JPS60189220A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS60189220A JPS60189220A JP4462984A JP4462984A JPS60189220A JP S60189220 A JPS60189220 A JP S60189220A JP 4462984 A JP4462984 A JP 4462984A JP 4462984 A JP4462984 A JP 4462984A JP S60189220 A JPS60189220 A JP S60189220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- furnace
- boat
- ports
- exhausting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ホントウオール型プラズマＣＶＤ装置の改良
に関するものであり、膜形成の均一性を損わずに半導体
素子への電気的ダメージを平行平板型プラズマＣＶＤ装
置と同程度に改良することが出来る装置に関する。
に関するものであり、膜形成の均一性を損わずに半導体
素子への電気的ダメージを平行平板型プラズマＣＶＤ装
置と同程度に改良することが出来る装置に関する。
従来のホントウオール型と呼ばれるプラズマＣＶＤ装置
は平行平板型に比べ電極形成が細長いためプラズマの均
一性が悪くなる。これを解消するため、電極に印加する
高周波電圧を電源電圧の６０ Ｈｚ周波数による号イリ
スタ駆動で断続的に印加する方式をとっている。これに
よりプラズマの均一性は向上しているが、プラズマ中の
荷電粒子により半導体素子特性の変動は逆に大きくなり
実用上の問題点となっている。
は平行平板型に比べ電極形成が細長いためプラズマの均
一性が悪くなる。これを解消するため、電極に印加する
高周波電圧を電源電圧の６０ Ｈｚ周波数による号イリ
スタ駆動で断続的に印加する方式をとっている。これに
よりプラズマの均一性は向上しているが、プラズマ中の
荷電粒子により半導体素子特性の変動は逆に大きくなり
実用上の問題点となっている。
本発明は、従来のホントウオール型で高周波電圧を連続
的に印加してもプラズマ均一性が良くなるように、反応
ガスの流れを従来の横方向から縦方向に変えて反応ガス
の炉内滞留時間を短くするものである。
的に印加してもプラズマ均一性が良くなるように、反応
ガスの流れを従来の横方向から縦方向に変えて反応ガス
の炉内滞留時間を短くするものである。
本発明は反応炉内に長細形状の電極部材を有し、所定の
ガス雰囲気の中で、高周波電圧を連続的に印加するよう
にしたホットウォール型のプラズマＣＶＤ装置において
、前記反応炉の側壁部に、反応ガスのガス供給孔及びガ
ス排気孔を対向させて設け、前記反応炉を横切る方向に
前記反応ガスを流すように構成したものである。
ガス雰囲気の中で、高周波電圧を連続的に印加するよう
にしたホットウォール型のプラズマＣＶＤ装置において
、前記反応炉の側壁部に、反応ガスのガス供給孔及びガ
ス排気孔を対向させて設け、前記反応炉を横切る方向に
前記反応ガスを流すように構成したものである。
以下、本発明を図に示す一実施例を用いて説明する。第
１図はホントウオール型のプラズマＣＶＤ法置における
反応炉の正面断面図、第２図はその側面断面図を示し、
真空排気ポンプや高周波電源は省略しである。このＣＶ
Ｄ装置は、主として２重構造の円筒型の反応炉１、この
反応炉１に反応ガスを供給するガス供給孔２、ガス供給
管３、及び反応ガス発生源４、それに図示してない真空
排気ポンプを用いてこの反応炉１より反応ガスを排気す
るガス排気孔５及びガス排気管６、高周波放電電極とな
るグラファイト等からなるボート７、このボート７を出
し入れする扉８、ボート７に搭載され膜形成処理される
半導体材料９、それに図示してない高周波電源と接続さ
れるコネクタ１０から構成されている。
１図はホントウオール型のプラズマＣＶＤ法置における
反応炉の正面断面図、第２図はその側面断面図を示し、
真空排気ポンプや高周波電源は省略しである。このＣＶ
Ｄ装置は、主として２重構造の円筒型の反応炉１、この
反応炉１に反応ガスを供給するガス供給孔２、ガス供給
管３、及び反応ガス発生源４、それに図示してない真空
排気ポンプを用いてこの反応炉１より反応ガスを排気す
るガス排気孔５及びガス排気管６、高周波放電電極とな
るグラファイト等からなるボート７、このボート７を出
し入れする扉８、ボート７に搭載され膜形成処理される
半導体材料９、それに図示してない高周波電源と接続さ
れるコネクタ１０から構成されている。
前記ボート７は、長方形状の電極を数枚対向させたもの
であり各電極間に高周波電圧を印加するようにしている
。また処理される材料９はボート７の各電極に密着させ
て置く。図においては省略しているが、この反応炉１は
、ヒータにより加熱され、ガス排気管６は油回転ポンプ
に接続されている。
であり各電極間に高周波電圧を印加するようにしている
。また処理される材料９はボート７の各電極に密着させ
て置く。図においては省略しているが、この反応炉１は
、ヒータにより加熱され、ガス排気管６は油回転ポンプ
に接続されている。
ところで、従来のホントウオール型又は拡散炉型と呼ば
れるプラズマＣＶＤは一般的な平行平板型のプラズマＣ
ＶＤに比べ処理能力が格段に高いと言うメリットがある
が、一方では処理される半導体素子の特性変化も大きく
なってしまうため、全ての素子に適用できないと言う問
題も生じている。
れるプラズマＣＶＤは一般的な平行平板型のプラズマＣ
ＶＤに比べ処理能力が格段に高いと言うメリットがある
が、一方では処理される半導体素子の特性変化も大きく
なってしまうため、全ての素子に適用できないと言う問
題も生じている。
この半導体素子の特性変化はプラズマＣＶＤ法において
避けられない現象であり、高周波放電中に生じる素子へ
のイオン衝撃、未反応物質の拡散等が原因だと言われて
いる。実際に使用されている装置をみるとこの特性変化
