JPH09312284A - バッチ式アッシング装置 - Google Patents
バッチ式アッシング装置Info
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- JPH09312284A JPH09312284A JP15166896A JP15166896A JPH09312284A JP H09312284 A JPH09312284 A JP H09312284A JP 15166896 A JP15166896 A JP 15166896A JP 15166896 A JP15166896 A JP 15166896A JP H09312284 A JPH09312284 A JP H09312284A
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- Japan
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- top plate
- batch
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 どのようなプロセス条件の下でも内部電極に
おけるインピーダンスを安定にして安定したプラズマ放
電が発生し、効率的に処理できるようにする。 【解決手段】 反応管１内で所定の支持間隔でウエハー
Ｗを保持し、一方は高周波電源に接続し、他方は接地し
てある内外部の電極２，３相互間で高周波電圧の印加に
よって内部電極３に開穿したラジカル導入孔１１を経て
ウエハーＷ表面にエッチング、アッシング等を処理す
る。反応管１内の内部電極３表面、この内部電極３を支
持するボトムプレート４、トッププレート５夫々の表面
に耐蝕性酸化皮膜３Ａを予め形成する。この耐蝕性酸化
皮膜３ＡはＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 のいずれかとし、ある
いはボトムプレート４、トッププレート５自体を耐蝕性
酸化素材のものとする。ラジカル導入孔１１は内部電極
３全域に分布して開穿し、ラジカル導入孔１１における
孔縁のエッジ部は内部電極３の地肌をほぼ露出した状態
のものとする。
おけるインピーダンスを安定にして安定したプラズマ放
電が発生し、効率的に処理できるようにする。 【解決手段】 反応管１内で所定の支持間隔でウエハー
Ｗを保持し、一方は高周波電源に接続し、他方は接地し
てある内外部の電極２，３相互間で高周波電圧の印加に
よって内部電極３に開穿したラジカル導入孔１１を経て
ウエハーＷ表面にエッチング、アッシング等を処理す
る。反応管１内の内部電極３表面、この内部電極３を支
持するボトムプレート４、トッププレート５夫々の表面
に耐蝕性酸化皮膜３Ａを予め形成する。この耐蝕性酸化
皮膜３ＡはＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 のいずれかとし、ある
いはボトムプレート４、トッププレート５自体を耐蝕性
酸化素材のものとする。ラジカル導入孔１１は内部電極
３全域に分布して開穿し、ラジカル導入孔１１における
孔縁のエッジ部は内部電極３の地肌をほぼ露出した状態
のものとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩ、超ＬＳＩ等
の半導体装置を製造する際のエッチング、アッシング等
に用いられるバッチ式アッシング装置に関する。
の半導体装置を製造する際のエッチング、アッシング等
に用いられるバッチ式アッシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】内部電極式の従来のバッチ式アッシング
装置は石英製反応管（チャンバー）の内部に縦型にした
筒状の内部電極を上下部のプレートによって支持するこ
とで配装すると共に反応管外部に外部電極を設けて成
り、複数枚のウエハーを適宜間隔で段状に支持させた縦
型のボートを内部電極内外で昇降することで搬入、搬出
させ、内部電極内に挿入配置したウエハーに対して内部
電極と外部電極とに印加した高周波で発生したガスプラ
ズマによって生じたラジカルによってエッチング、アッ
シング等の処理を行なっている。
装置は石英製反応管（チャンバー）の内部に縦型にした
筒状の内部電極を上下部のプレートによって支持するこ
とで配装すると共に反応管外部に外部電極を設けて成
り、複数枚のウエハーを適宜間隔で段状に支持させた縦
型のボートを内部電極内外で昇降することで搬入、搬出
させ、内部電極内に挿入配置したウエハーに対して内部
