JPS6024376A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS6024376A JPS6024376A JP58131935A JP13193583A JPS6024376A JP S6024376 A JPS6024376 A JP S6024376A JP 58131935 A JP58131935 A JP 58131935A JP 13193583 A JP13193583 A JP 13193583A JP S6024376 A JPS6024376 A JP S6024376A
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- gas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所謂プラズマＧＶＤ 装置に関し、殊に、円
筒状基体表面にアモルファスシリコン膜を堆積させ、感
光体ドラムを生産すること等に好適に使用できるプラズ
マＣＶＤ 装置に関にする。
筒状基体表面にアモルファスシリコン膜を堆積させ、感
光体ドラムを生産すること等に好適に使用できるプラズ
マＣＶＤ 装置に関にする。
従来、プラズマＣＶＤ を用いた電子写真用感光ドラム
の製造装置として提案されているものは、大別して、誘
導結合型と容量結合型とに分けられる。
の製造装置として提案されているものは、大別して、誘
導結合型と容量結合型とに分けられる。
前渚は、ドラム基体を取り囲むようにしてコイルを配置
し、該コイルに高周波電力をフィードし、電磁エネルギ
ーで原料ガス（気体）をプラズマ化し、前記基体上に膜
を形成するものであるが、コイルの径、間隔等のずれや
コイルの定在波に起因する放電ムラが発生し易く、形成
された膜は厚さや電気特性が不均一なものとなる。
し、該コイルに高周波電力をフィードし、電磁エネルギ
ーで原料ガス（気体）をプラズマ化し、前記基体上に膜
を形成するものであるが、コイルの径、間隔等のずれや
コイルの定在波に起因する放電ムラが発生し易く、形成
された膜は厚さや電気特性が不均一なものとなる。
一方、後者のタイプは、外部電極でもある円筒型の堆積
槽内の内部に内部電極としてドラム基体そのものを用い
た二重同軸円筒電極を使用し、両円筒電極間にガスを流
しながら、両電極間に直流若しくは交流の電界を印加し
、この際のグロー放電によってガスプラズマを形成させ
、堆積膜をドラム基体上に形成させるものである。
槽内の内部に内部電極としてドラム基体そのものを用い
た二重同軸円筒電極を使用し、両円筒電極間にガスを流
しながら、両電極間に直流若しくは交流の電界を印加し
、この際のグロー放電によってガスプラズマを形成させ
、堆積膜をドラム基体上に形成させるものである。
このような従来型の円筒状プラズマ ＣｖＤ装置の代表
的な一例の概略を第１図に示す。第１図中、ｌは真空チ
ャン八−を構成している円筒状のカソード電極、２は該
真空チャンバーの中心軸の周りに回転するようにこれと
同心に配置された対向電極たるアノード電極を構成して
いる円筒状の基体、３は前記真空チャンバーの」二重の
壁体、４は該壁体を前記カソード電極から絶縁するため
のドーナッツ形の絶縁ガイシ、５は高周波電源、６は原
料ガス供給パイプ、７は排気系、８はヒーター、９は上
記の円筒状の基体を回転させる回転機構５１０はアース
、１１は原料ガス放出穴を示す。
的な一例の概略を第１図に示す。第１図中、ｌは真空チ
ャン八−を構成している円筒状のカソード電極、２は該
真空チャンバーの中心軸の周りに回転するようにこれと
同心に配置された対向電極たるアノード電極を構成して
いる円筒状の基体、３は前記真空チャンバーの」二重の
壁体、４は該壁体を前記カソード電極から絶縁するため
のドーナッツ形の絶縁ガイシ、５は高周波電源、６は原
料ガス供給パイプ、７は排気系、８はヒーター、９は上
記の円筒状の基体を回転させる回転機構５１０はアース
、１１は原料ガス放出穴を示す。
