JP2922223B2 - マイクロ波プラズマ発生装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ発生装置Info
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- JP2922223B2 JP2922223B2 JP1231741A JP23174189A JP2922223B2 JP 2922223 B2 JP2922223 B2 JP 2922223B2 JP 1231741 A JP1231741 A JP 1231741A JP 23174189 A JP23174189 A JP 23174189A JP 2922223 B2 JP2922223 B2 JP 2922223B2
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- microwave plasma
- plasma generator
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ波電力を用いたプラズマ発生装置に
係り、特に、プラズマ極微量元素分析装置、プラズマジ
ェット、プラズマプロセシング等に採用して好適な高
温、高密度のプラズマを安定して生成するマイクロ波プ
ラズマ発生装置に関する。
係り、特に、プラズマ極微量元素分析装置、プラズマジ
ェット、プラズマプロセシング等に採用して好適な高
温、高密度のプラズマを安定して生成するマイクロ波プ
ラズマ発生装置に関する。
従来のマイクロ波電力を用いたプラグマ極微量元素分
析装置におけるプラズマ発生装置は、第６図に示すよう
に、スペクトルケミカ・アクタ（Spectrochimica Act
a），第37B巻、No.7,583−592頁、1982において論じら
れている。第６図において、１はマイクロ波同軸ケーブ
ル用コネクタ、２はマイクロ波カップラ、３はギャップ
（ｇ）調節系、４は薄板、５はキャビティ長調節系、６
はキャビティ、７は放電管、８はガス状試料とプラズマ
ガスとの混合ガス、９は冷却用空気入口を示す。
析装置におけるプラズマ発生装置は、第６図に示すよう
に、スペクトルケミカ・アクタ（Spectrochimica Act
a），第37B巻、No.7,583−592頁、1982において論じら
れている。第６図において、１はマイクロ波同軸ケーブ
ル用コネクタ、２はマイクロ波カップラ、３はギャップ
（ｇ）調節系、４は薄板、５はキャビティ長調節系、６
はキャビティ、７は放電管、８はガス状試料とプラズマ
ガスとの混合ガス、９は冷却用空気入口を示す。
上記従来技術は、液状試料の分析については考慮され
ておらず、分析試料に制限があり試料の導入効率とその
イオン化効率などに問題があった。さらに、マイクロ波
電力のリークやプラズマの安定性などについても問題が
あった。
ておらず、分析試料に制限があり試料の導入効率とその
イオン化効率などに問題があった。さらに、マイクロ波
電力のリークやプラズマの安定性などについても問題が
あった。
すなわち、第６図から明らかなように、プラズマ生成
用のマイクロ波電力を同軸ケーブルを用いてキャビティ
６に供給する構造であるので、その電力は最大0.5kW以
下に制限され、液状の試料の直接分析が不可能なこと、
さらに、同軸ケーブルでの電力損失も大きく、カップラ
２などの構造や調整が複雑で、マイクロ波電力の利用率
が低く、このため試料のイオン化率も低く、分析感度に
も問題があった。
用のマイクロ波電力を同軸ケーブルを用いてキャビティ
６に供給する構造であるので、その電力は最大0.5kW以
下に制限され、液状の試料の直接分析が不可能なこと、
さらに、同軸ケーブルでの電力損失も大きく、カップラ
２などの構造や調整が複雑で、マイクロ波電力の利用率
が低く、このため試料のイオン化率も低く、分析感度に
も問題があった。
また、マイクロ波電力も薄板４に設けて開口等からリ
ークするため信号／雑音比の低下のみならず安全面から
も問題があった。さらに、放電管７等を冷却するために
導入した空気が薄板４に設けた開口から流出するため、
放電管７の先端から噴出するプラズマが不安定になり、
発光分析や質量分析が高感度で安定に行えないなどの問
題があった。
ークするため信号／雑音比の低下のみならず安全面から
も問題があった。さらに、放電管７等を冷却するために
導入した空気が薄板４に設けた開口から流出するため、
放電管７の先端から噴出するプラズマが不安定になり、
発光分析や質量分析が高感度で安定に行えないなどの問
題があった。
本発明の目的は、従来技術での上記した諸問題を解決
した高性能のマイクロ波プラズマ発生装置を提供するこ
とにある。
