JPH05299382A - プラズマ処理装置およびその方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびその方法Info
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- JPH05299382A JPH05299382A JP10094492A JP10094492A JPH05299382A JP H05299382 A JPH05299382 A JP H05299382A JP 10094492 A JP10094492 A JP 10094492A JP 10094492 A JP10094492 A JP 10094492A JP H05299382 A JPH05299382 A JP H05299382A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界集中および電界不安定を緩和し安定した
プラズマを発生させ、プラズマ処理を安定させる。 【構成】 ５は第２の電極部で、第１の電極部と対とな
り真空容器内に配置される。この第２の電極部５には、
ガスを導入するガス導入機構と真空容器内で被処理体の
処理を行うプラズマを発生させる電力を印加する電力印
加機構を備える。５０、５３はガスを一様に拡散させる
第１、第２のガス拡散板で、スペーサ５１、５４により
電極２０と間隙を形成しボルト５６、ナット５７で固定
される。そして、第２のガス拡散板５３は表面全体をア
ルマイト処理が施され、スペーサ５１、５４はリング状
に形成されている。
プラズマを発生させ、プラズマ処理を安定させる。 【構成】 ５は第２の電極部で、第１の電極部と対とな
り真空容器内に配置される。この第２の電極部５には、
ガスを導入するガス導入機構と真空容器内で被処理体の
処理を行うプラズマを発生させる電力を印加する電力印
加機構を備える。５０、５３はガスを一様に拡散させる
第１、第２のガス拡散板で、スペーサ５１、５４により
電極２０と間隙を形成しボルト５６、ナット５７で固定
される。そして、第２のガス拡散板５３は表面全体をア
ルマイト処理が施され、スペーサ５１、５４はリング状
に形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを用いてシリ
コンウェハ等の被処理体の加工を行うプラズマ処理装置
およびその方法に関する。
コンウェハ等の被処理体の加工を行うプラズマ処理装置
およびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のプラズマ処理装置は、
図４に示すように、下部に排気口２を有する真空容器１
と、この真空容器１内に設けられた第１の電極部３と、
真空容器１内にガスを導入する機能を備えた第２の電極
部５と、図示しないガスボンベによりガスを導入するた
めのガス導入管６と、前記第２の電極部５に高周波を印
加するための高周波電源７と、この高周波電源７と前記
第２の電極部５との間の整合をとるためのマッチングボ
ックス８と、前記真空容器１と第２の電極部５を電気的
に絶縁するための絶縁筒９とから概略構成され、前記第
１の電極部３上に被処理体が載置されて、前記高周波電
源７よりマッチングボックス８を通じて第２の電極部５
に高周波を印加すると、プラズマ１０が発生する。
図４に示すように、下部に排気口２を有する真空容器１
と、この真空容器１内に設けられた第１の電極部３と、
真空容器１内にガスを導入する機能を備えた第２の電極
部５と、図示しないガスボンベによりガスを導入するた
めのガス導入管６と、前記第２の電極部５に高周波を印
加するための高周波電源７と、この高周波電源７と前記
第２の電極部５との間の整合をとるためのマッチングボ
ックス８と、前記真空容器１と第２の電極部５を電気的
に絶縁するための絶縁筒９とから概略構成され、前記第
１の電極部３上に被処理体が載置されて、前記高周波電
源７よりマッチングボックス８を通じて第２の電極部５
に高周波を印加すると、プラズマ１０が発生する。
【０００３】前記第２の電極部５は、図５にその詳細を
示すように、前記真空容器１内にガスを導入するための
導入穴を有する電極２０と、この電極２０から真空容器
１内に導入される際にガスが一様に拡散するために設け
られた第１のガス拡散板２１と、この第１のガス拡散板
２１と電極２０との間に間隙をつくるために設けられた
第１のスペーサ２２と、この第１のスペーサ２２により
電極２０と第１のガス拡散板２１との間に形成された第
１のガス拡散室２３と、前記第１のガス拡散板２１より
導入されたガスをさらに一様に拡散して真空容器１内に