」−記のプラズマＣｖＤ 装置の動作を簡単に以下に説
明する。
明する。
まず、真空チャンバー内に円筒状の基体２をセットし、
Ｕ［気系７によってチャンバー内を真空にする。同時に
基体２をヒーター８によって加熱し、基体２を回転機構
９によって回転させ、基体の温度分布を均一にする。こ
のとき、ヒーターは固定されている。基体温度が一定に
なったら、ガス供給バイブロから原料ガスを真空チャン
バー内に供給する。原料ガスは円筒状の電極の多数のカ
ス放出穴から基体２に向けて放出される。真空チャンバ
ー内にガスが安定して供給されている状ｆＫ、での高周
波電源５によりカソード電極ｌに１３．５ｆｔ ＭＨｚ
の高周波電圧を印カ１１シ、アース接地された基体２と
の間でグロー放電を発生させ、カソード電極から飛び出
した電子のガス分子への衝突により、ガス分子をラジカ
ル反応させて基体上に堆積させ、基体２上に堆積膜、例
えばアモルファスシリコン膜を成膜させることができる
。
Ｕ［気系７によってチャンバー内を真空にする。同時に
基体２をヒーター８によって加熱し、基体２を回転機構
９によって回転させ、基体の温度分布を均一にする。こ
のとき、ヒーターは固定されている。基体温度が一定に
なったら、ガス供給バイブロから原料ガスを真空チャン
バー内に供給する。原料ガスは円筒状の電極の多数のカ
ス放出穴から基体２に向けて放出される。真空チャンバ
ー内にガスが安定して供給されている状ｆＫ、での高周
波電源５によりカソード電極ｌに１３．５ｆｔ ＭＨｚ
の高周波電圧を印カ１１シ、アース接地された基体２と
の間でグロー放電を発生させ、カソード電極から飛び出
した電子のガス分子への衝突により、ガス分子をラジカ
ル反応させて基体上に堆積させ、基体２上に堆積膜、例
えばアモルファスシリコン膜を成膜させることができる
。
このような装置に於いては基体を回転させる際に、基体
の定常回転に起因するガス定常回転活流が形成され、プ
ラズマの疎密、すなわち成膜に有効なプラズマガス種の
濃度の分布が生じ、この濃度分布は基体の回転に伴なっ
て乱されることなく移動するために、例えば結晶核ある
いは島状構造のようなものが膜中に形成され易くなり、
堆積膜の膜厚や膜質の不均一性を招く場合が多い。この
ような現象は、上記装置の構造」二の問題から起ると考
えられ、特に基体が偏心していたり、基体の回転軸が垂
直でない場合等に顕著である。
の定常回転に起因するガス定常回転活流が形成され、プ
ラズマの疎密、すなわち成膜に有効なプラズマガス種の
濃度の分布が生じ、この濃度分布は基体の回転に伴なっ
て乱されることなく移動するために、例えば結晶核ある
いは島状構造のようなものが膜中に形成され易くなり、
堆積膜の膜厚や膜質の不均一性を招く場合が多い。この
ような現象は、上記装置の構造」二の問題から起ると考
えられ、特に基体が偏心していたり、基体の回転軸が垂
直でない場合等に顕著である。
」二重のようなプラズマＣＶＤ 装置に於いては、基体
を回転させることは、均一な成膜を実施するために非常
に有効な手段であるため、Ｌ述した問題点の解決は不可
欠なものとなっている。
を回転させることは、均一な成膜を実施するために非常
に有効な手段であるため、Ｌ述した問題点の解決は不可
欠なものとなっている。
一方、上記のような従来の構造を有する装置に於いては
、基体とアノード電極が一致しているために、基体のセ
ットに用いるネジやその他のジグあるいは基体自身が有
する凹凸に基づく異常放電を起し易い。このような異常
放電が起ると、アノード電極であるドラム基体近傍のガ
スプラズマ、ラジカルまたはイオンの濃度や分布が不均
一なものとなり、ここでも上述したような結晶核あるい
は島状の構造等が形成され、形成された堆積膜は不均一
なものとなる。また、異常放電によって著しく大きなエ
ネルギーを得たガス分子、イオンまたはラジカルが基体
表面を攻撃することにより基体に凹凸を作り、更に均一
な膜を得ることを難かしくしている。
、基体とアノード電極が一致しているために、基体のセ