した高性能のマイクロ波プラズマ発生装置を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するために、本発明請求項１では、マ
イクロ波電力を供給する開口端とこの開口端と向き合う
短絡端を有する偏平導波管に、円筒状同軸導波管をその
中心軸が上記短絡端より1/4波長の位置にあって電界方
向を向くように結合し、この同軸導波管の下端は偏平導
波管の底面壁にあけた孔に結合し上端は開口し、外導体
の下端は上記底面壁と対向する上記偏平導波管の上面壁
にあけた孔に結合し上端は内導体の上端より上方位置に
あって導電性エンドプレートで短絡され、絶縁性の放電
管を内導体の内径部を経て先端が上記エンドプレートの
中心部にあけた孔を貫通するように設置してその後端部
からプラズマガスを導入するとともに前記放電管を冷却
する構成とする。
イクロ波電力を供給する開口端とこの開口端と向き合う
短絡端を有する偏平導波管に、円筒状同軸導波管をその
中心軸が上記短絡端より1/4波長の位置にあって電界方
向を向くように結合し、この同軸導波管の下端は偏平導
波管の底面壁にあけた孔に結合し上端は開口し、外導体
の下端は上記底面壁と対向する上記偏平導波管の上面壁
にあけた孔に結合し上端は内導体の上端より上方位置に
あって導電性エンドプレートで短絡され、絶縁性の放電
管を内導体の内径部を経て先端が上記エンドプレートの
中心部にあけた孔を貫通するように設置してその後端部
からプラズマガスを導入するとともに前記放電管を冷却
する構成とする。
また本発明請求項２では、上記構成で放電管の後端部
の外部に冷却気体導入系を追加設置し、この冷却気体を
内導体の内径部を経て外導体の円筒状空胴部に送り込
み、外導体の外周壁にあけた複数個の放出口を介して外
部に放出させる構成とする。
の外部に冷却気体導入系を追加設置し、この冷却気体を
内導体の内径部を経て外導体の円筒状空胴部に送り込
み、外導体の外周壁にあけた複数個の放出口を介して外
部に放出させる構成とする。
さらに、本発明請求項３では、上記請求項１乃至２の
構成にマイクロ波リーク調整系を追加し、放電管の後端
部を囲むように内導体の下端面下方に設け、かつ、前記
冷却気体導入系を含めた軸方向長さを使用マイクロ波の
少なくとも1/4波長となるように構成する。
構成にマイクロ波リーク調整系を追加し、放電管の後端
部を囲むように内導体の下端面下方に設け、かつ、前記
冷却気体導入系を含めた軸方向長さを使用マイクロ波の
少なくとも1/4波長となるように構成する。
さらに、本発明請求項４では、上記外導体の軸方向長
さを使用マイクロ波の少なくとも1/4波長となるように
構成し、請求項５では、内導体と外導体の先端間距離を
任意に調整できる構成とし、請求項６では外導体エンド
プレートの放電管貫通孔の周辺部の厚さをその外側部分
の厚さより薄くする構成とし、請求項７では、放電管内
部を減圧する排気系を設ける構成とし、請求項８では、
放電管の先端部の内径を末広がりのテーパ状にする構成
とし、請求項９では放電管を二重管構造として内管に試
料を外管にプラズマガスを導入する構成とし、請求項10
では、放電管の先端部の外周に冷却系を設ける構成と
し、請求項11では偏平導波管の発熱を外部に取り去って
温度上昇を低く抑える冷却フインを外壁部に取り付ける
構成とする。
さを使用マイクロ波の少なくとも1/4波長となるように
構成し、請求項５では、内導体と外導体の先端間距離を
任意に調整できる構成とし、請求項６では外導体エンド
プレートの放電管貫通孔の周辺部の厚さをその外側部分
の厚さより薄くする構成とし、請求項７では、放電管内
部を減圧する排気系を設ける構成とし、請求項８では、
放電管の先端部の内径を末広がりのテーパ状にする構成
とし、請求項９では放電管を二重管構造として内管に試
料を外管にプラズマガスを導入する構成とし、請求項10
では、放電管の先端部の外周に冷却系を設ける構成と
し、請求項11では偏平導波管の発熱を外部に取り去って
温度上昇を低く抑える冷却フインを外壁部に取り付ける
構成とする。
偏平導波管に、円筒状同軸導波管をその中心軸が偏平
導波管の短絡端より1/4波長の位置にあって電界方向を
向くように結合したことにより、この同軸導波管はモー
ド変換器として効率よく動作し、これによって全て導波
管でマイクロ波のモード変換器を構成でき、大電力（0.
5kW以上）のマイクロ波を用いることができるようにな
るとともに、放電管中にプラズマを効率よく発生でき、
液体試料の直接分析も高感度で行うことが可能となる。
導波管の短絡端より1/4波長の位置にあって電界方向を
向くように結合したことにより、この同軸導波管はモー
ド変換器として効率よく動作し、これによって全て導波
管でマイクロ波のモード変換器を構成でき、大電力（0.
