JP2582553B2 - プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置Info
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- JP2582553B2 JP2582553B2 JP61157611A JP15761186A JP2582553B2 JP 2582553 B2 JP2582553 B2 JP 2582553B2 JP 61157611 A JP61157611 A JP 61157611A JP 15761186 A JP15761186 A JP 15761186A JP 2582553 B2 JP2582553 B2 JP 2582553B2
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、殊に
半導体デイバイス、電子写真用の感光デイバイス、画像
入力用のラインセンサー、撮像デイバイス、光起電力素
子などに用いられるアモルフアス状あるいは多結晶状等
の非単結晶状の機能性堆積膜を形成するのに至適なプラ
ズマCVD装置に関する。
半導体デイバイス、電子写真用の感光デイバイス、画像
入力用のラインセンサー、撮像デイバイス、光起電力素
子などに用いられるアモルフアス状あるいは多結晶状等
の非単結晶状の機能性堆積膜を形成するのに至適なプラ
ズマCVD装置に関する。
従来、半導体デイバイス、電子写真用感光デイバイ
ス、画像入力用ラインセンサー、撮像デイバイス、光起
電力素子等に使用する素子部材として、例えば、シリコ
ンを含有する非晶質（以後単に「ａ−Si」と表記す
る。）膜あるいは水素化シリコンを含有する非晶質（以
後単に「ａ−SiH」と表記する。）膜等が提案され、そ
の中のいくつかは実用に付されている。そして、そうし
たａ−Si膜やａ−SiH膜とともにそれ等ａ−Si膜やａ−S
iH膜等の形成法およびそれを実施する装置についてもい
くつか提案されていて、真空蒸着法、イオンプレーテイ
ング法、いわゆる熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法等
があり、中でもプラズマCVD法は至適なものとして実用
に付され、一般に広く用いられている。
ス、画像入力用ラインセンサー、撮像デイバイス、光起
電力素子等に使用する素子部材として、例えば、シリコ
ンを含有する非晶質（以後単に「ａ−Si」と表記す
る。）膜あるいは水素化シリコンを含有する非晶質（以
後単に「ａ−SiH」と表記する。）膜等が提案され、そ
の中のいくつかは実用に付されている。そして、そうし
たａ−Si膜やａ−SiH膜とともにそれ等ａ−Si膜やａ−S
iH膜等の形成法およびそれを実施する装置についてもい
くつか提案されていて、真空蒸着法、イオンプレーテイ
ング法、いわゆる熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法等
があり、中でもプラズマCVD法は至適なものとして実用
に付され、一般に広く用いられている。
ところで、前記プラズマCVD法は、直流、高周波また
はマイクロ波エネルギーを利用して堆積膜形成用ガスを
基体表面の近傍で励起種化（ラジカル化）して化学的相
互作用を生起させ、該基体表面に膜堆積せしめるという
ものであり、そのための装置も各種提案されている。
はマイクロ波エネルギーを利用して堆積膜形成用ガスを
基体表面の近傍で励起種化（ラジカル化）して化学的相
互作用を生起させ、該基体表面に膜堆積せしめるという
ものであり、そのための装置も各種提案されている。
第３図は、従来のプラズマCVD法による堆積膜形成装
置の典型的一例を模式的に示す断面略図であつて、図
中、１は反応容器の周囲壁を兼ねたカソード電極であ
る。２は反応容器内に設置された円筒状基体であり、該
円筒状基体２は接地されてアノード電極として作用す
る。３は反応容器の上壁及び下壁であり、該上壁と下壁
は夫々絶縁碍子４で前記カソード電極１と絶縁されてい
る。５は高周波電源であり、６は堆積膜形成用原料ガス
供給パイプであり、７は反応容器内を真空排気するため
の排気管であり、排気バルブ（図示せず）を介して真空
排気装置（図示せず）に連通している。
置の典型的一例を模式的に示す断面略図であつて、図
中、１は反応容器の周囲壁を兼ねたカソード電極であ
る。２は反応容器内に設置された円筒状基体であり、該
円筒状基体２は接地されてアノード電極として作用す
る。３は反応容器の上壁及び下壁であり、該上壁と下壁
は夫々絶縁碍子４で前記カソード電極１と絶縁されてい
る。５は高周波電源であり、６は堆積膜形成用原料ガス
供給パイプであり、７は反応容器内を真空排気するため
の排気管であり、排気バルブ（図示せず）を介して真空
排気装置（図示せず）に連通している。
