JPS59161828A - 反応装置 - Google Patents
反応装置Info
- Publication number
- JPS59161828A JPS59161828A JP3603683A JP3603683A JPS59161828A JP S59161828 A JPS59161828 A JP S59161828A JP 3603683 A JP3603683 A JP 3603683A JP 3603683 A JP3603683 A JP 3603683A JP S59161828 A JPS59161828 A JP S59161828A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptors
- wafer
- susceptor
- reaction
- processing
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、プラズマ励起を利用して反応処理を行う反応
技術、たとえば、半導体装置の製造過程において薄膜を
生成するためのＣＶＤ装置に適用して有効な技術に関す
る。
技術、たとえば、半導体装置の製造過程において薄膜を
生成するためのＣＶＤ装置に適用して有効な技術に関す
る。
［背景技術］
たとえば、半導体装置の製造過程において、ウェハ上に
シリコン酸化膜の如き絶縁膜を形成する場合、プラズマ
励起を利用した気体電気化学反応により成膜処理が実施
されるＣＶＤ装置が使用されることが考えられる。
シリコン酸化膜の如き絶縁膜を形成する場合、プラズマ
励起を利用した気体電気化学反応により成膜処理が実施
されるＣＶＤ装置が使用されることが考えられる。
しかしながら、かかるＣＶＤ装置によりウェハに成膜処
理された場合、成膜の膜厚分布がウェハの周辺で薄く中
央部で厚くなるという問題点が本発明者によって明らか
にされた。
理された場合、成膜の膜厚分布がウェハの周辺で薄く中
央部で厚くなるという問題点が本発明者によって明らか
にされた。
［発明の目的］
本発明の目的は、前記問題点を解決し、プラズマ励起を
利用した反応が処理対象物の全体にわたって均一的に行
われるようにした反応装置を提供するにある。
利用した反応が処理対象物の全体にわたって均一的に行
われるようにした反応装置を提供するにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、処理対象物を保持するサセプタ表面に導電性
膜を設けることにより、放電の集中する面積を拡大して
その面積内に処理対象物を収め、反応が対象物全体にわ
たって均一に行われるようにしたものである。
膜を設けることにより、放電の集中する面積を拡大して
その面積内に処理対象物を収め、反応が対象物全体にわ
たって均一に行われるようにしたものである。
［実施例］
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第１図は本発明をＣＶＤ装置に適用した場合の一実施例
を示す概略断面図、第２図はその要部の拡大斜視図、第
３図はそのサセプタの正面図である。
を示す概略断面図、第２図はその要部の拡大斜視図、第
３図はそのサセプタの正面図である。
本実施例において、このＣＶＤ装置は反応炉１を備えて
いる。この反応炉１ば、モノシラン等の如き反応ガスを
炉内に導入するための導入口２と、炉内を低圧化するた
めの排気口３とを備えており、反応炉１の外部にはヒー
タ４が設けられている。
いる。この反応炉１ば、モノシラン等の如き反応ガスを
炉内に導入するための導入口２と、炉内を低圧化するた
めの排気口３とを備えており、反応炉１の外部にはヒー
タ４が設けられている。
反応炉１の内部には、グラファイトにより長方形状の平
板に形成されたサセプタ５が複数枚、炉と長手方向を揃
え適当間隔をあけて平行に配設されており、各サセプタ
５は隣合うものが高周波発信器６のアノードおよびカソ
ードに結電部材７ａ、７ｂをそれぞれ介して交互に接続
されている。したがって、相隣り合うサセプタ５，５は
一対の平行平板電極をそれぞれ構成している。
板に形成されたサセプタ５が複数枚、炉と長手方向を揃
え適当間隔をあけて平行に配設されており、各サセプタ
５は隣合うものが高周波発信器６のアノードおよびカソ
ードに結電部材７ａ、７ｂをそれぞれ介して交互に接続
されている。したがって、相隣り合うサセプタ５，５は
一対の平行平板電極をそれぞれ構成している。
第３図に詳示されるように、サセプタ５の面上には、ア
ルミニウム（Ａ１．）やモリブデン（Ｍ。
ルミニウム（Ａ１．）やモリブデン（Ｍ。
）等の如き導電性材料からなる導電性膜８ （便宜上、
斜線で示した。）が、サセプタ５が保持する処理対象物
としてのウェハ９の保持対応位置においてウェハの表面
積よりも大きくなるようにそれぞれ設けられている。導
電性膜８をグラファイト製サセプタ５に設ける手段は任
意であり、たとえば、導電性材料からなる導電性箔をサ
セプタに一体的に植設してもよいし、サセプタ表面に貼
着してもよく、また、導電性材料をサセプタ表面に蒸着
してもよい。
斜線で示した。）が、サセプタ５が保持する処理対象物
としてのウェハ９の保持対応位置においてウェハの表面
積よりも大きくなるようにそれぞれ設けられている。導
電性膜８をグラファイト製サセプタ５に設ける手段は任
意であり、たとえば、導電性材料からなる導電性箔をサ
セプタに一体的に植設してもよいし、サセプタ表面に貼
着してもよく、また、導電性材料をサセプタ表面に蒸着
してもよい。
サセプタ５の導電性膜８における所定の２個所には保持
用突起１０がそれぞれ設けられており、この突起１０は
その管にウェハ９を挿入されることで保持するように構
成されている。
用突起１０がそれぞれ設けられており、この突起１０は
その管にウェハ９を挿入されることで保持するように構
成されている。
次に作用を説明する。
反応処理すべきウェハ９は複数枚ずつ各サセプタ５の表
面裏面に配され、各突起１０によりそれぞれ保持される
。この保持状態において、ウェハ９は導電性膜８の表面
積内に収まり、がっ面接触され、また、相隣り合うサセ
プタ５．５において互いに対向した状態になる。
面裏面に配され、各突起１０によりそれぞれ保持される
。この保持状態において、ウェハ９は導電性膜８の表面
積内に収まり、がっ面接触され、また、相隣り合うサセ
プタ５．５において互いに対向した状態になる。
