JPS62193141A - ウエハ−保持機構 - Google Patents
ウエハ−保持機構Info
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- JPS62193141A JPS62193141A JP3641086A JP3641086A JPS62193141A JP S62193141 A JPS62193141 A JP S62193141A JP 3641086 A JP3641086 A JP 3641086A JP 3641086 A JP3641086 A JP 3641086A JP S62193141 A JPS62193141 A JP S62193141A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
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- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体ウェハーを真空あるいは減圧条件の下でイオン注
入、スパッタ等の処理を行う場合、ウェハーの裏面側と
温調されたステージとの間にガスを導入して冷却の効率
化が行われる。本発明ではウェハーに面するステージの
ガス室側に多孔質アルミナ板を設けることにより熱伝導
特性の改善を行った。
入、スパッタ等の処理を行う場合、ウェハーの裏面側と
温調されたステージとの間にガスを導入して冷却の効率
化が行われる。本発明ではウェハーに面するステージの
ガス室側に多孔質アルミナ板を設けることにより熱伝導
特性の改善を行った。
本発明は、半導体製造装置において、特に減圧条件で使
用する場合のウェハー保持機構の熱伝導の改良に関する
。
用する場合のウェハー保持機構の熱伝導の改良に関する
。
半導体のウェハー・プロセスにおいて、真空あるいは減
圧の条件下でスパッタ蒸着、エツチング、イオン注入等
の処理が行われる。
圧の条件下でスパッタ蒸着、エツチング、イオン注入等
の処理が行われる。
これらの工程で大きい面積を持つウェハー全面で迅速、
且つ均一なる処理を行うためには、工程でウェハー面で
発生する熱を速やかに除去することが望ましい。
且つ均一なる処理を行うためには、工程でウェハー面で
発生する熱を速やかに除去することが望ましい。
通常考えられる機械的なるウェハー保持機構では、ウェ
ハーの周囲をクランプで平面のステージに固定しても、
微視的には接触面積は極めて僅がであり、ウェハーの局
部的加熱によりウェハー面はステージより遊離して熱伝
導は極めて悪くなる。
ハーの周囲をクランプで平面のステージに固定しても、
微視的には接触面積は極めて僅がであり、ウェハーの局
部的加熱によりウェハー面はステージより遊離して熱伝
導は極めて悪くなる。
このため、ステージ面を平面でなく、凸状の曲面構造に
して接触を良くする方法、ウェハーとステージの間隙に
熱伝導の良好なるコーテイング材を挟む方法、あるいは
ウェハー裏面とステージ間の狭いギヤツブにガス室を設
はガスの熱伝導を利用する方法等が提案されている。
して接触を良くする方法、ウェハーとステージの間隙に
熱伝導の良好なるコーテイング材を挟む方法、あるいは
ウェハー裏面とステージ間の狭いギヤツブにガス室を設
はガスの熱伝導を利用する方法等が提案されている。
これらの方法は下記公開特許により報告されている。
本発明は、特にガスの熱伝導を利用してウェハーの冷却
を行う場合の熱伝導の改良を行うものである。
を行う場合の熱伝導の改良を行うものである。
従来の技術によるガスの熱伝導を利用せるウェハーの保
持方法を、マグネトロン・スパッタ蒸着装置を例として
その概略を第２図の断面図によって説明する。
持方法を、マグネトロン・スパッタ蒸着装置を例として
その概略を第２図の断面図によって説明する。
図面において、１は真空容器で排気孔１１とアルゴン等
のガス導入孔１２を備えている。
のガス導入孔１２を備えている。
３は蒸着材料よりなるターゲットで、マグネトロン・ス
パッタ装置の場合マグネット４と陽極５が配置される。
パッタ装置の場合マグネット４と陽極５が配置される。
２は被蒸着基板となるウェハーで、ウェハーは静電吸着
機構６とヒートシンク７よりなるステージ８により保持
される。ヒートシンクには冷却水を導入する流入管１３
と排出管１４が接続されて、処理期間中ヒートシンクを
低温にする。
機構６とヒートシンク７よりなるステージ８により保持
される。ヒートシンクには冷却水を導入する流入管１３
と排出管１４が接続されて、処理期間中ヒートシンクを
低温にする。
静電吸着機構６は、絶縁体のアルミナにより構成され、
内部に正負の電圧が印加される電極９つ。
内部に正負の電圧が印加される電極９つ。
９ｂが埋込まれている。
静電吸着機構６とウェハー２との間は５０μｍ以下の狭
いギャップよりなるガス室１０が設けられ、冷却ガスと
してＨｅ等のガスをガス導入管１５を通じて導入される
。
いギャップよりなるガス室１０が設けられ、冷却ガスと
してＨｅ等のガスをガス導入管１５を通じて導入される
。
図面では、ターゲット３とステージ間に印加される高周
波電源、静電吸着機構の電源等は省略している。
波電源、静電吸着機構の電源等は省略している。
第２図のスパッタ装置を用いて蒸着処理を行う場合、ア
ルゴン・イオンによりスパッタされたターゲット材料よ
りなる原子は、ウェハー上に被着して河膜を形成するが
、その際衝突エネルギーによりウェハーを加熱する。
ルゴン・イオンによりスパッタされたターゲット材料よ
りなる原子は、ウェハー上に被着して河膜を形成するが
、その際衝突エネルギーによりウェハーを加熱する。
ウェハーに発生せる２７．Ｂは、ガス室に導入されてい
るｔ（ｅガスを介して、ステージ８に伝達されて除去さ
れる。