導入するために設けられた第２のガス拡散板２４と、こ
の第２のガス拡散板２４と前記第１のガス拡散板２１と
の間隙をつくるための第２のスペーサ２５と、このスペ
ーサ２５により前記第１のガス拡散板２１と第２のガス
拡散板２４の間に形成された第２のガス拡散室２６と、
これら第１および第２のガス拡散室２３および２６を周
囲より隔離して形成するために設けられた絶縁板２７と
から構成され、これら電極２０と第１のガス拡散板２１
と第１のスペーサ２２と第２のガス拡散板２４とスペー
サ２５および絶縁板２７はボルト２８およびナット２９
によって固定されている。
示すように、前記真空容器１内にガスを導入するための
導入穴を有する電極２０と、この電極２０から真空容器
１内に導入される際にガスが一様に拡散するために設け
られた第１のガス拡散板２１と、この第１のガス拡散板
２１と電極２０との間に間隙をつくるために設けられた
第１のスペーサ２２と、この第１のスペーサ２２により
電極２０と第１のガス拡散板２１との間に形成された第
１のガス拡散室２３と、前記第１のガス拡散板２１より
導入されたガスをさらに一様に拡散して真空容器１内に
導入するために設けられた第２のガス拡散板２４と、こ
の第２のガス拡散板２４と前記第１のガス拡散板２１と
の間隙をつくるための第２のスペーサ２５と、このスペ
ーサ２５により前記第１のガス拡散板２１と第２のガス
拡散板２４の間に形成された第２のガス拡散室２６と、
これら第１および第２のガス拡散室２３および２６を周
囲より隔離して形成するために設けられた絶縁板２７と
から構成され、これら電極２０と第１のガス拡散板２１
と第１のスペーサ２２と第２のガス拡散板２４とスペー
サ２５および絶縁板２７はボルト２８およびナット２９
によって固定されている。
【０００４】ここで、電極２０、第１および第２のスペ
ーサ２２、２５はＳＵＳ（ステンレス）、第１のガス拡
散板２１はＡｌ（アルミニウム）、絶縁筒９、絶縁板２
７はセラミック、ボルト２８およびナット２９はテフロ
ンで形成されている。また、第２のガス拡散板２４は図
６に示すように、Ａｌで形成されたガス拡散板２４にセ
ラミックコーティング２４ａが施されている。前記第１
および第２のスペーサ２２、２５は、図７に示すよう
に、円筒状に形成されている。
ーサ２２、２５はＳＵＳ（ステンレス）、第１のガス拡
散板２１はＡｌ（アルミニウム）、絶縁筒９、絶縁板２
７はセラミック、ボルト２８およびナット２９はテフロ
ンで形成されている。また、第２のガス拡散板２４は図
６に示すように、Ａｌで形成されたガス拡散板２４にセ
ラミックコーティング２４ａが施されている。前記第１
および第２のスペーサ２２、２５は、図７に示すよう
に、円筒状に形成されている。
【０００５】従来のプラズマ処理装置は以上のような構
成であり、以下動作を説明する。まず、第１の電極部３
上に被処理体４を載置したのち、図示しない真空ポンプ
により排気口２より排気を行い、真空容器１内を所定の
圧力まで減圧する。次に、この真空容器１内に、図示し
ないガスボンベからガス導入管６を通して第２の電極部
５より所定の処理圧力となるまでガスを導入する。この
とき、導入されたガスは電極２０の中心の穴より第１の
ガス拡散室２３に導かれ、この第１のガス拡散室２３で
一様に拡散され、第１のガス拡散板２１を通って第２の
ガス拡散室２６に導かれてさらに拡散して第２のガス拡
散板２４を通過して真空容器１内に導入される。
成であり、以下動作を説明する。まず、第１の電極部３
上に被処理体４を載置したのち、図示しない真空ポンプ
により排気口２より排気を行い、真空容器１内を所定の
圧力まで減圧する。次に、この真空容器１内に、図示し
ないガスボンベからガス導入管６を通して第２の電極部
５より所定の処理圧力となるまでガスを導入する。この
とき、導入されたガスは電極２０の中心の穴より第１の
ガス拡散室２３に導かれ、この第１のガス拡散室２３で
一様に拡散され、第１のガス拡散板２１を通って第２の
ガス拡散室２６に導かれてさらに拡散して第２のガス拡
散板２４を通過して真空容器１内に導入される。
【０００６】次に、高周波電源７からマッチングボック
ス８を通して第２の電極部５に高周波（１３、５６ＭＨ
ｚ）を印加すると、第２の電極部５の電極２０に印加さ
れた高周波は、第１のスペーサ２２、第１のガス拡散板
２１、第２のスペーサ２５および第２のガス拡散板２４
がＳＵＳやＡｌの電気伝導体で形成されているため、第
１のスペーサ２２、第１のガス拡散板２１および第２の
スペーサ２５通して印加される。このようにして第１の
電極部３と第２の電極部５の間に印加した高周波はプラ
ズマ１０を発生させ、被処理体４に所望の処理を行う。
ここで第２のガス拡散板２４は、プラズマ１０からの衝
