JPH01279757A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH01279757A JPH01279757A JP10722388A JP10722388A JPH01279757A JP H01279757 A JPH01279757 A JP H01279757A JP 10722388 A JP10722388 A JP 10722388A JP 10722388 A JP10722388 A JP 10722388A JP H01279757 A JPH01279757 A JP H01279757A
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明はプラズマ処理装置、特にプラズマＣ■Ｄ （Ｃ
ｈｅｎ＋１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
：化学的気相成長又は化学的蒸着）装置に関するも
のである。
ｈｅｎ＋１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
：化学的気相成長又は化学的蒸着）装置に関するも
のである。
口、従来技術
例えばアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと称す。
）膜は感光体の感光層に広く使用されており、その形成
はＳｉＨ，のグロー放電分解によるいわゆるプラズマＣ
ＶＤ法によっている。
はＳｉＨ，のグロー放電分解によるいわゆるプラズマＣ
ＶＤ法によっている。
プラズマＣＶＤ法によって円筒状の基体表面にａ−３ｉ
膜を形成する方法としては、次のような方法が考えられ
る。即ち、第５図に示すように、容量結合型グロー放電
装置５１の真空槽５２（通常ステンレス網製のものが使
用される。）内では、内側（内部）電極としてのドラム
状の基板４１が垂直に回転可能にセットされ、ヒータ５
５で基板４１を内側から所定温度に加熱し得るようにな
っている。基板４１に対向してその周囲にガス導出口５
３付きの二重円筒状の外側電極５７が配され、この電極
の外壁側に設置されたガス導入管５４を通して各種ガス
が供給され、袋状の部分５９で広がった後、複数設置さ
れたガス導出口５３から放電空間６０に噴出する。そし
て、基板４１との間に高周波電源５６によりグロー放電
が生ぜしめられる。なお、図中の６２は水素化シリコン
ガスであるＳｉＨ４の供給源、６５はＡｒ等のキャリア
ガス供給源、６６は不純物ガス（例えばＢ、Ｈ。
膜を形成する方法としては、次のような方法が考えられ
る。即ち、第５図に示すように、容量結合型グロー放電
装置５１の真空槽５２（通常ステンレス網製のものが使
用される。）内では、内側（内部）電極としてのドラム
状の基板４１が垂直に回転可能にセットされ、ヒータ５
５で基板４１を内側から所定温度に加熱し得るようにな
っている。基板４１に対向してその周囲にガス導出口５
３付きの二重円筒状の外側電極５７が配され、この電極
の外壁側に設置されたガス導入管５４を通して各種ガス
が供給され、袋状の部分５９で広がった後、複数設置さ
れたガス導出口５３から放電空間６０に噴出する。そし
て、基板４１との間に高周波電源５６によりグロー放電
が生ぜしめられる。なお、図中の６２は水素化シリコン
ガスであるＳｉＨ４の供給源、６５はＡｒ等のキャリア
ガス供給源、６６は不純物ガス（例えばＢ、Ｈ。
又はＰＨ３）供給源、６７は各流量計である。
このグロー放電装置において、先ず支持体である例えば
Ａ！基Ｆｉ４１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に
配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−６Ｔｏｒｒとな
るように調節して排気し、かつ基板４１を所定温度、特
に１００〜３５０°Ｃ（好ましくは１５０〜３００°Ｃ
）に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャ
リアガスとして水素化シリコンであるＳｉＨ４ガス及び
必要とあればＢ２Ｈ２等を適宜真空槽５２内に導入し、
例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源
５６により高周波電圧（例えば１３．５６ ＭＨｚ）を
印加する。これによって上記各反応ガスを電極５７と基
板４１との間でグロー放電分解し、ａ−３ｉ：Ｈ又は不
純物ドープドａ−３ｉ：Ｈとして基板４１上に堆積させ
る。
Ａ！基Ｆｉ４１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に
配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−６Ｔｏｒｒとな
るように調節して排気し、かつ基板４１を所定温度、特