電極と外部電極とに印加した高周波で発生したガスプラ
ズマによって生じたラジカルによってエッチング、アッ
シング等の処理を行なっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のアッシング
装置において内部電極を支持する上下部のプレートはア
ルミニウムを素材として形成されているために反応管内
で酸素プラズマを発生させると、プレート表面が酸化さ
れてＡｌ2 Ｏ3 膜が生じるものである。ところがこのＡ
ｌ2 Ｏ3 被膜が生成されるとき反応管内の部位によって
その膜厚が異なるものとなり、その結果、部分的にイン
ピーダンスに大小が生じてその遍在、強弱、大小等によ
ってプラズマ発生の仕方が不安定なものとなり、プラズ
マ処理特性も不安定となることがあった。これは内部電
極を上下部のプレートに完全に接続しても同様に生じる
ものであった。
装置において内部電極を支持する上下部のプレートはア
ルミニウムを素材として形成されているために反応管内
で酸素プラズマを発生させると、プレート表面が酸化さ
れてＡｌ2 Ｏ3 膜が生じるものである。ところがこのＡ
ｌ2 Ｏ3 被膜が生成されるとき反応管内の部位によって
その膜厚が異なるものとなり、その結果、部分的にイン
ピーダンスに大小が生じてその遍在、強弱、大小等によ
ってプラズマ発生の仕方が不安定なものとなり、プラズ
マ処理特性も不安定となることがあった。これは内部電
極を上下部のプレートに完全に接続しても同様に生じる
ものであった。
【０００４】更に内部電極の上部には深さが２０ｍｍ程
度の切欠部があるために内部電極３内でボートによって
保持されているウエハーに対して、その上部付近に位置
しているもの、中央部付近に位置しているもの等との間
で反応速度が異なるものとなり、生成処理に相違が生じ
るものであった。
度の切欠部があるために内部電極３内でボートによって
保持されているウエハーに対して、その上部付近に位置
しているもの、中央部付近に位置しているもの等との間
で反応速度が異なるものとなり、生成処理に相違が生じ
るものであった。
【０００５】また例えばＲＦパワーが８００〜１５００
Ｗ、圧力が０．５〜１Ｔｏｒである通常使用しているプ
ロセス条件ではプラズマ処理特性に大きな変動は認めら
れなくても、通常条件から外れた下でのプラズマ処理に
際しては上下のプレート上で不安定な放電が発生し、ア
ッシングレートが大きく変化するものであった。特にパ
ワーが高く、圧力が低い場合ではこうした変動が顕著な
ものとなっているのである。
Ｗ、圧力が０．５〜１Ｔｏｒである通常使用しているプ
ロセス条件ではプラズマ処理特性に大きな変動は認めら
れなくても、通常条件から外れた下でのプラズマ処理に
際しては上下のプレート上で不安定な放電が発生し、ア
ッシングレートが大きく変化するものであった。特にパ
ワーが高く、圧力が低い場合ではこうした変動が顕著な
ものとなっているのである。
【０００６】そこで本発明は叙上のような従来存した諸
事情に鑑み創出されたもので、どのようなプロセス条件
の下であっても内部電極におけるいずれの部位でもイン
ピーダンスが均一となって安定したプラズマ放電が発生
し、効率的なエッチング、アッシング等の処理を行なう
ことができるバッチ式アッシング装置を提供することを
目的とする。
事情に鑑み創出されたもので、どのようなプロセス条件
の下であっても内部電極におけるいずれの部位でもイン
ピーダンスが均一となって安定したプラズマ放電が発生
し、効率的なエッチング、アッシング等の処理を行なう
ことができるバッチ式アッシング装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明にあっては、反応管１内で所定の支持間隔
でウエハーＷを保持し、一方は高周波電源に接続され、
他方は接地されている内外部の電極２，３相互間で高周
波電圧の印加によって内部電極３に開穿したラジカル導
入孔１１を経てラジカルを導入しウエハーＷ表面でエッ
チング、アッシング等を処理するものにおいて、反応管
１内の内部電極３表面、この内部電極３を支持するボト
ムプレート４、トッププレート５夫々の表面に耐蝕性酸
化皮膜３Ａを予め形成したものであり、内部電極３表面
の耐蝕性酸化皮膜３Ａはボトムプレート４、トッププレ
ート５夫々の表面の耐蝕性酸化皮膜３Ａより肉薄にする
ことができる。また耐蝕性酸化皮膜３ＡはＡｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 のいずれかとすることができ、あるいはボトム
プレート４、トッププレート５自体を耐蝕性酸化素材の