撃とガスによる腐食を防止するためＡｌ製のガス拡散板
にプラズマに接触する側にセラミックコーティング２４
ａが施されている。絶縁筒９、絶縁板２７、ボルト２
８、ナット２９は電界の外周部への漏れ防止と、突起物
による電界集中を防止するために、セラミックやテフロ
ンの絶縁体で製作されている。
ス８を通して第２の電極部５に高周波（１３、５６ＭＨ
ｚ）を印加すると、第２の電極部５の電極２０に印加さ
れた高周波は、第１のスペーサ２２、第１のガス拡散板
２１、第２のスペーサ２５および第２のガス拡散板２４
がＳＵＳやＡｌの電気伝導体で形成されているため、第
１のスペーサ２２、第１のガス拡散板２１および第２の
スペーサ２５通して印加される。このようにして第１の
電極部３と第２の電極部５の間に印加した高周波はプラ
ズマ１０を発生させ、被処理体４に所望の処理を行う。
ここで第２のガス拡散板２４は、プラズマ１０からの衝
撃とガスによる腐食を防止するためＡｌ製のガス拡散板
にプラズマに接触する側にセラミックコーティング２４
ａが施されている。絶縁筒９、絶縁板２７、ボルト２
８、ナット２９は電界の外周部への漏れ防止と、突起物
による電界集中を防止するために、セラミックやテフロ
ンの絶縁体で製作されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ処理装
置は以上のように構成されているので、各ガス拡散板、
とくに第２のガス拡散板の穴部には電界集中やプラズマ
の熱によるテフロンの膨張により電極２０と各ガス拡散
板、各スペーサ間に間隙が生じ高周波印加時の電界が不
安定になり、プラズマと第２のガス拡散板の穴部に異常
放電が発生し、被処理体に損傷を与える問題点があっ
た。
置は以上のように構成されているので、各ガス拡散板、
とくに第２のガス拡散板の穴部には電界集中やプラズマ
の熱によるテフロンの膨張により電極２０と各ガス拡散
板、各スペーサ間に間隙が生じ高周波印加時の電界が不
安定になり、プラズマと第２のガス拡散板の穴部に異常
放電が発生し、被処理体に損傷を与える問題点があっ
た。
【０００８】したがって、本発明は、上記したような従
来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とす
るところは、電界集中および電界不安定を緩和し安定し
たプラズマを発生させ、プラズマ処理を安定させたプラ
ズマ処理装置および処理方法を提供することにある。
来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とす
るところは、電界集中および電界不安定を緩和し安定し
たプラズマを発生させ、プラズマ処理を安定させたプラ
ズマ処理装置および処理方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係るプラズマ処理装置は、真空容器内に被
処理体を載置するための第１の電極部と、この第１の電
極部と対向配置され被処理体を処理するためのガスを導
入するガス導入機構と真空容器内で被処理体の処理を行
うためのプラズマを発生させるための電力を印加する電
力印加機構を備えた第２の電極部とを有するプラズマ処
理装置であって、前記第２の電極部に備えられこの電極
部内でガスを一様に拡散させるために複数の穴を有する
ガス拡散板を設けると共に、このガス拡散板の表面全体
にアルマイト処理を施したものである。また、本発明に
係るプラズマ処理装置は、第２の電極部に備えられこの
電極部内でガスを一様に拡散させるために複数個の穴を
有するガス拡散板と、このガス拡散板と前記第２の電極
部との間隙を形成するスペーサとを設けると共に、この
スペーサをリング状に形成したものである。また、本発
明に係るプラズマ処理装置は、第２の電極部に備えられ
この電極部内でガスを一様に拡散させるために複数個の
穴を有するガス拡散板と、このガス拡散板と前記第２の
電極部との間隙を形成するスペーサと、これらスペー
サ、ガス拡散板を前記第２の電極部に固定するボルトお
よびナットとを設けると共に、このボルトおよびナット
の表面を絶縁体でコーティングしたものである。また、
本発明に係るプラズマ処理方法は、真空容器内で第１の
電極部に被処理体を載置し、第１の電極部に対向配置し
た第２の電極部から被処理体を処理するためのガスを導
入すると共に、プラズマを発生させるための電力を印加
して被処理体の処理を行うプラズマ処理方法であって、
前記第２の電極部内に設けた表面全体にアルマイト処理
を施した複数の穴を有するガス拡散板でガスを拡散させ
ると共に、このガス拡散板をリング状のスペーサを介し
て前記第２の電極部に表面を絶縁体でコーティングした