5kW以上）のマイクロ波を用いることができるようにな
るとともに、放電管中にプラズマを効率よく発生でき、
液体試料の直接分析も高感度で行うことが可能となる。
また、冷却気体導入系を設け、導入された冷却気体を
外導体の円筒壁にあけた放出を介して外部に放出させる
構成は、放電管などを効率よく冷却するとともにプラズ
マが安定になるように動作する。すなわち、放電管後端
部の外周側から導入した冷却剤（空気など）はラセン状
に回転しながら放電管などの表面を効率よく冷却し、さ
らに、外導体の空胴部に送り込まれ、外導体の円筒壁に
あけた複数個の放出口から径方向に放出されるようにな
るので、放電管中に生成したプラズマが冷却剤の乱流に
よってじょう乱を受けることなく安定に軸方向に拡散さ
せることができ、分析装置に使用すると高感度の発光分
析や質量分析ができる。一方、プラズマジェットに使用
すれば大きな推進力を得ることができる。
外導体の円筒壁にあけた放出を介して外部に放出させる
構成は、放電管などを効率よく冷却するとともにプラズ
マが安定になるように動作する。すなわち、放電管後端
部の外周側から導入した冷却剤（空気など）はラセン状
に回転しながら放電管などの表面を効率よく冷却し、さ
らに、外導体の空胴部に送り込まれ、外導体の円筒壁に
あけた複数個の放出口から径方向に放出されるようにな
るので、放電管中に生成したプラズマが冷却剤の乱流に
よってじょう乱を受けることなく安定に軸方向に拡散さ
せることができ、分析装置に使用すると高感度の発光分
析や質量分析ができる。一方、プラズマジェットに使用
すれば大きな推進力を得ることができる。
さらに、マイクロ波リーク調整系を内導体の下端面下
方に設け、冷却気体導入系を含めた軸方向長さを使用マ
イクロ波の少なくとも1/4波長として冷却気体導入系の
下端がマイクロ波の定在波の節となるようにする構成
は、マイクロ波電力が同軸導波管モード変換器から外部
ヘリークするのを低減するように動作する。これによっ
て、電波障害が低減され、安全で、高効率のプラズマ発
生装置とすることができ高感度の分析などができる。
方に設け、冷却気体導入系を含めた軸方向長さを使用マ
イクロ波の少なくとも1/4波長として冷却気体導入系の
下端がマイクロ波の定在波の節となるようにする構成
は、マイクロ波電力が同軸導波管モード変換器から外部
ヘリークするのを低減するように動作する。これによっ
て、電波障害が低減され、安全で、高効率のプラズマ発
生装置とすることができ高感度の分析などができる。
さらに、請求項４乃至11の構成とすることにより、プ
ラズマの発生効率、生成したプラズマの安定性、安全性
をより向上させることができるようになるが、個々の構
成による作用については、次の実施例の説明中で詳述す
る。
ラズマの発生効率、生成したプラズマの安定性、安全性
をより向上させることができるようになるが、個々の構
成による作用については、次の実施例の説明中で詳述す
る。
以下、図面により本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例のマイクロ波プラズマ発生
装置の平面図とそのＸ−Ｘ線断面図である。第１図にお
いて、10は銅などの導電体から成る偏平導波管で、ａは
その短辺の寸法、ｂは長辺の寸法、ｃは長さ方向の寸法
を示し、具体的な数値例を挙げると、使用マイクロ波周
波数が2.45GHzのとき、a,b,cはそれぞれ8.4mm,109.2mm,
87mmである。マイクロ波電力はこの偏平導波管10の開口
端から導入され、この開口端と向き合う終端側は短絡端
となっている。この短絡端より管内寸法にしてマイクロ
波の1/4波長だけ離れた位置を中心軸とする円筒状同軸
導波管が、その中心軸が電界方向を向くように、偏平導
波管10に結合される。すなわち、銅などから成るドアノ
ブ状などの内導体20と、同じく銅などから成る外導体50
とで円筒状同軸導波管を構成し、その中心軸が、偏平導
波管10の短絡端より1/4波長離れた（図示ｄ距離）位置
にあって電界方向を向くように、配置される。配置構成
を詳述すると、内導体20は、内径側に円筒状の空胴部21
を有し、下端は偏平導波管10の底面壁にあけた孔部にお
いて偏平導波管10と結合し上端は開口状態のままとし、
外導体50は、その下端は上記底面壁と対向する上記偏平
導波管10の上面壁にあけた孔部において偏平導波管10と
結合し、上端は、内導体20の上端より距離ｌだけ上方位
置にあって、銅などから成るエンドプレート60によって
短絡する。内導体20及び外導体50の偏平導波管10への結
合構造を上記のようにしたことにより、この内導体20と
外導体50で構成される円筒状同軸導波管は、偏平導波管
10に導入されるマイクロ波のモード変換器として機能す
る。そして、石英あるいはセラミックスなどの絶縁性の
放電管80が、同軸導波管と同心状に、後端部は内導体20
の下端から下方に突出し、先端部は内導体20の開口端を
経て、外導体50のエンドプレート60にあけた貫通孔〔第
２図（ａ），（ｂ）に62として示す〕を通って上方に突
出するように配置される。ここで、エンドプレート60
は、上記放電管貫通孔62の周辺部61の厚さを、貫通孔62
と同心状に、その外側の厚さより薄くしてある。30はマ
イクロ波リーク調整系で、円筒状空胴を備えており、放
電管80の後端部を包囲するように内導体20の下端面の下
