JPH02200784A - Cvd電極 - Google Patents
Cvd電極Info
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- JPH02200784A JPH02200784A JP2026989A JP2026989A JPH02200784A JP H02200784 A JPH02200784 A JP H02200784A JP 2026989 A JP2026989 A JP 2026989A JP 2026989 A JP2026989 A JP 2026989A JP H02200784 A JPH02200784 A JP H02200784A
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Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、LSI等半導体装置の製造に用いられるCV
D装置のCVD電極に関する。
D装置のCVD電極に関する。
(従来の技術)
化学的気相成長法く以下CVD法という)は薄・膜を構
成する元素からなる一種またはそれ以上の化合物気体を
基板表面に送り、基板表面上で化学反応させて目的の薄
膜を形成する方法である。
成する元素からなる一種またはそれ以上の化合物気体を
基板表面に送り、基板表面上で化学反応させて目的の薄
膜を形成する方法である。
このCVD法は膜形成時にPやB等のドーパントの添加
が容易であり、不必要な不純物の混入が少ないという特
徴があるため、主としてSi、5i02.5i3NA等
のSi系薄膜の形成に用いられる重要な技術である。
が容易であり、不必要な不純物の混入が少ないという特
徴があるため、主としてSi、5i02.5i3NA等
のSi系薄膜の形成に用いられる重要な技術である。
CV D法には常圧CVD法、減圧CVD法、プラズマ
CVD法等の技術があるが、プラズマCVD法は低温で
成膜が可能なごどから近年、益々多用されるようになっ
た。
CVD法等の技術があるが、プラズマCVD法は低温で
成膜が可能なごどから近年、益々多用されるようになっ
た。
プラズマCVD法は0.1〜ITorrの減圧下で50
KHz〜13.56MH;?の高周波励起によりプラズ
マを発生させ薄膜を生成する方法であるが、グロー放電
のプラズマ中に原料気体を送りこみ、活性度の高い原子
や分子のラジカルを作り、これらラジカルの反応性を利
用するので、400℃以下の低温ぐ反応が可能となる。
KHz〜13.56MH;?の高周波励起によりプラズ
マを発生させ薄膜を生成する方法であるが、グロー放電
のプラズマ中に原料気体を送りこみ、活性度の高い原子
や分子のラジカルを作り、これらラジカルの反応性を利
用するので、400℃以下の低温ぐ反応が可能となる。
一般に用いられているプラズマCVD装置の断面図を第
1図に示す。
1図に示す。
図において、円形の平行平板i!極1.2が設置され、
ウェハー3は下部の接地電極2の上に置かれ、上下の電
極間でグロー放電を起させるために上部電極1に高周波
電圧が印加される。
ウェハー3は下部の接地電極2の上に置かれ、上下の電
極間でグロー放電を起させるために上部電極1に高周波
電圧が印加される。
流量調整された原料ガスはキャリアガスとともに原料ガ
ス流入管4から流入し、排気管5から排気される。
ス流入管4から流入し、排気管5から排気される。
上部電極1は第1図に示すように、電極表面に網目もし
くはふるい目状の開口部が設番ノであり、流入した原料
ガスが各開口部からできるだ【ノ均一にプラズマの中に
入るように工夫されている。
くはふるい目状の開口部が設番ノであり、流入した原料
ガスが各開口部からできるだ【ノ均一にプラズマの中に
入るように工夫されている。
上部電極2はその」−に置いた基板を加熱できるように
なっている。
なっている。
電極間のギ1=ツブは通常IQmm以内に設定すること
が多い。
が多い。
従来、以、ヒのJ、うなプラズマCVD電極が用いられ
ているが、しかし、このようなCVD電極はN極の中央
部の圧力が高いというような電極に圧力分布が生じ易く
、そのためプラズマ濃度、形成された膜の膜厚、膜質等
が不均一になる欠点がある。
ているが、しかし、このようなCVD電極はN極の中央
部の圧力が高いというような電極に圧力分布が生じ易く
、そのためプラズマ濃度、形成された膜の膜厚、膜質等
が不均一になる欠点がある。
また、電極中央部に原料の反応生成物が多くなり、その
ため原料供給量が少なくなり、電極中央部に形成された
膜は膜厚が薄くなるというような不均一な膜質分布が発
生する欠点がある。
ため原料供給量が少なくなり、電極中央部に形成された
膜は膜厚が薄くなるというような不均一な膜質分布が発
生する欠点がある。
さらに、原料の反応残ガスにより密閉されたCVD反応
室6が汚染され、ダストが発生し易いという欠点がある
。
室6が汚染され、ダストが発生し易いという欠点がある
。
また、電界強度、ブラズン状態等と成映する膜厚分布と
を切り離して調整できない欠点がある。
を切り離して調整できない欠点がある。
(解決しようとする問題点)
本発明者等は、1記の欠点を除去し1.均一な膜厚、膜
質の膜が形成できるCVD電極として平成1年1月11
日に特許を出願した。
質の膜が形成できるCVD電極として平成1年1月11
日に特許を出願した。
この出願の要旨は、一つの電極に原料ガス供給系と排気
系を設り、該電極内で原料ガスの供給と排気をfjなわ
しめるものであった。
系を設り、該電極内で原料ガスの供給と排気をfjなわ
しめるものであった。
本発明はこの発明の改良に関するものである。
(問題を解決するための手段)
本発明は、上記出願のCVD電極に、さらに該電極ある
いは他の電極の周縁部に第二のガス流出口を加えたもの
ぐある。
いは他の電極の周縁部に第二のガス流出口を加えたもの
ぐある。
第2図は一例として上部電極に第二のガス流出口を設け
た場合の本発明になる上部電極の断面図である。
た場合の本発明になる上部電極の断面図である。
本発明を第2図にジノたがって詳細に説明する。
原料ガス導入管7と排気管8と第二ガス導入管9とは三
重管になっている。
重管になっている。
原料ガス導入管7から流量調整されて導入された原料ガ
スとキャリアガスは複数の原料ガス導出17110から
流出しプラズマの中に入る。
スとキャリアガスは複数の原料ガス導出17110から
流出しプラズマの中に入る。
一方、原料の反応生成物、反応残ガス等は排気oiiか
ら吸引され排気管8から排気される。したがって、第1
図に示すような排気管5は必ずしも必藍としない。
ら吸引され排気管8から排気される。したがって、第1
図に示すような排気管5は必ずしも必藍としない。
さらに、第二ガス導入管9から導入されたHe。
Ar等の不活性ガスは第二ガス導出口12から流出づる
。
。
このような第二ガスは電極の周縁部に張ったいわばJア
ーカーテンの役割を果たすとともに、プラズマの発生を
安定化させる効果がある。
ーカーテンの役割を果たすとともに、プラズマの発生を
安定化させる効果がある。
上部電極を以上のような構造にすることによって、エア
ーカー・テンによる鴻閉効果が生じ、原料の反応残ガス
、反応生成物等は電極の内側に閉じ込められ、電極に設
けられた排気口から直ちに排気されるため先の出願のC