前記円筒状基体２の中には、基体加熱用ヒーター８が
設置されており、成膜前に基体を設定温度に維持した
り、あるいは成膜後基体をアニール処理したりするのに
用いる。また、円筒状基体２は軸９を介して回転駆動手
段（図示せず）に接続されており、成膜中、円筒状基体
２を回転せしめる。
設置されており、成膜前に基体を設定温度に維持した
り、あるいは成膜後基体をアニール処理したりするのに
用いる。また、円筒状基体２は軸９を介して回転駆動手
段（図示せず）に接続されており、成膜中、円筒状基体
２を回転せしめる。
前記カソード電極１は、多数のガス放出孔10を有する
内壁11を内側に有する二重壁構造となつており、前記原
料ガス供給パイプ６から供給された原料ガスは該二重壁
で形成された空間に導入され、ガス放出孔10を介して円
筒状基体２表面に向けて放出される。
内壁11を内側に有する二重壁構造となつており、前記原
料ガス供給パイプ６から供給された原料ガスは該二重壁
で形成された空間に導入され、ガス放出孔10を介して円
筒状基体２表面に向けて放出される。
第４図は、従来のプラズマCVD法による堆積膜形成装
置の他の典型例を模式的に示す略図であつて、図中、前
記第１図と同一の符号を付したものは、第１図と同一の
ものを示している。本図に示す装置は、原料ガスの放出
を、第１図に示す壁面放出型にかえて、ガス管放出型と
したものである。即ち、円筒状基体２の同軸外円周上に
該円筒状基体の長手方向に沿つて複数のガス放出管12が
設置され、該ガス放出管12の側壁には多数のガス放出孔
10が設けられている。原料ガス供給パイプ６から供給さ
れた原料ガスは原料ガス放出管12に導入され、ガス放出
孔10を介して円筒状基体２表面にむけて放出される。
置の他の典型例を模式的に示す略図であつて、図中、前
記第１図と同一の符号を付したものは、第１図と同一の
ものを示している。本図に示す装置は、原料ガスの放出
を、第１図に示す壁面放出型にかえて、ガス管放出型と
したものである。即ち、円筒状基体２の同軸外円周上に
該円筒状基体の長手方向に沿つて複数のガス放出管12が
設置され、該ガス放出管12の側壁には多数のガス放出孔
10が設けられている。原料ガス供給パイプ６から供給さ
れた原料ガスは原料ガス放出管12に導入され、ガス放出
孔10を介して円筒状基体２表面にむけて放出される。
こうした従来のプラズマCVD法による堆積膜形成装置
の操作は次のようにして行なわれる。即ち、反応容器内
のガスを、排気管７を介して真空排気すると共に、加熱
用ヒーター８により円筒状基体２を所定温度に加熱、保
持し、さらに回転駆動手段により回転せしめる。次に、
原料ガス供給パイプ６より、例えばａ−SiH堆積膜を形
成する場合であれば、シラン等の原料ガスを反応容器内
に導入し、該原料ガスは、内壁11又はガス放出管12のガ
ス放出孔10から基体表面に向けて放出される。これと同
時併行的に、高周波電源５から、高周波をカソード電極
１と基体（アソード電極）２間に印加しプラズマ放電を
発生せしめる。かくして、反応容器内の原料ガスは励起
され励起種化し、Si＊、SiH＊等（＊は励起状態を表わ
す。）のラジカル粒子、電子、イオン粒子等が生成さ
れ、基体表面にａ−SiH堆積膜を形成せしめる。
の操作は次のようにして行なわれる。即ち、反応容器内
のガスを、排気管７を介して真空排気すると共に、加熱
用ヒーター８により円筒状基体２を所定温度に加熱、保
持し、さらに回転駆動手段により回転せしめる。次に、
原料ガス供給パイプ６より、例えばａ−SiH堆積膜を形
成する場合であれば、シラン等の原料ガスを反応容器内
に導入し、該原料ガスは、内壁11又はガス放出管12のガ
ス放出孔10から基体表面に向けて放出される。これと同
時併行的に、高周波電源５から、高周波をカソード電極
１と基体（アソード電極）２間に印加しプラズマ放電を
発生せしめる。かくして、反応容器内の原料ガスは励起
され励起種化し、Si＊、SiH＊等（＊は励起状態を表わ
す。）のラジカル粒子、電子、イオン粒子等が生成さ
れ、基体表面にａ−SiH堆積膜を形成せしめる。
こうした堆積膜の形成において、反応空間に導入する
原料ガスのガス圧、ガス流量、あるいは反応空間に形成
される放電電力が形成される堆積膜の膜厚および膜質に
影響することが知られており、膜厚および膜質が均一な
堆積膜を得るには、プラズマ放電の反応空間内における
分布が重要な因子となるが、その場合、第3,4図に示す
装置においては、反応空間の上部、中央部および下部に
おいてプラズマ放電の強度分布が不均一になつてしまう
場合があり、その場合には形成された堆積膜の膜厚及び
膜質を不均一なものにしてしまうという問題がある。そ
してこうして問題は円筒状基体が長くなる程顕著とな
る。
原料ガスのガス圧、ガス流量、あるいは反応空間に形成
される放電電力が形成される堆積膜の膜厚および膜質に
