JPS6124467B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6124467B2
JPS6124467B2 JP56049126A JP4912681A JPS6124467B2 JP S6124467 B2 JPS6124467 B2 JP S6124467B2 JP 56049126 A JP56049126 A JP 56049126A JP 4912681 A JP4912681 A JP 4912681A JP S6124467 B2 JPS6124467 B2 JP S6124467B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
magnetic field
supplied
electrodes
generated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56049126A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57161057A (en
Inventor
Hideo Kotani
Kazuo Mizuguchi
Yoshikazu Oohayashi
Masahiko Denda
Shinichi Sato
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4912681A priority Critical patent/JPS57161057A/ja
Publication of JPS57161057A publication Critical patent/JPS57161057A/ja
Publication of JPS6124467B2 publication Critical patent/JPS6124467B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はプラズマ化学気相成長（CVD）装
置の改良に関するものである。
第１図は従来のプラズマCVD装置の構成を示
す模式断面図で、図において、１はチヤンバ、２
はチヤンバ１内を排気する排気口、３は上部電
極、４は下部電極、５は上部電極３の内部通路を
経てチヤンバ１内へ送給する反応ガスを導入する
反応ガス導入口、６は反応ガス噴出孔、７は下部
電極４の上に置かれた被加工基板、８は上部電極
３および下部電極４間に高周波電圧を印加する高
周波電源である。
この装置では、排気口２から図示しない真空ポ
ンプを用いてチヤンバ１内部を所定の低圧になる
ように排気し、次に所要の反応ガスを反応ガス導
入口５から反応ガス噴出孔６を通してチヤンバ１
内へ導入し、高周波電源８を動作せ、上部電極３
および下部電極４間に高周波電圧を印加して、両
電極間にプラズマを発生させて下部電極４上に載
置した被加工基板７の上に反応生成物を堆積させ
る。
ところで、以上のように構成されたプラズマ
CVD装置では反応生成物の生成速度を増加させ
るには、反応ガスを増す、高周波電力を増大させ
る、基板の温度を上げる等の方法が考えられる。
しかし、これらの方法では生成速度は増加する
が、生成膜の膜質に影響を与えるという欠点があ
つた。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、発生プラズマを磁界で閉じ込めることによ
つてプラズマの高密度化をはかり、生成膜の生成
速度の非常に大きいプラズマCVD装置を提供す
ることを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す模式
断面図で、第１図の従来例と同等部分は同一符号
で示し、その説明を省略する。９および１０は一
点鎖線矢印で示すような磁界Ｈを上部電極３と下
部電極４との間の空間に発生する磁石で、当然極
性は反対になるように配置されている。
このような構成の実施例では、磁石９および１
０によつて両電極３および４の面にほぼ平行な磁
界Ｈが生じ、生成プラズマ中の電子またはサイク
ロイド運動をする。そのため他の原子または分子
との衝突確率が増加し、プラズマ密度が増大し、
生成膜の生成速度を増大させることができる。し
かも、その他の反応ガス圧、高周波電力、被加工
基板温度などの条件を変化しないので生成膜の膜
質には本質的影響がなく、所望の膜質の生成膜が
得られる。
以上のように、この発明になるプラズマCVD
装置では高周波電力が印加される両平板電極間に
その電極面に実質的に平行な磁場を供給するよう
にしたので、発生プラズマの密度を増大させるこ
とができ、生成膜質に影響を与えることなく生成
膜の生成速度を増大できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラズマCVD装置の構成を示
す模式断面図、第２図はこの発明の一実施例の構
成を示す模式断面図である。 図において、１はチヤンバ、３は上部電極、４
は下部電極、５は反応ガス導入口、７は被加工
物、８は高周波電源、９および１０は磁石、Ｈは
磁界（磁場）である。なお、図中同一符号は同一
または相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 反応ガスが供給されるチヤンバ内に互いに平
    行に対向して配設された２つの電極間に高周波電
    圧を印加してプラズマを発生させ、上記２つの電
    極の間に置かれた被加工物上に反応生成膜を生成
    させるものにおいて、上記２つの電極間にそれら
    の対向面に実質的に平行な直流磁場を供給して上
    記プラズマの発生密度を増大させるようにしたこ
    とを特徴とするプラズマ化学気相成長装置。 ２ 直流磁場は一方の電極の外側の両端縁部に配
    設された磁石によつて供給するようにしたことを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ
    化学気相成長装置。
JP4912681A 1981-03-30 1981-03-30 Chemical vapor phase growth device using plasma Granted JPS57161057A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4912681A JPS57161057A (en) 1981-03-30 1981-03-30 Chemical vapor phase growth device using plasma