ットに用いるネジやその他のジグあるいは基体自身が有
する凹凸に基づく異常放電を起し易い。このような異常
放電が起ると、アノード電極であるドラム基体近傍のガ
スプラズマ、ラジカルまたはイオンの濃度や分布が不均
一なものとなり、ここでも上述したような結晶核あるい
は島状の構造等が形成され、形成された堆積膜は不均一
なものとなる。また、異常放電によって著しく大きなエ
ネルギーを得たガス分子、イオンまたはラジカルが基体
表面を攻撃することにより基体に凹凸を作り、更に均一
な膜を得ることを難かしくしている。
本発明は、これらの事実に鑑みなされたものであり、上
記の問題点を解決する新規なプラズマＣＶＤ装置を提供
することを主たる目的とする。
記の問題点を解決する新規なプラズマＣＶＤ装置を提供
することを主たる目的とする。
本発明の他の目的は、例えば電気特性、環境安定性に優
れ、感光体全域にわたって良好な画像を提供することの
できる電子写真感光体用の光導電１１りを、低コスト、
高歩留りで製造するのに好適なプラズマＣＶＤ 装置を
提供することにある。
れ、感光体全域にわたって良好な画像を提供することの
できる電子写真感光体用の光導電１１りを、低コスト、
高歩留りで製造するのに好適なプラズマＣＶＤ 装置を
提供することにある。
上記の目的は、以下の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、真空にし得るチャンバー内に第１の
電極と第２の電極とを具備し、前記第１の電極と前記第
２の電極との間で放電を生じさせ、この放電によりチャ
ンバー内に導入された原料ガスから、必要に応じて前記
チャンバー内に設置された基体」二に堆積膜を形成させ
る装置に於いて、前記第１の電極が円筒状形状であり、
前記第２の電極が、前記第１の電極に内包されて該電極
の中心軸にほぼ平行な複数本のパイプとして配置されて
いることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置である。
電極と第２の電極とを具備し、前記第１の電極と前記第
２の電極との間で放電を生じさせ、この放電によりチャ
ンバー内に導入された原料ガスから、必要に応じて前記
チャンバー内に設置された基体」二に堆積膜を形成させ
る装置に於いて、前記第１の電極が円筒状形状であり、
前記第２の電極が、前記第１の電極に内包されて該電極
の中心軸にほぼ平行な複数本のパイプとして配置されて
いることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置である。
以下、実施例装置に基いて本発明の詳細な説明する。
尚、以下の説明に於いては、主として堆積層を形成する
基体を電子写真用円筒状基体（ドラム）とした実施例に
ついて本発明を説明するが、本発明装置は、長方形の基
体を円筒状の対向電極上に多角形を成すように配置し、
アモルファス感光体膜や演算素子用アモルファス半導体
膜を堆積する目的にも利用することができ、また、金型
、バイ）・等の゛摩耗し易い工具等の表面に超硬質膜を
堆積することによって、耐摩耗性を向−ヒさせ、寿命を
延ばす目的にも利用することもできる。
基体を電子写真用円筒状基体（ドラム）とした実施例に
ついて本発明を説明するが、本発明装置は、長方形の基
体を円筒状の対向電極上に多角形を成すように配置し、
アモルファス感光体膜や演算素子用アモルファス半導体
膜を堆積する目的にも利用することができ、また、金型
、バイ）・等の゛摩耗し易い工具等の表面に超硬質膜を
堆積することによって、耐摩耗性を向−ヒさせ、寿命を
延ばす目的にも利用することもできる。
第２図は、本発明に係るプラズマＣＶＤ 装置の第１の
実施例を示したものである。図中、第１１閾に示す装置
に於ける部分と同様の部分は同し参照数字によって指示
しである。図中、ｌは真空チャンバーを構成している円
筒状のカソード電極、２は該真空チャンバーの中心軸の
周りに回転するようにこれと同心に配置された円筒状の
