JPS6010619A - グロ−放電による膜形成方法 - Google Patents
グロ−放電による膜形成方法Info
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- JPS6010619A JPS6010619A JP58116843A JP11684383A JPS6010619A JP S6010619 A JPS6010619 A JP S6010619A JP 58116843 A JP58116843 A JP 58116843A JP 11684383 A JP11684383 A JP 11684383A JP S6010619 A JPS6010619 A JP S6010619A
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- JP
- Japan
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- gas
- film
- material gas
- deposition chamber
- raw material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02529—Silicon carbide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
又はグロー放電等の放電により、基体上に光導電膜，半
導体膜，無機絶縁膜，有機樹脂膜等の簿膜を形成する方
法に関する。
導体膜，無機絶縁膜，有機樹脂膜等の簿膜を形成する方
法に関する。
従来、この種の放電成膜法は、堆積室内に成膜を行う基
体を配置し、該堆積室内を排気した後に室全体に原料ガ
スを導入［７、放電を発生させて成膜している。従って
、放電は、堆積室全体で発生するので、基体上に加えて
堆積室内壁や電極等にも成膜され、成膜効率が悪いとい
う欠点がある。
体を配置し、該堆積室内を排気した後に室全体に原料ガ
スを導入［７、放電を発生させて成膜している。従って
、放電は、堆積室全体で発生するので、基体上に加えて
堆積室内壁や電極等にも成膜され、成膜効率が悪いとい
う欠点がある。
一方、基体上に複数の膜を形成する場合には、同一の堆
積室でこれを行うと、前の成膜行程で堆積室内に堆積し
、残留している不純物の影響によシ高品位の成膜が難し
い。従来、複数の成膜を行う場合は、この問題全克服す
るために反応室をそれぞれ別々に設ける方法がとられて
いるが、基体の移動機構が複雑となり、また反応室が増
加することから装置のコストが上昇するという欠点があ
る。
積室でこれを行うと、前の成膜行程で堆積室内に堆積し
、残留している不純物の影響によシ高品位の成膜が難し
い。従来、複数の成膜を行う場合は、この問題全克服す
るために反応室をそれぞれ別々に設ける方法がとられて
いるが、基体の移動機構が複雑となり、また反応室が増
加することから装置のコストが上昇するという欠点があ
る。
従って、本発明は上記従来例の欠点を除去することにあ
る。
る。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
１図は、本発明の詳細な説明するための、プラズマＣ
Ｖ Ｄ （ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ ）装置の局所ガス供給排気ユニットの基
本構成図である。
１図は、本発明の詳細な説明するための、プラズマＣ
Ｖ Ｄ （ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ ）装置の局所ガス供給排気ユニットの基
本構成図である。
堆積室１内の底部に（ハ、部材２が固定されておリ、こ
の固定部材２内にはヒータ９が配置されている。ヒータ
９ば、固定部材２上に載置されて、上面全成膜される支
持体１０を、成膜に必要々温度に加熱する。支持体１０
は、成膜時には接地され、アノード電極となる。固定部
材２の上部には、ドーム状のガスカバー４が配置さ扛、
ガスカバー４内には、成膜に用いられる原料ガスを導入
するための２つのガス供給パイプ５が配置され、更にガ
スカバー４の上部は、ガス排気バルブ７ａを介しガス排
気系７に結がっている。尚、ことでガスカバー５の下縁
が、固定部材２上に載置される支持体］Ｏの上面と１．
ｍ１ｌｂ程度の隙間を形成することが重重しい。ガス
カバー４の下縁近傍には、複数個の補助ガス排気部１２
が設けられ、この排気部］２は、補助ガス排気バルブ１
］を介してガス排気系７に結がっている。３は、不図示
の高周波電源に接続され、堆積室］の壁にシールド６さ
れたカソード電極であり、８ば、堆積室】を真空排気す
るための主排気系案であり、８ａ（は、主排気系８の主
排気バルブである。
の固定部材２内にはヒータ９が配置されている。ヒータ