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4912681A JPS57161057A (en) 1981-03-30 1981-03-30 Chemical vapor phase growth device using plasma

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57161057A JPS57161057A (en) 1982-10-04
JPS6124467B2 true JPS6124467B2 (ja) 1986-06-11

Family

ID=12822367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4912681A Granted JPS57161057A (en) 1981-03-30 1981-03-30 Chemical vapor phase growth device using plasma

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS57161057A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6066422A (ja) * 1983-09-21 1985-04-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導体製造法
FR2555362B1 (fr) * 1983-11-17 1990-04-20 France Etat Procede et dispositif de traitement d'un materiau semi-conducteur, par plasma
US4668365A (en) * 1984-10-25 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
JPH0736395B2 (ja) * 1985-04-23 1995-04-19 富士通株式会社 アルミニウム膜の成長方法
JPS62243772A (ja) * 1986-04-15 1987-10-24 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜合成装置
JPS6389671A (ja) * 1986-10-03 1988-04-20 Ulvac Corp 磁場励起式プラズマｃｖｄ装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4926184A (ja) * 1971-09-07 1974-03-08
JPS5244704A (en) * 1975-10-06 1977-04-08 Nippon Spindle Mfg Co Ltd Air supply equipment for melting furnace
JPS538377A (en) * 1976-07-12 1978-01-25 Hitachi Ltd Apparatus for high frequency sputtering
JPS5435172A (en) * 1977-08-24 1979-03-15 Anelva Corp Chemical reactor using electric discharge
JPS5615838A (en) * 1979-07-19 1981-02-16 Fuji Electric Co Ltd Gaseous phase growth device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5558658U (ja) * 1978-10-16 1980-04-21

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4926184A (ja) * 1971-09-07 1974-03-08
JPS5244704A (en) * 1975-10-06 1977-04-08 Nippon Spindle Mfg Co Ltd Air supply equipment for melting furnace
JPS538377A (en) * 1976-07-12 1978-01-25 Hitachi Ltd Apparatus for high frequency sputtering
JPS5435172A (en) * 1977-08-24 1979-03-15 Anelva Corp Chemical reactor using electric discharge
JPS5615838A (en) * 1979-07-19 1981-02-16 Fuji Electric Co Ltd Gaseous phase growth device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57161057A (en) 1982-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4342631A (en) Gasless ion plating process and apparatus
JP2927211B2 (ja) ウェーハ処理装置
JPS59199035A (ja) 薄膜生成装置
JPH0424284B2 (ja)
JPS5915982B2 (ja) 放電化学反応装置
JPS6124467B2 (ja)
JP2004353066A (ja) プラズマ源およびプラズマ処理装置
JPH10289881A (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP2017218624A (ja) 硬質膜の成膜方法
JP3213029B2 (ja) ディスク基板用プラズマ処理装置およびその処理方法
JPS63155546A (ja) イオンドーピング装置
JP2567843B2 (ja) ハイブリツドイオンプレ−テイング方法とその装置
JPH0682635B2 (ja) 半導体処理装置
JPH06120153A (ja) 成膜装置
JPH05311448A (ja) 高周波プラズマｃｖｄ装置
JPS5689835A (en) Vapor phase growth apparatus
JPS62180077A (ja) 管内面の被覆方法
JPH0361371A (ja) 薄膜形成装置
JPS60189220A (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPS6323826B2 (ja)
JPS62177180A (ja) 表面処理法
JP2628529B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP3238933B2 (ja) マグネトロンプラズマ処理方法
JP2000064052A (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP2014063874A (ja) 大気圧プラズマ成膜装置