ボルトおよびナットで固定したものである。
に、本発明に係るプラズマ処理装置は、真空容器内に被
処理体を載置するための第１の電極部と、この第１の電
極部と対向配置され被処理体を処理するためのガスを導
入するガス導入機構と真空容器内で被処理体の処理を行
うためのプラズマを発生させるための電力を印加する電
力印加機構を備えた第２の電極部とを有するプラズマ処
理装置であって、前記第２の電極部に備えられこの電極
部内でガスを一様に拡散させるために複数の穴を有する
ガス拡散板を設けると共に、このガス拡散板の表面全体
にアルマイト処理を施したものである。また、本発明に
係るプラズマ処理装置は、第２の電極部に備えられこの
電極部内でガスを一様に拡散させるために複数個の穴を
有するガス拡散板と、このガス拡散板と前記第２の電極
部との間隙を形成するスペーサとを設けると共に、この
スペーサをリング状に形成したものである。また、本発
明に係るプラズマ処理装置は、第２の電極部に備えられ
この電極部内でガスを一様に拡散させるために複数個の
穴を有するガス拡散板と、このガス拡散板と前記第２の
電極部との間隙を形成するスペーサと、これらスペー
サ、ガス拡散板を前記第２の電極部に固定するボルトお
よびナットとを設けると共に、このボルトおよびナット
の表面を絶縁体でコーティングしたものである。また、
本発明に係るプラズマ処理方法は、真空容器内で第１の
電極部に被処理体を載置し、第１の電極部に対向配置し
た第２の電極部から被処理体を処理するためのガスを導
入すると共に、プラズマを発生させるための電力を印加
して被処理体の処理を行うプラズマ処理方法であって、
前記第２の電極部内に設けた表面全体にアルマイト処理
を施した複数の穴を有するガス拡散板でガスを拡散させ
ると共に、このガス拡散板をリング状のスペーサを介し
て前記第２の電極部に表面を絶縁体でコーティングした
ボルトおよびナットで固定したものである。
【００１０】
【作用】本発明においては、ガス拡散板の表面全体をア
ルマイト処理を施したことにより、電界集中が発生しな
い。また、スペーサをリング状に形成し、ボルトとナッ
トとを絶縁体でコーティングしたことにより、電極、ガ
ス拡散板およびスペーサ間の接触面積が増大すると共
に、密着性が向上する。
ルマイト処理を施したことにより、電界集中が発生しな
い。また、スペーサをリング状に形成し、ボルトとナッ
トとを絶縁体でコーティングしたことにより、電極、ガ
ス拡散板およびスペーサ間の接触面積が増大すると共
に、密着性が向上する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明
する。図１は本発明に係るプラズマ処理装置の要部側断
面図である。同図において、１は真空容器、９はセラミ
ックで形成された絶縁筒、２０は前記真空容器１にガス
を導入するために中心に導入穴を備えた電極２０、２７
はセラミックで形成され、前記第２の電極部５の外周部
を構成する絶縁板、５０はＡｌで形成され前記電極２０
を通して前記真空容器１にガスを導入する際、ガスが一
様に拡散するために設けられた第１のガス拡散板、５１
はＡｌで形成され、前記電極２０と前記第１のガス拡散
板５０の間に間隙をつくり、かつ前記電極２０と前記第
１のガス拡散板５０との接触面積を大きくするために、
図３に示すようにリング状とした第１のスペーサ、５２
は前記電極２０と第１のガス拡散板５０の間に形成され
た第１のガス拡散室、５３は前記第１のガス拡散板５０
より導入されたガスをさらに一様に拡散し前記真空容器
１内に導入するために設けられた第２のガス拡散板であ
る。
する。図１は本発明に係るプラズマ処理装置の要部側断
面図である。同図において、１は真空容器、９はセラミ
ックで形成された絶縁筒、２０は前記真空容器１にガス
を導入するために中心に導入穴を備えた電極２０、２７
はセラミックで形成され、前記第２の電極部５の外周部
を構成する絶縁板、５０はＡｌで形成され前記電極２０
を通して前記真空容器１にガスを導入する際、ガスが一
様に拡散するために設けられた第１のガス拡散板、５１
はＡｌで形成され、前記電極２０と前記第１のガス拡散
板５０の間に間隙をつくり、かつ前記電極２０と前記第
１のガス拡散板５０との接触面積を大きくするために、
図３に示すようにリング状とした第１のスペーサ、５２
は前記電極２０と第１のガス拡散板５０の間に形成され
た第１のガス拡散室、５３は前記第１のガス拡散板５０
より導入されたガスをさらに一様に拡散し前記真空容器
１内に導入するために設けられた第２のガス拡散板であ
る。
【００１２】そして、この第２のガス拡散板５３は、図
２に示すように、Ａｌで形成されたガス拡散板５３の表
