JPS62136572A - プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法Info
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- JPS62136572A JPS62136572A JP60276073A JP27607385A JPS62136572A JP S62136572 A JPS62136572 A JP S62136572A JP 60276073 A JP60276073 A JP 60276073A JP 27607385 A JP27607385 A JP 27607385A JP S62136572 A JPS62136572 A JP S62136572A
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマＣＶＤ法により基板上に無定形物質
の￥ｖｉｎ＊を形成する方法に関し、特に基板全体に亘
るグロー放電を一層均一に行わせるようにした薄膜形成
法に関する。
の￥ｖｉｎ＊を形成する方法に関し、特に基板全体に亘
るグロー放電を一層均一に行わせるようにした薄膜形成
法に関する。
プラズマＣＶＤ法による薄膜形成法は当分野でよく知ら
れており、例えば特開昭５７−３７３５２号公報に記載
の如く、第１図に略示するような装置を用いて行われる
。即ち、真空室１内に基板であるドラム５（円筒状金属
）を回転装置のついた基板支持体上に堰付け、外壁と内
壁との間に環状中空室を有し、内壁にガス噴出孔群６を
有する環状中空円筒ＲＦ電極７を、基板を離れて取り巻
くように配置する。シラン、ホスフィン、ボラン或いは
ゲルマン等々、必要な材料ガスを導入管４を通じて環状
中空室へ導入し、ガス噴出孔から電極と基板間に放出す
る。電極と基板間にグロー放電を起させ、材料ガスを分
解し、基板上に無定形物質の膜、例えばアモルファスシ
リコン膜などを堆積形成させる。
れており、例えば特開昭５７−３７３５２号公報に記載
の如く、第１図に略示するような装置を用いて行われる
。即ち、真空室１内に基板であるドラム５（円筒状金属
）を回転装置のついた基板支持体上に堰付け、外壁と内
壁との間に環状中空室を有し、内壁にガス噴出孔群６を
有する環状中空円筒ＲＦ電極７を、基板を離れて取り巻
くように配置する。シラン、ホスフィン、ボラン或いは
ゲルマン等々、必要な材料ガスを導入管４を通じて環状
中空室へ導入し、ガス噴出孔から電極と基板間に放出す
る。電極と基板間にグロー放電を起させ、材料ガスを分
解し、基板上に無定形物質の膜、例えばアモルファスシ
リコン膜などを堆積形成させる。
成膜速度の高速化、堆積物の飛散などによる生成膜の劣
化防止等の理由により、ＲＦ電極７の内側面、即ち噴出
孔６を有する面に沿うて、この面に実質的に接し、また
近接する位置に網を設ける場合もある。
化防止等の理由により、ＲＦ電極７の内側面、即ち噴出
孔６を有する面に沿うて、この面に実質的に接し、また
近接する位置に網を設ける場合もある。
〔発明が解決しようとする問題点３
円筒状金属基板（ドラム）に上述の方法でアモルファス
シリコン膜等を堆積形成させる場合には成膜速度も速く
、良質の膜が得られるが、絶縁性円筒基板（石英ガラス
、セラミック等）の場合には、基板の軸方向の両端（第
１図では上下の端）が同電位（アース電位）とならない
為、以下に述べるような不都合な状態を生ずる。一般に
そのような円筒基板は第２図に示すように、基板支持台
９上に、下方円筒状延長部材１０．絶縁性円筒基板１１
、上方円筒状延長部材１２の順に積み重ねられ、ＲＦ電
極７との間にグロー放電が発生させられる。
シリコン膜等を堆積形成させる場合には成膜速度も速く
、良質の膜が得られるが、絶縁性円筒基板（石英ガラス
、セラミック等）の場合には、基板の軸方向の両端（第
１図では上下の端）が同電位（アース電位）とならない
為、以下に述べるような不都合な状態を生ずる。一般に
そのような円筒基板は第２図に示すように、基板支持台
９上に、下方円筒状延長部材１０．絶縁性円筒基板１１
、上方円筒状延長部材１２の順に積み重ねられ、ＲＦ電
極７との間にグロー放電が発生させられる。
１） 積み重ね体の下方領域１３ではグロー放電の状態
は明るいが、絶縁性円筒基板を含めた上の領域１４では
グロー放電の状態も暗く、従って基板上への成膜速度も