基体、３は前記カソード電極の上下で真空チャンバーを
構成している壁体、４は該壁体を前記カソード電極から
絶縁するためのドーナッツ形の絶縁ガイシ、５は前記カ
ソード電極に高周波電力を供給しグロー放電を起すため
の高周波電源、６は原料ガス供給パイプ、７は真空チャ
ンバーを真空に保つための損気系、８は円筒状の基体を
加熱するだめのヒーター、９は円筒状の基体を回転させ
て堆積膜の膜厚を均一にするだめの回転機構、１０は基
体を設置するアース、１１は原料カス放出穴、１２は円
筒状基体回転用モーター、１３は真空チャンバー外壁に
設けられたガス供給パイプ、１４は複数本のアノード電
極を構成する金属パイプをそれぞれ示す。
実施例を示したものである。図中、第１１閾に示す装置
に於ける部分と同様の部分は同し参照数字によって指示
しである。図中、ｌは真空チャンバーを構成している円
筒状のカソード電極、２は該真空チャンバーの中心軸の
周りに回転するようにこれと同心に配置された円筒状の
基体、３は前記カソード電極の上下で真空チャンバーを
構成している壁体、４は該壁体を前記カソード電極から
絶縁するためのドーナッツ形の絶縁ガイシ、５は前記カ
ソード電極に高周波電力を供給しグロー放電を起すため
の高周波電源、６は原料ガス供給パイプ、７は真空チャ
ンバーを真空に保つための損気系、８は円筒状の基体を
加熱するだめのヒーター、９は円筒状の基体を回転させ
て堆積膜の膜厚を均一にするだめの回転機構、１０は基
体を設置するアース、１１は原料カス放出穴、１２は円
筒状基体回転用モーター、１３は真空チャンバー外壁に
設けられたガス供給パイプ、１４は複数本のアノード電
極を構成する金属パイプをそれぞれ示す。
カソード電極ｌは、真空チャンバーの一部を兼ねた円筒
状に形成され、その中心軸方向に沿って４列に並んだ多
数の原料ガス放出穴１１が開口している。カソード電極
ｌの下部フランジ部内に溝加工されたガス室 １ａが設
けられ、このガス室に外部から原料ガスを供給するため
に、ガス供給バイブロの取付は部とガス室１ａを継ぐ穴
が一箇所あけられていて、該ガス供給バイブロからガス
室１ａに原料ガスが供給される。而して、上記の円筒状
のカソード電極の壁面に設けられた原料ガス放出穴の１
つの列に対して、１個のガス供給パイプ１３が、アノー
ド電極と反対側のカソード電極の壁面すなわちカソード
電極の大気側壁面に配置されていて、このガス供給パイ
プ１３は、上記のガス室１ａから各ガス放出穴にガスを
供給するためにカソード電極の大気側壁面に真空リーク
がないように設置された断面が半円形に加工された金属
パイプよりなる。アノード電極１４は通常は円筒パイプ
形状であり、基体２の周りにアノード電極１４としての
１本以上の金属パイプが円筒状カソード電極ｌの中心軸
を中心とする同心円周上に該軸にほぼ平行にほぼ等間隔
で設置されている。
状に形成され、その中心軸方向に沿って４列に並んだ多
数の原料ガス放出穴１１が開口している。カソード電極
ｌの下部フランジ部内に溝加工されたガス室 １ａが設
けられ、このガス室に外部から原料ガスを供給するため
に、ガス供給バイブロの取付は部とガス室１ａを継ぐ穴
が一箇所あけられていて、該ガス供給バイブロからガス
室１ａに原料ガスが供給される。而して、上記の円筒状
のカソード電極の壁面に設けられた原料ガス放出穴の１
つの列に対して、１個のガス供給パイプ１３が、アノー
ド電極と反対側のカソード電極の壁面すなわちカソード
電極の大気側壁面に配置されていて、このガス供給パイ
プ１３は、上記のガス室１ａから各ガス放出穴にガスを
供給するためにカソード電極の大気側壁面に真空リーク
がないように設置された断面が半円形に加工された金属
パイプよりなる。アノード電極１４は通常は円筒パイプ
形状であり、基体２の周りにアノード電極１４としての
１本以上の金属パイプが円筒状カソード電極ｌの中心軸
を中心とする同心円周上に該軸にほぼ平行にほぼ等間隔
で設置されている。
このようなアノード電極の配置は、安定で均一なグロー