影響することが知られており、膜厚および膜質が均一な
堆積膜を得るには、プラズマ放電の反応空間内における
分布が重要な因子となるが、その場合、第3,4図に示す
装置においては、反応空間の上部、中央部および下部に
おいてプラズマ放電の強度分布が不均一になつてしまう
場合があり、その場合には形成された堆積膜の膜厚及び
膜質を不均一なものにしてしまうという問題がある。そ
してこうして問題は円筒状基体が長くなる程顕著とな
る。
本発明は、光起電力素子、半導体デイバイス、画像入
力用ラインセンサー、撮像デイバイス、電子写真用感光
デイバイス等に使用する堆積膜を形成する従来装置につ
いて、上述の諸問題を解決し、上述の要求を満たすよう
にすることを目的とするものである。
力用ラインセンサー、撮像デイバイス、電子写真用感光
デイバイス等に使用する堆積膜を形成する従来装置につ
いて、上述の諸問題を解決し、上述の要求を満たすよう
にすることを目的とするものである。
すなわち本発明の主たる目的は、反応空間内における
プラズマ放電を均一に保つことにより、膜厚および膜質
が均一な堆積膜を定常的に形成しうるプラズマCVD法に
よる堆積膜形成装置を提供することにある。
プラズマ放電を均一に保つことにより、膜厚および膜質
が均一な堆積膜を定常的に形成しうるプラズマCVD法に
よる堆積膜形成装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、形成される膜の諸特性、成膜速
度、再現性の向上及び膜品質の均一化、均質化をはかり
ながら、膜の生産性向上と共に、特に量産性を可能に
し、同時に膜の大面積化を可能にするプラズマCVD法に
よる堆積膜量産装置を提供することにある。
度、再現性の向上及び膜品質の均一化、均質化をはかり
ながら、膜の生産性向上と共に、特に量産性を可能に
し、同時に膜の大面積化を可能にするプラズマCVD法に
よる堆積膜量産装置を提供することにある。
本発明者らは、従来のプラズマCVD法による堆積膜形
成装置についての前述の諸問題を克服して、上述の目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、カソード電極と円
筒状基体（アノード電極）間の距離とカソード電極の長
さとの関係が、形成されるプラズマ放電の均一性に大き
く影響するとの知見を得た。
成装置についての前述の諸問題を克服して、上述の目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、カソード電極と円
筒状基体（アノード電極）間の距離とカソード電極の長
さとの関係が、形成されるプラズマ放電の均一性に大き
く影響するとの知見を得た。
即ち、電極間距離が小さすぎる時には、イオンアタツ
ク等により良質な堆積膜が形成されず、逆に、電極間距
離が大きすぎる時には、プラズマ放電がおこりにくいた
めに形成されるプラズマが不均一となりやすく、均一な
堆積膜が形成されない。
ク等により良質な堆積膜が形成されず、逆に、電極間距
離が大きすぎる時には、プラズマ放電がおこりにくいた
めに形成されるプラズマが不均一となりやすく、均一な
堆積膜が形成されない。
また、カソード電極の長さが長く、かつ電極間距離が
小さい時には、円筒状基体の上下方向及び／又は円周方
向におけるプラズマが不均一となり、均一な堆積膜が得
られず、更に、カソード電極の長さが短かすぎる時に
は、原料ガスが完全に分離される前に反応空間から排出
されてしまい、良好な膜質の堆積膜が得られない。
小さい時には、円筒状基体の上下方向及び／又は円周方
向におけるプラズマが不均一となり、均一な堆積膜が得
られず、更に、カソード電極の長さが短かすぎる時に
は、原料ガスが完全に分離される前に反応空間から排出
されてしまい、良好な膜質の堆積膜が得られない。
第１図は、カソード電極の長さＬと、カソード電極と
アノード電極との距離ｄを模式的に示す図であり、図
中、１はカソード電極、２はアノード電極（円筒状基
体）をそれぞれ示している。
アノード電極との距離ｄを模式的に示す図であり、図
中、１はカソード電極、２はアノード電極（円筒状基
体）をそれぞれ示している。
本発明者は上記知見に基づき更に検討した結果、カソ
ード電極とアノード電極間の距離ｄ及びカソード電極の
長さＬを、夫々、50mm以上100mm以下、及び500mm以上20
00mm以上とした場合には、安定で均一なプラズマ放電が
得られ、膜の均一性が向上することが判明した。また、
イオンアタツク等による膜へのダメージがなく、膜厚及
び膜質が向上することが判明した。
ード電極とアノード電極間の距離ｄ及びカソード電極の
長さＬを、夫々、50mm以上100mm以下、及び500mm以上20
00mm以上とした場合には、安定で均一なプラズマ放電が
得られ、膜の均一性が向上することが判明した。また、