円筒状金属ドラムの場合の半分以下となる。
は明るいが、絶縁性円筒基板を含めた上の領域１４では
グロー放電の状態も暗く、従って基板上への成膜速度も
円筒状金属ドラムの場合の半分以下となる。
２）° グロー放電が電極間で不均一になり、そのよう
な放電状態の異なる場所やグロー放電の端部では材料ガ
スの反応副生成物である分解物（例えばＳｉ系扮）の発
生が多く、その周辺の基板上の膜は、ピンホール等も多
く膜質の低下が起きる。
な放電状態の異なる場所やグロー放電の端部では材料ガ
スの反応副生成物である分解物（例えばＳｉ系扮）の発
生が多く、その周辺の基板上の膜は、ピンホール等も多
く膜質の低下が起きる。
３） 放電状態が異なる場合付近の電橋上には上述の如
き分解物（例えばＳｉ系粉）の堆積物１５が付着するな
どし、真空室内の清掃時間が長くなり、生産性が低くな
る。
き分解物（例えばＳｉ系粉）の堆積物１５が付着するな
どし、真空室内の清掃時間が長くなり、生産性が低くな
る。
上述の如き従来法の欠点は、ＲＦ電橿から見た場合、対
向電極（この場合は基板下方延長部材。
向電極（この場合は基板下方延長部材。
基板、基板上方延長部材）が完全に同一の電位（アース
電位）になっておらず、部分的にアース電位になってい
るためインピーダンスに差異が生じ、不均一なプラズマ
の放電状態を生じているところに原因があると考えられ
る。従って本発明の目的は、対向電極全体を全く同一の
電位（アース電位）にする方法をとることにより、上記
従来法の欠点を解消することにある。
電位）になっておらず、部分的にアース電位になってい
るためインピーダンスに差異が生じ、不均一なプラズマ
の放電状態を生じているところに原因があると考えられ
る。従って本発明の目的は、対向電極全体を全く同一の
電位（アース電位）にする方法をとることにより、上記
従来法の欠点を解消することにある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記目的を達
成するため、本発明では円筒状基板の内側表面に接する
導電性円筒を鉋縁性円筒基板内に挿入する。Ｉ基板両側
に重ねられる円筒状延長部材の少なくとも内側表面も導
電性にし、下方延長部材、絶縁性円筒基板及び上方延長
部材を積み重ねた時、前記導電性円筒と延長部材導電性
内側表面とが電気的に接続されるようにする。別法とし
て、上下延長部材と基板とを同一の内径及び外径をもつ
円筒に形成し、上下延長部材と基板とを積み重ねた時、
その積み重ね体と同じ長さで、その内面に接する外径を
有する導電性円筒をその積み重ね体の内部へ挿入しても
よい。
成するため、本発明では円筒状基板の内側表面に接する
導電性円筒を鉋縁性円筒基板内に挿入する。Ｉ基板両側
に重ねられる円筒状延長部材の少なくとも内側表面も導
電性にし、下方延長部材、絶縁性円筒基板及び上方延長
部材を積み重ねた時、前記導電性円筒と延長部材導電性
内側表面とが電気的に接続されるようにする。別法とし
て、上下延長部材と基板とを同一の内径及び外径をもつ
円筒に形成し、上下延長部材と基板とを積み重ねた時、
その積み重ね体と同じ長さで、その内面に接する外径を
有する導電性円筒をその積み重ね体の内部へ挿入しても
よい。
本発明方法を実施するのに好ましい装置の一例の概略図
を第３図に示す。真空室１内の基板支持台９には基板回
転機構１４が取付けてあり、その基板支持台９の上に基
板円筒と同じ内外径をもつ円筒状の下方延長部材１０を
乗せ、その上に絶縁性円筒基板を乗せる。更にその基板
上に前記下方延長部材と同様な上方延長部材１２を乗せ
、その積み重ね体の高さがＲＦ電極７と同じ高さになる
ようにする。積み重ね体の内側表面と接する外径をもち
、積み重ね体と同じ長さをもつ導電性円筒１３を積み重
ね体の内部に挿入し、上下延長部材と基板内側部分とが
高周波的に同電位（アース）となる様にする。
を第３図に示す。真空室１内の基板支持台９には基板回
転機構１４が取付けてあり、その基板支持台９の上に基
板円筒と同じ内外径をもつ円筒状の下方延長部材１０を
乗せ、その上に絶縁性円筒基板を乗せる。更にその基板
上に前記下方延長部材と同様な上方延長部材１２を乗せ
、その積み重ね体の高さがＲＦ電極７と同じ高さになる
ようにする。積み重ね体の内側表面と接する外径をもち
、積み重ね体と同じ長さをもつ導電性円筒１３を積み重
