JPS5817612A - グロ−放電による膜形成装置 - Google Patents
グロ−放電による膜形成装置Info
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- JPS5817612A JPS5817612A JP11607781A JP11607781A JPS5817612A JP S5817612 A JPS5817612 A JP S5817612A JP 11607781 A JP11607781 A JP 11607781A JP 11607781 A JP11607781 A JP 11607781A JP S5817612 A JPS5817612 A JP S5817612A
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- JP
- Japan
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- gas
- film
- glow discharge
- drum
- deposition chamber
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明線、グロー放電を利用して、牛導体膜、無機絶縁
膜、元導電Ｍ勢を効率良く形成する装置に関する。
膜、元導電Ｍ勢を効率良く形成する装置に関する。
プラズマを形成してグロー放電にょシ所賛の原料ガスを
分解して、所定の基体上に所望の特性の農を形成する場
曾、特に大ｍ積の膜を形成する場合には、全領域に亘り
て膜厚、ＭｆＸ等を均一にするのは、通常の真空蒸着に
比べると非常に峻しい。それは、原料ガスの流れｔ−制
御することが非常に離しいことに起因している。
分解して、所定の基体上に所望の特性の農を形成する場
曾、特に大ｍ積の膜を形成する場合には、全領域に亘り
て膜厚、ＭｆＸ等を均一にするのは、通常の真空蒸着に
比べると非常に峻しい。それは、原料ガスの流れｔ−制
御することが非常に離しいことに起因している。
例えば、８ｉ）１４をグロー放電にょ９分解し、所定の
基板上にアルモファス水素化シリコン（以下ａ−８１：
Ｈ）膜を形成する場合、従来の装置では、原料ガスの流
れの管理が不充分であるためガスの流速が均一でない部
分か発生し易く、形成され九ａ −Ｓｉ ：Ｈ膜の特性
が基板内でパラつくことが多い。又、従来の装置ではガ
スの流れに上から下、右から左等一定の方向性があシ、
その九めこの流れに沿って膜厚が次第に薄く、あるいは
厚くなるという不均一さも多々出現した。
基板上にアルモファス水素化シリコン（以下ａ−８１：
Ｈ）膜を形成する場合、従来の装置では、原料ガスの流
れの管理が不充分であるためガスの流速が均一でない部
分か発生し易く、形成され九ａ −Ｓｉ ：Ｈ膜の特性
が基板内でパラつくことが多い。又、従来の装置ではガ
スの流れに上から下、右から左等一定の方向性があシ、
その九めこの流れに沿って膜厚が次第に薄く、あるいは
厚くなるという不均一さも多々出現した。
東に、現在のグロー放電による成膜適度は通常、真空蒸
着に比べて、かなシ遅いため、生産性の面から成膜装置
の向上が必要と考えら扛ているが、そのためには、当面
原料ガスの流量を大幅に増やす必要がるると思われる。
着に比べて、かなシ遅いため、生産性の面から成膜装置
の向上が必要と考えら扛ているが、そのためには、当面
原料ガスの流量を大幅に増やす必要がるると思われる。
その場辻、均一なる祠を形成するには、これまで以上に
ガスの流れの制御が大きな間鵬とな９、涼科Ｉスの堆積
室への導入、排気には、一層の工夫が要求される。
ガスの流れの制御が大きな間鵬とな９、涼科Ｉスの堆積
室への導入、排気には、一層の工夫が要求される。
本発明は、上に述べた問題点を克服すべくな嘔れたもの
でりりて、大面積に亘りて膜質および膜厚の均一なる膜
を再現性良くしかも効率的に形成し得るグロー放電によ
る膜形成装置を提供することを目的とする。
でりりて、大面積に亘りて膜質および膜厚の均一なる膜
を再現性良くしかも効率的に形成し得るグロー放電によ
る膜形成装置を提供することを目的とする。
本発明のグロー放電による膜形成装置においては、減圧
し得る堆積室のガス流入口とガス流出口は、堆積室をそ
の中心軸に直交する平面に投影してかだときに、それぞ
れが互いに回転対称となる複数個所に配置されているこ
とを特徴とする。
し得る堆積室のガス流入口とガス流出口は、堆積室をそ
の中心軸に直交する平面に投影してかだときに、それぞ
れが互いに回転対称となる複数個所に配置されているこ
とを特徴とする。
本発明の装置に於いては堆積室内での原料ガスの流れが