イオンアタツク等による膜へのダメージがなく、膜厚及
び膜質が向上することが判明した。
本発明は該知見に基づき完成せしめたものである。本
発明のプラズマCVD法による機能性堆積膜形成装置は、
つぎの構成内容のものである。即ち、カソード電極とし
て作用する円筒状周囲壁を用いて形成された反応空間を
内部に有する反応容器と、前記反応空間内にアノード電
極として作用する円筒状基体を設置する手段と、前記反
応空間に堆積膜形成用原料ガスを供給する原料ガス供給
手段と、前記二者の電極間に放電エネルギーを印加せし
める手段とを有する堆積膜形成装置であって、前記カソ
ード電極の長さを700〜1400mmかつ、前記カソード電極
と前記アノード電極との距離を60〜80mmとしたことを特
徴とするものである。
発明のプラズマCVD法による機能性堆積膜形成装置は、
つぎの構成内容のものである。即ち、カソード電極とし
て作用する円筒状周囲壁を用いて形成された反応空間を
内部に有する反応容器と、前記反応空間内にアノード電
極として作用する円筒状基体を設置する手段と、前記反
応空間に堆積膜形成用原料ガスを供給する原料ガス供給
手段と、前記二者の電極間に放電エネルギーを印加せし
める手段とを有する堆積膜形成装置であって、前記カソ
ード電極の長さを700〜1400mmかつ、前記カソード電極
と前記アノード電極との距離を60〜80mmとしたことを特
徴とするものである。
本発明の装置により堆積膜を形成するについて使用さ
れる原料ガスは、マイクロ波等の放電エネルギーにより
励起種化し、化学的相互作用をして基体表面上に所望の
堆積膜を形成する類のものであれば何れのものであつて
も採用することができるが、例えばａ−Si（H,X）膜を
形成する場合であれば、具体的には、ケイ素に水素、ハ
ロゲン、あるいは炭化水素等が結合したシラン類及びハ
ロゲン化シラン類等のガス状態のもの、または容易にガ
ス化しうるものをガス化したものを用いることができ
る。これらの原料ガスは１種を使用してもよく、あるい
は２種以上を併用してもよい。また、これ等の原料ガス
は、He、Ar等の不活性ガスにより希釈して用いることも
ある。さらに、ａ−Si膜はｐ型不純物元素又はｎ型不純
物元素をドーピングすることが可能であり、これ等の不
純物元素を構成成分として含有する原料ガスを、単独
で、あるいは前述の原料ガスまたは／および希釈用ガス
と混合して反応空間内に導入することができる。
れる原料ガスは、マイクロ波等の放電エネルギーにより
励起種化し、化学的相互作用をして基体表面上に所望の
堆積膜を形成する類のものであれば何れのものであつて
も採用することができるが、例えばａ−Si（H,X）膜を
形成する場合であれば、具体的には、ケイ素に水素、ハ
ロゲン、あるいは炭化水素等が結合したシラン類及びハ
ロゲン化シラン類等のガス状態のもの、または容易にガ
ス化しうるものをガス化したものを用いることができ
る。これらの原料ガスは１種を使用してもよく、あるい
は２種以上を併用してもよい。また、これ等の原料ガス
は、He、Ar等の不活性ガスにより希釈して用いることも
ある。さらに、ａ−Si膜はｐ型不純物元素又はｎ型不純
物元素をドーピングすることが可能であり、これ等の不
純物元素を構成成分として含有する原料ガスを、単独
で、あるいは前述の原料ガスまたは／および希釈用ガス
と混合して反応空間内に導入することができる。
なお、前記原料ガスは、それが二種またはそれ以上使
用される場合、その中の一種または場合によりそれ以上
を、事前に励起種化し、次いで反応室に導入するように
することも可能である。
用される場合、その中の一種または場合によりそれ以上
を、事前に励起種化し、次いで反応室に導入するように
することも可能である。
基体については、導電性のものであつても、半導電性
のものであつても、あるいは電気絶縁性のものであつて
もよく、具体的には、例えば金属、セラミツクス、ガラ
ス等が挙げられる。そして成膜操作時の基体の温度は、
特に制限されるものではないが、30〜450℃の範囲とす
るのが一般的であり、好ましくは50〜350℃である。
のものであつても、あるいは電気絶縁性のものであつて
もよく、具体的には、例えば金属、セラミツクス、ガラ
ス等が挙げられる。そして成膜操作時の基体の温度は、
特に制限されるものではないが、30〜450℃の範囲とす
るのが一般的であり、好ましくは50〜350℃である。
また、堆積膜を形成するにあたつては、原料ガスを導
入する前に反応室内の圧力を５×10-6Torr以下、好まし
くは１×10-6Torr以下とし、原料ガスを導入した時には
反応室内の圧力を１×10-1Torr台にするのが望ましい。
入する前に反応室内の圧力を５×10-6Torr以下、好まし
くは１×10-6Torr以下とし、原料ガスを導入した時には
反応室内の圧力を１×10-1Torr台にするのが望ましい。