放電を得るために、また前述したような基体の回転に伴
なって生じるプラズマの分布を乱し真空チャンバー内の
プラズマの濃度分布を均一・にするために非常に効果的
である。更に、前述した従来型の装置と異り、基体２と
アノード電極１４は分離されて設けられており、基体の
セットに用いるネジやその他のジグあるいは基体自身が
有する凹凸に基づく異常放電が起りにくい構造となって
おり、より一層安定で均一なグロー放電を得ることがで
きる。
放電を得るために、また前述したような基体の回転に伴
なって生じるプラズマの分布を乱し真空チャンバー内の
プラズマの濃度分布を均一・にするために非常に効果的
である。更に、前述した従来型の装置と異り、基体２と
アノード電極１４は分離されて設けられており、基体の
セットに用いるネジやその他のジグあるいは基体自身が
有する凹凸に基づく異常放電が起りにくい構造となって
おり、より一層安定で均一なグロー放電を得ることがで
きる。
次に、上記の装置の各部の動作を順を追って説明する。
まず、真空チャンバー内に円筒状の基体２をセットし、
排気系７によってチャンバー内を真空にする。一般に排
気系には、所用到達真空度と生産性との兼ね合いで、ロ
ータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、ディフ
ュージョンポンプまたはそれらを組み合わせたものが使
用される。
排気系７によってチャンバー内を真空にする。一般に排
気系には、所用到達真空度と生産性との兼ね合いで、ロ
ータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、ディフ
ュージョンポンプまたはそれらを組み合わせたものが使
用される。
チャンバー内を真空にするのと同時に基体２をヒーター
８によって加熱し、基体２をモーター１２に連結された
回転軸によって通常数〜数十秒回転し、基体の温度分布
を均一にする。この時、ヒーターは固定されている。基
体温度が一定になったら、ガス供給バイブロから原料ガ
スを真空チャンバー内に供給する。原料ガスは電気絶縁
ガイシ４の一部に開けられた穴を通り、カソード電極の
ｒ部フランジに設けられたガス室１ａに入りフランジ内
を回って各金属パイプ１３に送られる。ここで原料ガス
はパイプの空間が狭いため流量を抑制され、各パイプに
均等にガスが供給される。パイプを流れるガスは放出穴
１１から基体に向って放出される。真空チャンバー内に
ガスが安定して供給されている状態で、高周波電源５に
よりカソード電極１に高周波電圧を印加し、アース設置
された複数本の金属パイプとして設けられた７ノード電
極１４との間でグロー放電を発生させ、カソード電極か
ら飛び出した電子のガス分子への衝突により、ガス分子
をラジカル反応させて基体上に堆積させ、堆積膜を１に
、膜させる。
８によって加熱し、基体２をモーター１２に連結された
回転軸によって通常数〜数十秒回転し、基体の温度分布
を均一にする。この時、ヒーターは固定されている。基
体温度が一定になったら、ガス供給バイブロから原料ガ
スを真空チャンバー内に供給する。原料ガスは電気絶縁
ガイシ４の一部に開けられた穴を通り、カソード電極の
ｒ部フランジに設けられたガス室１ａに入りフランジ内
を回って各金属パイプ１３に送られる。ここで原料ガス
はパイプの空間が狭いため流量を抑制され、各パイプに
均等にガスが供給される。パイプを流れるガスは放出穴
１１から基体に向って放出される。真空チャンバー内に
ガスが安定して供給されている状態で、高周波電源５に
よりカソード電極１に高周波電圧を印加し、アース設置
された複数本の金属パイプとして設けられた７ノード電
極１４との間でグロー放電を発生させ、カソード電極か
ら飛び出した電子のガス分子への衝突により、ガス分子
をラジカル反応させて基体上に堆積させ、堆積膜を１に
、膜させる。
次に、第３図に、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第