９ば、固定部材２上に載置されて、上面全成膜される支
持体１０を、成膜に必要々温度に加熱する。支持体１０
は、成膜時には接地され、アノード電極となる。固定部
材２の上部には、ドーム状のガスカバー４が配置さ扛、
ガスカバー４内には、成膜に用いられる原料ガスを導入
するための２つのガス供給パイプ５が配置され、更にガ
スカバー４の上部は、ガス排気バルブ７ａを介しガス排
気系７に結がっている。尚、ことでガスカバー５の下縁
が、固定部材２上に載置される支持体］Ｏの上面と１．
ｍ１ｌｂ程度の隙間を形成することが重重しい。ガス
カバー４の下縁近傍には、複数個の補助ガス排気部１２
が設けられ、この排気部］２は、補助ガス排気バルブ１
］を介してガス排気系７に結がっている。３は、不図示
の高周波電源に接続され、堆積室］の壁にシールド６さ
れたカソード電極であり、８ば、堆積室】を真空排気す
るための主排気系案であり、８ａ（は、主排気系８の主
排気バルブである。
上記実施例の作用を説明すると、まず主排気バルブ８ａ
を開いて堆積室１内を排気し、一方、支持体１０をヒー
タ９により成膜に必要な温度に加熱すると共に接地する
。次いでガス排気バルブ８ａと補助ガス排気バルブ１１
を開いた後、ガス供給パイプ５よシ、支持体１０上を成
膜するのに用いられる原料ガスがガスカバー４内に導入
される。
を開いて堆積室１内を排気し、一方、支持体１０をヒー
タ９により成膜に必要な温度に加熱すると共に接地する
。次いでガス排気バルブ８ａと補助ガス排気バルブ１１
を開いた後、ガス供給パイプ５よシ、支持体１０上を成
膜するのに用いられる原料ガスがガスカバー４内に導入
される。
ここで、ガス排気系７及び補助ガス排気系］］。
１２によシ排気されるガス量が、ガス供給パイプ５によ
シ供給されるガス量より大きくなるように制御する。ガ
ス排気系７のみにより、この排気ガス量が供給ガス量よ
シ犬きくするように制御するととができれば、補助ガス
排気系１１− 、１．２は不要である。
シ供給されるガス量より大きくなるように制御する。ガ
ス排気系７のみにより、この排気ガス量が供給ガス量よ
シ犬きくするように制御するととができれば、補助ガス
排気系１１− 、１．２は不要である。
ガスカバー４内に原料ガスが導入されると、電極３に不
図示の電源より高周波電力が印加され、ガスカバー４内
でグロー放電が発生し、原料ガスが分解され、従って支
持体］０上に薄膜が形成さ、、、あ。。７カ７カ２＜−
４１Ｅ（Ｄカフ、１２□１カフ１供給量より大きいので
、ガスカバー４内のグロー放電中のラジカルイオンは、
ガスカバー４の外の堆積室１内に流出せず、従って堆積
室１の内壁や電極３等に成膜することがなく、成膜効率
が向−ヒする。
図示の電源より高周波電力が印加され、ガスカバー４内
でグロー放電が発生し、原料ガスが分解され、従って支
持体］０上に薄膜が形成さ、、、あ。。７カ７カ２＜−
４１Ｅ（Ｄカフ、１２□１カフ１供給量より大きいので
、ガスカバー４内のグロー放電中のラジカルイオンは、
ガスカバー４の外の堆積室１内に流出せず、従って堆積
室１の内壁や電極３等に成膜することがなく、成膜効率
が向−ヒする。
第２図は、第１図の局所ガス供給排気ユニットを４個備
えて、膜支持体である円筒形基体１０ａ上に４つの薄膜
を形成するための成膜装置の上部断面図である。この図
において、第１図と同様な部材には同じ参照符号を附し
である。
えて、膜支持体である円筒形基体１０ａ上に４つの薄膜
を形成するための成膜装置の上部断面図である。この図
において、第１図と同様な部材には同じ参照符号を附し
である。
この実施例において、図示時計方向に回転する円筒形基
体１０ａの回シには、順次Ｐ 層成膜用の局所ガス供給
排気ユニッ）Ｊ−１，、ノンドープ層成膜用の局所ガス
供給排気ユニツ）Ｊ−２，Ｊ−３，及びＳｊＣ層成膜用
の局所ガス・供給排気ユニッ）Ｊ−４が配置されている
。ユニツ）Ｊ−１。
体１０ａの回シには、順次Ｐ 層成膜用の局所ガス供給
排気ユニッ）Ｊ−１，、ノンドープ層成膜用の局所ガス
供給排気ユニツ）Ｊ−２，Ｊ−３，及びＳｊＣ層成膜用
の局所ガス・供給排気ユニッ）Ｊ−４が配置されている
。ユニツ）Ｊ−１。
Ｊ−２、Ｊ−３、Ｊ−４は、それぞれ基体１０ａの軸方
向に伸びて、基体１０ａの外側面をカバーする構成とな
っている。本実施例においてＪ−１にて Ｐ 層形成後
Ｊ−２，Ｊ−３にてｎｏｎｄｏｐｅ層形成その後Ｊ−４
にてＳｉＣ層全層成形成。この実施例においても、第１
図と同様にグロー放電はガスカバー５外の堆積室ｌ内で
は発生せず、従って成膜効率が上昇するばかりでなく、
前の工程の残留不純物の影響なく同一の反応室内で複数
（４つ）の膜の積層が可能となシ、高品位で大量生産の
可能な成膜が可能となる。本発明によれば、従来の成膜
方法に比較して成膜効率が５乃至１０割向上した。
向に伸びて、基体１０ａの外側面をカバーする構成とな
っている。本実施例においてＪ−１にて Ｐ 層形成後
