JP2005079416A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 減圧可能な容器1内に配置されその上にウエハ3が載置されるステージ2と、ステージ2に対向しウエハ3に略平行に配置された略円形の導電性板7と、導電性板7に接続されステージ2と導電性板7との間に配置された空間にプラズマを形成するための電力を供給する高周波電源11とを備えたプラズマ処理装置であって、前記電力の周波数f1が、真空中における光の速度Cおよび被処理ウエハの直径Dに関して、100MHz<F1<(0.6×C)/(2.0×D)Hzの範囲とする。
【選択図】 図1
Description
Cyclotron Resonance)、UHF(Ultra High Frequency)−ECR等に分けられる。これらの中で、2周波CCPやUHF−ECRタイプのプラズマ源が、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜、low−k膜等の絶縁膜エッチングに用いられている。これら絶縁膜エッチング装置は、いずれも平行平板構造を採っている。また、プラズマソース用の電源の周波数は13.56MHz程度から500MHz程度とし、バイアス電源の周波数は、プラズマソースへの影響を小さくし、効率良くイオンを引き込むために、400kHzから13.56MHz程度のソースよりも低い周波数が用いられている。
Claims (6)
- 減圧可能な容器内に配置されその上にウエハが載置されるステージと、このステージに対向し前記ウエハに略平行に配置された略円形の導電性板と、この導電性板に接続され前記ステージと前記導電板との間に配置された空間にプラズマを形成するための電力を供給する電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記電力の周波数f1が、真空中における光の速度Cおよび被処理ウエハの直径Dに関して、100MHz<f1<(0.6×C)/(2.0×D)Hzの範囲であるプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記電力とは別に、前記導電性板にその周波数が100kHz以上20MHz以下の範囲の電力が供給されるプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記ウエハの直径が約300mmであって、前記導電板に供給される電力の周波数f1が100MHz<f1<300MHzであるプラズマ処理装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記ステージと前記導電板との間の空間に磁場を供給する磁場発生手段を備えたプラズマ処理装置。
- 減圧可能な容器内に配置されその上にウエハが載置されるステージと、前記容器内であって前記ステージに対向し前記ウエハに略平行に配置された略円形の導電性板と、前記導電性板に接続され前記ステージと前記導電板との間に配置された空間にプラズマを形成するための電力を供給する電源と、前記導電板の外周側に配置され前記空間に面する絶縁性の部材とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記電力の周波数f1が、真空中における光の速度Cおよび被処理ウエハの直径Dに関して、100MHz<f1<(0.6×C)/(2.0×D)Hzの範囲であるプラズマ処理装置。 - 請求項5に記載のプラズマ処理装置において、
前記導電板外周側に配置した絶縁性部材が石英若しくは酸化アルミニウムから構成されたプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003309578A JP2005079416A (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004284369A Division JP2005079603A (ja) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | プラズマ処理装置 |
JP2008067773A Division JP2008166844A (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005079416A true JP2005079416A (ja) | 2005-03-24 |
Family
ID=34411673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003309578A Pending JP2005079416A (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005079416A (ja) |
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