方に取り付けられる。40は銅などから成る冷却気体導入
系で、放電管80や内導体20などを冷却するためのもの
で、マイクロ波リーク調整系30の下方に設けられ、冷却
剤（空気など）が放電管80の表面に沿ってラセン状に輸
送されるよう、導入パイプ41を介して円周接線方向に冷
却剤を導入し、この導入された冷却剤を内導体20の内径
部を経て外導体50の円筒状空胴部に送り込み、外導体50
の外周壁にあけた複数個（例えば円周を16等分する位置
の16個所）の放出口70から外部に放出させる。なお、第
１図実施例は、元素分析用のプラズマ発生装置を例に採
っているので、放電管80を二重管構造とし、内管81に分
析試料を、外管部にプラズマガス（He,N2,Arなど）を導
入する構成としてある。
装置の平面図とそのＸ−Ｘ線断面図である。第１図にお
いて、10は銅などの導電体から成る偏平導波管で、ａは
その短辺の寸法、ｂは長辺の寸法、ｃは長さ方向の寸法
を示し、具体的な数値例を挙げると、使用マイクロ波周
波数が2.45GHzのとき、a,b,cはそれぞれ8.4mm,109.2mm,
87mmである。マイクロ波電力はこの偏平導波管10の開口
端から導入され、この開口端と向き合う終端側は短絡端
となっている。この短絡端より管内寸法にしてマイクロ
波の1/4波長だけ離れた位置を中心軸とする円筒状同軸
導波管が、その中心軸が電界方向を向くように、偏平導
波管10に結合される。すなわち、銅などから成るドアノ
ブ状などの内導体20と、同じく銅などから成る外導体50
とで円筒状同軸導波管を構成し、その中心軸が、偏平導
波管10の短絡端より1/4波長離れた（図示ｄ距離）位置
にあって電界方向を向くように、配置される。配置構成
を詳述すると、内導体20は、内径側に円筒状の空胴部21
を有し、下端は偏平導波管10の底面壁にあけた孔部にお
いて偏平導波管10と結合し上端は開口状態のままとし、
外導体50は、その下端は上記底面壁と対向する上記偏平
導波管10の上面壁にあけた孔部において偏平導波管10と
結合し、上端は、内導体20の上端より距離ｌだけ上方位
置にあって、銅などから成るエンドプレート60によって
短絡する。内導体20及び外導体50の偏平導波管10への結
合構造を上記のようにしたことにより、この内導体20と
外導体50で構成される円筒状同軸導波管は、偏平導波管
10に導入されるマイクロ波のモード変換器として機能す
る。そして、石英あるいはセラミックスなどの絶縁性の
放電管80が、同軸導波管と同心状に、後端部は内導体20
の下端から下方に突出し、先端部は内導体20の開口端を
経て、外導体50のエンドプレート60にあけた貫通孔〔第
２図（ａ），（ｂ）に62として示す〕を通って上方に突
出するように配置される。ここで、エンドプレート60
は、上記放電管貫通孔62の周辺部61の厚さを、貫通孔62
と同心状に、その外側の厚さより薄くしてある。30はマ
イクロ波リーク調整系で、円筒状空胴を備えており、放
電管80の後端部を包囲するように内導体20の下端面の下
方に取り付けられる。40は銅などから成る冷却気体導入
系で、放電管80や内導体20などを冷却するためのもの
で、マイクロ波リーク調整系30の下方に設けられ、冷却
剤（空気など）が放電管80の表面に沿ってラセン状に輸
送されるよう、導入パイプ41を介して円周接線方向に冷
却剤を導入し、この導入された冷却剤を内導体20の内径
部を経て外導体50の円筒状空胴部に送り込み、外導体50
の外周壁にあけた複数個（例えば円周を16等分する位置
の16個所）の放出口70から外部に放出させる。なお、第
１図実施例は、元素分析用のプラズマ発生装置を例に採
っているので、放電管80を二重管構造とし、内管81に分
析試料を、外管部にプラズマガス（He,N2,Arなど）を導
入する構成としてある。
以上の構成において、外導体50の軸方向長さｅが使用
マイクロ波の少なくとも1/4波長 となるように設定すると共に内導体20の先端とエンドプ
レート60とのギャップがｌ（通常ｌ＝１〜20mm）になる
ように設定し、さらに、偏平導波管10の底面壁から冷却
気体導入系40の最下端面までの寸法が使用マイクロ波
の少なくとも1/4波長 となるように設定し、エンドプレート60の位置及び冷却
気体導入系40の最下端位置でそれぞれマイクロ波の定在
波の腹及び節になるようにすると、偏平導波管10の開口
端から導入したマイクロ波電力は、放電管80中のプラズ
マに効率よく吸収されるとともに、反射はなくなり、リ
ーク電力も大幅に低減でき、高温高密度のプラズマを安
定に保持することができる。
マイクロ波の少なくとも1/4波長 となるように設定すると共に内導体20の先端とエンドプ
レート60とのギャップがｌ（通常ｌ＝１〜20mm）になる
ように設定し、さらに、偏平導波管10の底面壁から冷却
気体導入系40の最下端面までの寸法が使用マイクロ波
の少なくとも1/4波長 となるように設定し、エンドプレート60の位置及び冷却
気体導入系40の最下端位置でそれぞれマイクロ波の定在
波の腹及び節になるようにすると、偏平導波管10の開口
端から導入したマイクロ波電力は、放電管80中のプラズ
マに効率よく吸収されるとともに、反射はなくなり、リ
ーク電力も大幅に低減でき、高温高密度のプラズマを安
定に保持することができる。
この場合、マイクロ波電力を導入する偏平導波管とそ
のモード変換器とを全て導波管で構成しているので、0.