ものとすることができる。ラジカル導入孔１１はバッチ
内アッシング特性に合せ内部電極３全域に分布させて開
穿することができ、このラジカル導入孔１１における孔
縁のエッジ部は内部電極３の地肌をほぼ露出した状態の
ものとして形成することができる。内部電極３の上縁に
内方側に断面でほぼ逆Ｌ字形にして突設形成した連結固
定片１２を、トッププレート５における底面に突設状に
形成した取付突部１３外側面に当接させて内部電極３を
トッププレート５に固定支持することができる。
ため、本発明にあっては、反応管１内で所定の支持間隔
でウエハーＷを保持し、一方は高周波電源に接続され、
他方は接地されている内外部の電極２，３相互間で高周
波電圧の印加によって内部電極３に開穿したラジカル導
入孔１１を経てラジカルを導入しウエハーＷ表面でエッ
チング、アッシング等を処理するものにおいて、反応管
１内の内部電極３表面、この内部電極３を支持するボト
ムプレート４、トッププレート５夫々の表面に耐蝕性酸
化皮膜３Ａを予め形成したものであり、内部電極３表面
の耐蝕性酸化皮膜３Ａはボトムプレート４、トッププレ
ート５夫々の表面の耐蝕性酸化皮膜３Ａより肉薄にする
ことができる。また耐蝕性酸化皮膜３ＡはＡｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 のいずれかとすることができ、あるいはボトム
プレート４、トッププレート５自体を耐蝕性酸化素材の
ものとすることができる。ラジカル導入孔１１はバッチ
内アッシング特性に合せ内部電極３全域に分布させて開
穿することができ、このラジカル導入孔１１における孔
縁のエッジ部は内部電極３の地肌をほぼ露出した状態の
ものとして形成することができる。内部電極３の上縁に
内方側に断面でほぼ逆Ｌ字形にして突設形成した連結固
定片１２を、トッププレート５における底面に突設状に
形成した取付突部１３外側面に当接させて内部電極３を
トッププレート５に固定支持することができる。
【０００８】以上のように構成された本発明に係るバッ
チ式アッシング装置にあって、内部電極３表面、ボトム
プレート４表面、トッププレート５表面に形成の耐蝕性
酸化皮膜３Ａはプラズマ生成区域内で生じるインピーダ
ンスを平均化させ、不均一性を除去させる。特に内部電
極３表面の耐蝕性酸化皮膜３Ａは耐蝕性酸化皮膜３Ａ自
体よっての初期状態の放電の不安定性を除去させる。そ
して発生するプラズマはボトムプレート４、トッププレ
ート５では非常に少ない放電とさせ、内部電極３表面の
耐蝕性酸化皮膜３Ａをボトムプレート４、トッププレー
ト５夫々の表面の耐蝕性酸化皮膜３Ａより肉薄にするこ
とで安定した主放電を発生させる。ラジカル導入孔１１
を経て内部電極３内に導入されるラジカルは内部電極３
内で保持されているウエハーＷに対していずれの部位に
あるものに対しても同様な反応状態でアッシング、エッ
チング処理を行なわせる。またトッププレート５に対し
て固定支持した内部電極３では、この内部電極３の内側
に連結固定片１２及び取付突部１３を配してあることで
内部電極３内部では無電界となして放電させず、その放
電内では凹凸がなく、平坦化していることで安定したプ
ラズマ処理を行なわせる。内部電極３のラジカル導入孔
１１における孔縁のエッジ部が内部電極３の地肌を露出
した状態のものしてあることでアッシングレートを速め
させ、また地肌がほぼ露出している部分の分布を選定す
ることでバッチ内分布を制御させる。
チ式アッシング装置にあって、内部電極３表面、ボトム
プレート４表面、トッププレート５表面に形成の耐蝕性
酸化皮膜３Ａはプラズマ生成区域内で生じるインピーダ
ンスを平均化させ、不均一性を除去させる。特に内部電
極３表面の耐蝕性酸化皮膜３Ａは耐蝕性酸化皮膜３Ａ自
体よっての初期状態の放電の不安定性を除去させる。そ
して発生するプラズマはボトムプレート４、トッププレ
ート５では非常に少ない放電とさせ、内部電極３表面の
耐蝕性酸化皮膜３Ａをボトムプレート４、トッププレー
ト５夫々の表面の耐蝕性酸化皮膜３Ａより肉薄にするこ
とで安定した主放電を発生させる。ラジカル導入孔１１
を経て内部電極３内に導入されるラジカルは内部電極３
内で保持されているウエハーＷに対していずれの部位に
あるものに対しても同様な反応状態でアッシング、エッ
チング処理を行なわせる。またトッププレート５に対し
て固定支持した内部電極３では、この内部電極３の内側
に連結固定片１２及び取付突部１３を配してあることで
内部電極３内部では無電界となして放電させず、その放
電内では凹凸がなく、平坦化していることで安定したプ
ラズマ処理を行なわせる。内部電極３のラジカル導入孔