るｔ（ｅガスを介して、ステージ８に伝達されて除去さ
れる。
然し、ステージのガス室１０に面している部分は、静電
吸着機構８の緻密なるアルミナ面であるため、Ｈｅガス
よりアルミナ面への熱伝導は必ずしも良好でない。
吸着機構８の緻密なるアルミナ面であるため、Ｈｅガス
よりアルミナ面への熱伝導は必ずしも良好でない。
処理時間の短縮化をはかり、設備のスループットを上昇
させるためにもＨｅガスからステージに対する熱伝導の
良好なる構造が要望されている。
させるためにもＨｅガスからステージに対する熱伝導の
良好なる構造が要望されている。
［問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、ガス室に面するステージに多孔質セラミ
ック板を面接着することよりなる本発明のウェハー保持
機構により解決される。
ック板を面接着することよりなる本発明のウェハー保持
機構により解決される。
即ち、ウェハーを保持機構としては、ウェハー裏面に冷
却ガスを導入するガス室が設けられ、該ガス室はウェハ
ー裏面と微小間隙を挟んで多孔質セラミック板と対向し
て包囲された空間を形成し、該多孔質セラミック板は、
冷却機能を有するステージに面接着せる構造とする。
却ガスを導入するガス室が設けられ、該ガス室はウェハ
ー裏面と微小間隙を挟んで多孔質セラミック板と対向し
て包囲された空間を形成し、該多孔質セラミック板は、
冷却機能を有するステージに面接着せる構造とする。
また、上記ステージを静電吸着機構とヒートシンクによ
り構成する場合は、前記多孔質セラミック板は該静電吸
着機構に面接着せる構造とする。
り構成する場合は、前記多孔質セラミック板は該静電吸
着機構に面接着せる構造とする。
多孔質アルミナに熱伝達媒体であるＨｅガスが自由に出
入りするため、ガスからの多孔質アルミナへの熱交換が
改善される。
入りするため、ガスからの多孔質アルミナへの熱交換が
改善される。
多孔質アルミナから、静電吸着機構、次いでヒートシン
クと熱伝導が大きく改善される。
クと熱伝導が大きく改善される。
本発明による一実施例を図面により詳細説明する。従来
の技術の項において用いた符号と同一のものは説明を省
略する。
の技術の項において用いた符号と同一のものは説明を省
略する。
第１図断面図は、ウェハー保持機構部のみを示している
。本発明に直接関係のない部分は省略している。
。本発明に直接関係のない部分は省略している。
本発明の主要点は、第１図で多孔質アルミナ板、１６が
静電吸着機構６に面接着されていることである。
静電吸着機構６に面接着されていることである。
ウェハー２の裏面と多孔質アルミナ板１６は約５０μｍ
のギャップを挟んで対向配置され、ウェハーの周辺部の
リング１７と共にガス室１０が形成され、ガス室に導入
されたＨｅガスは真空容器内に洩れないように構成され
ている。
のギャップを挟んで対向配置され、ウェハーの周辺部の
リング１７と共にガス室１０が形成され、ガス室に導入
されたＨｅガスは真空容器内に洩れないように構成され
ている。
静電吸着機構の緻密質アルミナ面には、複数個所の突起
１８が設けられ、該突起は多孔質アルミナ仮に開口せる
孔を通して、ウェハーの裏面を支持することにより、ガ
ス室の間隙寸法を維持する。
１８が設けられ、該突起は多孔質アルミナ仮に開口せる
孔を通して、ウェハーの裏面を支持することにより、ガ
ス室の間隙寸法を維持する。
上記構造のウェハー保持機構を用いて、ガス室にＨｅガ
スを約３ Ｔｏｒｒ導入し、熱伝導率を測定せる結果、
多孔質アルミナ板を設けない場合には０．０３Ｗ／ｃｍ
’ｃであったかのが、０．０６Ｗ／ｃｍ’ｃに改善され
た。
スを約３ Ｔｏｒｒ導入し、熱伝導率を測定せる結果、
多孔質アルミナ板を設けない場合には０．０３Ｗ／ｃｍ
’ｃであったかのが、０．０６Ｗ／ｃｍ’ｃに改善され
た。
ＣＦ４＋ＣＨＦ３ガスを用いたＲＩＥでは、従来の構造
ではＲＦパワーが４Ｗ／ｃｍ２でレジスト膜のこげが発
生したが、本発明の構造では８Ｗ／ｃｍ”まで異常がな
くエツチング可能であった。
ではＲＦパワーが４Ｗ／ｃｍ２でレジスト膜のこげが発
生したが、本発明の構造では８Ｗ／ｃｍ”まで異常がな
くエツチング可能であった。
５ｉ０２、ＰＳＧｌｉのエツチングを行った所、エツチ
ング速度は５ｉＯｚ膜では、従来５（１００人／ｍｉｎ
が１（１０（１０ 人／ｍｉｎに、ＰＳＧ膜では１μｍ
／ｍｉｎが２．５μｍ／ｍｉｎと大きく改善された。
ング速度は５ｉＯｚ膜では、従来５（１００人／ｍｉｎ
が１（１０（１０ 人／ｍｉｎに、ＰＳＧ膜では１μｍ
／ｍｉｎが２．５μｍ／ｍｉｎと大きく改善された。
上記の実施例では、ウェハー保持機構として静電吸着機
構によりウェハーを保持しているが、静電吸着機構を使
用しないで、メカニカルクランプを使用せる場合でも同
様に多孔質アルミナ板の使用は有効である。
構によりウェハーを保持しているが、静電吸着機構を使
用しないで、メカニカルクランプを使用せる場合でも同
様に多孔質アルミナ板の使用は有効である。
以上に説明せるごとく、本発明のウェハー保持機構によ
りスパッタ、エツチング、イオン注入等の減圧雰囲気で
処理を行うに際し、ウェハーの温度上昇が著しく抑えら
れ、処理の高速化に寄与する所大である。
りスパッタ、エツチング、イオン注入等の減圧雰囲気で
処理を行うに際し、ウェハーの温度上昇が著しく抑えら
れ、処理の高速化に寄与する所大である。
第１図は本発明にかかわるウェハー保持機構を示す断面
図、 第２図は従来のマグネトロン・スパッタ装置を説明する
断面図を示す。 図面において、 ■は真空容器、 ２はウェハー、 ３はターゲット、 ４はマグネット、 ５は陽極、 ６は静電吸着機構、 ７はヒートシンク、 ８はステージ、 ９は静電吸着機構の電極、 １０はガス室、 １１は排気孔、 １２はガス導入孔、 １３は冷却水の流入管、 １４は冷却水の排出管、 １５はガス導入管、 １６は多孔質アルミナ板、 １７はリング、 １８は突起、 をそれぞれ示す。