は平行平板型に比ベホットウォール型の方が大きくなっ
ている。この原因は放電方式の差によるものと考えられ
る。つまり、平行平板型では連続発振させており、常に
放電が維持されるのであるが、ホットウォール型におい
ては、電極形状が細長く、ガスの炉内滞留時間も長いた
め連続発振させると放電がガス入口付近に集中してしま
い均一な膜生成が回能になってしまう。そこで発振を断
続的に与えることによって放電の均一性を維持している
。このように、放電を断続的に行なうと膜の均一性は向
上するが、放電開始時の高電界を多く受けるために素子
特性の変動が大きくなると考えられる。
避けられない現象であり、高周波放電中に生じる素子へ
のイオン衝撃、未反応物質の拡散等が原因だと言われて
いる。実際に使用されている装置をみるとこの特性変化
は平行平板型に比ベホットウォール型の方が大きくなっ
ている。この原因は放電方式の差によるものと考えられ
る。つまり、平行平板型では連続発振させており、常に
放電が維持されるのであるが、ホットウォール型におい
ては、電極形状が細長く、ガスの炉内滞留時間も長いた
め連続発振させると放電がガス入口付近に集中してしま
い均一な膜生成が回能になってしまう。そこで発振を断
続的に与えることによって放電の均一性を維持している
。このように、放電を断続的に行なうと膜の均一性は向
上するが、放電開始時の高電界を多く受けるために素子
特性の変動が大きくなると考えられる。
以上のことから、本発明の如くホントウオール型のプラ
ズマＣＶＤで連続放電が可能になれば、平行平板型のも
のと素子特性変化が同等で、かつ処理能力の大きい装置
にすることが出来る。これを可能にする方法として連続
放電の妨げとなるガスの流れを、横方向から縦方向に変
えてやるのである。こうすることによりガスの炉内滞留
時間が短くなり、連続放電を行っても、放電の均一性が
保たれ均一な膜づけが可能になるものである。
ズマＣＶＤで連続放電が可能になれば、平行平板型のも
のと素子特性変化が同等で、かつ処理能力の大きい装置
にすることが出来る。これを可能にする方法として連続
放電の妨げとなるガスの流れを、横方向から縦方向に変
えてやるのである。こうすることによりガスの炉内滞留
時間が短くなり、連続放電を行っても、放電の均一性が
保たれ均一な膜づけが可能になるものである。
なお、第１．２図の実施例では反応炉ｌを横切るように
すべく反応ガスを上方から供給し、下方から排気してい
るが、この方法を上下逆転させても同一の効果がある。
すべく反応ガスを上方から供給し、下方から排気してい
るが、この方法を上下逆転させても同一の効果がある。
以上述べた如く、本発明によれば、反応ガスの流れを従
来の横方向から縦方向に変えて行なうように構成してい
るから、反応炉内のガス滞留時間を短くでき、高周波電
圧を連続的に印加してもプラズマ均一性を良好にできる
。
来の横方向から縦方向に変えて行なうように構成してい
るから、反応炉内のガス滞留時間を短くでき、高周波電
圧を連続的に印加してもプラズマ均一性を良好にできる
。
第１図及び第２図は本発明装置の一実施例を示す正面断
面図及び側面断面図である。 １・・・反応炉、２・・・ガス供給孔、３・・・ガス供
給管、５・・・ガス排気孔、６・・・ガス排気管、７・
・・永−ト、９・・・半導体材料。 代理人弁理士 岡 部 隆
面図及び側面断面図である。 １・・・反応炉、２・・・ガス供給孔、３・・・ガス供
給管、５・・・ガス排気孔、６・・・ガス排気管、７・
・・永−ト、９・・・半導体材料。 代理人弁理士 岡 部 隆
Claims (1)
- 反応炉内に長細形状の電極部材を有し、所定のガス雰囲
気の中で高周波電圧を連続的に印加するようにしたホン
トウオール型のプラズマＣＶ ’Ｄ装置において、前記
反応炉の側壁部に、反応ガスのガス供給孔及びガス排気
孔を対向させて設け、前記反応炉を横切る方向に前記反
応ガスを流すように構成したプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4462984A JPS60189220A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4462984A JPS60189220A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189220A true JPS60189220A (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=12696710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4462984A Pending JPS60189220A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189220A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202016A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Hitachi Ltd | 気相成長装置 |
| US7861668B2 (en) | 2002-01-10 | 2011-01-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| EP2915901A1 (de) * | 2014-03-07 | 2015-09-09 | Roth & Rau AG | Vorrichtung zur Plasmaprozessierung mit Prozessgaszirkulation in multiplen Plasmen |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP4462984A patent/JPS60189220A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202016A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Hitachi Ltd | 気相成長装置 |