互いに回転対称のそれぞれ複数の位置にあるガス流入口
とガス流出口によって周辺部から中央部に向って流入し
、再び周辺部から流出するという経路をたどる。このた
めガス流量を大輪に増やしても、ガスの流れの不均一性
並びに方向性を効果的になくすことができ、中央部に置
かれた基体表面に所要の特性を有する膜を大面積に亘り
て均一に再現性良く量産できるばかりでなく、従来に比
べて原料ガスを大量に効果的に導入でき、膜形成速度を
積大もせることかできるので、グロー放電による膜を利
用する各Ｓ装置の低価格化が計れるとともに生産性を向
上させることが出来る。
互いに回転対称のそれぞれ複数の位置にあるガス流入口
とガス流出口によって周辺部から中央部に向って流入し
、再び周辺部から流出するという経路をたどる。このた
めガス流量を大輪に増やしても、ガスの流れの不均一性
並びに方向性を効果的になくすことができ、中央部に置
かれた基体表面に所要の特性を有する膜を大面積に亘り
て均一に再現性良く量産できるばかりでなく、従来に比
べて原料ガスを大量に効果的に導入でき、膜形成速度を
積大もせることかできるので、グロー放電による膜を利
用する各Ｓ装置の低価格化が計れるとともに生産性を向
上させることが出来る。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図（＆） ｌ （ｂ）は電子写真用Ａｔ＊ドシム上
にａ−８ｉ：Ｈ展を形成する実施例の装置の模式的断面
図とその堆′８Ｌ室をその中心軸に直交する平面に投影
した模式的平面図である。堆積室１は、メインパルプ２
を介して主排気系に直軸したペースプレート３の上に絶
縁性ガスケット４を介して金Ｉｓ製円筒５を置き、その
金属製円筒５の上に同じく絶縁性ガスケット６を介して
ガラス板７をおいて構成されている。金属製円筒５の周
囲にはガス導入剤マニホールＰｇ（８１〜８４）および
ガス排気用マニホールド９（９１〜９４）がとシつけら
れている。セして堆積室１に対しては、互いに９０°を
なす４個所のそれぞれ上下に、小さい孔の集合からなる
ガス０を入口１０Ｋ（１０■ｅ１０＊富）ｅ １０．
（２０冨＊ｅ１０１Ｒ＞＋１０ｍ（Ｊ６１１１７１９
３ｍ ）および１ ’ ４ （Ｊ Ｏａ ＊ ｅ １
ｏａｌ）が設けられ、これらガス流入口と投影面上で
重なる位置にガス流出口Ｊ Ｊｌ 、 １１． 、
１１＠およびＪＪ、が設けられている。堆＠塞１の中心
軸上に回転チーノル１２がありＡｔ１１１１ドラムＩＳ
は穴のあいｐｈｔＨふた１４をし丸形でこの回転テーブ
ル１２の上に設置される。ｈｔＨドラム１３は成膜中は
１０ ｒｐｍで回転され、また内部ヒータ１５によシ加
熱されるようになっている。１６は高周波電源でめる。
にａ−８ｉ：Ｈ展を形成する実施例の装置の模式的断面
図とその堆′８Ｌ室をその中心軸に直交する平面に投影
した模式的平面図である。堆積室１は、メインパルプ２
を介して主排気系に直軸したペースプレート３の上に絶
縁性ガスケット４を介して金Ｉｓ製円筒５を置き、その
金属製円筒５の上に同じく絶縁性ガスケット６を介して
ガラス板７をおいて構成されている。金属製円筒５の周
囲にはガス導入剤マニホールＰｇ（８１〜８４）および
ガス排気用マニホールド９（９１〜９４）がとシつけら
れている。セして堆積室１に対しては、互いに９０°を
なす４個所のそれぞれ上下に、小さい孔の集合からなる
ガス０を入口１０Ｋ（１０■ｅ１０＊富）ｅ １０．
（２０冨＊ｅ１０１Ｒ＞＋１０ｍ（Ｊ６１１１７１９
３ｍ ）および１ ’ ４ （Ｊ Ｏａ ＊ ｅ １
ｏａｌ）が設けられ、これらガス流入口と投影面上で
重なる位置にガス流出口Ｊ Ｊｌ 、 １１． 、
１１＠およびＪＪ、が設けられている。堆＠塞１の中心
軸上に回転チーノル１２がありＡｔ１１１１ドラムＩＳ
は穴のあいｐｈｔＨふた１４をし丸形でこの回転テーブ
ル１２の上に設置される。ｈｔＨドラム１３は成膜中は
１０ ｒｐｍで回転され、また内部ヒータ１５によシ加
熱されるようになっている。１６は高周波電源でめる。
本装置で成膜する場合には、拡散−ン７”Ｋ［結したメ
インパルプ２を開けて堆積室１内を１０−’ Ｔｏｒｒ
位の高真空に排気した後、メインパルプ２を閉めて、排
気系を切シ換え、前記金属円筒５に設けｆｃ、ｆＸｇ出
口１１１〜１１４から排気用マニホールド９１〜９ａｔ
介してメカニカルブースターポンノで排気し、これらガ
ス流出口の上下に設けたガス流入口１０１〜１０４から
ガス導入用マニホールド８１〜８４を通して流量調節さ
れた８１Ｈ４ガスを堆積室１内に導入して所定のガス圧
にする。その後前記金属製円筒５に高周波電源ＩＣより
高周波電圧を印加し接地したムｔＨ！ドラム１３との間
にガスプラズマを生起せしめ、人Ｈ４ドラ五１３０表面