以下、本発明の装置について、実施例および比較例に
より更に詳しく説明するが、本発明はこれらにより限定
されるものではない。
より更に詳しく説明するが、本発明はこれらにより限定
されるものではない。
実施例１ 本例においては、第３図に示した装置においてカソー
ド電極の長さＬを500mmから2000mm、円筒状基体とカソ
ード電極との距離ｄを50mmから100mmの間で夫々変化さ
せ、長さ358mm、外径80mmφのAl製円筒状基体上に電荷
注入阻止層、光導電層及び表面保護層からなる光受容層
を形成した。なお、光受容層形成の際の堆積膜形成条件
は下記の第１表のとおりとした。
ド電極の長さＬを500mmから2000mm、円筒状基体とカソ
ード電極との距離ｄを50mmから100mmの間で夫々変化さ
せ、長さ358mm、外径80mmφのAl製円筒状基体上に電荷
注入阻止層、光導電層及び表面保護層からなる光受容層
を形成した。なお、光受容層形成の際の堆積膜形成条件
は下記の第１表のとおりとした。
膜形成時の放電安定性、および形成された膜の膜質均
一性、帯電能、感度を下記の方法により評価し、得られ
た結果を第２図に示す。第２図において、◎，○，およ
び△印を付したものは下記評価４項目すべきに合格した
もののうち、以下のごとき評価が得られたものであるこ
とを夫々示している。
一性、帯電能、感度を下記の方法により評価し、得られ
た結果を第２図に示す。第２図において、◎，○，およ
び△印を付したものは下記評価４項目すべきに合格した
もののうち、以下のごとき評価が得られたものであるこ
とを夫々示している。
◎：評価項目のうち、４項目すべてが極めて良好 ○:2項目以上が極めて良好で、残りの項目が実用上さし
つかえない。
つかえない。
△:1項目以下が極めて良好で、残りの項目が実用上さし
つかえない。
つかえない。
また、×印を付したものは１項目以上不合格であるこ
とを示している。
とを示している。
＜評価方法＞ 放電安定性；プラズマ分光プルーグを上部にさし込
み、成膜中のSiHの発光強度の経時変化を追跡し、各層
の成膜開始直後の発光強度を100としたときの、その後
の発光強度のバラツキが±２以内のものを合格とする。
み、成膜中のSiHの発光強度の経時変化を追跡し、各層
の成膜開始直後の発光強度を100としたときの、その後
の発光強度のバラツキが±２以内のものを合格とする。
膜質均一性；同一条件で繰り返し10個の光受容部材を
作製し、品質（帯電能・感度・画像欠陥）のバラツキが
±５％以内のものを合格とする。
作製し、品質（帯電能・感度・画像欠陥）のバラツキが
±５％以内のものを合格とする。
帯電能；作製された光受容部材を複写装置に搭載し、
ドラムを回転させながら一定帯電量のもとに、ドラムの
上下端から30mm及び中央の３点の表面電位を測定し、上
下方向±7V以内、円周方向±2V以内のものを合格とす
る。
ドラムを回転させながら一定帯電量のもとに、ドラムの
上下端から30mm及び中央の３点の表面電位を測定し、上
下方向±7V以内、円周方向±2V以内のものを合格とす
る。
感度；と同様の方法で帯電させ、一定露光量のもと
に表面電位を測定し、±5V以内のものを合格とする。
に表面電位を測定し、±5V以内のものを合格とする。
第２図に示した結果から、カソード電極の長さＬを、
500mm〜2000mm、より好ましくは600mm〜1700mm、最適に
は700mm〜1400mmとし、カソード電極とアノード電極の
距離ｄを、好ましくは50〜100mmより好ましくは55〜90m
m、最適には60〜80mmとし、両者の比L/dを５〜40、より
好ましくは6.6〜30、最適には8.75〜23.3とすることに
より、円筒状基体表面上に膜質および膜厚の均一な堆積
膜が得られることがわかつた。
500mm〜2000mm、より好ましくは600mm〜1700mm、最適に
は700mm〜1400mmとし、カソード電極とアノード電極の
距離ｄを、好ましくは50〜100mmより好ましくは55〜90m
m、最適には60〜80mmとし、両者の比L/dを５〜40、より
好ましくは6.6〜30、最適には8.75〜23.3とすることに
より、円筒状基体表面上に膜質および膜厚の均一な堆積
膜が得られることがわかつた。
比較例１ 第３図の装置において、カソード電極とアノード電極
の距離ｄを40mmとし、カソード電極の長さＬを、250mm,
1000mm,2000mmおよび2250mmの４例とした以外はすべて
実施例と同様にして光受容部材を作製し、実施例と同様
の評価を行なつた。
の距離ｄを40mmとし、カソード電極の長さＬを、250mm,
1000mm,2000mmおよび2250mmの４例とした以外はすべて
実施例と同様にして光受容部材を作製し、実施例と同様
の評価を行なつた。
その結果、放電安定性はいずれも±２以内で良好で