に１００〜３５０°Ｃ（好ましくは１５０〜３００°Ｃ
）に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャ
リアガスとして水素化シリコンであるＳｉＨ４ガス及び
必要とあればＢ２Ｈ２等を適宜真空槽５２内に導入し、
例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源
５６により高周波電圧（例えば１３．５６ ＭＨｚ）を
印加する。これによって上記各反応ガスを電極５７と基
板４１との間でグロー放電分解し、ａ−３ｉ：Ｈ又は不
純物ドープドａ−３ｉ：Ｈとして基板４１上に堆積させ
る。
なお、チャンバー５２と電極との放電を防ぐために、シ
ールド板５８が設けられている。
ールド板５８が設けられている。
また、逆に、円筒状基体４１を高周波電源５６の高圧側
（カソード）にし、電極５７をアース側にすることも可
能である。′ ところが、上記の如き従来装置においては、円筒状内部
電極４１の軸方向の長さを大きくするにつれて、膜質、
ひいては特性の不所望な分布が生じる問題があった。即
ち、こうしたバッチ型の装置においては、設置基体の本
数を増すことが生産性向上の手段となり、その１つの方
法が軸方向に基体を重ねる（図示の例では２本重ね）こ
とである（勿論、外側の電極も基体軸長さとあわせるよ
うに大きくしておく）。その際、外側電極５７の電気的
接続は中央から、或いは中央に関して対称に行えるが、
円筒状基体４１は基体受軸６１を通しての片側（第５図
の下方をさす）からしか電気的接続がとれない構造にな
っていた。
（カソード）にし、電極５７をアース側にすることも可
能である。′ ところが、上記の如き従来装置においては、円筒状内部
電極４１の軸方向の長さを大きくするにつれて、膜質、
ひいては特性の不所望な分布が生じる問題があった。即
ち、こうしたバッチ型の装置においては、設置基体の本
数を増すことが生産性向上の手段となり、その１つの方
法が軸方向に基体を重ねる（図示の例では２本重ね）こ
とである（勿論、外側の電極も基体軸長さとあわせるよ
うに大きくしておく）。その際、外側電極５７の電気的
接続は中央から、或いは中央に関して対称に行えるが、
円筒状基体４１は基体受軸６１を通しての片側（第５図
の下方をさす）からしか電気的接続がとれない構造にな
っていた。
その結果、軸方向の長さが大きくなるにつれて、基体受
軸６１に近い側と離れた地点での基体のインピーダンス
の差が顕著になり（第６図参照）、これによって放電状
態の分布をもたらしてしまう。
軸６１に近い側と離れた地点での基体のインピーダンス
の差が顕著になり（第６図参照）、これによって放電状
態の分布をもたらしてしまう。
特に、表皮効果のあられれる高周波放電においてはこの
傾向は強く、そのため、第７図に示すように、膜質・特
性（表面電位）の分布が生じるという問題があった。こ
こで■８は黒地電位、■。はグレー地の電位、Ｖｏは白
紙電位で、上部に行くほど大きくなるという分布がみら
れるのである。
傾向は強く、そのため、第７図に示すように、膜質・特
性（表面電位）の分布が生じるという問題があった。こ
こで■８は黒地電位、■。はグレー地の電位、Ｖｏは白
紙電位で、上部に行くほど大きくなるという分布がみら
れるのである。
ハ１発明の目的
本発明の目的は、放電状態を場所的に均一となし、プラ
ズマ処理を一様に行なえる装置を提供することにある。
ズマ処理を一様に行なえる装置を提供することにある。
二４発明の構成
即ち、本発明は、プラズマによって処理されるべき基体
としての第１電極と、この第１電極に対向した第２電極
との間に原料ガスを導入しつつ、前記第１電極と前記第
２電極との間の放電空間を放電状態にするプラズマ処理
装置において、前記第１電極を少なくともこの両端側か
ら接地する接地手段が設けられていることを特徴とする
プラズマ処理装置に係るものである。
としての第１電極と、この第１電極に対向した第２電極
との間に原料ガスを導入しつつ、前記第１電極と前記第
２電極との間の放電空間を放電状態にするプラズマ処理
装置において、前記第１電極を少なくともこの両端側か
ら接地する接地手段が設けられていることを特徴とする
プラズマ処理装置に係るものである。
また、本発明は、プラズマによって処理されるべき基体
としての第１電極と、この第１電極に対向した第２電極
との間に原料ガスを導入しつつ、前記第１電極と前記第
２電極との間の放電空間を放電状態にするプラズマ処理
装置において、前記第１電極に対して少なくともこの両
端側から電圧供給する電圧供給手段が設けられているこ
とを特徴とするプラズマ処理装置も提供するものである
。
としての第１電極と、この第１電極に対向した第２電極
との間に原料ガスを導入しつつ、前記第１電極と前記第
２電極との間の放電空間を放電状態にするプラズマ処理
装置において、前記第１電極に対して少なくともこの両