にａ−８ｔ：Ｈ膜を形成する。この時試料のＡｔ製ドラ
五１３は内部ヒーター１５によ）３００℃前後に昇温さ
せる。
インパルプ２を開けて堆積室１内を１０−’ Ｔｏｒｒ
位の高真空に排気した後、メインパルプ２を閉めて、排
気系を切シ換え、前記金属円筒５に設けｆｃ、ｆＸｇ出
口１１１〜１１４から排気用マニホールド９１〜９ａｔ
介してメカニカルブースターポンノで排気し、これらガ
ス流出口の上下に設けたガス流入口１０１〜１０４から
ガス導入用マニホールド８１〜８４を通して流量調節さ
れた８１Ｈ４ガスを堆積室１内に導入して所定のガス圧
にする。その後前記金属製円筒５に高周波電源ＩＣより
高周波電圧を印加し接地したムｔＨ！ドラム１３との間
にガスプラズマを生起せしめ、人Ｈ４ドラ五１３０表面
にａ−８ｔ：Ｈ膜を形成する。この時試料のＡｔ製ドラ
五１３は内部ヒーター１５によ）３００℃前後に昇温さ
せる。
本実施例によれば、堆積室１内でのガスの流れに不均一
さがなくなプ又、ガスが特定の方向に流れることがなく
ガスの流れに方向性がなくなる。従ってガスプラズマは
極めて均一性が尚くなシ、形成される膜の特性も均一な
ものとなる。更にこの方式ではガス流量を大−に増やし
ても本質的な幾何学的対称性の良さからガスプラズマの
均一性が損なわれることがなく高速成膜が可能でるる。
さがなくなプ又、ガスが特定の方向に流れることがなく
ガスの流れに方向性がなくなる。従ってガスプラズマは
極めて均一性が尚くなシ、形成される膜の特性も均一な
ものとなる。更にこの方式ではガス流量を大−に増やし
ても本質的な幾何学的対称性の良さからガスプラズマの
均一性が損なわれることがなく高速成膜が可能でるる。
第２図（ａ） ｔ （ｂ）は本発明のもう一つの実施例
を第１図（ａ） ＃ （ｂ）に対応させて示したもので
基本的な構成は、先の実施例とはとんど同じである。
を第１図（ａ） ＃ （ｂ）に対応させて示したもので
基本的な構成は、先の実施例とはとんど同じである。
従って相対応する部分には第１図と同一番号を付して詳
細な説明は省く。先の実施例と異なる点は４本の枝管を
もつガス導入用マニホールド８１〜８４を金属製円筒５
の上方から堆積室１内に挿入し、各枝管の管壁にガス流
入口１０１〜１０４を設けていることである。なおガス
流入口１０．〜１０４はそれぞれ中央部を向いて開いて
おシ、ムを製ドラム１３に対して垂直に原料ガスが供給
されるように示しているが、例えば１ｓ２図伽）に破線
矢印で示したように、このガス導入用マニホールドから
のガス導入をＡＬ製ドラムＩＳＯ接線方向に行うように
流入口を設けてもよい。
細な説明は省く。先の実施例と異なる点は４本の枝管を
もつガス導入用マニホールド８１〜８４を金属製円筒５
の上方から堆積室１内に挿入し、各枝管の管壁にガス流
入口１０１〜１０４を設けていることである。なおガス
流入口１０．〜１０４はそれぞれ中央部を向いて開いて
おシ、ムを製ドラム１３に対して垂直に原料ガスが供給
されるように示しているが、例えば１ｓ２図伽）に破線
矢印で示したように、このガス導入用マニホールドから
のガス導入をＡＬ製ドラムＩＳＯ接線方向に行うように
流入口を設けてもよい。
本実施例の装置によっても、先の実施例と同様、ムを製
ドラム上に均質で再現性よく、また生産性よ（ａ−８１
１Ｈ膜を形成することができる。
ドラム上に均質で再現性よく、また生産性よ（ａ−８１
１Ｈ膜を形成することができる。
なお上記の２つの実施例で紘グロー放電を容量結合方式
でおこなわせたが、これは誘導結合方式でも直流電源を
用いた方式でも同様の効果が得られる。また、実施例中
ではムｔｇドラムの上に成膜する場合を述べたが、他の
例えばガラス基板上に成膜する場合でも本装置は同様の
効果を発揮する。その場合、例えば実施例Ｏｈｔ製ドラ
ドラム置にこれと同様の形状の基台をおいてその表面に
ガラス基板を配置すればよい。
でおこなわせたが、これは誘導結合方式でも直流電源を
用いた方式でも同様の効果が得られる。また、実施例中
ではムｔｇドラムの上に成膜する場合を述べたが、他の
例えばガラス基板上に成膜する場合でも本装置は同様の
効果を発揮する。その場合、例えば実施例Ｏｈｔ製ドラ
ドラム置にこれと同様の形状の基台をおいてその表面に
ガラス基板を配置すればよい。
また実施例では、ガス流出口とガス流入口を堆積室の中
心軸に直交する投影面内で重なる角度位置に配置したが
例えば４５°ずつずれた位置に配置するようにしてもよ
い。
心軸に直交する投影面内で重なる角度位置に配置したが
例えば４５°ずつずれた位置に配置するようにしてもよ
い。
その他重置明紘七の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形実