VD電極よりざらにCVD反応室中を浮遊することがな
いので、反応室が)ち染されたり、ダストが発生したり
することがなく、形成された膜の膜質はさらに優れたも
のとなる。
ーカー・テンによる鴻閉効果が生じ、原料の反応残ガス
、反応生成物等は電極の内側に閉じ込められ、電極に設
けられた排気口から直ちに排気されるため先の出願のC
VD電極よりざらにCVD反応室中を浮遊することがな
いので、反応室が)ち染されたり、ダストが発生したり
することがなく、形成された膜の膜質はさらに優れたも
のとなる。
また、ブラズンCVD法において原料有機物がプラズマ
に入るとプラズマの維持が難かしくなる例が多いが、本
発明における電極では電極の周縁部には常にフレッシュ
な不活性ガスが流出しており1.また、電極の汚れもな
く、プラズマ発生を容易にするガスを供給できるためプ
ラズマを安定して発生することができる。
に入るとプラズマの維持が難かしくなる例が多いが、本
発明における電極では電極の周縁部には常にフレッシュ
な不活性ガスが流出しており1.また、電極の汚れもな
く、プラズマ発生を容易にするガスを供給できるためプ
ラズマを安定して発生することができる。
第二ガス導出口は下部電極の周縁部に設けてもよい。
〈発明の効果)
本発明によれば、先の出願のCVD電極の発明の効果に
加えて、さらに反応室内でダストが発生することがなく
クリーンであるため形成された膜の膜質はさらに良質で
ある特徴がある。
加えて、さらに反応室内でダストが発生することがなく
クリーンであるため形成された膜の膜質はさらに良質で
ある特徴がある。
さらに、電極、不活性ガスともに電極の周縁部はフレッ
シュであるためプラズマを安定()てR1させることが
できる特徴がある。
シュであるためプラズマを安定()てR1させることが
できる特徴がある。
第1図は従来のプラス1cvoaiの断面図である。
図において、1は上部電極、2は下部電極、ζ3はウェ
ーハ、4は原料ガス導入管、5は排気管、6はCVD反
応室である。 第2図は本発明になる上部′11極の断面図である。 図において、7は原料ガス導入管、8は排気管、9は第
二ガス導入管、10は原料ガス導出口、1・1は排気[
’1iiiil、 12は第二ガス導出1]である。
ーハ、4は原料ガス導入管、5は排気管、6はCVD反
応室である。 第2図は本発明になる上部′11極の断面図である。 図において、7は原料ガス導入管、8は排気管、9は第
二ガス導入管、10は原料ガス導出口、1・1は排気[
’1iiiil、 12は第二ガス導出1]である。
Claims (1)
- 基板電極に対向する電極面、全面にわたつて排気口が分
布し、電極の中央部と周縁部では異なつたガスを供給す
ることができることを特徴とするCVD電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2026989A JPH02200784A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | Cvd電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2026989A JPH02200784A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | Cvd電極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02200784A true JPH02200784A (ja) | 1990-08-09 |
Family
ID=12022471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2026989A Pending JPH02200784A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | Cvd電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02200784A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316120A (ja) * | 1989-03-14 | 1991-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置及びそのガスヘッド |
US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
US5669976A (en) * | 1990-12-28 | 1997-09-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | CVD method and apparatus therefor |
US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
KR101133285B1 (ko) * | 2009-03-25 | 2012-04-06 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6187872A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | 平行平板型プラズマcvd装置のアノ−ド電極 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP2026989A patent/JPH02200784A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6187872A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | 平行平板型プラズマcvd装置のアノ−ド電極 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316120A (ja) * | 1989-03-14 | 1991-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置及びそのガスヘッド |
US5669976A (en) * | 1990-12-28 | 1997-09-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | CVD method and apparatus therefor |
US6022811A (en) * | 1990-12-28 | 2000-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of uniform CVD |
US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
KR101133285B1 (ko) * | 2009-03-25 | 2012-04-06 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 |
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