あつたが、膜質均一性、帯電能および感度は、い
ずれの４例も不合格となり、電極間距離ｄが40mmでは、
イオンアタツクの影響が大きく、良質な膜が得られない
ことが判明した。
あつたが、膜質均一性、帯電能および感度は、い
ずれの４例も不合格となり、電極間距離ｄが40mmでは、
イオンアタツクの影響が大きく、良質な膜が得られない
ことが判明した。
比較例２ 第３図の装置において、カソード電極とアノード電極
の距離ｄを110mmとし、カソード電極の長さＬを、1000m
m,1750mm,2250mmの３例とした以外はすべて実施例と同
様にして光受容部材を作製し、実施例と同様の評価を行
なつた。
の距離ｄを110mmとし、カソード電極の長さＬを、1000m
m,1750mm,2250mmの３例とした以外はすべて実施例と同
様にして光受容部材を作製し、実施例と同様の評価を行
なつた。
その結果、帯電能および感度は良好であつたが、
放電安定性および膜質均一性は、いずれの３例も不
合格となり、電極間距離ｄが110mmでは、放電が起こり
にくく、プラズマが不均一となるため、膜質にバラツキ
が生じることが判明した。
放電安定性および膜質均一性は、いずれの３例も不
合格となり、電極間距離ｄが110mmでは、放電が起こり
にくく、プラズマが不均一となるため、膜質にバラツキ
が生じることが判明した。
比較例３ 第３図の装置において、カソード電極とアノード電極
の距離ｄを70mmとし、カソード電極の長さＬを2250mmと
した以外はすべて実施例と同様にして光受容部材を作製
し、実施例と同様の評価を行なつた。
の距離ｄを70mmとし、カソード電極の長さＬを2250mmと
した以外はすべて実施例と同様にして光受容部材を作製
し、実施例と同様の評価を行なつた。
その結果、電極間距離ｄが70mmに対してカソード電極
の長さＬが2250mmでは大きすぎて、円筒状基体の上下方
向あるいは円周方向にプラズマが不均一な部分が生じ、
膜質に影響を与えるものであることが判明した。
の長さＬが2250mmでは大きすぎて、円筒状基体の上下方
向あるいは円周方向にプラズマが不均一な部分が生じ、
膜質に影響を与えるものであることが判明した。
比較例４ 第３図の装置において、カソード電極とアノード電極
の距離ｄを70mm、カソード電極の長さＬを250mmとした
以外はすべて実施例と同様にして光受容部材を作製し、
実施例と同様の評価を行なつた。
の距離ｄを70mm、カソード電極の長さＬを250mmとした
以外はすべて実施例と同様にして光受容部材を作製し、
実施例と同様の評価を行なつた。
その結果、電極間距離d70mmに対してカソード電極の
長さＬが250mmでは短かすぎるために原料ガスが良質な
堆積膜形成に寄与する前駆体にまで十分分解されないた
め、良質な堆積膜が得られないことがわかつた。
長さＬが250mmでは短かすぎるために原料ガスが良質な
堆積膜形成に寄与する前駆体にまで十分分解されないた
め、良質な堆積膜が得られないことがわかつた。
比較例５ 第３図の装置において、カソード電極とアノード電極
の距離ｄを110mm、カソード電極の長さＬを250mmとした
以外はすべて実施例と同様にして光受容部材を作製し、
実施例と同様にして光受容部材を作製し、実施例と同様
の評価を行なつた。
の距離ｄを110mm、カソード電極の長さＬを250mmとした
以外はすべて実施例と同様にして光受容部材を作製し、
実施例と同様にして光受容部材を作製し、実施例と同様
の評価を行なつた。
その結果、感度は良好であつたが、放電安定性、
膜質均一性および帯電能はいずれも不合格となり、
電極間距離が110mmでは大きすぎるために放電が起こり
にくく、また、カソード電極の長さが小さすぎるために
原料ガスが十分に分解されないために、膜質が悪化した
ことが判明した。
膜質均一性および帯電能はいずれも不合格となり、
電極間距離が110mmでは大きすぎるために放電が起こり
にくく、また、カソード電極の長さが小さすぎるために
原料ガスが十分に分解されないために、膜質が悪化した
ことが判明した。
第１図は、本発明の装置における電極間距離ｄおよびア
ノード電極の長さＬを模式的に示す図であり、第２図
は、本発明の実施例の評価結果を示す図であり、第3,4
図は、プラズマCVD法による機能性堆積膜形成装置の典
型例を示す模式的断面図である。 第1,3および４図について、 １……カソード電極、２……円筒状基体（アノード電
極）、３……上壁，下壁、４……絶縁碍子、５……高周
波電源、６……堆積膜形成用原料ガス供給パイプ、７…
…排気管、８……加熱用ヒーター、９……軸、10……ガ
ス放出孔、11……内壁、12……ガス放出管。
ノード電極の長さＬを模式的に示す図であり、第２図
は、本発明の実施例の評価結果を示す図であり、第3,4
図は、プラズマCVD法による機能性堆積膜形成装置の典
