JPS6153432B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6153432B2 JPS6153432B2 JP58192569A JP19256983A JPS6153432B2 JP S6153432 B2 JPS6153432 B2 JP S6153432B2 JP 58192569 A JP58192569 A JP 58192569A JP 19256983 A JP19256983 A JP 19256983A JP S6153432 B2 JPS6153432 B2 JP S6153432B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- discharge
- forming
- base
- deposition chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 21
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1)技術分野
本発明は、減圧下に於て放電によつて光導電
膜、半導体膜、無機絶縁膜、有機樹脂膜等の堆積
膜を形成する方法に関する。
膜、半導体膜、無機絶縁膜、有機樹脂膜等の堆積
膜を形成する方法に関する。
(2)背景技術
堆積膜形成用のガス（以下、原料ガスと称す
る）を減圧にし得る室（以下、堆積室と称する）
内に導入し、放電によるプラズマ現象を利用して
所望の基体上に所望の特性を有する堆積膜を形成
する方法において、該方法が電界を印加して作業
を行うことが不可避である性格上、プラズマ反応
にある一定の指向性が生じることが避けられず、
そのため基体近傍の放電強度を基体近傍全域にわ
たつて均一にすることに非常な困難がともない、
その結果、基体全体にわたつて均一な膜質、膜厚
を持つ堆積膜を得るのは非常に困難であつた。
る）を減圧にし得る室（以下、堆積室と称する）
内に導入し、放電によるプラズマ現象を利用して
所望の基体上に所望の特性を有する堆積膜を形成
する方法において、該方法が電界を印加して作業
を行うことが不可避である性格上、プラズマ反応
にある一定の指向性が生じることが避けられず、
そのため基体近傍の放電強度を基体近傍全域にわ
たつて均一にすることに非常な困難がともない、
その結果、基体全体にわたつて均一な膜質、膜厚
を持つ堆積膜を得るのは非常に困難であつた。
例えばシラン（SiH4）ガスを放電で分解し、加
熱した基体上に水素化アモルフアスシリコン（ａ
−Si：Ｈ）膜を形成し各種の光又は電子デバイス
等に利用する技術が最近盛んに報じられている
が、ａ−Si：Ｈのような構造敏感ないわゆる半導
体的な性質を有するものについては、このような
膜質の不均一さが電気的、光学的、物理的性質の
変化という形で極めて敏感に表われやすく、この
ような問題は非常に重大であつた。さらにａ−
Si：Ｈを電子写真用感光体として用いる場合は、
通常円筒状の基体にａ−Si：Ｈを大面積に亘つて
厚く付ける場合が多いことから、上記の問題はさ
らに重大で円筒状基体の端部と中央部とでは堆積
される膜質及び膜厚がきわめて不均一となりやす
く、このため被写画像に画像欠陥、濃度ムラ等の
いわゆる画質低下現象を起こすことがたびたび生
じていた。
熱した基体上に水素化アモルフアスシリコン（ａ
−Si：Ｈ）膜を形成し各種の光又は電子デバイス
等に利用する技術が最近盛んに報じられている
が、ａ−Si：Ｈのような構造敏感ないわゆる半導
体的な性質を有するものについては、このような
膜質の不均一さが電気的、光学的、物理的性質の
変化という形で極めて敏感に表われやすく、この
ような問題は非常に重大であつた。さらにａ−
Si：Ｈを電子写真用感光体として用いる場合は、
通常円筒状の基体にａ−Si：Ｈを大面積に亘つて
厚く付ける場合が多いことから、上記の問題はさ
らに重大で円筒状基体の端部と中央部とでは堆積
される膜質及び膜厚がきわめて不均一となりやす
く、このため被写画像に画像欠陥、濃度ムラ等の
いわゆる画質低下現象を起こすことがたびたび生
じていた。
(3)発明の開示
本発明は斯かる点に鑑み成されたものであつ
て、本発明の目的は品質的に均一でかつ良好な特
性を有する堆積膜の形成方法を提供することであ
る。斯かる目的は以下に詳述される様に堆積室内
において、基体が放電強度が不均一な部分の影響
を極力受けないように堆積膜を形成することによ
り達成される。
て、本発明の目的は品質的に均一でかつ良好な特
性を有する堆積膜の形成方法を提供することであ
る。斯かる目的は以下に詳述される様に堆積室内
において、基体が放電強度が不均一な部分の影響
を極力受けないように堆積膜を形成することによ
り達成される。
すなわち斯かる目的を達成する本発明は、堆積
室内に原料ガスを導入し対向する電極間に電界を
形成して前記堆積室内に放電を生じさせ、前記原
料ガスを放電エネルギー又は放電エネルギー及び
熱エネルギーで分解又は重合して前記堆積室内に
設置された基体上に堆積膜を形成する放電による
堆積膜の形成方法において、前記基体に相接する
補助基体を設けることを特徴とする放電による堆
積膜の形成方法である。
室内に原料ガスを導入し対向する電極間に電界を
形成して前記堆積室内に放電を生じさせ、前記原
料ガスを放電エネルギー又は放電エネルギー及び
熱エネルギーで分解又は重合して前記堆積室内に
設置された基体上に堆積膜を形成する放電による
