JP2003243376A

JP2003243376A - プラズマ処理装置

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Publication number: JP2003243376A
Application number: JP2002045545A
Authority: JP
Inventors: Hideyuki Kazumi; 秀之数見; Muneo Furuse; 宗雄古瀬; Tsutomu Tetsuka; 勉手束; Masatsugu Arai; 雅嗣荒井; Kenji Maeda; 賢治前田
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2002-02-22
Filing date: 2002-02-22
Publication date: 2003-08-29
Anticipated expiration: 2022-02-22
Also published as: JP3761474B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＶＨＦもしくはＵＨＦ帯の高周波と磁場とを用
いてプラズマを生成する方式において、広いパラメータ
領域で、異常放電のない、高密度，高均一のプラズマを
実現するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置として、真空容器と、該
真空容器内部にあってガスが供給される処理室と、該処
理室内に設けられ処理対象物を支持する支持電極と、Ｕ
ＨＦもしくはＶＨＦ帯の高周波を処理室に供給するアン
テナ及び放射口と、前記処理室に磁場を形成する磁場形
成手段とを有し、前記アンテナ部に誘電体とそれを囲む
金属仕切板もしくはディスク状金属により構成する電界
制御空間を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
て被処理物を処理するプラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマを利用して被処理物特に絶縁膜
を処理する際には、例えば、異なる２つのＲＦを対向す
る電極に印加する平行平板型プラズマ処理装置（従来技
術１、例えば特開平８−３３９９８４号）を用いてい
る。かかる装置においては、上部電極と下部電極とを処
理室内の上下に対向させて配置し、各電極の少なくとも
いずれか一方に高周波電力を供給して、処理室内に導入
した処理ガスを電離・解離させて生じたイオンやラジカ
ルを用いて、ウエハを処理する。上部電極にはアルミニ
ウムからなる冷却プレート及び冷媒循環路が設けられ、
その上にはガスを処理室内に導入する拡散部材があり、
その中にはガスを振分けるバッフル板が設けられてい
る。ＲＦ電極の背面に永久磁石を備え、その永久磁石を
リング状に配置したプラズマ処理装置が特開平８−２８
８０９６号公報（従来技術２）に開示されている。また
被処理体を載置する電極に対向するように平面アンテナ
部材を設け、このアンテナ部材にμ波を供給し、また平
面アンテナ部材の前面にスリット開口部を設けたプラズ
マ処理装置が特開平９−６３７９３号公報に記載されて
いる(従来技術３)。また、特開平１０−１３４９９５号
公報には、ＵＨＦ帯の高周波を同軸ケーブルによってデ
ィスク状のアンテナに供給した平行平板型ＵＨＦ−プラ
ズマ装置が記載され、アンテナの直径を所定値ｎ／２・
λ（ｎ：整数）に設定するプラズマ処理装置が開示され
ている（従来技術４）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来技術１では、使用
周波数の高周波数化に伴い、上部電極と金属性の冷却板
の間、もしくは吐出し口（ガス吹出し口）の間にも高周
波が浸透するようになる。浸透厚さは非常に薄い（１mm
以下）ので、その間に高電界が発生して、いわゆる異常
放電が起こり易くなる。一旦異常放電が起こると、吹出
し穴径が拡大し、今度は内部にまでプラズマが発生し、
異物の発生を引き起こしたり、上部電極が削れて所望の
性能が維持できなくなる。このため、高周波数による高
密度化が困難であるため、処理速度（エッチングレー
ト）を上げられないという課題がある。

【０００４】従来技術２では、永久磁石ではその大きさ
程度に限定された箇所に局所的に磁場が形成される。磁
場による閉じ込め効果を増そうとすると磁石近傍での磁
場強度が強くなるため、この部分でプラズマ密度が高く
なる。またＲＦ電極にはバイアスが印加され、イオンを
引き込むので、スパッタリングが局所的に起こる。その
ため電極の局所的消耗を招き、異物の増加，装置信頼性
が低下するという課題がある。

【０００５】従来技術３では、アンテナ部にスリットを
設け、スリットの長さを（１／２〜１／１０）λ（λ：
μ波の管内波長）程度にすることにより分布を調整する
としている。後述のように重要なのは、スリット位置及
びアンテナ背面での寸法を特定しなければ、そこからの
μ波の放射及び電界分布の調整が困難であるという課題
がある。