5kW以上の大電力のマイクロ波を用いることができ、液
体試料の直接分析なども高感度で行うことが可能とな
る。さらに、冷却気体導入系により放電管などが効率よ
く冷却でき、冷却剤は放出口を介して径方向に外部へ放
出する構成であるので、放電管中に生成したプラズマは
安定に軸方向に拡散され、高感度の発光分析や質量分析
などが可能となる。また、マイクロ波リーク調整系を設
けて冷却気体導入系を含めた軸方向長さをマイクロ波の
少なくとも1/4波長とすることにより、マイクロ波電力
の外部へのリークを低減し、電波障害の問題を解決し、
安全性の高い装置とすることができる。
のモード変換器とを全て導波管で構成しているので、0.
5kW以上の大電力のマイクロ波を用いることができ、液
体試料の直接分析なども高感度で行うことが可能とな
る。さらに、冷却気体導入系により放電管などが効率よ
く冷却でき、冷却剤は放出口を介して径方向に外部へ放
出する構成であるので、放電管中に生成したプラズマは
安定に軸方向に拡散され、高感度の発光分析や質量分析
などが可能となる。また、マイクロ波リーク調整系を設
けて冷却気体導入系を含めた軸方向長さをマイクロ波の
少なくとも1/4波長とすることにより、マイクロ波電力
の外部へのリークを低減し、電波障害の問題を解決し、
安全性の高い装置とすることができる。
なお、上記構成において、上記内導体20はその先端に
ヘリカル状の導体コイル（0.5〜５ターン、内径上記内
導体空胴部21に同じ）を設け、その先端を上記エンドプ
レート60に接続する構成でもよく、限定するものではな
い。
ヘリカル状の導体コイル（0.5〜５ターン、内径上記内
導体空胴部21に同じ）を設け、その先端を上記エンドプ
レート60に接続する構成でもよく、限定するものではな
い。
第２図（ａ），（ｂ）は第１図実施例における外導体
部の別の実施例を示す。（ａ）は外導体の軸方向の長さ
e1を可変に微調節する構成としたもので、外導体50の上
部に銅などから成る第２の外導体51を設け、この第２の
外導体51が軸方向に摺動移動できるように外導体50の外
径と第２の外導体51の内径とを決めて、e1が設定長さと
なった位置で、固定ネジ52によって両者を固定する。な
お、60はエンドプレート、62は放電管貫通孔、70は冷却
気体放出口で、これらは第１図実施例の場合と同じ機能
をもつが、いずれも第２の外導体51に設けられる。一
方、（ｂ）は冷却気体放出口70から放出された冷却気体
によってプラズマが不安定にならないように、冷却気体
の放出方向を径方向からさらに直角だけ下方に向けさせ
る冷却気体方向調整系63を設けた場合を示す。
部の別の実施例を示す。（ａ）は外導体の軸方向の長さ
e1を可変に微調節する構成としたもので、外導体50の上
部に銅などから成る第２の外導体51を設け、この第２の
外導体51が軸方向に摺動移動できるように外導体50の外
径と第２の外導体51の内径とを決めて、e1が設定長さと
なった位置で、固定ネジ52によって両者を固定する。な
お、60はエンドプレート、62は放電管貫通孔、70は冷却
気体放出口で、これらは第１図実施例の場合と同じ機能
をもつが、いずれも第２の外導体51に設けられる。一
方、（ｂ）は冷却気体放出口70から放出された冷却気体
によってプラズマが不安定にならないように、冷却気体
の放出方向を径方向からさらに直角だけ下方に向けさせ
る冷却気体方向調整系63を設けた場合を示す。
第３図は、例えは宇宙におけるプラズマジェット推進
やプラズマプロセシング（半導体デバイスの薄膜形成や
エッチングなど）に適用するのに好適な、放電管80の内
部を減圧してプラズマを生成する実施例断面図である。
ここで、110は“0"リングなどの真空シール、120は真空
容器を示す。このとき、放電管80の外側から電子サイク
ロトロン共鳴条件などから決まる磁界強さの磁界を印加
する構成（図示省略）としてもよい。
やプラズマプロセシング（半導体デバイスの薄膜形成や
エッチングなど）に適用するのに好適な、放電管80の内
部を減圧してプラズマを生成する実施例断面図である。
ここで、110は“0"リングなどの真空シール、120は真空
容器を示す。このとき、放電管80の外側から電子サイク
ロトロン共鳴条件などから決まる磁界強さの磁界を印加
する構成（図示省略）としてもよい。
第４図は本発明において用いる放電管80の具体的な形
状の３例を示す断面図である。（ａ）はプラズマプロセ
シングに用いる一例で、目的に応じて内径２〜30mm程度
の、石英あるいはセラミックスから成る円筒管を適切な
長さに切断して用いる。（ｂ）はプラズマジェットに用
いる一例を示すもので、先端部にノズル部81を設けて、
先端部の内径を末広がりのテーパ状としたものである。
（ｃ）は微量元素分析に用いる一例を示すもので、放電
管（外管）80の後端部の内径中心部に、石英あるいはセ
ラミックスからなる放電管（内管）82を配置して二重管
構造としたものである。83はこれらの外管80、内管82を
固定状に支持する放電管支持具で、110は導入されるプ
ラズマガスや試料が放電管外に流出するのを防止する
“0"リングである。
状の３例を示す断面図である。（ａ）はプラズマプロセ
シングに用いる一例で、目的に応じて内径２〜30mm程度
の、石英あるいはセラミックスから成る円筒管を適切な
長さに切断して用いる。（ｂ）はプラズマジェットに用
いる一例を示すもので、先端部にノズル部81を設けて、
先端部の内径を末広がりのテーパ状としたものである。
（ｃ）は微量元素分析に用いる一例を示すもので、放電
管（外管）80の後端部の内径中心部に、石英あるいはセ
ラミックスからなる放電管（内管）82を配置して二重管
構造としたものである。83はこれらの外管80、内管82を
固定状に支持する放電管支持具で、110は導入されるプ
ラズマガスや試料が放電管外に流出するのを防止する
“0"リングである。
第５図は、放電管80の先端部を冷却する必要のあるプ
ラズマジェット推進などに応用したときの冷却部の構造
の一実施例断面図を示す。ここで、60は前述した外導体
50のエンドプレート、90は絶縁物あるいは金属から成る
冷却器で、その内部を冷却剤（水など）が流通する構造
になっている。また、100は熱伝導度の大きなペースト
で、放電管80の熱が冷却器90に効率よく伝達する作用を
有する。
ラズマジェット推進などに応用したときの冷却部の構造
の一実施例断面図を示す。ここで、60は前述した外導体
