JPS6091629A - プラズマ気相成長装置 - Google Patents
プラズマ気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6091629A JPS6091629A JP19951083A JP19951083A JPS6091629A JP S6091629 A JPS6091629 A JP S6091629A JP 19951083 A JP19951083 A JP 19951083A JP 19951083 A JP19951083 A JP 19951083A JP S6091629 A JPS6091629 A JP S6091629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias voltage
- rack
- bias
- impressed
- reaction chamber
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマ気相成長装置に関するものである。
従来のプラズマ気相成長装置は、基本的には、第１図に
示した如く、反応室１１を排気する真空排気系１２１反
応反応ガス流量３．放電プラズマを発生させるだめの電
極１４．放電プラズマを発生するための電力供給機構（
高周波電源とインピーダンス整合回路、あるいは直流電
源）１５．及び試料台１６とより構成されている。放電
プラズマの発生は、周知の如く、高周波電力を印加して
行う場合には、反応室内に放電電極を設ける代りに、第
２図に示した如く、反応室が絶縁物で形成されている場
合には、反応室の外壁忙コイル２４を巻きつけても良い
し、電極を反応室外壁に密着させても良い（図示せず）
。しかし、いずれの構成においても、従来のプラズマ気
相成長装置においては、試料台１６及び２６は電気的に
は接地されており、従って試料１７及び２７にはバイア
ス電圧が印加されていない。従って、試料１７及び２７
の表面への膜の堆積条件は、放電プラズマ発生用電力や
反応室内の真空度（反応ガス流量）あるいは基板加熱温
度で変えることができただけであった。更に、放電電流
や電圧と真空度とは必ずしも独立な関係にはないので、
膜堆積条件の自由度が少ないとい５欠点がありた。又、
比較的低温で堆積した膜も、緻密性に欠けるという問題
があった。
示した如く、反応室１１を排気する真空排気系１２１反
応反応ガス流量３．放電プラズマを発生させるだめの電
極１４．放電プラズマを発生するための電力供給機構（
高周波電源とインピーダンス整合回路、あるいは直流電
源）１５．及び試料台１６とより構成されている。放電
プラズマの発生は、周知の如く、高周波電力を印加して
行う場合には、反応室内に放電電極を設ける代りに、第
２図に示した如く、反応室が絶縁物で形成されている場
合には、反応室の外壁忙コイル２４を巻きつけても良い
し、電極を反応室外壁に密着させても良い（図示せず）
。しかし、いずれの構成においても、従来のプラズマ気
相成長装置においては、試料台１６及び２６は電気的に
は接地されており、従って試料１７及び２７にはバイア
ス電圧が印加されていない。従って、試料１７及び２７
の表面への膜の堆積条件は、放電プラズマ発生用電力や
反応室内の真空度（反応ガス流量）あるいは基板加熱温
度で変えることができただけであった。更に、放電電流
や電圧と真空度とは必ずしも独立な関係にはないので、
膜堆積条件の自由度が少ないとい５欠点がありた。又、
比較的低温で堆積した膜も、緻密性に欠けるという問題
があった。
本発明の目的は、膜堆積条件の自由度を増し、かつ高品
質な膜の堆積を可能とする新規なプラスマ気相成長装置
を提供することにある。
質な膜の堆積を可能とする新規なプラスマ気相成長装置
を提供することにある。
本発明による気相成長装置は、反応室内にガスを導入す
るだめのガス系と、放電プラズマを発生するための機構
と、試料台にバイアス電圧を印加するだめの機構と、反
応室を排気するための真空排気系とを具備することを特
徴とするものである。
るだめのガス系と、放電プラズマを発生するための機構
と、試料台にバイアス電圧を印加するだめの機構と、反
応室を排気するための真空排気系とを具備することを特
徴とするものである。
本発明によるプラズマ気相成長装置においては、試料台
に、高周波又は直流バイアス電圧が印加される様になっ
ているので、放電プラズマ発生用印加電力とは独立に該
バイアス電圧を変えることにより膜の堆積条件を制御す
ることができる上、適切なバイアス条件を設定すること
Ｋより堆積された膜の緻密性や段差での被覆性が向上す
るという効果も生じる。
に、高周波又は直流バイアス電圧が印加される様になっ
ているので、放電プラズマ発生用印加電力とは独立に該
バイアス電圧を変えることにより膜の堆積条件を制御す
ることができる上、適切なバイアス条件を設定すること
Ｋより堆積された膜の緻密性や段差での被覆性が向上す
るという効果も生じる。
第３図は本発明による装置の１実施例（従来の装置構成
において第１図に示したものの改良）における装置構成
図を示したものである。＠ｉ図の従来の装置構成に比し
て、本発明による装置では試料台３６を電気的に浮かし
た構成になっており、かつ、バイアス電圧印加機構３８
により高周波バイアス又は直流バイアスが印加される。
において第１図に示したものの改良）における装置構成
図を示したものである。＠ｉ図の従来の装置構成に比し
て、本発明による装置では試料台３６を電気的に浮かし
た構成になっており、かつ、バイアス電圧印加機構３８
により高周波バイアス又は直流バイアスが印加される。
第４図は、第２図に示した従来の装置構成に対応する本
発明の実施例である。第３図の場合と同様に試料台４６
には、バイアス電圧印加４！！構４８により高周波又は
直流バイアスが印加される。なお、高周波バイアスは絶
縁性薄膜の堆積及び導電性薄膜の堆積どちらに対しても
有効であるが、直流バイアスは導電性薄膜の堆積のみに