面全体に亘って、アルマイト処理５３ａを施されてい
る。５４は、Ａｌで形成され前記第１のガス拡散板５０
と前記第２のガス拡散板５３との間に間隙を形成し、か
つ前記第１のガス拡散板５０と前記第２のガス拡散板５
３との接触面積を大きくするために、図３に示すように
リング状に形成された第２のスペーサ、５５は前記第１
のガス拡散板５０と前記第２のガス拡散板５３との間に
形成された第２のガス拡散室、５６は前記電極２０、絶
縁板２７、第１および第２のガス拡散板５０、５３およ
び第１および第２のスペーサ５１、５４を固定し前記第
２の電極部５を構成するＳＵＳからなり、表面をテフロ
ンでコーティングされたボルト、５７はＳＵＳからな
り、表面をテフロンでコーティングされ前記ボルト５６
を固定するためのナットである。
２に示すように、Ａｌで形成されたガス拡散板５３の表
面全体に亘って、アルマイト処理５３ａを施されてい
る。５４は、Ａｌで形成され前記第１のガス拡散板５０
と前記第２のガス拡散板５３との間に間隙を形成し、か
つ前記第１のガス拡散板５０と前記第２のガス拡散板５
３との接触面積を大きくするために、図３に示すように
リング状に形成された第２のスペーサ、５５は前記第１
のガス拡散板５０と前記第２のガス拡散板５３との間に
形成された第２のガス拡散室、５６は前記電極２０、絶
縁板２７、第１および第２のガス拡散板５０、５３およ
び第１および第２のスペーサ５１、５４を固定し前記第
２の電極部５を構成するＳＵＳからなり、表面をテフロ
ンでコーティングされたボルト、５７はＳＵＳからな
り、表面をテフロンでコーティングされ前記ボルト５６
を固定するためのナットである。
【００１３】本発明のプラズマ処理装置は以上の構成で
あり、以下に動作を説明する。まず、図示しないガスボ
ンベから電極２０に導入されたガスは、第１のガス拡散
室５２に導入され一様に拡散する。第１のガス拡散室５
２で拡散したガスは、第１のガス拡散板５０を通過して
第２のガス拡散室５５でさらに拡散され、第２のガス拡
散板５３を通過して真空容器１内に導入される。次に、
真空容器１内をガス排気量とガス導入量を調整し、真空
容器１内を所定の圧力にしたのち、高周波電源７により
マッチングボックス８を介して電極２０に印加する。電
極２０に印加された高周波電力は、第１のスペーサ５
１、第１のガス拡散板５０、第２のスペーサ５４および
第２のガス拡散板５３に通電されてガスに印加され、プ
ラズマを発生させる。
あり、以下に動作を説明する。まず、図示しないガスボ
ンベから電極２０に導入されたガスは、第１のガス拡散
室５２に導入され一様に拡散する。第１のガス拡散室５
２で拡散したガスは、第１のガス拡散板５０を通過して
第２のガス拡散室５５でさらに拡散され、第２のガス拡
散板５３を通過して真空容器１内に導入される。次に、
真空容器１内をガス排気量とガス導入量を調整し、真空
容器１内を所定の圧力にしたのち、高周波電源７により
マッチングボックス８を介して電極２０に印加する。電
極２０に印加された高周波電力は、第１のスペーサ５
１、第１のガス拡散板５０、第２のスペーサ５４および
第２のガス拡散板５３に通電されてガスに印加され、プ
ラズマを発生させる。
【００１４】このとき、第１および第２のスペーサ５
１、５４はリング状に形成され、またボルト５６および
ナット５７はＳＵＳからなり、表面にテフロンをコーテ
ィングしているので、電極２０および第１のガス拡散板
５０と第１のスペーサ５１、第１のガス拡散板５０およ
び第２のガス拡散板５３と第２のスペーサ５４間の接触
面積が増大し、かつ締結力が増大するので密着性が良好
となり、このためガスに印加される高周波電力の安定性
が増大する。また、第２のガス拡散板５３はＡｌで形成
されたガス拡散板５３の表面全体に均一にアルマイト処
理５３ａが施されているので、穴部５３ｂにおける電界
集中が緩和され、この結果、以上放電が解消され、安定
したプラズマが生成されるため、被処理体４への損傷が
なくなり、装置の安定性および稼働率が向上する。
１、５４はリング状に形成され、またボルト５６および
ナット５７はＳＵＳからなり、表面にテフロンをコーテ
ィングしているので、電極２０および第１のガス拡散板
５０と第１のスペーサ５１、第１のガス拡散板５０およ
び第２のガス拡散板５３と第２のスペーサ５４間の接触
面積が増大し、かつ締結力が増大するので密着性が良好
となり、このためガスに印加される高周波電力の安定性
が増大する。また、第２のガス拡散板５３はＡｌで形成
されたガス拡散板５３の表面全体に均一にアルマイト処
理５３ａが施されているので、穴部５３ｂにおける電界
集中が緩和され、この結果、以上放電が解消され、安定