堆積膜の形成方法において、前記基体に相接する
補助基体を設けることを特徴とする放電による堆
積膜の形成方法である。
上記の補助基体を設けることにより基体の端部
で起きていた放電強度の不均一な部分を基体に影
響が及ばない所まで遠ざけることができ、それに
よつて安定した放電領域で基体上に堆積膜を形成
させることができ、基体全体にわたつて均一な膜
質、膜厚を得ることが可能となつた。
で起きていた放電強度の不均一な部分を基体に影
響が及ばない所まで遠ざけることができ、それに
よつて安定した放電領域で基体上に堆積膜を形成
させることができ、基体全体にわたつて均一な膜
質、膜厚を得ることが可能となつた。
(4)発明を実施するための最良の形態
本発明における電極は少くも一対設けられるこ
とを必須とするが他に特に限定はなく放電による
堆積膜の形成方法で通常使用されているものを適
宜使用することができ、例えば電極が堆積室や基
体を兼ねてもよいし、また独立に堆積室内に設け
られてもよい。形状についても円筒状、円盤状あ
るいは平板状等であつてもよい。また、基体の表
面に平行な仮想面を設定し、その仮想面内に例え
ば棒状の数個の電極を基体に平行に等間隔に配列
したもの等でもよい。基体を電極の配列について
も特に基体に平行である必要はないが、放電強度
が膜厚等に均一化をはかるために基体と平行に設
置されるのが好ましい。また本発明における放電
としては、例えばグロー放電やアーク放電等が好
ましいものとして挙げられる。
とを必須とするが他に特に限定はなく放電による
堆積膜の形成方法で通常使用されているものを適
宜使用することができ、例えば電極が堆積室や基
体を兼ねてもよいし、また独立に堆積室内に設け
られてもよい。形状についても円筒状、円盤状あ
るいは平板状等であつてもよい。また、基体の表
面に平行な仮想面を設定し、その仮想面内に例え
ば棒状の数個の電極を基体に平行に等間隔に配列
したもの等でもよい。基体を電極の配列について
も特に基体に平行である必要はないが、放電強度
が膜厚等に均一化をはかるために基体と平行に設
置されるのが好ましい。また本発明における放電
としては、例えばグロー放電やアーク放電等が好
ましいものとして挙げられる。
本発明における基体には特に限定はなく、使用
目的に応じた材質や形状等を有するものであれば
よい。例えば形状においては円筒状や平板状等で
あつてよく、材質においてはNiCr、ステンレ
ス、Al、Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ti、Pt、Pd等
の導電性材料、ポリエステル、ポリエチレン、ポ
リカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ガラス、セラミツクス、紙等
の絶縁性材料、またこれ等絶縁性材料に導電性材
料を被覆したもの等が使用できる。
目的に応じた材質や形状等を有するものであれば
よい。例えば形状においては円筒状や平板状等で
あつてよく、材質においてはNiCr、ステンレ
ス、Al、Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ti、Pt、Pd等
の導電性材料、ポリエステル、ポリエチレン、ポ
リカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ガラス、セラミツクス、紙等
の絶縁性材料、またこれ等絶縁性材料に導電性材
料を被覆したもの等が使用できる。
本発明における補助基体は、上記基体に相接す
るように設けることを必須とするが、着脱可能な
形式となつていることが好ましい。補助基体の材
質および形状は必ずしも基体と一致している必要
はないが、基体と同種の材質および同様の形状を
していることが好ましく、基体および補助基体に
対向する電極に面する基体および補助基体の表面
は同一平面上にあるのが好ましい。例えば円筒状
の基体であれば、補助基体の直径を基体と同程度
とすることが好ましい。基体が電極を兼ねる場合
に特に問題となる電極端での放電むらによる堆積
膜の膜厚が膜質や不均一化を防止するためには、
基体及び補助基体の放電に寄与する表面の面積比
をそれぞれ１：0.02〜２に設定することが好まし
い。ここで補助基体の大きさとしては、余り大き
すぎると装置自体が大きくなつてしまうためにコ
スト高となり、従つて量産性が悪くなつてしまう
ので好ましくない。また逆に小さすぎると、放電
強度が不均一な部分の影響を基体自身が受けてし
まうため均一な膜質、膜厚の堆積膜を形成するこ
とができないので好ましくない。以上のようなこ
とを考慮すると補助基体の大きさは基体との表面
積比として１：0.02〜２の範囲にあるのが好まし
い。
るように設けることを必須とするが、着脱可能な
形式となつていることが好ましい。補助基体の材
質および形状は必ずしも基体と一致している必要
はないが、基体と同種の材質および同様の形状を
していることが好ましく、基体および補助基体に
対向する電極に面する基体および補助基体の表面
は同一平面上にあるのが好ましい。例えば円筒状
の基体であれば、補助基体の直径を基体と同程度
とすることが好ましい。基体が電極を兼ねる場合
に特に問題となる電極端での放電むらによる堆積
膜の膜厚が膜質や不均一化を防止するためには、
基体及び補助基体の放電に寄与する表面の面積比
をそれぞれ１：0.02〜２に設定することが好まし
い。ここで補助基体の大きさとしては、余り大き