高周波発振器６により各サセプタ５に高周波電圧が印加
されると、相隣り合うサセプタ５間においてプラズマが
励起される。この状態において、排気口３からの排気と
ともに、反応炉１内に反応ガスが導入口２から供給され
ると、所定の気体電気化学反応が起き、各ウェハ９の表
面に所望のＣＶＤ膜が生成される。
されると、相隣り合うサセプタ５間においてプラズマが
励起される。この状態において、排気口３からの排気と
ともに、反応炉１内に反応ガスが導入口２から供給され
ると、所定の気体電気化学反応が起き、各ウェハ９の表
面に所望のＣＶＤ膜が生成される。
ここで、前記プラズマは、サセプタに設けられた導電性
膜８により、ウェハ９の表面に対して集中する面積が拡
大された状態になるように励起される。このため、ウェ
ハ９の表面に生成された前記ＣＶＤ膜はその膜厚が全体
にわたってほぼ均一な状態になる。
膜８により、ウェハ９の表面に対して集中する面積が拡
大された状態になるように励起される。このため、ウェ
ハ９の表面に生成された前記ＣＶＤ膜はその膜厚が全体
にわたってほぼ均一な状態になる。
ちなみに、サセプタに導電性膜が設けられていないと、
プラズマが対向するウェハの面積内において中央部に集
中的に励起するため、ウェハ表面に生成されるＣＶＤ膜
はその膜厚が中央部において厚く周辺部において薄い凸
レンズのような状態になってしまう。
プラズマが対向するウェハの面積内において中央部に集
中的に励起するため、ウェハ表面に生成されるＣＶＤ膜
はその膜厚が中央部において厚く周辺部において薄い凸
レンズのような状態になってしまう。
［効果］
サセプタに処理対象物が収まる導電性膜を設けることに
より、プラズマを対象物の全面にわたってほぼ一様に励
起させることができるため、対象物に対する反応処理が
全体に渡って均一に行われるという効果が得られる。
より、プラズマを対象物の全面にわたってほぼ一様に励
起させることができるため、対象物に対する反応処理が
全体に渡って均一に行われるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、処理対象物はウェハに限られないし、サセプ
タが複数枚設けられる場合に限られない。
タが複数枚設けられる場合に限られない。
また、サセプタの処理対象物の保持構造は保持用突起で
挿入保持する構造に限らず、サセプタで載置するだけの
構造でもよい。
挿入保持する構造に限らず、サセプタで載置するだけの
構造でもよい。
サセプタに形成される導電性膜は対象物ごとにそれぞれ
分離独立している場合に限らず、サセプ夕の全面に一連
に形成されている場合でもよい。
分離独立している場合に限らず、サセプ夕の全面に一連
に形成されている場合でもよい。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造過
程におけるウェハへのＣＶＤ膜生成処理技術に適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえば、半導体装置の製造過程等におけるドライ
エツチング処理技術等にも適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造過
程におけるウェハへのＣＶＤ膜生成処理技術に適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえば、半導体装置の製造過程等におけるドライ
エツチング処理技術等にも適用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第２図は
要部の拡大斜視図、 第３図はサセプタの正面図である。 １・・・反応炉、２・・・反応ガス導入口、３・・・高
周波発振器、８・・・導電性膜、９・・・ウェハ（処理
対象物）、１０・・・保持用突起。
要部の拡大斜視図、 第３図はサセプタの正面図である。 １・・・反応炉、２・・・反応ガス導入口、３・・・高
周波発振器、８・・・導電性膜、９・・・ウェハ（処理
対象物）、１０・・・保持用突起。
Claims (1)
- １、サセプタに保持された処理対象物にプラズマ励起を
利用して反応処理を行う反応装置において、前記サセプ
タの表面に導電性材料からなる導電性膜を前記処理対象
物の表面積よりも大きく設けたことを特徴とする反応装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3603683A JPS59161828A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3603683A JPS59161828A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161828A true JPS59161828A (ja) | 1984-09-12 |
Family
ID=12458484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3603683A Pending JPS59161828A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59161828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159840A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 気相成長方法 |
| JPS6273541U (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP3603683A patent/JPS59161828A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159840A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 気相成長方法 |
| JPS6273541U (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | ||
| JPH0533006Y2 (ja) * | 1985-10-28 | 1993-08-23 |
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