図、 第２図は従来のマグネトロン・スパッタ装置を説明する
断面図を示す。 図面において、 ■は真空容器、 ２はウェハー、 ３はターゲット、 ４はマグネット、 ５は陽極、 ６は静電吸着機構、 ７はヒートシンク、 ８はステージ、 ９は静電吸着機構の電極、 １０はガス室、 １１は排気孔、 １２はガス導入孔、 １３は冷却水の流入管、 １４は冷却水の排出管、 １５はガス導入管、 １６は多孔質アルミナ板、 １７はリング、 １８は突起、 をそれぞれ示す。
Claims (2)
- （１）減圧雰囲気中で、ウェハー面に蒸着、エッチング
、イオン注入等の処理を行う装置で使用されるウェハー
（２）保持機構として、 ウェハー裏面に冷却ガスを導入するガス室（１０）が設
けられ、該ガス室はウェハー裏面と微小間隙を挟んで多
孔質セラミック板（１６）と対向して包囲された空間を
形成し、 該多孔質セラミック板は、冷却機能を有するステージ（
８）に面接着せる構造よりなることを特徴とするウェハ
ー保持機構。 - （２）上記ステージ（８）は、静電吸着機構（６）とヒ
ートシンク（７）よりなり、前記多孔質セラミック板（
１６）は該静電吸着機構に面接着せる構造よりなること
を特徴とする特許請求範囲第（１）項記載のウェハー保
持機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3641086A JPH0752749B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | ウエハ−保持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3641086A JPH0752749B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | ウエハ−保持機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193141A true JPS62193141A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0752749B2 JPH0752749B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=12469056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3641086A Expired - Lifetime JPH0752749B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | ウエハ−保持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752749B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02135753A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 試料保持装置 |
| JPH06506318A (ja) * | 1991-05-02 | 1994-07-14 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | セラミック静電チャック |
| JPH11502062A (ja) * | 1995-03-10 | 1999-02-16 | ラム リサーチ コーポレイション | 多層型の静電チャック及びその製造方法 |
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| JP2014148736A (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Ulvac Japan Ltd | 薄型基板処理装置 |
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| KR20200066375A (ko) * | 2017-11-03 | 2020-06-09 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 주입 시스템, 이온 주입 장치 및 추출 플레이트 |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP3641086A patent/JPH0752749B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
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| KR20200066375A (ko) * | 2017-11-03 | 2020-06-09 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 주입 시스템, 이온 주입 장치 및 추출 플레이트 |
| JP2021501963A (ja) * | 2017-11-03 | 2021-01-21 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオン注入システム、イオン注入装置及び抽出プレート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0752749B2 (ja) | 1995-06-05 |
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