すぎると装置自体が大きくなつてしまうためにコ
スト高となり、従つて量産性が悪くなつてしまう
ので好ましくない。また逆に小さすぎると、放電
強度が不均一な部分の影響を基体自身が受けてし
まうため均一な膜質、膜厚の堆積膜を形成するこ
とができないので好ましくない。以上のようなこ
とを考慮すると補助基体の大きさは基体との表面
積比として１：0.02〜２の範囲にあるのが好まし
い。
また安定な放電を得るために、基体及び補助基
体を合せた合体物の長さｌを対向する電極の長さ
Ｌよりも短くしている。基体と補助基体の合体物
は外側の電極に囲まれた空間内の中央に、合体物
の膜形成面が電極面から等距離になるように配置
される。
体を合せた合体物の長さｌを対向する電極の長さ
Ｌよりも短くしている。基体と補助基体の合体物
は外側の電極に囲まれた空間内の中央に、合体物
の膜形成面が電極面から等距離になるように配置
される。
基体と補助基体の接合方法は、ワイヤー、接着
剤、ねじ、バンド等の接合手段を用いる方法や基
体および補助基体をねじ状にして直接接合する方
法等があるが、基体および補助基体の形状、材
質、着脱の必要性の有無、加熱の有無、または電
極を兼ねる場合等、基体および補助基体の材質や
堆積膜形成条件等に合せ適宜選択することができ
る。また、補助基体の材質や接合方法によつて
は、補助基体を繰り返し使用することが可能であ
るが、堆積膜の汚れ等を防止するためにはそのま
までの繰り返し使用は避けることが好ましい。
剤、ねじ、バンド等の接合手段を用いる方法や基
体および補助基体をねじ状にして直接接合する方
法等があるが、基体および補助基体の形状、材
質、着脱の必要性の有無、加熱の有無、または電
極を兼ねる場合等、基体および補助基体の材質や
堆積膜形成条件等に合せ適宜選択することができ
る。また、補助基体の材質や接合方法によつて
は、補助基体を繰り返し使用することが可能であ
るが、堆積膜の汚れ等を防止するためにはそのま
までの繰り返し使用は避けることが好ましい。
以下に、本発明の方法を実施例に基き図面も参
照してさらに詳細に説明する。尚、以下の例では
ａ−Si：Ｈ膜の形成方法に就て述べるが、本発明
は斯かるａ−Si：Ｈ膜の形成方法のみに限定され
るものではなく、堆積膜形成用の原料ガスが放電
エネルギー又は放電エネルギー及び熱エネルギー
で分解又は重合し得るものであれば適用できるも
のである。
照してさらに詳細に説明する。尚、以下の例では
ａ−Si：Ｈ膜の形成方法に就て述べるが、本発明
は斯かるａ−Si：Ｈ膜の形成方法のみに限定され
るものではなく、堆積膜形成用の原料ガスが放電
エネルギー又は放電エネルギー及び熱エネルギー
で分解又は重合し得るものであれば適用できるも
のである。
実施例
第１図は、本発明の方法を行うための実施例装
置の構成を説明するための模式的説明図である
が、本発明を行うための装置は本例に限定される
ものではない。
置の構成を説明するための模式的説明図である
が、本発明を行うための装置は本例に限定される
ものではない。
図において、１０１は堆積室である。堆積室１
０１内には、堆積膜を形成するためのアノード電
極を兼ねる円筒状基体１０２と該基体１０２を加
熱するための基体加熱ヒータ１０３が設けてあ
り、堆積室１０１の下方にはメインバルブ１０４
の開放によつて堆積室１０１内を不図示の排気装
置により排気して所定の真空度にする様に、開口
１０５が設けてある。基体１０２との間に放電を
引き起すためのカソード電極１０６を堆積室１０
１の内壁として設けている。
０１内には、堆積膜を形成するためのアノード電
極を兼ねる円筒状基体１０２と該基体１０２を加
熱するための基体加熱ヒータ１０３が設けてあ
り、堆積室１０１の下方にはメインバルブ１０４
の開放によつて堆積室１０１内を不図示の排気装
置により排気して所定の真空度にする様に、開口
１０５が設けてある。基体１０２との間に放電を
引き起すためのカソード電極１０６を堆積室１０
１の内壁として設けている。
図の装置に於ては、基体１０１はアース接続さ
れ膜厚や膜質を均一化するため回転を行つてい
る。基体１０１の上下に設けてある補助基体１０
７および１０８は、カソード電極１０６に対向す
る対向面の表面積比で基体１０２を１とした場合
に対し補助基体１０７，１０８をそれぞれ0.3に
設定し、材質はアルミニウムを用いた。
れ膜厚や膜質を均一化するため回転を行つてい
る。基体１０１の上下に設けてある補助基体１０
７および１０８は、カソード電極１０６に対向す
る対向面の表面積比で基体１０２を１とした場合
に対し補助基体１０７，１０８をそれぞれ0.3に
設定し、材質はアルミニウムを用いた。
カソード電極１０６は不図示のマツチング回路
を経て高周波電源に接続されている。堆積室１０
１の上部位には原料ガスを導入するガス導入管１
０９が連結されており、必要に応じて数種類のガ
スが導入されるようになつている。基体１０２と
補助基体１０７，１０８は基体加熱ヒータ１０３
によつて、予め所定の適正温度まで加熱してお
く。例えばａ−Si：Ｈ膜の場合は、基体１０２の
温度200〜400℃が適正温度となるが、本例では
250℃に設定した。
を経て高周波電源に接続されている。堆積室１０
１の上部位には原料ガスを導入するガス導入管１
０９が連結されており、必要に応じて数種類のガ
スが導入されるようになつている。基体１０２と
補助基体１０７，１０８は基体加熱ヒータ１０３
によつて、予め所定の適正温度まで加熱してお