１１における孔縁のエッジ部が内部電極３の地肌を露出
した状態のものしてあることでアッシングレートを速め
させ、また地肌がほぼ露出している部分の分布を選定す
ることでバッチ内分布を制御させる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明するに、図において示される符号１は縦
型に配置される適当な容量を有する石英製の筒状の反応
管（チャンバー）であり、この反応管１の外方に陽極と
なるほぼ筒状の外部電極２を、反応管１内に陰極となる
ほぼ筒状の内部電極３をこれらの各電極２，３相互間で
一定の間隔を保持させた状態で同心円状になるように夫
々配装する。そして外部電極２を高周波電源に接続し、
内部電極３を接地して内外部の電極２，３相互間で高周
波電圧を印加することによってその間にプラズマを発生
させるプラズマ生成区域とする。また内部電極３内を、
この内部電極３内外で昇降される縦型のボートであるウ
エハー支持具Ｂによって所定間隔で保持される処理物た
るウエハーＷの支持区域としてある。反応管１、外部電
極２、内部電極３等は下部に配したボトムプレート４、
上部に配したトッププレート５相互間で夫々が電気的に
絶縁されて支持されている。そしてトッププレート５に
貫挿配置したガス導入管６から導入されたガスは、同様
にトッププレート５に貫挿配置したガス導出管７によっ
て外部に排気され、プラズマ処理後ではトッププレート
５に開放自在に装着した熱排気天板８によって反応管１
内の熱気が排気されるようになっている。
施の形態を説明するに、図において示される符号１は縦
型に配置される適当な容量を有する石英製の筒状の反応
管（チャンバー）であり、この反応管１の外方に陽極と
なるほぼ筒状の外部電極２を、反応管１内に陰極となる
ほぼ筒状の内部電極３をこれらの各電極２，３相互間で
一定の間隔を保持させた状態で同心円状になるように夫
々配装する。そして外部電極２を高周波電源に接続し、
内部電極３を接地して内外部の電極２，３相互間で高周
波電圧を印加することによってその間にプラズマを発生
させるプラズマ生成区域とする。また内部電極３内を、
この内部電極３内外で昇降される縦型のボートであるウ
エハー支持具Ｂによって所定間隔で保持される処理物た
るウエハーＷの支持区域としてある。反応管１、外部電
極２、内部電極３等は下部に配したボトムプレート４、
上部に配したトッププレート５相互間で夫々が電気的に
絶縁されて支持されている。そしてトッププレート５に
貫挿配置したガス導入管６から導入されたガスは、同様
にトッププレート５に貫挿配置したガス導出管７によっ
て外部に排気され、プラズマ処理後ではトッププレート
５に開放自在に装着した熱排気天板８によって反応管１
内の熱気が排気されるようになっている。
【００１０】しかして上下に配されるボトムプレート
４、トッププレート５夫々はアルミニウムを陽極酸化し
て、プラズマに接触する表面にＡｌ2 Ｏ3 のような非常
に酸化雰囲気に強い耐蝕性酸化皮膜３Ａを形成した、い
わゆるアルマイトを素材として形成してある。また内部
電極３自体もボトムプレート４、トッププレート５夫々
と同様に表面にＡｌ2 Ｏ3 のような非常に酸化が困難な
耐蝕性酸化皮膜３Ａを形成したものである。更にこれら
のボトムプレート４、トッププレート５、内部電極３の
表面はブラズマによって侵蝕されないものとなっていれ
ばよいから、例えばＳｉＯ2 その他によって処理された
り、場合によっては金、白金等を素材とするものであっ
たりされ、また耐蝕性酸化皮膜３Ａの形成が困難なもの
である場合には内部電極３以外は素材自体を耐侵蝕性の
ものとするのである。更に内部電極３表面の耐蝕性酸化
皮膜３Ａはボトムプレート４、トッププレート５夫々の
表面の耐蝕性酸化皮膜３Ａより肉薄に形成してある。
４、トッププレート５夫々はアルミニウムを陽極酸化し
て、プラズマに接触する表面にＡｌ2 Ｏ3 のような非常
に酸化雰囲気に強い耐蝕性酸化皮膜３Ａを形成した、い
わゆるアルマイトを素材として形成してある。また内部
電極３自体もボトムプレート４、トッププレート５夫々
と同様に表面にＡｌ2 Ｏ3 のような非常に酸化が困難な
耐蝕性酸化皮膜３Ａを形成したものである。更にこれら
のボトムプレート４、トッププレート５、内部電極３の
表面はブラズマによって侵蝕されないものとなっていれ
ばよいから、例えばＳｉＯ2 その他によって処理された
り、場合によっては金、白金等を素材とするものであっ
たりされ、また耐蝕性酸化皮膜３Ａの形成が困難なもの
である場合には内部電極３以外は素材自体を耐侵蝕性の
ものとするのである。更に内部電極３表面の耐蝕性酸化