【０００６】従来技術４では、アンテナ中央が電界の腹
に、アンテナ端が電界の節に相当するため、アンテナ直
下での電界分布は必ず凸となる。そのためプラズマを均
一にすることが困難という課題がある。

【０００７】本発明の目的は、ＶＨＦ帯もしくはＵＨＦ
帯の高周波と磁場とを用いてプラズマを生成する方式に
おいて、広いパラメータ領域で、異常放電のない高密
度，高均一の安定したプラズマを実現するプラズマ処理
装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の一つの見方によ
れば、本発明は、真空容器と、該真空容器内部にあって
ガスが供給される処理室と、該処理室内に設けられ処理
対象物を支持する支持電極と、ＵＨＦもしくはＶＨＦ帯
の高周波を処理室に供給するディスク状アンテナとアン
テナ横に配置された絶縁体で構成された放射口からなる
高周波導入手段と、前記処理室に磁場を形成する磁場形
成手段とを有し、ガスを処理室内に導入するシャワープ
レート電極とを有し、前記シャワープレート電極とディ
スク状アンテナから構成されるアンテナ部において、ア
ンテナ導体部に誘電体とそれを囲う金属とからなる空間
（電界制御空間と呼ぶ）を設けたことを特徴とする。こ
の場合、前記電界制御空間に用いる誘電体の誘電率は、
シャワープレート電極を構成する部材の誘電率より小さ
い方が好ましい効果が得られる。

【０００９】また、前記アンテナ部に誘電体とそれを囲
う金属とからなる電界制御空間を複数個設けてもよい。
この場合、周方向の対称性を考えると、電界制御空間が
同心円上に形成されることが望ましい。

【００１０】また、前記電界制御空間にアンテナ導体と
シャワープレートの間にアンテナ導体部と電気的に接触
する第２のリング状金属を配置して、そのリングの径に
より電界分布を制御する。

【００１１】さらには、前記アンテナの中央部にアンテ
ナ導体と電気的に接触する金属棒と、その金属棒と電気
的に接触する第３のディスク状導体を配置してもよい。
ガスを供給するシャワープレートとして、Ｓｉもしくは
ＳｉＣ，Ｃで構成される板状部材を配置し、板状部材を
介してＵＨＦもしくはＶＨＦ帯の高周波を処理室内に供
給するプラズマ装置としてもよい。

【００１２】処理室内にＵＨＦ帯（ｆ＝４５０ＭＨｚ）
の高周波を導入した時の、電界分布の様子を図７を用い
て説明する。同軸ケーブルで供給された高周波は、アン
テナ導体と外導体の間を同軸モードで伝播し、アンテナ
横の誘電体を通して処理室に供給される。それと同時に
アンテナ導体下にあるシャワープレート電極を通しても
処理室に供給される。プラズマ密度はＵＨＦ：ｆ＝４５
０ＭＨｚに対するカットオフ密度ｎ＝２.５×１０¹⁵ｍ
^-3 よりも通常高いので、ＵＨＦ波プラズマ内に伝播で
きず、電極とプラズマの間に形成されるシースを伝播す
る。シースは１〜数mm程度であるため、シース内は高電
界となる。またシャワープレート電極はＳｉ，ＳｉＣ等
で構成されることがあるが、その場合、ＵＨＦもＳｉや
ＳｉＣ内にも浸透するためこの部分も高電界にさらされ
る。一方で、そこは従来技術１にもあるように、ガスの
吹出し口ともなっている。そのためガスが高電界にさら
されるために、そこでプラズマが生成され、さらには電
極電位で加速されより内部にまでイオンが入射する。そ
の結果、内部で異常放電が起こり、シャワープレートか
らの異物発生や破損といったことが起こると考えられ
る。