く。例えばａ−Si：Ｈ膜の場合は、基体１０２の
温度200〜400℃が適正温度となるが、本例では
250℃に設定した。
次にSiH45〜40vol％、H295〜60vol％の範囲で
所定の混合比に設定した混合ガスを堆積室１０１
にガス圧0.1〜0.2Torrでガス量0.1〜２/minの
範囲で所定の値に設定して導入し、放電バワー
100Wで基体１０２および補助基体１０７，１０
８からなる合体物上へａ−Si：Ｈ膜を形成した。
上記操作を繰り返して数種の合体物上にａ−Si：
Ｈ膜を形成した。このように形成された基体１０
２上のａ−Si：Ｈ膜の膜厚を補助基体１０７，１
０８から取りはずした後にうず電流法で測定した
ところ、いずれも基体全域にわたり±２％の膜厚
分布に納まつていることが確認された。ａ−Si：
Ｈ膜を形成された基体１０２すなわちａ−Si：Ｈ
ドラムはいずれも複写装置にセツトし、画像評価
に供したがドラム全域にわたつて濃度ムラや画像
欠陥のない良好な画質を得ることが確認された。
所定の混合比に設定した混合ガスを堆積室１０１
にガス圧0.1〜0.2Torrでガス量0.1〜２/minの
範囲で所定の値に設定して導入し、放電バワー
100Wで基体１０２および補助基体１０７，１０
８からなる合体物上へａ−Si：Ｈ膜を形成した。
上記操作を繰り返して数種の合体物上にａ−Si：
Ｈ膜を形成した。このように形成された基体１０
２上のａ−Si：Ｈ膜の膜厚を補助基体１０７，１
０８から取りはずした後にうず電流法で測定した
ところ、いずれも基体全域にわたり±２％の膜厚
分布に納まつていることが確認された。ａ−Si：
Ｈ膜を形成された基体１０２すなわちａ−Si：Ｈ
ドラムはいずれも複写装置にセツトし、画像評価
に供したがドラム全域にわたつて濃度ムラや画像
欠陥のない良好な画質を得ることが確認された。
上記例では円筒状基体を使用しているが、平板
状基体等においても同様の事がいえる。また上記
ａ−Si：Ｈ膜以外に、同様の方法で、例えばａ−
SiNxH1-x（０＜ｘ≦１）、ａ−SiOxH1-x（０＜ｘ
≦１）、ａ−SiCｘＨ1-x（０＜ｘ≦１）、ａ−
SiN、ａ−SiO、ａ−SiC等の堆積膜を形成するこ
とが可能である。また重合によつて堆積膜を形成
する場合には、原料ガスをスチレモノマーガスや
スチレンダイマーガス等とすればよい。
状基体等においても同様の事がいえる。また上記
ａ−Si：Ｈ膜以外に、同様の方法で、例えばａ−
SiNxH1-x（０＜ｘ≦１）、ａ−SiOxH1-x（０＜ｘ
≦１）、ａ−SiCｘＨ1-x（０＜ｘ≦１）、ａ−
SiN、ａ−SiO、ａ−SiC等の堆積膜を形成するこ
とが可能である。また重合によつて堆積膜を形成
する場合には、原料ガスをスチレモノマーガスや
スチレンダイマーガス等とすればよい。
次に本発明の効果を比較例によつて説明する。
比較例
前記実施例において、上下の補助基体１０７，
１０８を取り除いた以外はまつたく同様の条件で
ａ−Si：Ｈ膜を作り同様の評価を行つたが、膜厚
分布において±10％程度の差が生じ、画質も上下
部分と中央部分とで濃度ムラを生じた。該濃度ム
ラは複写装置の画出し条件を種々に変化させ、最
適化を行つたにもかかわらず解消できなかつた。
１０８を取り除いた以外はまつたく同様の条件で
ａ−Si：Ｈ膜を作り同様の評価を行つたが、膜厚
分布において±10％程度の差が生じ、画質も上下
部分と中央部分とで濃度ムラを生じた。該濃度ム
ラは複写装置の画出し条件を種々に変化させ、最
適化を行つたにもかかわらず解消できなかつた。
以上説明したように、基体に補助基体を設ける
ことで基体端部で起きていた放電強度の不均一な
部分を基体に影響が及ばない所まで遠ざけること
が可能となり、膜厚や膜質の均一な堆積膜を得る
ことが可能となつた。
ことで基体端部で起きていた放電強度の不均一な
部分を基体に影響が及ばない所まで遠ざけること
が可能となり、膜厚や膜質の均一な堆積膜を得る
ことが可能となつた。
第１図は本発明の方法を行うための実施例装置
の構成を説明するための模式的説明図であり、装
置縦断面が示されている。 １０１……堆積室、１０２……アノード電極を
兼ねる基体、１０３……基体加熱ヒーター、１０
４……メインバルブ、１０５……開口部、１０６
……カソード電極、１０７……補助基体、１０８
……補助基体、１０９……ガス導入管、１１０…
…真空及び電気シール。
の構成を説明するための模式的説明図であり、装
置縦断面が示されている。 １０１……堆積室、１０２……アノード電極を
兼ねる基体、１０３……基体加熱ヒーター、１０
４……メインバルブ、１０５……開口部、１０６
……カソード電極、１０７……補助基体、１０８
……補助基体、１０９……ガス導入管、１１０…
…真空及び電気シール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 減圧にし得る堆積室内に原料ガスを導入し、
対向する電極間に電界を形成して前記堆積室内に
放電を生じさせ、前記原料ガスを放電エネルギー
又は放電エネルギー及び熱エネルギーで分解又は
重合して前記堆積室内に設置された基体上に堆積
膜を形成させる放電による堆積膜の形成方法にお
いて、前記基体に相接する補助基体を設けること
を特徴とする放電による堆積膜の形成方法。 ２ 前記基体と補助基体の放電に寄与する表面の
面積比をそれぞれ１：0.02〜２に設定する特許請
求の範囲第１項に記載の放電による堆積膜の形成
方法。 ３ 前記基体と補助基体の合体物が前記対向する