有効であるので、堆積する膜の種類罠応じて適宜バイア
スの種類を選択すれば良い。
発明の実施例である。第３図の場合と同様に試料台４６
には、バイアス電圧印加４！！構４８により高周波又は
直流バイアスが印加される。なお、高周波バイアスは絶
縁性薄膜の堆積及び導電性薄膜の堆積どちらに対しても
有効であるが、直流バイアスは導電性薄膜の堆積のみに
有効であるので、堆積する膜の種類罠応じて適宜バイア
スの種類を選択すれば良い。
第１図及び第２図は従来のプラズマ気相成長装置の構成
図。あ３図及び第４図は、本発明によるプラズマ気相成
長装置の構成図。 １１．２１，３１．４１・・・・・・反応室、１２，２
２，３２．４２・・・・・・真を排気系、１３，２３，
３３．４３・・・・・・ガス導入系、１４．３４・・・
・・・放電用電極、２４．４４・・・・・・放電用コイ
ル、１５．２５．３５．４５・・・・・・放電用電力供
給機構、１６．２６．３６．４６・・・・・・試料台、
１７．２７゜３７、４７・・・・・・試料、３８．４８
・・・・・・バイアス印加機構。 ７１ 図 ４ 第２図
図。あ３図及び第４図は、本発明によるプラズマ気相成
長装置の構成図。 １１．２１，３１．４１・・・・・・反応室、１２，２
２，３２．４２・・・・・・真を排気系、１３，２３，
３３．４３・・・・・・ガス導入系、１４．３４・・・
・・・放電用電極、２４．４４・・・・・・放電用コイ
ル、１５．２５．３５．４５・・・・・・放電用電力供
給機構、１６．２６．３６．４６・・・・・・試料台、
１７．２７゜３７、４７・・・・・・試料、３８．４８
・・・・・・バイアス印加機構。 ７１ 図 ４ 第２図
Claims (1)
- 反応室内にガスを導入するだめのガス系と、放電プラズ
マを発生するための機構と、試料台にバイアス電圧を印
加するための機構と、反応室を排気するための真空排気
系とを具備することを特徴とするプラズマ気相成長装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19951083A JPS6091629A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | プラズマ気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19951083A JPS6091629A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | プラズマ気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091629A true JPS6091629A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16409011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19951083A Pending JPS6091629A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | プラズマ気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091629A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61250248A (ja) * | 1985-04-27 | 1986-11-07 | ナショナル住宅産業株式会社 | 妻屋根の構造 |
| US5656123A (en) * | 1995-06-07 | 1997-08-12 | Varian Associates, Inc. | Dual-frequency capacitively-coupled plasma reactor for materials processing |
| KR19980032745A (ko) * | 1996-10-10 | 1998-07-25 | 레슬리 제이 카스퍼 | 펄스 플레이트 플라즈마 이온주입 시스템 |
| US7942111B2 (en) | 1997-06-16 | 2011-05-17 | Robert Bosch Gmbh | Method and device for vacuum-coating a substrate |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP19951083A patent/JPS6091629A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61250248A (ja) * | 1985-04-27 | 1986-11-07 | ナショナル住宅産業株式会社 | 妻屋根の構造 |
| JPH0137545B2 (ja) * | 1985-04-27 | 1989-08-08 | Nat House Ind | |
| US5656123A (en) * | 1995-06-07 | 1997-08-12 | Varian Associates, Inc. | Dual-frequency capacitively-coupled plasma reactor for materials processing |
| KR19980032745A (ko) * | 1996-10-10 | 1998-07-25 | 레슬리 제이 카스퍼 | 펄스 플레이트 플라즈마 이온주입 시스템 |
| US7942111B2 (en) | 1997-06-16 | 2011-05-17 | Robert Bosch Gmbh | Method and device for vacuum-coating a substrate |
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