50のエンドプレート、90は絶縁物あるいは金属から成る
冷却器で、その内部を冷却剤（水など）が流通する構造
になっている。また、100は熱伝導度の大きなペースト
で、放電管80の熱が冷却器90に効率よく伝達する作用を
有する。
なお、前記偏平導波管10においても、特に大電力のマ
イクロ波の場合、底面壁や上面壁などの外壁部に発生す
る熱を効率よく取り去って温度上昇を低減するために、
外壁部に放熱フインを取り付けたり、第５図実施例と同
様構造の水冷系を設けたりするとよい。
イクロ波の場合、底面壁や上面壁などの外壁部に発生す
る熱を効率よく取り去って温度上昇を低減するために、
外壁部に放熱フインを取り付けたり、第５図実施例と同
様構造の水冷系を設けたりするとよい。
以上説明したように、本発明によれば、モード変換機
能をもつ円筒状同軸導波管を偏平導波管の短絡端より1/
4波長のところに結合する構成としたことにより、大電
力のマイクロ波を、反射電力なしに、効率よくプラズマ
に吸収させることができ、高温高密度のプラズマを安定
に生成することができるようになり、分析機器における
高感度化、プラズマジェットにおける推進力の増大、プ
ラズマプセシングにおけるスループットの向上などが可
能となる。
能をもつ円筒状同軸導波管を偏平導波管の短絡端より1/
4波長のところに結合する構成としたことにより、大電
力のマイクロ波を、反射電力なしに、効率よくプラズマ
に吸収させることができ、高温高密度のプラズマを安定
に生成することができるようになり、分析機器における
高感度化、プラズマジェットにおける推進力の増大、プ
ラズマプセシングにおけるスループットの向上などが可
能となる。
また、本発明において放電管の後端部に設ける冷却気
体導入系の構成によれば、放電管の表面や同軸導波管の
内径部を効率よく冷却させることができ、放電管中に生
成するプラズマをその先端部から安定に軸方向に拡散さ
せることができ、さらに高感度の発光分析や質量分析を
可能とし、さらに大きなプラズマジェット推進力などを
得ることができる。
体導入系の構成によれば、放電管の表面や同軸導波管の
内径部を効率よく冷却させることができ、放電管中に生
成するプラズマをその先端部から安定に軸方向に拡散さ
せることができ、さらに高感度の発光分析や質量分析を
可能とし、さらに大きなプラズマジェット推進力などを
得ることができる。
また、リーク調整系を設けて（上記冷却気体導入系と
一体で構成しても可）、上記冷却気体導入系を含めた軸
方向長さを少なくとも1/4波長として、冷却気体導入系
の下端をマイクロ波の定在波の節とする構成とすること
により、マイクロ波のリークを大幅に低減でき、安全性
が向上するとともに、信号対雑音比が向上する効果があ
る。
一体で構成しても可）、上記冷却気体導入系を含めた軸
方向長さを少なくとも1/4波長として、冷却気体導入系
の下端をマイクロ波の定在波の節とする構成とすること
により、マイクロ波のリークを大幅に低減でき、安全性
が向上するとともに、信号対雑音比が向上する効果があ
る。
本発明のプラズマ発生装置は、これまでに述べた各種
機器、装置への適用以外に、真空紫外線源や準安定原子
源などをはじめ、高圧又は低圧プラズマ源として種々の
分野に用いることができることは自明である。
機器、装置への適用以外に、真空紫外線源や準安定原子
源などをはじめ、高圧又は低圧プラズマ源として種々の
分野に用いることができることは自明である。
第１図は本発明の一実施例を示すマイクロ波プラズマ発
生装置の平面図とそのＸ−Ｘ線断面図、第２図（ａ）は
第１図中の外導体の、（ｂ）は同じく外導体のエンドプ
レートの別の実施例を示す断面図、第３図は本発明にお
いて減圧プラズマを発生するときの一実施例の断面図、
第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）は第１図中の放電管の別
の実施例を示す断面図、第５図は本発明において放電管
の先端部を冷却するときの一実施例の断面図、第６図は
従来技術の断面図と側面図である。 〔符号の説明〕 10……偏平導波管、20……内導体 30……マイクロ波リーク調整系 40……冷却気体導入系、50……外導体 60……エンドプレート、70……冷却気体放出口 80……放電管、90……冷却器 110……真空シール、120……真空容器
生装置の平面図とそのＸ−Ｘ線断面図、第２図（ａ）は
第１図中の外導体の、（ｂ）は同じく外導体のエンドプ
レートの別の実施例を示す断面図、第３図は本発明にお
いて減圧プラズマを発生するときの一実施例の断面図、
第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）は第１図中の放電管の別
の実施例を示す断面図、第５図は本発明において放電管
の先端部を冷却するときの一実施例の断面図、第６図は
従来技術の断面図と側面図である。 〔符号の説明〕 10……偏平導波管、20……内導体 30……マイクロ波リーク調整系 40……冷却気体導入系、50……外導体 60……エンドプレート、70……冷却気体放出口 80……放電管、90……冷却器 110……真空シール、120……真空容器
Claims (11)
- 【請求項１】マイクロ波電力を供給する開口端とこの開
口端と向き合う短絡端を有する偏平導波管に、円筒状同
軸導波管をその中心軸が上記短絡端より1/4波長の位置
にあって電界方向を向くように結合し、上記同軸導波管
の内導体の下端は偏平導波管の底面壁にあけた孔に結合
し上端は開口し、外導体の下端は上記底面壁と対向する
上記偏平導波管の上面壁にあけた孔に結合し上端は内導
体の上端より上方位置にあって導電性エンドプレートで
短絡され、絶縁性の放電管を内導体の内径部を経て先端
が上記エンドプレートの中心部にあけた孔を貫通するよ
うに設置してその後端部からプラズマガスを導入すると
ともに前記放電管を冷却する構成としたことを特徴とす
るマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記放電管の後端部の
外側で円周接線方向に導入される冷却気体を前記内導体
の内径部を経て前記外導体の円筒状空胴部に送り込み、
外導体の外周壁にあけた複数個の放出口から外部に放出
させる冷却気体導入系を備えたことを特徴とするマイク
ロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、マイクロ波リ