型例を示す模式的断面図である。 第1,3および４図について、 １……カソード電極、２……円筒状基体（アノード電
極）、３……上壁，下壁、４……絶縁碍子、５……高周
波電源、６……堆積膜形成用原料ガス供給パイプ、７…
…排気管、８……加熱用ヒーター、９……軸、10……ガ
ス放出孔、11……内壁、12……ガス放出管。
Claims (1)
- 【請求項１】カソード電極として作用する円筒状周囲壁
を用いて形成された反応空間を内部に有する反応容器
と、前記反応空間内にアノード電極として作用する円筒
状基体を設置する手段と、前記反応空間に堆積膜形成用
原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記二者の電
極間に放電エネルギーを印加せしめる手段とを有する堆
積膜形成装置であって、前記カソード電極の長さを700
〜1400mmかつ、前記カソード電極と前記アノード電極と
の距離を60〜80mmとしたことを特徴とする機能性堆積膜
形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157611A JP2582553B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 |
| US07/323,202 US4958591A (en) | 1986-07-04 | 1989-03-13 | Apparatus for forming a functional deposited film by means of plasma chemical vapor deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157611A JP2582553B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314875A JPS6314875A (ja) | 1988-01-22 |
| JP2582553B2 true JP2582553B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=15653510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61157611A Expired - Lifetime JP2582553B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4958591A (ja) |
| JP (1) | JP2582553B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2787148B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1998-08-13 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 |
| US5338580A (en) * | 1988-11-15 | 1994-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of preparation of functional deposited film by microwave plasma chemical vapor deposition |
| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
| US5204144A (en) * | 1991-05-10 | 1993-04-20 | Celestech, Inc. | Method for plasma deposition on apertured substrates |
| US5240749A (en) * | 1991-08-27 | 1993-08-31 | University Of Central Florida | Method for growing a diamond thin film on a substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition |
| WO2004083486A1 (ja) * | 1993-03-23 | 2004-09-30 | Atsushi Yamagami | 超短波を用いたプラズマcvd法及び該プラズマcvd装置 |
| JP3236111B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2001-12-10 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