端側から電圧供給する電圧供給手段が設けられているこ
とを特徴とするプラズマ処理装置も提供するものである
。
本発明において、上記の「処理されるべき基体」とは、
プラズマで所定の膜を形成する基体の他、既に製膜され
たものであってプラズマエツチング等が施される基体も
意味する。
プラズマで所定の膜を形成する基体の他、既に製膜され
たものであってプラズマエツチング等が施される基体も
意味する。
ホ、実施例
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図〜第３図は、第１の実施例を示すものである。
本例によるプラズマＣＶＤ装置は、第５図で述べたもの
と共通する構成を有している（共通部分は共通符号を付
してその説明は省略した。）が、根本的に異なる構成は
、基体４１側をアースとする際に基体受軸６１０反対側
（上端）にもアースにつながっている金属板７０を設置
したことである。金属板７０はシールド板５８と接し、
このシールド板を通してアース（接地）することができ
る。
と共通する構成を有している（共通部分は共通符号を付
してその説明は省略した。）が、根本的に異なる構成は
、基体４１側をアースとする際に基体受軸６１０反対側
（上端）にもアースにつながっている金属板７０を設置
したことである。金属板７０はシールド板５８と接し、
このシールド板を通してアース（接地）することができ
る。
従って、基体４１は、下端では受軸６１と電気的に接続
され、上端でも金属板７０と電気的に接続される（金属
板７０を基体４１上に押しつける）ことから、基体軸方
向での放電が均一となり、第３図に示すように、基体上
の堆積膜の膜厚分布はかなり均一化し、かつ感光体とし
ての表面電位も均一になった。これは、基体４１の上下
両端から接地を行ったことで、基体軸方向のインピーダ
ンスの差が小さくなった（第２図参照）ためであると考
えられる。
され、上端でも金属板７０と電気的に接続される（金属
板７０を基体４１上に押しつける）ことから、基体軸方
向での放電が均一となり、第３図に示すように、基体上
の堆積膜の膜厚分布はかなり均一化し、かつ感光体とし
ての表面電位も均一になった。これは、基体４１の上下
両端から接地を行ったことで、基体軸方向のインピーダ
ンスの差が小さくなった（第２図参照）ためであると考
えられる。
第４図は、他の実施例を示すものである。
上述の実施例では、基体４１をアース（アノ一ド）側と
したが、本例では、基体４１を高電圧（カソード）側、
即ち高周波電極として用いている。基体４１は、下部の
受軸６１及び上部の金属板７０を夫々介して、高周波電
源５６に接続されている。他方、外部電極５７はアース
されている。
したが、本例では、基体４１を高電圧（カソード）側、
即ち高周波電極として用いている。基体４１は、下部の
受軸６１及び上部の金属板７０を夫々介して、高周波電
源５６に接続されている。他方、外部電極５７はアース
されている。
シールド板５８の上下端において、７１は支持板、７２
．７３は絶縁体である。
．７３は絶縁体である。
この結果、上述したと同様の理由から、基体４１に対し
て下部のみから高周波電圧を供給する場合に比べて基体
軸方向での電圧分布が小さくなり、これによって放電が
均一となり、堆積膜の膜厚や特性を均一にすることがで
きる。
て下部のみから高周波電圧を供給する場合に比べて基体
軸方向での電圧分布が小さくなり、これによって放電が
均一となり、堆積膜の膜厚や特性を均一にすることがで
きる。
以上に述べた実施例は、本発明の技術的思想に基づいて
種々変更してよい。
種々変更してよい。
例えば、上述の接地位置は種々であってよいが、少なく
とも基体（１本でも良いし、上述のように２本又はそれ
以上積み重ねてもよい。）の両端又はその近傍から接地
する必要があり、更に接地位置を中間に付加してもよい
。これは、基体に高電圧を供給する場合も同様であり、
少なくとも基体両端側に電圧供給する必要がある。使用
する金属板の材質はステンレス鋼等であってよいが、他
の導電材料を用いることもできる。
とも基体（１本でも良いし、上述のように２本又はそれ
以上積み重ねてもよい。）の両端又はその近傍から接地
する必要があり、更に接地位置を中間に付加してもよい
。これは、基体に高電圧を供給する場合も同様であり、
少なくとも基体両端側に電圧供給する必要がある。使用
する金属板の材質はステンレス鋼等であってよいが、他
の導電材料を用いることもできる。
その他、ガス導出口の形状やパターン、位置、個数等は
変更可能である。
変更可能である。
本発明は上述したａ−３ｉのプラズマＣＶＤのみならず
、プラズマＣＶＤによる他の製膜、ドラム状基体以外の
基体への製膜、更にはプラズマＣＶＤ以外のプラズマ処
理（例えばプラズマエツチング）にも適用可能である。
、プラズマＣＶＤによる他の製膜、ドラム状基体以外の
基体への製膜、更にはプラズマＣＶＤ以外のプラズマ処
理（例えばプラズマエツチング）にも適用可能である。