皮膜３Ａはボトムプレート４、トッププレート５夫々の
表面の耐蝕性酸化皮膜３Ａより肉薄に形成してある。
【００１１】また内部電極３における耐蝕性酸化皮膜３
Ａの形成は、図３（Ａ）に示すように内部電極３の内外
周側面及びラジカル導入孔１１の孔縁内周面の全面に連
続したものとして形成したり、図３（Ｂ）に示すように
ラジカル導入孔１１の孔縁におけるエッジ部を傾斜面と
して例えば２ｍｍ程度で削成またはスパッター技術で除
去することでラジカル導入孔１１における孔縁内周面の
ほぼ中央部分に耐蝕性酸化皮膜３Ａを残存させるように
してラジカル導入孔１１の孔縁におけるエッジ部で内部
電極３の地肌をほぼ露出した状態として形成したりする
ものである。
Ａの形成は、図３（Ａ）に示すように内部電極３の内外
周側面及びラジカル導入孔１１の孔縁内周面の全面に連
続したものとして形成したり、図３（Ｂ）に示すように
ラジカル導入孔１１の孔縁におけるエッジ部を傾斜面と
して例えば２ｍｍ程度で削成またはスパッター技術で除
去することでラジカル導入孔１１における孔縁内周面の
ほぼ中央部分に耐蝕性酸化皮膜３Ａを残存させるように
してラジカル導入孔１１の孔縁におけるエッジ部で内部
電極３の地肌をほぼ露出した状態として形成したりする
ものである。
【００１２】内部電極３自体は内部に挿入配置されてい
るウエハーＷに対しての化学処理を行なうべく多数のラ
ジカル導入孔１１が開穿されており、このラジカル導入
孔１１は内部電極３の下部端縁から上部端縁に至るま
で、ウエハー支持具Ｂによって段状に保持されている全
てのウエハーＷに対して、その上下位置を問わずにほぼ
均一に作用するように開穿してある。
るウエハーＷに対しての化学処理を行なうべく多数のラ
ジカル導入孔１１が開穿されており、このラジカル導入
孔１１は内部電極３の下部端縁から上部端縁に至るま
で、ウエハー支持具Ｂによって段状に保持されている全
てのウエハーＷに対して、その上下位置を問わずにほぼ
均一に作用するように開穿してある。
【００１３】上下部のボトムプレート４、トッププレー
ト５に対する内部電極３の固定支持は図２に示すよう
に、内部電極３の上縁に内方側に断面でほぼ逆Ｌ字形に
して突設形成した連結固定片１２を、トッププレート５
における底面に突設状に形成したドーナツ状の、あるい
は円周上に適宜間隔を隔てて配列した取付突部１３外側
面に当接させてネジ止めする等によって行なってある。
このときの内部電極３下縁面とボトムプレート４上面と
の間隙は５ｍｍ前後のものとしてある。また内部電極３
の下縁は、この内部電極３自体が熱膨張可能なようにボ
トムプレート４における上面と所定の間隔を配した状態
で板状導体等にて連繋することで導電構造のものとして
ある。
ト５に対する内部電極３の固定支持は図２に示すよう
に、内部電極３の上縁に内方側に断面でほぼ逆Ｌ字形に
して突設形成した連結固定片１２を、トッププレート５
における底面に突設状に形成したドーナツ状の、あるい
は円周上に適宜間隔を隔てて配列した取付突部１３外側
面に当接させてネジ止めする等によって行なってある。
このときの内部電極３下縁面とボトムプレート４上面と
の間隙は５ｍｍ前後のものとしてある。また内部電極３
の下縁は、この内部電極３自体が熱膨張可能なようにボ
トムプレート４における上面と所定の間隔を配した状態
で板状導体等にて連繋することで導電構造のものとして
ある。
【００１４】以上のように構成された本発明の使用に際
しては従来と同様に多数のウエハーＷが保持されている
ウエハー支持具Ｂを下方から上昇させて内部電極３内に
挿入配置した後、高周波電源の印加によって発生させた
ガスプラズマによってウエハーＷに対してアッシング、
エッチング等の処理を行なうものである。
しては従来と同様に多数のウエハーＷが保持されている
ウエハー支持具Ｂを下方から上昇させて内部電極３内に
挿入配置した後、高周波電源の印加によって発生させた
ガスプラズマによってウエハーＷに対してアッシング、
エッチング等の処理を行なうものである。
【００１５】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているた
め、表面に耐蝕性酸化皮膜３Ａが予め形成されている内
部電極３ではどのようなプロセス条件の下であっても内
部電極３のいずれの部位でもインピーダンスが安定する
のであり、その結果、極めて安定したプラズマ放電が発
生し、効率的なエッチング、アッシング等の処理を行な
うことができるのである。
め、表面に耐蝕性酸化皮膜３Ａが予め形成されている内
部電極３ではどのようなプロセス条件の下であっても内