施することが可能である。
施することが可能である。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例のａ−８
魚：Ｈ膜形成装置を示す模式的断面図とその堆積室を中
心軸に直交する平面に投影した模式的平面図、第２図（
ａ） 、 （ｂ）は他の実施例のａ −８１：Ｈ膜形成
装置を嬉１図（＆） 、 （ｂ） Ｋ：対比させて示し
た図である。 １・−ｓ積置、２・・・メインパルノ、３・・・ベース
グレート、５・・・金属製円筒、８１〜８４・・・ガス
導入用マニホールド、９１〜９４・・・ガスｍ気相マニ
ホールド、” １ （１０１１＋１０１ｍ ）、 Ｊ
ＯｓＣ１０ｍ１＊１’＊ｍ ）＋ １０ｓ （Ｊ’ｓｔ
ｍ１０５ｍ ）＊１０４ （１０４１ｍ１０４ｍ
）・・・ガス流入口、１１１゜１ノ寓 ｅ Ｊ Ｊ ＠
ｅ １’ ４・・・ガス流出口、１３・・・Ａ４製
ドラム、１６・・・高周波電源。 出−人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦特許庁長官
島 １）春 樹 殿 １．事件の表示 特願昭５６−１１６０７７号 ２、発明の名称 グロー放電による膜形成装置 ３、補ＩＥをする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 （１１特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する。 （２） 明細書第３頁第９行〜１０行の「とガス流出
口」を削除する。 （３１同第３頁第１１行の「それぞれが」を削除する。 （４）同第３頁第１５行の「それぞれ」を削除する。 （５１同第３頁第１６行の「とガス流出口」を削除する
。 （６１同第３頁第１７行〜１８行の「流入し、再び周辺
部から流出する」を「流入する」と訂正する。 （７） 同第４頁第７行の「出来る。」の次に、「こ
のように複数個のガス流入口を配置して基体表面に均一
に原料ガスを供給すれば、所期の目的を十分達成できる
ことが実験的に明らかになったが、更に好ましくは、ガ
ス流出口についても、ガス流入口と同様に複数個回転対
称に堆積周辺に配置するのがよい。」を加入する。 ２、特許請求の範囲 （１） ガス流入口とガス流出口を有する減圧し得る
堆積室内に基体を配置して原料ガスを供給し、グロー放
電をおこしてこの原料ガスを分解して前記基体表面に所
定の膜を堆積する装置において、前記ガス流入口は、前
記堆積室をその中心軸に直交する平面に投影してみたと
きに、互いに回転対称となる複数個所に配置されている
ことを特徴とするグロー放電による膜形成装置。 （２） 前記ガス流出口が、前記堆積室をその中心軸
に直交する平面に投影してみたときに、互いに回転対称
となる複数個所に配置されている特許請求の範囲第１項
記載のグロー放電による膜形成装置。
魚：Ｈ膜形成装置を示す模式的断面図とその堆積室を中
心軸に直交する平面に投影した模式的平面図、第２図（
ａ） 、 （ｂ）は他の実施例のａ −８１：Ｈ膜形成
装置を嬉１図（＆） 、 （ｂ） Ｋ：対比させて示し
た図である。 １・−ｓ積置、２・・・メインパルノ、３・・・ベース
グレート、５・・・金属製円筒、８１〜８４・・・ガス
導入用マニホールド、９１〜９４・・・ガスｍ気相マニ
ホールド、” １ （１０１１＋１０１ｍ ）、 Ｊ
ＯｓＣ１０ｍ１＊１’＊ｍ ）＋ １０ｓ （Ｊ’ｓｔ
ｍ１０５ｍ ）＊１０４ （１０４１ｍ１０４ｍ
）・・・ガス流入口、１１１゜１ノ寓 ｅ Ｊ Ｊ ＠
ｅ １’ ４・・・ガス流出口、１３・・・Ａ４製
ドラム、１６・・・高周波電源。 出−人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦特許庁長官
島 １）春 樹 殿 １．事件の表示 特願昭５６−１１６０７７号 ２、発明の名称 グロー放電による膜形成装置 ３、補ＩＥをする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 （１１特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する。 （２） 明細書第３頁第９行〜１０行の「とガス流出
口」を削除する。 （３１同第３頁第１１行の「それぞれが」を削除する。 （４）同第３頁第１５行の「それぞれ」を削除する。 （５１同第３頁第１６行の「とガス流出口」を削除する
。 （６１同第３頁第１７行〜１８行の「流入し、再び周辺
部から流出する」を「流入する」と訂正する。 （７） 同第４頁第７行の「出来る。」の次に、「こ
のように複数個のガス流入口を配置して基体表面に均一
に原料ガスを供給すれば、所期の目的を十分達成できる