| US7861668B2 (en) | 2002-01-10 | 2011-01-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US8020514B2 (en) | 2002-01-10 | 2011-09-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US8028652B2 (en) | 2002-01-10 | 2011-10-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US8544411B2 (en) | 2002-01-10 | 2013-10-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US9039912B2 (en) | 2002-01-10 | 2015-05-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US9373499B2 (en) | 2002-01-10 | 2016-06-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| EP2915901A1 (de) * | 2014-03-07 | 2015-09-09 | Roth & Rau AG | Vorrichtung zur Plasmaprozessierung mit Prozessgaszirkulation in multiplen Plasmen |
| WO2015132214A1 (de) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Roth & Rau Ag | Vorrichtung zur plasmaprozessierung mit prozessgaszirkulation in multiplen plasmen |
| JP2017510716A (ja) * | 2014-03-07 | 2017-04-13 | マイヤー・ブルガー・（ジャーマニー）・アクチエンゲゼルシャフト | 複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置 |
| TWI596231B (zh) * | 2014-03-07 | 2017-08-21 | Meyer Burger (Germamy) Ag | Equipment for plasma treatment with process gas circulation in a variety of plasma |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4223048A (en) | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers | |
| US4452828A (en) | Production of amorphous silicon film | |
| JPS63187619A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0663099B2 (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPS60189220A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS60123032A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| JPH03228321A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH10289881A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3006029B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH05299382A (ja) | プラズマ処理装置およびその方法 | |
| JPS6124467B2 (ja) | ||
| JPH02312231A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS63155546A (ja) | イオンドーピング装置 | |
| JPS6323826B2 (ja) | ||
| JPH03214723A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS59161828A (ja) | 反応装置 | |
| JPS6126223A (ja) | エツチング方法および装置 | |
| JPH04211115A (ja) | Ｒｆプラズマｃｖｄ装置ならびに該装置による薄膜形成方法 | |
| JPH06120153A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0449174Y2 (ja) | ||
| JP2628529B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6057614A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH0794712B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0551952U (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS583634A (ja) | プラズマ中化学気相成長装置 |