部電極３のいずれの部位でもインピーダンスが安定する
のであり、その結果、極めて安定したプラズマ放電が発
生し、効率的なエッチング、アッシング等の処理を行な
うことができるのである。
【００１６】すなわちこれは本発明において、内外部の
電極２，３相互間で発生したプラズマでアッシング、エ
ッチング等を処理するに際し、反応管１内の内部電極３
表面、この内部電極３を支持するボトムプレート４、ト
ッププレート５夫々の表面に耐蝕性酸化皮膜３Ａを予め
形成したからであり、これによってインピーダンスを安
定にし、安定した放電状態とするからである。
電極２，３相互間で発生したプラズマでアッシング、エ
ッチング等を処理するに際し、反応管１内の内部電極３
表面、この内部電極３を支持するボトムプレート４、ト
ッププレート５夫々の表面に耐蝕性酸化皮膜３Ａを予め
形成したからであり、これによってインピーダンスを安
定にし、安定した放電状態とするからである。
【００１７】またラジカル導入孔１１は内部電極３全域
に分布させて開穿してあるから、内部電極３の上縁がト
ッププレート５の底面に連結固定片１２及び取付突部１
３によって固定支持されていることと相俟ち、内部電極
３内側では無電界であるので放電が生ぜず、内部電極３
内でウエハー支持具Ｂによって保持されているウエハー
Ｗのいずれに対しても同様な反応状態でアッシング、エ
ッチング処理を行なうことができ、しかも放電内では凹
凸がなく、平坦化しているから安定したプラズマ処理を
行なうことができる。
に分布させて開穿してあるから、内部電極３の上縁がト
ッププレート５の底面に連結固定片１２及び取付突部１
３によって固定支持されていることと相俟ち、内部電極
３内側では無電界であるので放電が生ぜず、内部電極３
内でウエハー支持具Ｂによって保持されているウエハー
Ｗのいずれに対しても同様な反応状態でアッシング、エ
ッチング処理を行なうことができ、しかも放電内では凹
凸がなく、平坦化しているから安定したプラズマ処理を
行なうことができる。
【００１８】内部電極３のラジカル導入孔１１における
孔縁のエッジ部は内部電極３の地肌を露出した状態のも
のとしてあるから、アッシングレートを速めさせること
ができ、ブラズマ処理の迅速化を図ることができるばか
りでなく、地肌がほぼ露出している部分の分布を適宜に
選定することでバッチ内分布を制御させることも可能で
ある。このときラジカル導入孔１１のエッジ部は酸化雰
囲気に対し酸化されない。
孔縁のエッジ部は内部電極３の地肌を露出した状態のも
のとしてあるから、アッシングレートを速めさせること
ができ、ブラズマ処理の迅速化を図ることができるばか
りでなく、地肌がほぼ露出している部分の分布を適宜に
選定することでバッチ内分布を制御させることも可能で
ある。このときラジカル導入孔１１のエッジ部は酸化雰
囲気に対し酸化されない。
【図１】本発明の実施の一形態における概略側断面図で
ある。
ある。
【図２】同じくトッププレートに対する内部電極の接続
固定部位を示す要部の断面図である。
固定部位を示す要部の断面図である。
【図３】同じく（Ａ）、（Ｂ）夫々は内部電極の被膜状
態を示す要部断面図である。
態を示す要部断面図である。
Ｂ…ウエハー支持具 Ｗ…ウエハー １…反応管 ２…外部電極 ３…内部電極 ３Ａ…耐蝕性酸
化皮膜 ４…ボトムプレート ５…トッププレ
ート ６…ガス導入管 ７…ガス導出管 ８…熱排気天板 １１…ラジカル
導入孔 １２…連結固定片 １３…取付突部
化皮膜 ４…ボトムプレート ５…トッププレ
ート ６…ガス導入管 ７…ガス導出管 ８…熱排気天板 １１…ラジカル
導入孔 １２…連結固定片 １３…取付突部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大坂谷 隆義 東京都小平市鈴木町１丁目45番地の１ エ ム・シー・エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 工藤 大二朗 東京都小平市鈴木町１丁目45番地の１ エ ム・シー・エレクトロニクス株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 反応管内で所定の支持間隔でウエハーを
保持し、一方は高周波電源に接続され、他方は接地され
ている内外部の電極相互間で高周波電圧の印加によって
内部電極に開穿したラジカル導入孔を経てラジカルを導
入しウエハー表面でエッチング、アッシング等を処理す
るバッチ式アッシング装置において、反応管内の内部電
極表面、この内部電極を支持するボトムプレート、トッ
ププレート夫々の表面に耐蝕性酸化皮膜を予め形成して