したプラズマが生成されるため、被処理体４への損傷が
なくなり、装置の安定性および稼働率が向上する。
【００１５】なお、本実施例では、絶縁筒９、絶縁板２
７をセラミックで形成したが、テフロンやガラス等の他
の絶縁部材で形成してもよく、また電極２０をＳＵＳ、
第１および第２のスペーサ５１、５４および第１のガス
拡散板５０をＡｌで形成したが、電極２０をＡｌ、第１
および第２のスペーサ５１、５４および第１のガス拡散
板５０をＳＵＳ等の他の電気伝導体で形成してもよいこ
とは勿論である。また、第２のガス拡散板５３の表面全
体にアルマイト処理５３ａを施したが、テフロンコーテ
ィング等の他の絶縁体を施してよく、また、ボルト５６
およびナット５７は、テフロンコーティングで被覆した
が、セラミックコーティング等の他の絶縁体で被覆して
もよく、また機械的あるいは熱的強度（特に熱膨張率が
小さい）が充分であれば、絶縁体自体で形成されたボル
トおよびナットを用いても、上記した実施例と同等の作
用効果を有する。
７をセラミックで形成したが、テフロンやガラス等の他
の絶縁部材で形成してもよく、また電極２０をＳＵＳ、
第１および第２のスペーサ５１、５４および第１のガス
拡散板５０をＡｌで形成したが、電極２０をＡｌ、第１
および第２のスペーサ５１、５４および第１のガス拡散
板５０をＳＵＳ等の他の電気伝導体で形成してもよいこ
とは勿論である。また、第２のガス拡散板５３の表面全
体にアルマイト処理５３ａを施したが、テフロンコーテ
ィング等の他の絶縁体を施してよく、また、ボルト５６
およびナット５７は、テフロンコーティングで被覆した
が、セラミックコーティング等の他の絶縁体で被覆して
もよく、また機械的あるいは熱的強度（特に熱膨張率が
小さい）が充分であれば、絶縁体自体で形成されたボル
トおよびナットを用いても、上記した実施例と同等の作
用効果を有する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
極部内でガスを一様に拡散させるたの複数の穴を有する
ガス拡散板の表面全体にアルマイト処理を施したので、
電界の集中が防止でき、また、スペーサをリング状に形
成し、ボルトとナットとを絶縁体でコーティングしたこ
とにより、電極、ガス拡散板およびスペーサ間の接触面
積が増大すると共に、密着性が向上して、安定したプラ
ズマが生成でき、非処理体の損傷が防止でき、このため
装置の安定性と稼働率の向上を図ることが可能となる。
極部内でガスを一様に拡散させるたの複数の穴を有する
ガス拡散板の表面全体にアルマイト処理を施したので、
電界の集中が防止でき、また、スペーサをリング状に形
成し、ボルトとナットとを絶縁体でコーティングしたこ
とにより、電極、ガス拡散板およびスペーサ間の接触面
積が増大すると共に、密着性が向上して、安定したプラ
ズマが生成でき、非処理体の損傷が防止でき、このため
装置の安定性と稼働率の向上を図ることが可能となる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の要部側断面図
である。
である。
【図２】本発明に係るプラズマ処理装置のガス拡散板の
詳細側断面図である。
詳細側断面図である。
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置のスペーサの外
観斜視図である。
観斜視図である。
【図４】一般的なプラズマ処理装置の側断面図である。
【図５】従来のプラズマ処理装置の要部側断面図であ
る。
る。
【図６】従来のプラズマ処理装置のガス拡散板の詳細側
断面図である。
断面図である。
【図７】従来のプラズマ処理装置のスペーサの外観斜視
図である。
図である。
１ 真空容器 ５ 第２の電極部 ２０ 電極 ５０ 第１のガス拡散板 ５１ 第１のスペーサ ５２ 第２のガス拡散室 ５３ 第２のガス拡散板 ５３ａ アルマイト処理 ５４ 第２のスペーサ ５５ 第２のガス拡散室 ５６ ボルト ５７ ナット
Claims (4)
- 【請求項１】 真空容器内に被処理体を載置するための
第１の電極部と、この第１の電極部と対向配置され被処
理体を処理するためのガスを導入するガス導入機構と真
空容器内で被処理体の処理を行うためのプラズマを発生
させるための電力を印加する電力印加機構を備えた第２
の電極部とを有するプラズマ処理装置において、前記第
２の電極部に備えられこの電極部内でガスを一様に拡散
させるために複数の穴を有するガス拡散板を設けると共
に、このガス拡散板の表面全体にアルマイト処理を施し
たことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 真空容器内に被処理体を載置するための