【００１３】ここで、前記の誘電体と金属で囲われた電
界制御空間をシャワープレートの上に設けると、そこに
もＵＨＦは伝播する。図８は、電界制御空間として、半
径ｒ＝５０mmの円盤状誘電体をアンテナ導体の中に埋め
込んだ時のシース内の電界分布を示したものである。誘
電体を入れたことによる電界低減効果に加え、アンテナ
導体とプラズマの距離が実効的に長くなるので電界強度
が小さくなる。また、電界制御空間を設けていない場
合、シース内の電界はベッセル関数〜Ｊ₀(ｒ）の形で凸
形状を示しているが、中央部に電界制御空間を設けるこ
とで、その部分の電界を局所的に変化させることが出来
る。その結果、電界の均一化が実現される。また、図に
示されているようにＵＨＦ電界には腹，節が明確に現れ
ているが、電界制御空間を電界の腹の位置に、半径方向
に複数個設けることにより電界分布を緩和して、半径方
向の均一性を向上させる。また前記電界制御空間に、ア
ンテナを導体とシャワープレートの間に位置する第２の
金属リングを設けると、図９に模式的に示すように、シ
ース中に現れる波は、電界制御空間を伝播して金属の囲
いの部分で反射された波とシャワープレート電極を伝播
する波との重ね合わせとなる。金属リングの径を変える
ことにより電界制御空間を伝播する波(定在波)の分布，
強度を変えて、シース中に現れる電界を制御する。ま
た、逆に中央部にディスク状アンテナを設けて、周辺部
に開口部を設けることにより、その部分の電界強度に強
弱を付けることができる。熱伝導性が良い金属を用いる
方が、絶縁体を介してシャワープレートに接する構造よ
りも、アンテナとシャワープレートの温度を制御する
（冷却する）観点からも望ましい。また、シャワープレ
ート電極の部材としてはＳｉ，ＳｉＣやＣが、処理室内
の異物や金属汚染低減、さらにはフロロカーボンから発
生する過剰のＦを除去する観点からも望ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】ＵＬＳＩ素子の微細化，高集積化
が急速に進められ、それに応じてエッチング技術の高精
度化，大口径対応が求められている。その中でも酸化膜
や低誘電率絶縁膜を加工する絶縁膜エッチングでは、デ
バイス構造の複雑化，加工幅の微細化と並んで加工膜種
の多様化に対応する必要が生じており、対レジストや対
Si₃N₄に対する高選択比，垂直加工形状が求められてい
る。ところが対下地や対レジストに対して高い選択比を
得ようとすると、エッチング反応が途中で停止する‘エ
ッチストップ’やＲＩＥ−lag が発生しやすく、高アス
ペクト垂直加工と高選択比との両立が益々困難になって
いる。絶縁膜エッチングでは、炭素とフッ素を含むフロ
ロカーボンガスが用いられ、プラズマによって分解され
たフロロカーボンラジカル(ＣｘＦｙ)の膜堆積とイオン
入射によりエッチング反応が進行する。酸化膜，レジス
ト，Ｓｉ₃Ｎ₄上に堆積するフロロカーボン膜の膜厚や組
成が異なることによって選択比が発現する。フロロカー
ボンラジカルとＦラジカルの密度比ＣｘＦｙ／Ｆが高い
方が高選択比が得られると考えられているが、一方Ｃｘ
Ｆｙの量や炭素の割合が増えるとエッチング反応が停止
することがある。フロロカーボンラジカルの組成はプラ
ズマの密度や電子温度のみならず、チャンバー壁での化
学反応，リサイクリングによって支配される。また反応
生成物やその解離物がエッチングを阻害する。そのた
め、酸化膜エッチングでは、ラジカルや反応生成物の解
離を支配するプラズマの密度，温度を制御する必要があ
り、大口径均一処理のためには、その分布制御が必要と
なる。また、高スループットすなわち高エッチング速度
を実現するためにはプラズマの高密度化が必須である。
これらを実現するための本発明の実施の形態を、以下、
参考例と実施例とを用いて説明する。