２の実施例を示す。
２の実施例を示す。
本実施例の装置の特徴は、アノード電極１４を構成して
いる複数本の金属パイプ内に第４図に示すようにヒータ
ー１５が内設されており、これによって基体２の表面を
外側から、すなわち７ノード電極側から加熱することに
ある。なお、その他の装置の各部の構造及び基本動作は
第２図に示した本発明の装置と同様である。
いる複数本の金属パイプ内に第４図に示すようにヒータ
ー１５が内設されており、これによって基体２の表面を
外側から、すなわち７ノード電極側から加熱することに
ある。なお、その他の装置の各部の構造及び基本動作は
第２図に示した本発明の装置と同様である。
本実施例の装置に於いては、上記のような加熱方式を採
用したことにより基体２をその表面より加熱することが
でき、基体上に順次堆積ｎりが形成される際に、常に成
膜初期と同等の温度条件を成膜の行なわれている基体表
面に与えることができ、例えば基体上にかなりの厚膜が
堆積した後でも、堆積表面の所定の温度条件を維持する
ことができる。従来の基体を内部から加熱する方式では
、比較的厚い堆積膜を形成させる場合、堆積膜が基体上
に形成されるに従って、膜厚がある程度厚くなると堆積
表面までの良好な熱伝導が行なわれにくくなることがし
ばしばであった。従って、本実施例の装置は比較的厚い
堆積膜を形成させる場合に特に好適に使用できる。更に
、本実施例の装置に於いては、成膜に先だって基体を所
定の温度まで加熱する時間が従来の装置より短縮された
。
用したことにより基体２をその表面より加熱することが
でき、基体上に順次堆積ｎりが形成される際に、常に成
膜初期と同等の温度条件を成膜の行なわれている基体表
面に与えることができ、例えば基体上にかなりの厚膜が
堆積した後でも、堆積表面の所定の温度条件を維持する
ことができる。従来の基体を内部から加熱する方式では
、比較的厚い堆積膜を形成させる場合、堆積膜が基体上
に形成されるに従って、膜厚がある程度厚くなると堆積
表面までの良好な熱伝導が行なわれにくくなることがし
ばしばであった。従って、本実施例の装置は比較的厚い
堆積膜を形成させる場合に特に好適に使用できる。更に
、本実施例の装置に於いては、成膜に先だって基体を所
定の温度まで加熱する時間が従来の装置より短縮された
。
更に、第５図に、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第
３の実施例を示す。
３の実施例を示す。
この装置の特徴は、ガス放出穴１１が、第２図に示した
本発明の装置に於いては真空チャンバー内壁あたるカソ
ード電極内壁に設けられているのに対して、この装置に
於いてはアノード電極１４を構成する金属パイプに設け
られていることにある。これ等のガス放出穴１１の向き
は変化させることができ、真空チャンバー内により均一
・なプラズマの分布を得ることができるようにガスの放
出される方向を自由に調節することが６７能となった。
本発明の装置に於いては真空チャンバー内壁あたるカソ
ード電極内壁に設けられているのに対して、この装置に
於いてはアノード電極１４を構成する金属パイプに設け
られていることにある。これ等のガス放出穴１１の向き
は変化させることができ、真空チャンバー内により均一
・なプラズマの分布を得ることができるようにガスの放
出される方向を自由に調節することが６７能となった。
この装置のガスの放出穴以外の各部の構造と基本動作は
本発明の第１の実施例の装置と同様である 。
本発明の第１の実施例の装置と同様である 。
これまで述べてきた本発明の各プラズマＣＶＤ装置の７
ノート電極は円筒状パイプとして１２木設けられている
が、その本数はこれに限定されることなく必要に応じて
選定できる。しかしながら、真空チャンバー内に均一な
プラズマの分布を得るために、また安定したグロー放電
を維持するためには、真空チャンバー内に設けるその本
数としては、３〜５０本、好ましくは６〜２０本程度が