ーク調整系を、前記放電管の後端部を囲むように前記内
導体の下端面下方に設け、かつ、前記冷却気体導入系を
含めた軸方向長さを少なくとも使用するマイクロ波の1/
4波長としたことを特徴とするマイクロ波プラズマ発生
装置。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記
外導体の軸方向長さを少なくとも使用するマイクロ波の
1/4波長としたことを特徴とするマイクロ波プラズマ発
生装置。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかにおいて、前記
内導体と外導体の各先端間距離を可変に調整する機構を
備えたことを特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれかにおいて、前記
エンドプレートは、その放電管貫通孔の周辺部の厚さを
貫通孔と同心状にその外側の厚さより薄くしたことを特
徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれかにおいて、前記
放電管を排気系に連結して放電管内部を減圧したことを
特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれかにおいて、前記
放電管の先端部の内径を末広がりのテーパ状にしたこと
を特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項９】請求項１乃至８のいずれかにおいて、前記
放電管を同軸二重管構造とし、その内管に試料を、外管
にプラズマガスを導入したことを特徴とするマイクロ波
プラズマ発生装置。 - 【請求項１０】請求項１乃至９のいずれかにおいて、前
記放電管の先端部の外周に冷却系を設けたことを特徴と
するマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項１１】請求項１乃至10のいずれかにおいて、前
記偏平導波管の管壁の外面に冷却板を設けたことを特徴
とするマイクロ波プラズマ発生装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1231741A JP2922223B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
| US07/577,767 US5063329A (en) | 1989-09-08 | 1990-09-05 | Microwave plasma source apparatus |
| DE4028525A DE4028525A1 (de) | 1989-09-08 | 1990-09-07 | Mikrowellen-plasmaquellenvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1231741A JP2922223B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395899A JPH0395899A (ja) | 1991-04-22 |
| JP2922223B2 true JP2922223B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=16928314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1231741A Expired - Lifetime JP2922223B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5063329A (ja) |
| JP (1) | JP2922223B2 (ja) |
| DE (1) | DE4028525A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4122802C1 (ja) * | 1991-07-10 | 1992-12-17 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
| US5389153A (en) * | 1993-02-19 | 1995-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method |
| US5498308A (en) * | 1994-02-25 | 1996-03-12 | Fusion Systems Corp. | Plasma asher with microwave trap |
| US5625259A (en) * | 1995-02-16 | 1997-04-29 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma applicator with a helical fluid cooling channel surrounding a microwave transparent discharge tube |
| JP3225855B2 (ja) * | 1996-06-06 | 2001-11-05 | 株式会社島津製作所 | 薄膜形成装置 |
| JPH10241625A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | プラズマイオン源質量分析装置及び方法 |
| US6057645A (en) * | 1997-12-31 | 2000-05-02 | Eaton Corporation | Plasma discharge device with dynamic tuning by a movable microwave trap |
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| DE19925790A1 (de) * | 1999-06-05 | 2000-12-07 | Inst Oberflaechenmodifizierung | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von optischen und anderen Oberflächen mittels Hochrate-Plasmaprozessen |