第１の電極部と、この第１の電極部と対向配置され被処
理体を処理するためのガスを導入するガス導入機構と真
空容器内で被処理体の処理を行うためのプラズマを発生
させるための電力を印加する電力印加機構を備えた第２
の電極部とを有するプラズマ処理装置において、前記第
２の電極部に備えられこの電極部内でガスを一様に拡散
させるために複数個の穴を有するガス拡散板と、このガ
ス拡散板と前記第２の電極部との間隙を形成するスペー
サとを設けると共に、このスペーサをリング状に形成し
たことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 真空容器内に被処理体を載置するための
第１の電極部と、この第１の電極部と対向配置され被処
理体を処理するためのガスを導入するガス導入機構と真
空容器内で被処理体の処理を行うためのプラズマを発生
させるための電力を印加する電力印加機構を備えた第２
の電極部とを有するプラズマ処理装置において、前記第
２の電極部に備えられこの電極部内でガスを一様に拡散
させるために複数個の穴を有するガス拡散板と、このガ
ス拡散板と前記第２の電極部との間隙を形成するスペー
サと、これらスペーサ、ガス拡散板を前記第２の電極部
に固定するボルトおよびナットとを設けると共に、この
ボルトおよびナットの表面を絶縁体でコーティングした
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 真空容器内で第１の電極部に被処理体を
載置し、第１の電極部に対向配置した第２の電極部から
被処理体を処理するためのガスを導入すると共に、プラ
ズマを発生させるための電力を印加して被処理体の処理
を行うプラズマ処理方法において、前記第２の電極部内
に設けた表面全体にアルマイト処理を施した複数の穴を
有するガス拡散板でガスを拡散させると共に、このガス
拡散板をリング状のスペーサを介して前記第２の電極部
に表面を絶縁体でコーティングしたボルトおよびナット
で固定したことを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10094492A JPH05299382A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | プラズマ処理装置およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10094492A JPH05299382A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | プラズマ処理装置およびその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299382A true JPH05299382A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14287467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10094492A Pending JPH05299382A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | プラズマ処理装置およびその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299382A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10134997A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-22 | Samsung Electron Co Ltd | ２次電位による放電を除去したプラズマ処理装置 |
| JP2005256172A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-22 | Applied Materials Inc | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
| JP2006502529A (ja) * | 2001-12-19 | 2006-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体ワークピースを処理するためのプラズマリアクタ |