ね体の内部に挿入し、上下延長部材と基板内側部分とが
高周波的に同電位（アース）となる様にする。
メインバルブ１６を開け、ロータリポンプ２７゜メカニ
カルブースターポンプ２６で真空室１内を排気する。前
記積み重ね体内部に挿入された基板加熱ヒーター１７及
び温度制御器を操作し、絶縁性円筒基板１１を所定の温
度にする。材料ガス元弁１０〜１２及び材料ガス導入弁
１８を開け、ＲＦ電極７の環状中空室内に投入し、その
内側表面に開けられたガス噴出孔６より所定の材料ガス
を放出する。メインバルブ１６を調整して真空室１内を
所定の圧力にする。ＲＦｔｆｉ２５より高周波をＲＦ電
極７にかけ、絶縁性円筒基板１１及び上下延長部材１２
．１０と電極７との間に均一なプラズマを発生させる。
カルブースターポンプ２６で真空室１内を排気する。前
記積み重ね体内部に挿入された基板加熱ヒーター１７及
び温度制御器を操作し、絶縁性円筒基板１１を所定の温
度にする。材料ガス元弁１０〜１２及び材料ガス導入弁
１８を開け、ＲＦ電極７の環状中空室内に投入し、その
内側表面に開けられたガス噴出孔６より所定の材料ガス
を放出する。メインバルブ１６を調整して真空室１内を
所定の圧力にする。ＲＦｔｆｉ２５より高周波をＲＦ電
極７にかけ、絶縁性円筒基板１１及び上下延長部材１２
．１０と電極７との間に均一なプラズマを発生させる。
これにより前記積み重ね体とＲＦｔ極７の間に導入させ
た材料ガスはラジカル等に分解し、絶縁性円筒基板１１
上に薄膜となって堆積する。
た材料ガスはラジカル等に分解し、絶縁性円筒基板１１
上に薄膜となって堆積する。
本発明の方法による成膜速度は、例えば７００人／分位
になるのに対し、同様な操作条件を用いて、従来法では
２５０人／分の生膜速度しか得られない。
になるのに対し、同様な操作条件を用いて、従来法では
２５０人／分の生膜速度しか得られない。
本発明の方法により、絶縁性材料からなる基板でもその
前面に亘って同一の電位をとらせることができ、電位の
不均一性に起因する従来法の欠点を全て解消することが
できる。例えばグロー放電は第４図に示す如く円筒状電
極全域２８に亘り均一に起こる為、反応副生成物の発生
もなく、良質４膜が得られる。更に反応副生成物が少な
い為、真空室内の清掃時間が短くて済み、生産性も向上
する。更に上述した如く一層大きな生膜速度が得られる
。
前面に亘って同一の電位をとらせることができ、電位の
不均一性に起因する従来法の欠点を全て解消することが
できる。例えばグロー放電は第４図に示す如く円筒状電
極全域２８に亘り均一に起こる為、反応副生成物の発生
もなく、良質４膜が得られる。更に反応副生成物が少な
い為、真空室内の清掃時間が短くて済み、生産性も向上
する。更に上述した如く一層大きな生膜速度が得られる
。
第１図は従来法のプラズマＣＶＤ法による薄膜形成に一
般的に用いられる装置の概略図、第２図は基板が絶縁性
材料からなる場合の上下延長部材との積み重ね法及びそ
の積み重ね体と電極との間に起きる放電状態の概略を示
す図、第３図は本発明の・方法を用いたプラズマＣＶＤ
法による成膜装置の概略を示す図、第４図は本発明に従
い、基板及び上下延長部材の積み重ね体内部に導電性円
筒を嵌め込んだ場合の放電状態の概略を示す図である。 １・・・・真空室、７・・・・ＲＦ電極、９・・・・基
板支持台、１０・・・・下方延長部材、１１・・・・円
筒状基板、１２・・・・上方延長部材、２２・・・・導
電性円筒。 才１図 第２図 第４図 第３図 手続補正口（自発） 昭和６１年１２月９ 日 １、事件の表示 特願昭６０−２７６０７３号２、
発明 の名 称 プラズマＣＶＤ法による薄
膜形成法４、代 理 人 〒１０５東京
都港区新橋５の１９５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄。 特許請求の範囲 （１１反応室内の回転可能な基板支持台上に、円筒状基
板の軸方向の両端に着脱自在の延長部材を重ねた円筒状
基板・延長部材積み量ね体をそれを取り囲む円筒状の電
極と同程度の高さとなる様に乗せ、前記円筒状電極と円
筒状基板との間でグロー放電を起こし、該電極と円筒状
基板間に導入した材料ガスを分解して円筒状基板上に薄
膜を形成することからかるプラズマＣＶＤ法による薄膜
形成法において、前記基板の両端の延長部材と、前記基
板又は前記基板の内側部分とが同電位になるようにした