【００１５】本発明の第１の実施例を図１に示す。プラ
ズマ処理装置の処理室２はアルマイト処理されたアルミ
ニウム等からなる処理容器内に形成され、処理室２内に
は被処理物（ウエハ）４を支持する支持台（電極）５と
を備えた真空容器１を有し、処理室内に導入されたガス
３は排気系６によって排気される。支持台の上にはウエ
ハを載置するためのサセプタ７が配置される。サセプタ
７の上には、Ｓｉ等からなるリング状のフォーカスリン
グ８が配置され、フォーカスリング８はウエハの端部付
近の均一性を確保するのに用いられる。処理室２の上部
には、高周波を導入する手段が載置されている。ＵＨＦ
・ＶＨＦ発生源９で発生されたＵＨＦ帯もしくはＶＨＦ
帯の高周波は整合器１０及び伝送線路１１を通してアン
テナ導体１２に供給される。アンテナ導体１２と導体壁
１３の間には誘電体１４が充填されており、高周波は放
射口１５を通して、処理室２に導入される。ＵＨＦもし
くはＶＨＦ発生源９とは別のＲＦ発生源１６が設けら
れ、ＲＦ帯の高周波が同じくアンテナ導体１２に供給さ
れる。真空容器１の周囲には磁場形成手段１７があり、
処理室２内に磁場を形成する。アンテナ導体１２には、
アルミニウム等で構成されるバッフル板１８が配置さ
れ、ガスを分散させる。バッフル板の下にはシャワープ
レート電極１９が接続され、処理室２内に接する。シャ
ワープレート電極にはガス穴１９ａが開けられており、
これを介して、処理室２内にガス３が供給される。アン
テナ導体１２及びバッフル板１８の下（処理室側）に
は、誘電体２０及びそれを取り囲む形で金属仕切板２１
が配置されて、電界制御空間２２を形成する。金属仕切
板２１はアンテナ導体１２及びバッフル板１８と電気的
に接続されている。前記誘電体２０の誘電率は、シャワ
ープレート電極１９の誘電率より小さい方が望ましい。
本実施例を用いた場合の被処理物４の処理の様子を、酸
化膜エッチングを例にして説明する。搬送手段（図示せ
ず）によって被処理物４が処理室２内にある支持台５に
搬送される。処理室２にフロロカーボンガス，Ｏ₂ ，Ａ
ｒ等で構成されるガス３が供給され、内部の圧力が所定
値に設定された後、ＵＨＦ・ＶＨＦ発生源９よりアンテ
ナ導体１２及びシャワープレート電極１９に高周波が供
給され、プラズマ及びその結果として各種ラジカルが生
成される。その後、支持台５には高周波電力が供給さ
れ、被処理物にイオン引き込み電圧（バイアス）を発生
させ、前記の各種ラジカルとイオンの入射によって酸化
膜をエッチングする。この場合、シャワープレート電極
１９の上に設けられた電界制御空間２２内にＵＨＦやＶ
ＨＦが浸透することができるので、シャワープレート電
極１９の下に発生する電界強度を小さくすることができ
る。また、例えば誘電体２０として石英を用い、電界制
御空間の内径をφ１００程度、厚さを５ｔ以上にとる
と、その範囲の電界強度を２／３〜１／２程度に小さく
することになるので、元々凸分布を示す中央部のプラズ
マ密度分布を平坦にすることができ、結果として絶縁膜
のエッチングレートが均一化される。

【００１６】本発明の第２の実施例を図２に示す。プラ
ズマ処理装置に用いられる、アンテナの構成に着目して
いる。図１記載の実施例において、アンテナ導体部１２
に誘電体２０とそれを囲う金属仕切板２１とから構成さ
れる電界制御空間２２を半径方向に複数個配置したこと
を特徴とする。例えば図Ａに示した電界を例にとり、均
一化する方法について述べる。便宜状、φ１００までを
Center、φ１００〜２００をMiddle、φ２００〜３００
をEdgeと呼ぶ。今の場合の電界分布は、Center＞Edge＞
Middleの順となっている。φ０〜１００（Centerと呼
ぶ）に誘電体として５ｔの石英を充填し、それに加えφ
２２０〜φ３００（Edge）の範囲に４ｔ程度の石英を充
填する。φ１００〜φ２００(Middle)には金属リングを
配置する。すると、φ０〜１００の範囲及びφ２００〜
３００の範囲の電界強度を下げ、φ１００〜２００の範
囲での電界強度に揃えることができるので、φ３００の
範囲の電界の均一化を図ることができる。ここでは簡便
性のため電界制御空間をCenter，Middleの２箇所に配置
しているが、Center，Middle，Edgeの３箇所あるいは領
域を細分化すれば、それ以上に配置してもよい。また各
々に配置する誘電体の厚さｄや比誘電率εｒには任意の
組合せがあるが、電界強度を下げたい箇所での、誘電体
のεｒ／ｄの値を他より小さくすればよい。その箇所を
変えてもよい。