電極の一方を兼用している特許請求の範囲第１項
及び同第２項に記載の放電による堆積膜の形成方
法。 ４ 前記対向する電極の一方が堆積室の外側にあ
る特許請求の範囲の第１項及び同第２項及び同第
３項に記載の放電による堆積膜の形成方法。 ５ 前記対向する電極のいずれもが堆積室の内側
にある特許請求の範囲第１項及び同第２項及び同
第３項に記載の放電による堆積膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192569A JPS6086276A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 放電による堆積膜の形成方法 |
| US06/936,962 US4699799A (en) | 1983-10-17 | 1986-12-01 | Method for forming a deposition film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192569A JPS6086276A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 放電による堆積膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086276A JPS6086276A (ja) | 1985-05-15 |
| JPS6153432B2 true JPS6153432B2 (ja) | 1986-11-18 |
Family
ID=16293459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192569A Granted JPS6086276A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 放電による堆積膜の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4699799A (ja) |
| JP (1) | JPS6086276A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0451520U (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-30 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136572A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法 |
| JP3563789B2 (ja) | 1993-12-22 | 2004-09-08 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具 |
| JP4095205B2 (ja) | 1998-06-18 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562160A (en) * | 1978-11-01 | 1980-05-10 | Canon Inc | Forming method for film by glow discharge |
| JPS57192258A (en) * | 1981-05-19 | 1982-11-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Film forming apparatus using glow discharge |
| JPS5852650A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-28 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPS58118111A (ja) * | 1982-01-07 | 1983-07-14 | Ulvac Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933532B2 (ja) * | 1981-04-03 | 1984-08-16 | スタンレー電気株式会社 | 非晶質シリコンの形成方法 |
| JPS57186321A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Producing method for amorphous silicon film |
| US4438188A (en) * | 1981-06-15 | 1984-03-20 | Fuji Electric Company, Ltd. | Method for producing photosensitive film for electrophotography |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58192569A patent/JPS6086276A/ja active Granted
-
1986
- 1986-12-01 US US06/936,962 patent/US4699799A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562160A (en) * | 1978-11-01 | 1980-05-10 | Canon Inc | Forming method for film by glow discharge |