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ法による薄膜形成法。 （２） 基板が絶縁性円筒状基板であり、前記基板内
に導電性円筒が挿入され、基板両端に重ねられる正、・
部材が導電性、 はその内側表面が導電性となってお
り、前記基板と前記延長部材とを積み重ねた時、前記導
電性円筒と前記延長部材の導電性内側表面とが電気的に
接触した状態になることにより前記基板内側と内側延長
部材とが同電位になるようにしたこセを特徴とする特許
請求の範囲（１）に記載の方法。 （３） 基板と、その両端に重ねられる延長部材とが
、同じ内径及び外径を存する同様な材質の絶縁性円筒か
ら形成されており、前記基板と前記延長部材とを積み重
ねた後、その積み重ね体と同じ長さをもち、該積み重ね
体の内面に接する外径をもつ導電性円筒を該積み重ね体
内に挿入することにより、前記基板の内側部分と前記両
端の延長部材の内側部分とを同電位するようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲（１）に記載の方法。
般的に用いられる装置の概略図、第２図は基板が絶縁性
材料からなる場合の上下延長部材との積み重ね法及びそ
の積み重ね体と電極との間に起きる放電状態の概略を示
す図、第３図は本発明の・方法を用いたプラズマＣＶＤ
法による成膜装置の概略を示す図、第４図は本発明に従
い、基板及び上下延長部材の積み重ね体内部に導電性円
筒を嵌め込んだ場合の放電状態の概略を示す図である。 １・・・・真空室、７・・・・ＲＦ電極、９・・・・基
板支持台、１０・・・・下方延長部材、１１・・・・円
筒状基板、１２・・・・上方延長部材、２２・・・・導
電性円筒。 才１図 第２図 第４図 第３図 手続補正口（自発） 昭和６１年１２月９ 日 １、事件の表示 特願昭６０−２７６０７３号２、
発明 の名 称 プラズマＣＶＤ法による薄
膜形成法４、代 理 人 〒１０５東京
都港区新橋５の１９５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄。 特許請求の範囲 （１１反応室内の回転可能な基板支持台上に、円筒状基
板の軸方向の両端に着脱自在の延長部材を重ねた円筒状
基板・延長部材積み量ね体をそれを取り囲む円筒状の電
極と同程度の高さとなる様に乗せ、前記円筒状電極と円
筒状基板との間でグロー放電を起こし、該電極と円筒状
基板間に導入した材料ガスを分解して円筒状基板上に薄
膜を形成することからかるプラズマＣＶＤ法による薄膜
形成法において、前記基板の両端の延長部材と、前記基
板又は前記基板の内側部分とが同電位になるようにした
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ法による薄膜形成法。 （２） 基板が絶縁性円筒状基板であり、前記基板内
に導電性円筒が挿入され、基板両端に重ねられる正、・
部材が導電性、 はその内側表面が導電性となってお
り、前記基板と前記延長部材とを積み重ねた時、前記導
電性円筒と前記延長部材の導電性内側表面とが電気的に
接触した状態になることにより前記基板内側と内側延長
部材とが同電位になるようにしたこセを特徴とする特許
請求の範囲（１）に記載の方法。 （３） 基板と、その両端に重ねられる延長部材とが
、同じ内径及び外径を存する同様な材質の絶縁性円筒か
ら形成されており、前記基板と前記延長部材とを積み重
ねた後、その積み重ね体と同じ長さをもち、該積み重ね
体の内面に接する外径をもつ導電性円筒を該積み重ね体
内に挿入することにより、前記基板の内側部分と前記両
端の延長部材の内側部分とを同電位するようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲（１）に記載の方法。
Claims (3)
- （１）反応室内の回転可能な基板支持台上に、円筒状基
板の軸方向の両端に着脱自在の延長部材を重ねた円筒状
基板・延長部材積み重ね体をそれを取り囲む円筒状の電
極と同程度の高さとなる様に乗せ、前記円筒状電極と円
筒状基板との間でグロー放電を起こし、該電極と円筒状
基板間に導入した材料ガスを分解して円筒状基板上に薄
膜を形成することからなるプラズマＣＶＤ法による薄膜
形成法において、前記基板の両端の延長部材と、前記基
板又は前記基板の内側部分とが同電位になるようにした