ことが実験的に明らかになったが、更に好ましくは、ガ
ス流出口についても、ガス流入口と同様に複数個回転対
称に堆積周辺に配置するのがよい。」を加入する。 ２、特許請求の範囲 （１） ガス流入口とガス流出口を有する減圧し得る
堆積室内に基体を配置して原料ガスを供給し、グロー放
電をおこしてこの原料ガスを分解して前記基体表面に所
定の膜を堆積する装置において、前記ガス流入口は、前
記堆積室をその中心軸に直交する平面に投影してみたと
きに、互いに回転対称となる複数個所に配置されている
ことを特徴とするグロー放電による膜形成装置。 （２） 前記ガス流出口が、前記堆積室をその中心軸
に直交する平面に投影してみたときに、互いに回転対称
となる複数個所に配置されている特許請求の範囲第１項
記載のグロー放電による膜形成装置。
Claims (1)
- 減圧し得る堆積室内に基体を配置して原料ガｘｔ−供ｍ
し、グロー放電をおこしてこの原料ガスを分解して前記
基体表面に所定の膜を堆積する装置において、前記堆積
室のガス流入口とガス流出口は、前記堆積室をその中心
軸に直交する平面に投影してみたときに、それぞれが互
いに回転対称となる複数個所に配置されていることを特
徴とするグロー放電による膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11607781A JPS5817612A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | グロ−放電による膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11607781A JPS5817612A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | グロ−放電による膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817612A true JPS5817612A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14678134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11607781A Pending JPS5817612A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | グロ−放電による膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817612A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132320A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長反応管 |
| JPS60227729A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-13 | キヤノン株式会社 | 眼圧計 |
| JPH01157519A (ja) * | 1987-09-22 | 1989-06-20 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPH06177225A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 環境制御装置 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11607781A patent/JPS5817612A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132320A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長反応管 |
| JPS60227729A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-13 | キヤノン株式会社 | 眼圧計 |
| JPH01157519A (ja) * | 1987-09-22 | 1989-06-20 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPH06177225A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 環境制御装置 |
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