Ｊ−２，Ｊ−３にてｎｏｎｄｏｐｅ層形成その後Ｊ−４
にてＳｉＣ層全層成形成。この実施例においても、第１
図と同様にグロー放電はガスカバー５外の堆積室ｌ内で
は発生せず、従って成膜効率が上昇するばかりでなく、
前の工程の残留不純物の影響なく同一の反応室内で複数
（４つ）の膜の積層が可能となシ、高品位で大量生産の
可能な成膜が可能となる。本発明によれば、従来の成膜
方法に比較して成膜効率が５乃至１０割向上した。
尚上記２つの実施例において、ガスカバー４内に２つの
ガス供給パイプが配置されているが、均一な膜質分布を
得ることができれば、その数は任意である。
ガス供給パイプが配置されているが、均一な膜質分布を
得ることができれば、その数は任意である。
以上説明したように、原料ガスが堆積室全体に広がら々
いので、成膜効率が向上（−１また複数膜の積層が同一
堆積室内で可能になる。
いので、成膜効率が向上（−１また複数膜の積層が同一
堆積室内で可能になる。
第１図は、本発明に係る局所ガス供給排気ユニットの基
本構成図、第２図は、本発明に係る一実施例の上部断面
図である。 １・・・堆積室 ４・・・ガスカバー ５・・ガス供給パイプ ７・・・ガス排気系特許出願人
キャノン株式会社 ＝ ７− λ８ 第１図
本構成図、第２図は、本発明に係る一実施例の上部断面
図である。 １・・・堆積室 ４・・・ガスカバー ５・・ガス供給パイプ ７・・・ガス排気系特許出願人
キャノン株式会社 ＝ ７− λ８ 第１図
Claims (1)
- 排気された堆積室内に原料ガスを導入し、放電により成
膜すべき基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法にお
いて、上記基体の成膜すべき部分に原料ガスを局部的に
導入するとともに該原料ガスが堆積室全体にひろがらな
いように上記の部分の局部的排気を行う原料ガス導入お
よび排気ユニットを複数有し、同一成膜用支持体に複数
の異なる膜を積層することを特徴とするグロー放電によ
る膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116843A JPS6010619A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | グロ−放電による膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116843A JPS6010619A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | グロ−放電による膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010619A true JPS6010619A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14696995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116843A Pending JPS6010619A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | グロ−放電による膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010619A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235135A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-15 | Nippon Seimitsu Kogyo Kk | 循環式原稿送り装置 |
| US7992318B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58116843A patent/JPS6010619A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235135A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-15 | Nippon Seimitsu Kogyo Kk | 循環式原稿送り装置 |
| US7992318B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
| US8186077B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-05-29 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
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