適当であり、更に、これ等のパイプの設けられる位置は
、本発明のプラズマＣｖＤ 装置のように、カソード電
極の中心軸とほぼ平行に、そして該中心軸を中心とする
同心円周一ヒにほぼ等間隔に基体の周辺の所定の位置に
設けられるのが好ましい。パイプの本数が余にも少ない
と真空チャンパー内の電界、のムラが大きくなり、逆に
本数が多すぎてもアノード電極の適切な位置設定が難し
くなったりするので好ましくない。
ノート電極は円筒状パイプとして１２木設けられている
が、その本数はこれに限定されることなく必要に応じて
選定できる。しかしながら、真空チャンバー内に均一な
プラズマの分布を得るために、また安定したグロー放電
を維持するためには、真空チャンバー内に設けるその本
数としては、３〜５０本、好ましくは６〜２０本程度が
適当であり、更に、これ等のパイプの設けられる位置は
、本発明のプラズマＣｖＤ 装置のように、カソード電
極の中心軸とほぼ平行に、そして該中心軸を中心とする
同心円周一ヒにほぼ等間隔に基体の周辺の所定の位置に
設けられるのが好ましい。パイプの本数が余にも少ない
と真空チャンパー内の電界、のムラが大きくなり、逆に
本数が多すぎてもアノード電極の適切な位置設定が難し
くなったりするので好ましくない。
以上の本発明のプラズマＣＶＤ装置に原料ガスを導入し
、基体の温度を １００℃〜３５０°Ｃに保ち１３．５
６ ＭＨｚの高周波電源によりカソード電極に高周波電
圧を印加して成膜を行なったところ、ガスの種類を随時
種々変更しても順調なグロー放電が継続され、電子写真
用の感光体として均一性の高い成膜を低コストで歩留り
良〈実施することができた。なお、原料ガスとしては、
アモルファスシリコン成膜材料としてのシラン（ＳｉＨ
４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓ’１３ＨＢ、Ｓ＋４Ｈｍ等）の他、
ベースガスとしてのＮ２、希ガス、フッソ心入用のＳｉ
Ｆ ４ 、、 Ｐまたはｎ伝導の制御用の８２Ｈら、Ｐ
Ｈ３、ＡｓＨ３、窒素ドープ用のＮ２、ＮＨ３，酸素ド
ープ用のＮ２０ 、 ＮＯ１炭素ドープ用の炭化水素例
えば ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４等をはじめ、その他のプラズマ
ＣＶＤによってドーピング可能なものとして知られて
いる各種ガスを、マスフローコントローラー等を用いて
所定の比率で混合したものを使用した。
、基体の温度を １００℃〜３５０°Ｃに保ち１３．５
６ ＭＨｚの高周波電源によりカソード電極に高周波電
圧を印加して成膜を行なったところ、ガスの種類を随時
種々変更しても順調なグロー放電が継続され、電子写真
用の感光体として均一性の高い成膜を低コストで歩留り
良〈実施することができた。なお、原料ガスとしては、
アモルファスシリコン成膜材料としてのシラン（ＳｉＨ
４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓ’１３ＨＢ、Ｓ＋４Ｈｍ等）の他、
ベースガスとしてのＮ２、希ガス、フッソ心入用のＳｉ
Ｆ ４ 、、 Ｐまたはｎ伝導の制御用の８２Ｈら、Ｐ
Ｈ３、ＡｓＨ３、窒素ドープ用のＮ２、ＮＨ３，酸素ド
ープ用のＮ２０ 、 ＮＯ１炭素ドープ用の炭化水素例
えば ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４等をはじめ、その他のプラズマ
ＣＶＤによってドーピング可能なものとして知られて
いる各種ガスを、マスフローコントローラー等を用いて
所定の比率で混合したものを使用した。
第１図は、従来型の円筒形プラズマＧＶＤ 装置の代表
的−例を示す一部欠切斜視図、第２図、第３図及び第５
図は、各々本発明のプラズマＧＶＤ 装置の第１の実施
例、第２の実施例及び第３の実施例を示す一部欠切斜視
図、第４図は、本発明のプラズマＧＶＤ 装置の第２の
実施例のアノード電極である金属パイプの断面部分図で