へ０発明の作用効果
本発明は上述の如く、少なくとも基体の両端側をアース
し、若しくは電圧供給するようにしたので、基体軸方向
での放電が均一となり、基体に対するプラズマ処理を一
様に行うことができる。
し、若しくは電圧供給するようにしたので、基体軸方向
での放電が均一となり、基体に対するプラズマ処理を一
様に行うことができる。
第１図〜第４図は本発明の実施例を示すものであって、
第１図はプラズマＣＶＤ装置の概略断面図、第２図は接
地状態の等価回路図、 第３図はドラム位置による特性変化を示すグラフ、 第４図は他のプラズマＣＶＤ装置の概略図である。 第５図〜第７図は従来例を示すものであって、第５図は
プラズマＣＶＤ装置の概略断面図、第６図は接地状態の
等価回路図、 第７図はドラム位置による特性変化を示すグラフ である。 なお、図面に示す符号において、 ４１・・・・・・・・・基体 ５３・・・・・・・・・ガス導出口 ５４・・・・・・・・・ガス導入管 ５５・・・・・・・・・ヒータ ５６・・・・・・・・・高周波電源 ５７・・・・・・・・・外部電極 ５８・・・・・・・・・シールド板 ６０・・・・・・・・・放電空間 ６１・・・・・・・・・ドラム受軸 ６２．６５．６６・・・・・・・・・ガス供給源７０・
・・・・・・・・金属板 である。
地状態の等価回路図、 第３図はドラム位置による特性変化を示すグラフ、 第４図は他のプラズマＣＶＤ装置の概略図である。 第５図〜第７図は従来例を示すものであって、第５図は
プラズマＣＶＤ装置の概略断面図、第６図は接地状態の
等価回路図、 第７図はドラム位置による特性変化を示すグラフ である。 なお、図面に示す符号において、 ４１・・・・・・・・・基体 ５３・・・・・・・・・ガス導出口 ５４・・・・・・・・・ガス導入管 ５５・・・・・・・・・ヒータ ５６・・・・・・・・・高周波電源 ５７・・・・・・・・・外部電極 ５８・・・・・・・・・シールド板 ６０・・・・・・・・・放電空間 ６１・・・・・・・・・ドラム受軸 ６２．６５．６６・・・・・・・・・ガス供給源７０・
・・・・・・・・金属板 である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラズマによって処理されるべき基体としての第１
電極と、この第１電極に対向した第２電極との間に原料
ガスを導入しつつ、前記第１電極と前記第２電極との間
の放電空間を放電状態にするプラズマ処理装置において
、前記第１電極を少なくともこの両端側から接地する接
地手段が設けられていることを特徴とするプラズマ処理
装置。 ２、プラズマによって処理されるべき基体としての第１
電極と、この第１電極に対向した第２電極との間に原料
ガスを導入しつつ、前記第１電極と前記第２電極との間
の放電空間を放電状態にするプラズマ処理装置において
、前記第１電極に対して少なくともこの両端側から電圧
供給する電圧供給手段が設けられていることを特徴とす
るプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10722388A JPH01279757A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10722388A JPH01279757A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01279757A true JPH01279757A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14453612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10722388A Pending JPH01279757A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01279757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010031363A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-02-12 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10722388A patent/JPH01279757A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010031363A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-02-12 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
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