| US6264830B1 (en) | 1999-08-13 | 2001-07-24 | The Coca-Cola Company | On premise water treatment system and method |
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| US9129778B2 (en) | 2011-03-18 | 2015-09-08 | Lam Research Corporation | Fluid distribution members and/or assemblies |
| JP5368514B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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| CN106304602B (zh) * | 2016-09-26 | 2018-07-20 | 吉林大学 | 一种微波耦合等离子体谐振腔 |
| US9987611B1 (en) * | 2017-08-08 | 2018-06-05 | H Quest Vanguard, Inc. | Non-thermal plasma conversion of hydrocarbons |
| US11358869B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-06-14 | H Quest Vanguard, Inc. | Methods and systems for microwave assisted production of graphitic materials |
| GB2582948B (en) * | 2019-04-10 | 2021-12-08 | Thermo Fisher Scient Bremen Gmbh | Plasma source chamber for a spectrometer |
| AT523626B1 (de) | 2020-05-22 | 2021-10-15 | Anton Paar Gmbh | Hohlleiter-Einkoppeleinheit |
| CN111690913B (zh) * | 2020-07-22 | 2023-06-23 | 中南大学 | 一种微波屏蔽管及磁场增强平板pecvd设备 |
| CN116390318A (zh) * | 2023-04-24 | 2023-07-04 | 中国科学院近代物理研究所 | 用于超高功率的ecr离子源的水冷微流道弧腔 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US33386A (en) * | 1861-10-01 | Improvement in caps | ||
| GB1033392A (en) * | 1962-06-20 | 1966-06-22 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to induction coupled plasma generators |
| JPS5939178B2 (ja) * | 1977-04-25 | 1984-09-21 | 株式会社東芝 | 活性化ガス発生装置 |
| US4176295A (en) * | 1978-06-15 | 1979-11-27 | Westinghouse Electric Corp. | High peak power microwave generator using light activated switches |
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| JPS5945900U (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-27 | 住友電気工業株式会社 | 高周波誘導プラズマ用ト−チ |
| DE3310742A1 (de) * | 1983-03-24 | 1984-09-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Plasmabrenner fuer die icp-emissionsspektrometrie |
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| GB2255856B (en) * | 1988-01-07 | 1993-01-27 | Toshiba Kk | Apparatus for introducing samples into an inductively coupled,plasma source mass spectrometer |
| DE3905303C2 (de) * | 1988-02-24 | 1996-07-04 | Hitachi Ltd | Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas durch Mikrowellen |
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-
1989
- 1989-09-08 JP JP1231741A patent/JP2922223B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-05 US US07/577,767 patent/US5063329A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-07 DE DE4028525A patent/DE4028525A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4028525A1 (de) | 1991-03-21 |
| US5063329A (en) | 1991-11-05 |
| JPH0395899A (ja) | 1991-04-22 |
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