| US20110162800A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-07-07 | Applied Materials, Inc. | Reconfigurable multi-zone gas delivery hardware for substrate processing showerheads |
| US20120132228A1 (en) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
| JP2013149513A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
| US20220130692A1 (en) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor chamber component cleaning systems |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP10094492A patent/JPH05299382A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10134997A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-22 | Samsung Electron Co Ltd | ２次電位による放電を除去したプラズマ処理装置 |
| JP2006502529A (ja) * | 2001-12-19 | 2006-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体ワークピースを処理するためのプラズマリアクタ |
| JP2005256172A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-22 | Applied Materials Inc | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
| US9540731B2 (en) * | 2009-12-04 | 2017-01-10 | Applied Materials, Inc. | Reconfigurable multi-zone gas delivery hardware for substrate processing showerheads |
| US20110162800A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-07-07 | Applied Materials, Inc. | Reconfigurable multi-zone gas delivery hardware for substrate processing showerheads |
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| US9911580B2 (en) * | 2010-11-30 | 2018-03-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
| US10763084B2 (en) | 2010-11-30 | 2020-09-01 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
| US11101111B2 (en) | 2010-11-30 | 2021-08-24 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
| US11948778B2 (en) | 2010-11-30 | 2024-04-02 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
| JP2013149513A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
| US20220130692A1 (en) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor chamber component cleaning systems |
| US11848218B2 (en) * | 2020-10-22 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor chamber component cleaning systems |
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