【００１７】本発明の第３の実施例を図３に示す。アン
テナ導体とシャワープレート電極の間に、アンテナ導体
部と電気的に接触する第２の金属リング２３を配置した
ことを特徴とする。アンテナ導体の横を通って伝播する
ＵＨＦ，ＶＨＦの電界はシャワープレート電極を介して
シース部を伝播すると共に、一部は誘電体２０と金属仕
切板２１，第２の金属リング２３で構成される電界制御
空間２２内にも伝播し、誘電体２０を囲う金属仕切板２
１で反射される。誘電体２０中を伝播する進行波と反射
波とが干渉して定在波を形成する。この波は再び電界制
御空間２２の下に位置するシャワープレート電極１９を
介してシース中に供給される。先の電界分布を例にと
り、平坦化する例を述べる。誘電体として石英(比誘電
率３.８）、シャワープレート電極としてＳｉ(比誘電率
１１.８）を用いたとすると、誘電体の半径として１５
０mm,厚さ１０ｔ程度,第２の金属リングの内径を６０〜
１００mm程度にすると良い。

【００１８】本発明の第４の実施例を図４に示す。プラ
ズマ処理装置に用いられる、アンテナの構成に着目して
いる。図１〜図３記載の実施例において、上記第２の金
属リング２３より内側に、新たに第２の金属仕切板２４
をアンテナ導体１２と電気的に接触するように配置す
る。金属仕切板２４は、中心部での電界強度を上下する
のに用い、この仕切板と上記第２の金属リング２３との
間の開口部で波を強めたり弱めたりする。前記電界強度
分布を例にとって、平坦化する例を述べる。まず、Cent
erを弱めるために第２の金属仕切板２４の内径は、５０
mm程度とする。Middle部を強めるために、第２の仕切板
と電界制御空間の仕切板との距離を、管内波長の１／４
λ：ｆ＝４５０ＭＨｚ、石英中では８８mm程度とする。
第２の金属リング２３の内径を１００mm程度とすると、
半径５０〜１００mmの範囲での電界を強めることができ
る。このようにすれば、半径１５０mm以内の電界を比較
的均一にでき、プラズマの均一化，エッチングの均一化
が図られる。

【００１９】本発明の第５の実施例を図５に示す。プラ
ズマ処理装置に用いられる、アンテナの構成に着目して
いる。図１〜図３記載の実施例において、前記電界制御
空間の中心に、第３のディスク状導体２５を配置したこ
とを特徴とする。先の電界分布を例にとって説明する。
誘電体として石英（比誘電率３.８）を用いたとする
と、誘電体の半径として１５０mm，厚さ１０ｔ程度，第
３のディスク状導体２５の径を５０mm程度、第２の金属
リング２３の内径を８０〜１２０mm程度にする。このよ
うにｒ＝５０〜１００に開口部を作ることで、その部分
の電界強度を強くする。電界強度は、開口部の面積、言
い換えればディスク状導体２５の径と第２の金属リング
２３の内径を変えるか、もしくは誘電体の誘電率を変え
てもよい。また中心の第３のディスク状導体２５と第２
の金属リング２３との高さ（シャワープレート電極から
の距離）は変えても良い。

【００２０】本発明の第６の実施例を図６に示す。プラ
ズマ処理装置に用いられる、アンテナの構成に着目して
いる。シャワープレート電極１９として、Ｓｉ，ＳｉＣ
もしくはＣで構成される板状部材２６を配置する。板状
部材２６を介してＵＨＦもしくはＶＨＦの高周波を処理
室に供給する。誘電率はε＝εｒ−ｊεｉと書け、Ｓｉ
を例にすると、εｒ＝１１.８，εｉ〜ωε／η、ここ
でωは角周波数、ηは抵抗率である。εｒ≫εｉとなる
ように抵抗率を選べば、ＵＨＦ等を浸透させることがで
きる。ｆ＝４５０ＭＨｚの場合では、η＝１〜１０Ωcm
程度とすれば、誘電体として扱うことができ、また抵抗
による熱損失も小さくなる。また、ＳｉはＬＳＩの部材
として使われるので、それによる汚染の懸念は無い。Ｃ
やＳｉＣについても、使用ガスがＣとＦからなるフロロ
カーボンであるので、好適である。