ある。 ｌ：カソード電極 １ａ；ガス室 ２：基体 ３；真空チャンバーの壁体 ４；絶縁カイシ ５；高周波電源 ６；原料ガス供給パイプ ７；排気系 ８；ヒーター ９；回転機構 １０：アース １１；原料カス放出穴 １２；モーター １３：原料ガス供給パイプ 、１４；金属パイプ（アノード電極） １５；金属パイプ内設ヒーター １６： ヒーター用電源 第 １ 図 第 ２ 図 第４図
的−例を示す一部欠切斜視図、第２図、第３図及び第５
図は、各々本発明のプラズマＧＶＤ 装置の第１の実施
例、第２の実施例及び第３の実施例を示す一部欠切斜視
図、第４図は、本発明のプラズマＧＶＤ 装置の第２の
実施例のアノード電極である金属パイプの断面部分図で
ある。 ｌ：カソード電極 １ａ；ガス室 ２：基体 ３；真空チャンバーの壁体 ４；絶縁カイシ ５；高周波電源 ６；原料ガス供給パイプ ７；排気系 ８；ヒーター ９；回転機構 １０：アース １１；原料カス放出穴 １２；モーター １３：原料ガス供給パイプ 、１４；金属パイプ（アノード電極） １５；金属パイプ内設ヒーター １６： ヒーター用電源 第 １ 図 第 ２ 図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）真空にし得るチャンバー内に第１の電極と第２の電
極とを具備し、前記第１の電極と前記第２の電極との間
で放電を生じさせ、この放電により前記チャンバー内に
導入された原料気体から、必要に応じて前記チャンバー
内に設置された基体上に堆積膜を形成させるプラズマＣ
ＶＤ装置に於いて、前記第１の電極が円筒状形状であり
、前記第２の電極が、前記第１の電極に内包されて該電
極の中心軸にほぼ平行な複数本のパイプとして配置され
ていることを特徴とするプラズマ ＧＶＤ装置。 ２） 前記第２の電極として配置された複数本のパイプ
にヒーターが内設されている特許請求の範囲第１項記載
のプラズマＧＶＤ 装置。 ３）前記第２の電極として配置された複数本のパイプの
一部又は全てに前記原料気体を前記チャンバー内に導入
するための穴が１個以上設けられている特許請求の範囲
第１項記載のプラズマＣＶＤ装置。 ４）前記チャンバーの一部が前記第１の電極によって構
成されている特許請求の範囲第１項、第２項又は第３項
記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131935A JPS6024376A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131935A JPS6024376A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024376A true JPS6024376A (ja) | 1985-02-07 |
Family
ID=15069648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58131935A Pending JPS6024376A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024376A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273731A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP58131935A patent/JPS6024376A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273731A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH0551172B2 (ja) * | 1986-05-21 | 1993-07-30 | Tokyo Electron Ltd |
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