JP5522887B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
12 サセプタ(基板保持台)
26 排気装置
30 高周波電源
52 石英板(誘電体窓)
54 放射板
55 ラジアルラインスロットアンテナ
58 マイクロ波伝送線路
60 マイクロ波発生器
62 導波管
64 導波管−同軸管変換器
66 同軸管
68 内部導体
70 外部導体
80 中空部(ガス流路)
82 処理ガス供給源
84 第1ガス供給管
110 インジェクタ部
110a 吐出口
112 ガス流路
120 貫通孔
Claims (14)
- 被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、
プラズマ励起用のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、
前記処理容器内に前記マイクロ波のパワーを導入するための誘電体窓と、
前記マイクロ波発生器からの前記マイクロ波を前記誘電体窓まで伝送するためのマイクロ波伝送線路と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するために、前記誘電体窓の複数箇所に軸対象に形成された貫通孔の中に設けられ、かつ接地されたガス流路導体を含む処理ガス供給部と
を有し、
前記処理容器内で前記マイクロ波のパワーにより前記処理ガスのプラズマを生成して、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置。 - 被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、
プラズマ励起用のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、
前記処理容器内に前記マイクロ波のパワーを導入するための誘電体窓と、
前記マイクロ波発生器からの前記マイクロ波を前記誘電体窓まで伝送するためのマイクロ波伝送線路と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するために、前記誘電体窓に形成された貫通孔の中に設けられ、かつ接地されたガス流路導体を含む処理ガス供給部と
を有し、
前記誘電体窓の外側面に前記貫通孔と連続するざぐり穴が形成され、
前記処理容器の外側から、前記ガス流路導体の先端の第1の部分が前記誘電体窓の前記貫通孔に挿入されるとともに、前記ガス流路導体の前記第1の部分よりも太くて前記第1の部分と連続する第2の部分が前記誘電体窓の前記ざぐり穴に嵌め込まれ、
前記処理容器内で前記マイクロ波のパワーにより前記処理ガスのプラズマを生成して、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置。 - 前記ガス流路導体の前記第2の部分と前記誘電体窓の前記ざぐり穴との間に真空封止用のシール部材が設けられる、請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内で前記誘電体と対向して前記基板を載置して保持する保持台と、
前記保持台に自己バイアス電圧を発生させるための高周波を印加する高周波電源と
を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘電体窓の外側面に、平板形アンテナが設けられる、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナは、ラジアルラインスロットアンテナである、請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波伝送線路が、終端部が前記アンテナに接続される同軸管を有する、請求項5または請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス流路導体が、前記同軸管の内部導体と一体に形成または接続されている、請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記内部導体が、その中心軸に沿って延びるガス流路用の中空部を有する、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス流路導体が、前記内部導体の中空部と連通し、前記誘電体窓の貫通孔を通って前記処理容器の中まで延びる、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波伝送線路が、
始端部が前記マイクロ波発生器に接続される導波管と、
前記導波管の終端部と前記同軸管の始端部とを結合して前記導波管の伝送モードを前記同軸管の伝送モードに変換する導波管−同軸管変換器と
を有する、請求項5〜10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、
プラズマ励起用のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、
前記処理容器内に前記マイクロ波のパワーを導入するための誘電体窓と、
前記マイクロ波発生器からの前記マイクロ波を前記誘電体窓まで伝送するためのマイクロ波伝送線路と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するために、前記誘電体窓に形成された貫通孔の中に設けられ、かつ接地されたガス流路導体を含む処理ガス供給部と
を有し、
前記処理ガス供給部が、前記ガス流路導体を含む第1のガス導入部とは別の経路で前記処理容器内に処理ガスを導入するための第2のガス導入部を有し、
前記第1および第2のガス導入部が、共通の処理ガス供給源より送出される同一の処理ガスを前記処理容器内に導入し、
前記処理ガス供給部が、前記第1および第2のガス導入部の間で前記処理ガスの流量比を制御し、
前記処理容器内で前記マイクロ波のパワーにより前記処理ガスのプラズマを生成して、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置。 - 前記第2のガス導入部が、前記処理容器の側壁から容器中心部に向かって処理ガスを吐出する側壁吐出口を有する、請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理ガス供給部が、前記処理容器内に前記第1および第2のガス導入部よりそれぞれ導入する処理ガスの流量を個別に制御するための流量制御部を有する、請求項12または請求項13に記載のプラズマ処理装置。
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