【００２１】上記のように構成した本発明の実施例にお
いては、ＵＨＦもしくはＶＨＦを処理室に導入するアン
テナ部について、アンテナ導体と誘電体及び仕切板，金
属ディスクから構成される電界制御空間を設け、１）仕
切板，金属ディスクの位置を調整することで、所望の位
置の電界強度を変化させて、均一化させる。２）シャワ
ープレート電極に発生する電界強度を下げることによっ
て、ガス導入口に発生する異常放電を低減する。この電
界制御手段と磁場発生手段の組み合わせによって、圧力
やガス種，パワー等のプロセスパラメータの変化に対応
して、プラズマ分布を制御することが可能となる。

【００２２】

【発明の効果】本発明によれば、ＶＨＦもしくはＵＨＦ
帯の高周波と磁場とを用いてプラズマを生成する方式に
おいて、広いパラメータ領域で、異常放電のない、高密
度，高均一のプラズマを実現するプラズマ処理装置が提
供できる。その結果、高処理速度，大口径ウエハの均一
加工が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例によるプラズマ処理装置
を説明する図である。

【図２】本発明に用いられるアンテナ構成についての第
２の実施例を説明する図である。

【図３】本発明に用いられるアンテナ構成についての第
３の実施例を説明する図である。

【図４】本発明に用いられるアンテナ構成についての第
４の実施例を説明する図である。

【図５】本発明に用いられる高周波の放射口についての
第５の実施例を説明する図である。

【図６】本発明に用いられる高周波の放射口についての
第６の実施例を説明する図である。

【図７】比較例でのＵＨＦ電界分布を示す図である。

【図８】比較例と本発明の電界分布比較を示す図であ
る。

【図９】本発明の第１の実施例の作用を示す図である。

【図１０】本発明の第１の実施例の効果を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…真空容器、２…処理室、３…ガス、４…被処理物、
５…支持台（電極）、６…排気系、７…サセプタ、８…
フォーカスリング、９…ＵＨＦ・ＶＨＦ発生源、１０…
整合器、１１…伝送線路、１２…アンテナ導体、１３…
導体壁(導波路)、１４，２０…誘電体、１５…高周波導
入手段（放射口）、１６…ＲＦ発生源、１７…磁場形成
手段、１８…バッフル板、１９…シャワープレート電
極、１９ａ…ガス穴、１９ｂ，２６…板状部材（Ｓｉ，
ＳｉＣ，Ｃ）、２１…金属仕切板、２２…電界制御空
間、２３…第２の金属リング、２４…第２の金属仕切
板、２５…第３のディスク状導体。

フロントページの続き (72)発明者手束勉茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者荒井雅嗣茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者前田賢治茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内Ｆターム(参考） 5F004 AA01 BA20 BB11 BB23 BB29 CA02 CA03 DA00 DA23 DA26 DB03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器と、該真空容器内部にあってガス
が供給される処理室と、該処理室内に設けられ処理対象
物を支持する支持電極と、ＵＨＦ帯もしくはＶＨＦ帯の高周波を処理室に供給する
アンテナ部及び放射口と、前記処理室に磁場を形成する磁場形成手段とを有し、ディスク状アンテナ導体部とガスを供給するシャワープ
レートから構成されるアンテナ部のうち、アンテナ導体
部に誘電体とそれを囲う金属とを有する電界制御空間を
有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】請求項１において、アンテナ部のうち、アンテナ導体部に誘電体とそれを囲
う金属とを有する電界制御空間を複数個有するプラズマ
処理装置。
【請求項３】請求項１又は２において、誘電体とそれを囲う金属とを有する電界制御空間に、前
記金属と電気的に接続する第２のリング状金属を配置し
たプラズマ処理装置。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかにおいて、上記
第２のリング状金属より内側に、新たに金属仕切板をア
ンテナ導体部と電気的に接続するように配置したプラズ
マ処理装置。
【請求項５】請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記アンテナ部の中央部にアンテナ導体部と電気的に接
続する金属棒と、該金属棒と電気的に接続する第３のデ
ィスク状導体を配置したプラズマ処理装置。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれかにおいて、ガスを供給するシャワープレートとして、Ｓｉ，Ｓｉ
Ｃ，Ｃの少なくとも一つで構成される板状部材を配置
し、該板状部材を介してＵＨＦ帯もしくはＶＨＦ帯の高
周波を処理室に供給するプラズマ処理装置。