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ法による薄膜形成法。 - （２）基板が絶縁性円筒状基板であり、前記基板内に導
電性円筒が挿入され、基板両端に重ねられる延長部材の
内側表面が導電性となっており、前記基板と前記延長部
材とを積み重ねた時、前記導電性円筒と前記延長部材の
導電性内側表面とが電気的に接触した状態になることに
より前記基板内側と内側延長部材とが同電位になるよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲（１）に記載の
方法。 - （３）基板と、その両端に重ねられる延長部材とが、同
じ内径及び外径を有する同様な材質の絶縁性円筒から形
成されており、前記基板と前記延長部材とを積み重ねた
後、その積み重ね体と同じ長さをもち、該積み重ね体の
内面に接する外径をもつ導電性円筒を該積み重ね体内に
挿入することにより、前記基板の内側部分と前記両端の
延長部材の内側部分とを同電位にするようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲（１）に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60276073A JPS62136572A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60276073A JPS62136572A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136572A true JPS62136572A (ja) | 1987-06-19 |
| JPH0442471B2 JPH0442471B2 (ja) | 1992-07-13 |
Family
ID=17564422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60276073A Granted JPS62136572A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136572A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007015445A1 (ja) | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Dialight Japan Co., Ltd. | プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086277A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
| JPS6086276A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60276073A patent/JPS62136572A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086276A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
| JPS6086277A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007015445A1 (ja) | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Dialight Japan Co., Ltd. | プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法 |
| JP5420835B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2014-02-19 | 株式会社ピュアロンジャパン | プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442471B2 (ja) | 1992-07-13 |
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