JP5368514B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
12 サセプタ(基板保持台)
26 真空ポンプ
30 高周波電源
32 マッチングユニット
34 給電棒
36 同軸線路
38 外部導体
40 チョーク機構
58 石英板(誘電体窓)
60 アンテナ
64 マイクロ波伝送線路
66 マイクロ波発生器
98 処理ガス導入部
100 第1の導体部材
102 第2の導体部材
104 円筒部
106 環状部
108 環状部
110 円筒部
112 環状隙間
M1 第1の1/4波長導波路
M2 第2の1/4波長導波路
Claims (8)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理ガスのプラズマを生成するためのマイクロ波を前記処理容器内に供給するマイクロ波供給部と、
前記処理容器内で前記プラズマに晒されるように被処理基板を保持する電極と、
前記電極に円柱状または円筒状の給電棒を介してRFバイアス用の高周波を印加する高周波電源と、
前記給電棒の回りを囲む円筒状の外部導体と、
前記給電棒と前記外部導体との間に前記マイクロ波の空間伝播を遮断するために設けられるチョーク機構と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記チョーク機構が、
前記給電棒の外周面と前記外部導体の内周面との距離間隔よりも狭いギャップ幅で前記給電棒の軸方向と平行に延びて円筒状に形成され、1/4波長の線路長を有する第1の導波路と、
前記電極側から見て前記第1の導波路の終端に接続され、1/4波長の線路長を有し、かつ短絡終端する第2の導波路と
を有する、請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記チョーク機構が、
前記給電棒の軸方向と平行に延びて、その外周面と前記外部導体の内周面との間に前記第1の導波路を円筒状に形成するとともに、その内周面と前記給電棒の外周面との間に前記第2の導波路を円筒状に形成する第1の円筒状導体部と、
前記給電棒から軸方向と直交する半径方向に延びて前記第1の円筒状導体部の前端に接続し、前記第2の導波路の終端を短絡させる第1の環状導体部と、
前記給電棒から軸方向と直交する半径方向に延びて前記第1の円筒状導体部の後端との間および前記外部導体の内周面との間にそれぞれ第1および第2隙間を形成し、前記第1の隙間にて前記第1の導波路の終端と前記第2の導波路の始端とを接続させる第2の環状導体部と
を有する、請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記高周波電源と前記電極との間に整合器が電気的に挿入され、
前記給電棒は、一端が前記整合器の第1の出力端子に接続され、他端が前記電極に接続され、
前記外部導体は、一端が前記整合器の第2の出力端子に接続され、他端が前記処理容器に接続される、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記外部導体がグランド電位に接続される、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波供給部は、前記処理容器の周囲または近傍に設けられたアンテナを有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波供給部は、前記処理容器内に前記マイクロ波を導入するための誘電体からなる窓を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内に所定の磁場を形成するための磁場形成機構を前記処理容器の周囲または近傍に設ける、請求項1〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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