あることを特徴とするバッチ式アッシング装置。 - 【請求項２】 内部電極表面の耐蝕性酸化皮膜はボトム
プレート、トッププレート夫々の表面の耐蝕性酸化皮膜
より肉薄にしてある請求項１記載のバッチ式アッシング
装置。 - 【請求項３】 耐蝕性酸化皮膜はＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2
のいずれかとしてある請求項１または２記載のバッチ式
アッシング装置。 - 【請求項４】 ボトムプレート、トッププレート自体を
耐蝕性酸化素材のものとしてある請求項１または２記載
のバッチ式アッシング装置。 - 【請求項５】 ラジカル導入孔はバッチ内アッシング特
性に合せ内部電極全域に分布させて開穿してある請求項
１乃至４のいずれか記載のバッチ式アッシング装置。 - 【請求項６】 ラジカル導入孔における孔縁のエッジ部
は内部電極の地肌をほぼ露出した状態のものとしてある
請求項１乃至５のいずれか記載のバッチ式アッシング装
置。 - 【請求項７】 内部電極の上縁に内方側に断面でほぼ逆
Ｌ字形にして突設形成した連結固定片を、トッププレー
トにおける底面に突設状に形成した取付突部外側面に当
接させて内部電極をトッププレートに固定支持してある
請求項１乃至６のいずれか記載のバッチ式アッシング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15166896A JPH09312284A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | バッチ式アッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15166896A JPH09312284A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | バッチ式アッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312284A true JPH09312284A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=15523633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15166896A Pending JPH09312284A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | バッチ式アッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312284A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267075B1 (en) * | 1998-07-09 | 2001-07-31 | Yield Engineering Systems, Inc. | Apparatus for cleaning items using gas plasma |
| JP2002100616A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2007324477A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP15166896A patent/JPH09312284A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267075B1 (en) * | 1998-07-09 | 2001-07-31 | Yield Engineering Systems, Inc. | Apparatus for cleaning items using gas plasma |
| JP2002100616A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP4602528B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2010-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2007324477A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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