−放電分解装置 |
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| US4226208A (en) * | 1977-08-04 | 1980-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus |
| US4369730A (en) * | 1981-03-16 | 1983-01-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Cathode for generating a plasma |
| JPS57186321A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Producing method for amorphous silicon film |
| US4501766A (en) * | 1982-02-03 | 1985-02-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Film depositing apparatus and a film depositing method |
| US4466380A (en) * | 1983-01-10 | 1984-08-21 | Xerox Corporation | Plasma deposition apparatus for photoconductive drums |
| JPH0666298B2 (ja) * | 1983-02-03 | 1994-08-24 | 日電アネルバ株式会社 | ドライエッチング装置 |
| JPS59166238A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-19 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置 |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP58168378A patent/JPS6063376A/ja active Pending
-
1985
- 1985-05-06 US US06/731,334 patent/US4599971A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908330A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing group IV atoms or silicon atoms and group IV atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4908329A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups II and VI atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4914052A (en) * | 1988-02-01 | 1990-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups III and V atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4599971A (en) | 1986-07-15 |
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