JP2008251674A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ10の天井面には、ラジアルラインスロットアンテナ55を構成するマイクロ波導入用の石英板52が気密に取り付けられている。マイクロ波発生器60より出力されたマイクロ波は、導波管62、導波管−同軸管変換器64及び同軸管66を伝播して、アンテナ55よりチャンバ10内に導入される。処理ガス供給源82より所定の圧力で送出された処理ガスは、第1ガス供給管84、同軸管66及びノズル部110の各ガス流路を順に流れてインジェクタ部110先端の吐出口110aから吐出され、プラズマ生成空間へ拡散する。そして、石英板52の下面に沿って伝播する表面波から放射されるマイクロ波電力によってガス粒子が電離し、表面励起のプラズマが生成される。
【選択図】 図1
Description
12 サセプタ(基板保持台)
26 排気装置
30 高周波電源
52 石英板(誘電体窓)
54 放射板
55 ラジアルラインスロットアンテナ
58 マイクロ波伝送線路
60 マイクロ波発生器
62 導波管
64 導波管−同軸管変換器
66 同軸管
68 内部導体
70 外部導体
80 中空部(ガス流路)
82 処理ガス供給源
84 第1ガス供給管
110 インジェクタ部
110a 吐出口
112 ガス流路
120 貫通孔
Claims (20)
- 被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、
プラズマ励起用のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、
前記処理容器内に前記マイクロ波のパワーを導入するための誘電体窓と、
前記マイクロ波発生器からの前記マイクロ波を前記誘電体窓まで伝送するためのマイクロ波伝送線路と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するために前記誘電体窓を貫通して前記処理容器内に通じる接地されたガス流路導体を含む処理ガス供給部と
を有し、前記処理容器内で前記マイクロ波のパワーにより前記処理ガスのプラズマを生成して、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置。 - 前記ガス流路導体が、前記誘電体窓の一箇所を貫通する請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス流路導体が、前記誘電体窓の略中心を貫通する請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス流路導体が、前記誘電体窓の軸対象な複数箇所を貫通する請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内で前記ガス流路導体の吐出部が前記誘電体窓より突出している請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス流路導体の吐出口が前記誘電体窓から10mm以上の距離を離して位置している請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内に前記基板を載置して保持するための保持台が設置され、前記処理容器の前記保持台と対向する天井面に前記誘電体窓が設けられる請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記保持台に自己バイアス電圧を発生させるための高周波を前記保持台に印加する高周波電源を有する請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓が、平板形アンテナを構成する請求項7または請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナは、ラジアルラインスロットアンテナである請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波伝送線路が、終端部が前記アンテナに接続される同軸管を有する請求項9または請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス流路導体が、前記同軸管の内部導体と一体に形成または接続されている請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記内部導体が、その中心軸に沿って延びるガス流路用の中空部を有する請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス流路導体が、前記内部導体の中空部と連通し、前記誘電体窓の貫通孔を通って前記処理容器の中まで延びる請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波伝送線路が、
始端部が前記マイクロ波発生器に接続される導波管と、
前記導波管の終端部と前記同軸管の始端部とを結合して前記導波管の伝送モードを前記同軸管の伝送モードに変換する導波管−同軸管変換器と
を有する請求項11〜14のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理ガス供給部が、前記ガス流路導体を含む第1ガス導入部とは別の経路で前記処理容器内に処理ガスを導入するための第2ガス導入部を有する請求項1〜15のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2ガス導入部が、前記処理容器の側壁から容器中心部に向かって処理ガスを吐出する側壁吐出口を有する請求項16に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理ガス供給部が、前記処理容器内に前記第1および第2ガス導入部よりそれぞれ導入する処理ガスの流量を個別に制御するための流量制御部を有する請求項16または請求項17に記載のプラズマ処理装置。
- 被処理基板を出し入れ可能に収容する処理容器と、
前記処理容器内を減圧するための真空排気部と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するための接地された導体からなるガス供給ラインと、
プラズマ励起用のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、
前記処理容器内に前記マイクロ波のパワーを導入するために前記ガス供給ラインの吐出部の周囲に延在する誘電体窓と、
前記マイクロ波発生器より出力される前記マイクロ波を前記誘電体窓まで伝送するためのマイクロ波伝送線路と
を有し、前記処理容器内で前記マイクロ波のパワーにより前記処理ガスのプラズマを生成して、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置。 - 前記ガス供給ラインの吐出部が前記誘電体窓より前記処理容器の中に突出している請求項19に記載のプラズマ処理装置。
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