| JPS57192258A (en) * | 1981-05-19 | 1982-11-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Film forming apparatus using glow discharge |
| JPS5852650A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-28 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPS58118111A (ja) * | 1982-01-07 | 1983-07-14 | Ulvac Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0451520U (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6086276A (ja) | 1985-05-15 |
| US4699799A (en) | 1987-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5443645A (en) | Microwave plasma CVD apparatus comprising coaxially aligned multiple gas pipe gas feed structure | |
| EP0717127B1 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| US5129359A (en) | Microwave plasma CVD apparatus for the formation of functional deposited film with discharge space provided with gas feed device capable of applying bias voltage between the gas feed device and substrate | |
| JPS6314875A (ja) | プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 | |
| JPS6153432B2 (ja) | ||
| JPH02133577A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| US5945353A (en) | Plasma processing method | |
| JPH07288192A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2768539B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| US5902405A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPS6086277A (ja) | 放電による堆積膜の形成方法 | |
| JP3135031B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JP2553331B2 (ja) | プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 | |
| JPS62142783A (ja) | プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 | |
| JP3606399B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JP3368142B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JP2925310B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JP2784784B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成方法及び形成装置 | |
| JP2994658B2 (ja) | マイクロ波ｃｖｄ法による堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
| JPS6013074A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS642191B2 (ja) | ||
| JPH0897161A (ja) | 高周波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JPS62218572A (ja) | プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 | |
| JPH062153A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPH07183228A (ja) | 堆積膜形成装置 |