| JP3513206B2 (ja) * | 1994-03-22 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 |
| JP3372647B2 (ja) * | 1994-04-18 | 2003-02-04 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP3387616B2 (ja) * | 1994-04-18 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR0136632B1 (ko) * | 1994-07-26 | 1998-05-15 | 김은영 | 다이아몬드상 경질 카본 필름이 이중 코팅된 vtr 헤드 드럼과 그 코팅층 형성방법 및 장치 |
| US5464667A (en) * | 1994-08-16 | 1995-11-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Jet plasma process and apparatus |
| US5705044A (en) | 1995-08-07 | 1998-01-06 | Akashic Memories Corporation | Modular sputtering machine having batch processing and serial thin film sputtering |
| JP3295310B2 (ja) * | 1995-08-08 | 2002-06-24 | 三洋電機株式会社 | 回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置 |
| US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6173672B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6435130B1 (en) * | 1996-08-22 | 2002-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma CVD apparatus and plasma processing method |
| US6203898B1 (en) | 1997-08-29 | 2001-03-20 | 3M Innovatave Properties Company | Article comprising a substrate having a silicone coating |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4501766A (en) * | 1982-02-03 | 1985-02-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Film depositing apparatus and a film depositing method |
| US4466380A (en) * | 1983-01-10 | 1984-08-21 | Xerox Corporation | Plasma deposition apparatus for photoconductive drums |
| JPS59142839A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-16 | Canon Inc | 気相法装置のクリ−ニング方法 |
| JPS60191269A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-28 | Sharp Corp | 電子写真感光体製造装置 |
| JPS6123760A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-02-01 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP61157611A patent/JP2582553B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-13 US US07/323,202 patent/US4958591A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6314875A (ja) | 1988-01-22 |
| US4958591A (en) | 1990-09-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |