JP5747231B2 - プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5747231B2 JP5747231B2 JP2010512945A JP2010512945A JP5747231B2 JP 5747231 B2 JP5747231 B2 JP 5747231B2 JP 2010512945 A JP2010512945 A JP 2010512945A JP 2010512945 A JP2010512945 A JP 2010512945A JP 5747231 B2 JP5747231 B2 JP 5747231B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency antenna
- antenna conductor
- plasma
- generating apparatus
- plasma generating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
Description
a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の壁面に設けられた開口部と、
c) 前記開口部を気密に覆うように取り付けられ、板状であり且つ前記真空容器外側に面し、高周波電源及び接地に接続される高周波アンテナ導体と、
を備えることを特徴とする。
まず、真空容器11内を1.0×10-3Pa以下まで排気した後、図示していないガス導入部より真空容器11内にアルゴンガスを100ccm導入し、真空容器11内の圧力を10Paに調整する。その後、高周波アンテナ導体43に高周波電力を投入して真空容器内にプラズマを発生させた。そして、その生成したプラズマの特性を真空容器11内に設置されたラングミュアプローブ40を用いて測定した。
まず、真空容器11内を1.0×10−3Pa以下まで排気した後、真空容器内にガス導入部(図示せず)よりアルゴンガスを100ccm導入し、真空容器内の圧力を1.33Paに調整した。その後、高周波アンテナ導体63に高周波電力を供給して真空容器内にプラズマを発生させた。その生成したプラズマの密度を真空容器内に設置したラングミュアプローブ(図示せず)を用いて測定した。
12…フランジ
13、33、43、53、63、731、732、733、734、735…高周波アンテナ導体
14、44、64、64A…絶縁碍子枠体
15…第1真空シール
16…第2真空シール
17、47、67…誘電体遮蔽板
18…磁界発生装置
19、191、192、193、194、195、49…開口部
20…高周波電源
21…マッチングボックス
22…冷却水流路
23…切欠部
24…ガス管
25…排気口
29…基体台
30…突起部
40…ラングミュアプローブ
61…凹凸部
61A…ハニカムパターン部
62…銅箔
65…真空シール
74、74A、74B…給電バー
75、75A、75B…接地バー
76…給電点
77…接地点
80…モード切り替えスイッチ
Claims (40)
- a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の壁面に設けられた開口部と、
c) 前記開口部を気密に覆うように取り付けられ、板状であり且つ前記真空容器外側に面し、高周波電源及び接地に接続される高周波アンテナ導体と、
を備えることを特徴とするプラズマ生成装置。 - 前記壁面が導体から成り、前記高周波アンテナ導体と前記壁面の間に絶縁材が介挿されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体を取り付けるためのフランジが前記開口部に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ生成装置。
- 前記開口部を複数有し、各開口部に高周波アンテナ導体が取り付けられる構造であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体が長方形をなし、該高周波アンテナ導体の長手方向の一端がマッチングボックスを介して前記高周波電源に接続され、他端が前記接地に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体が長方形をなし、該高周波アンテナ導体の中央部がマッチングボックスを介して前記高周波電源に接続され、長手方向の両端が前記接地に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記開口部を複数有し、各開口部に前記高周波アンテナ導体が取り付けられ、該複数の高周波アンテナ導体が一定の間隔で平行に配置され、各高周波アンテナ導体の長手方向の一方の端部が給電バーで電気的に接続され、もう一方の端部が接地バーで電気的に接続され、各高周波アンテナ導体に流れる高周波電流が同一になるように給電及び接地されていることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ生成装置。
- 前記給電バーの一方の端部に前記高周波電源が接続され、前記複数の高周波アンテナ導体を挟んで給電バーと対向する接地バーの、前記高周波電源が接続された側の高周波アンテナ導体から数えて最終番目側の端部が前記接地に接続されていることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ生成装置。
- 前記給電バーの中央部が前記高周波電源と電気的に接続され、前記接地バーの両端部がそれぞれ前記接地に接続されていることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ生成装置。
- 前記開口部を複数有し、各開口部に前記高周波アンテナ導体が取り付けられ、該複数の高周波アンテナ導体が一定の間隔で平行に配置され、各高周波アンテナ導体の中央部が給電バーで電気的に接続され、各高周波アンテナ導体の長手方向の両端部が第1の接地バー及び第2の接地バーで電気的に接続され、各高周波アンテナ導体に流れる高周波電流が同一になるように給電及び接地されていることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ生成装置。
- 前記給電バーの一方の端部が前記高周波電源と接続され、前記第1接地バー及び第2接地バーの、前記高周波電源が接続された側の高周波アンテナ導体から数えて最終番目側の端部が前記接地に接続されていることを特徴とする請求項10に記載のプラズマ生成装置。
- 前記給電バーの中央部が前記高周波電源と電気的に接続され、前記第1接地バー及び第2接地バーの両端部がそれぞれ前記接地に接続されていることを特徴とする請求項10に記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体の数が3個以上であり、該平行に並んだ高周波アンテナ導体のうち、少なくとも両端に配置された高周波アンテナ導体の前記真空容器の内部側表面が、両端より内側に配置された高周波アンテナ導体の方向に傾斜していることを特徴とする請求項7〜12のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記平行に並んだ複数の高周波アンテナ導体から成る組を複数有することを特徴とする請求項7〜13のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記複数組の高周波アンテナ導体の各組と接続された前記高周波電源及びマッチングボックスに対して、電力量の制御及びマッチングの調整を個別に行うための調整手段を有することを特徴とする請求項14に記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体の長手方向の長さが、前記高周波電源の周波数の真空波長の8分の1以下であることを特徴とする請求項5〜15のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナを前記接地に接続した状態と接続しない状態で切り替えることにより、プラズマのモードを誘導結合型と容量結合型の切り替えを行う切替手段を有することを特徴とする請求項1〜16のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記真空容器の内部側に前記高周波アンテナ導体の面に垂直な磁界成分を有する磁力線を生成する磁界生成手段を前記真空容器の外側に設置したことを特徴とする請求項1〜17のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記磁界生成手段が永久磁石であることを特徴とする請求項18に記載のプラズマ生成装置。
- 前記磁界生成手段が電磁石であることを特徴とする請求項18に記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体の真空容器内側の面を覆うように遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項1〜20のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記遮蔽板の材料が、酸化物、窒化物、炭化物、又はフッ化物であることを特徴とする請求項21に記載のプラズマ生成装置。
- 前記遮蔽板の材料が、石英、アルミナ、イットリア、あるいは炭化硅素であることを特徴とする請求項21に記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体の真空容器内側の面が誘電体被膜で被覆されていることを特徴とする請求項1〜20のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記誘電体被膜の材料が、酸化物、窒化物、炭化物、又はフッ化物であることを特徴とする請求項24に記載のプラズマ生成装置。
- 前記誘電体被膜の材料が、石英、アルミナ、イットリア、あるいは炭化硅素であることを特徴とする請求項24に記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体の、前記真空容器の内部側表面におけるインピーダンスが該真空容器の外部側表面におけるインピーダンスより低いことを特徴とする請求項1〜26のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体の前記真空容器外部側表面に凹凸が設けられていることを特徴とする請求項27に記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体の前記真空容器外部側表面にハニカムパターンが設けられていることを特徴とする請求項27に記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体の前記真空容器内部側表面が鏡面仕上げされていることを特徴とする請求項27〜29のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体が、基材と、該基材より抵抗率の低い金属部材から成り、前記低抵抗率金属部材が前記基材の前記真空容器内部側の面に接合されていることを特徴とする請求項27〜30のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記基材がステンレス鋼であることを特徴とする請求項31に記載のプラズマ生成装置。
- 前記基材がセラミックスであることを特徴とする請求項31に記載のプラズマ生成装置。
- 前記セラミックスが酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物であることを特徴とする請求項33に記載のプラズマ生成装置。
- 前記低抵抗率金属部材が銀又は銅であることを特徴とする請求項31〜34に記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体に電力を供給する給電部が、前記低抵抗率金属部材と接続されていることを特徴とする請求項31〜35のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記低抵抗率金属部材の厚さが、該低抵抗率属部材に流れる高周波電流に対して表皮効果が及ぶ深さ以上であることを特徴とする請求項31〜36のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記高周波アンテナ導体の前記真空容器内部側表面が、該真空容器内壁面と同一の面上に配置されている、又は該真空容器の内部に突出していることを特徴とする請求項1〜37のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 前記真空容器の壁面に設けられた開口部に、前記高周波アンテナ導体が絶縁材を介して嵌め込まれていることを特徴とする請求項1〜38のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
- 請求項1〜39のいずれかに記載のプラズマ生成装置を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010512945A JP5747231B2 (ja) | 2008-05-22 | 2009-05-21 | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008133881 | 2008-05-22 | ||
JP2008133881 | 2008-05-22 | ||
PCT/JP2009/002234 WO2009142016A1 (ja) | 2008-05-22 | 2009-05-21 | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
JP2010512945A JP5747231B2 (ja) | 2008-05-22 | 2009-05-21 | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009142016A1 JPWO2009142016A1 (ja) | 2011-09-29 |
JP5747231B2 true JP5747231B2 (ja) | 2015-07-08 |
Family
ID=41339956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010512945A Active JP5747231B2 (ja) | 2008-05-22 | 2009-05-21 | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8917022B2 (ja) |
EP (1) | EP2299789A4 (ja) |
JP (1) | JP5747231B2 (ja) |
KR (1) | KR101591404B1 (ja) |
CN (1) | CN102027811B (ja) |
TW (1) | TWI555443B (ja) |
WO (1) | WO2009142016A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181832A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JP2011179096A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
US20130104803A1 (en) | 2010-03-03 | 2013-05-02 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Thin film forming apparatus |
EP2546385A4 (en) * | 2010-03-09 | 2013-08-07 | Emd Corp | sputtering |
JP2011187802A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JP5595136B2 (ja) * | 2010-06-18 | 2014-09-24 | 三菱重工業株式会社 | 誘導結合プラズマ発生装置 |
CN103155718B (zh) * | 2010-09-06 | 2016-09-28 | Emd株式会社 | 等离子处理装置 |
JP5462369B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2014-04-02 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
JP5655865B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2015-01-21 | 日新電機株式会社 | プラズマ装置 |
JP5551635B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2014-07-16 | 三井造船株式会社 | 薄膜形成装置 |
JP5563502B2 (ja) * | 2011-03-10 | 2014-07-30 | 三井造船株式会社 | 薄膜形成装置 |
WO2012132253A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
JP4844697B1 (ja) | 2011-06-24 | 2011-12-28 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20130015053A1 (en) | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Inductively coupled rf plasma source with magnetic confinement and faraday shielding |
JP5018994B1 (ja) * | 2011-11-09 | 2012-09-05 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8904887B2 (en) * | 2011-11-17 | 2014-12-09 | The Aerospace Corporation | Radio frequency transparent thermal window |
US8901820B2 (en) * | 2012-01-31 | 2014-12-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ribbon antenna for versatile operation and efficient RF power coupling |
JP5690299B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2015-03-25 | Jswアフティ株式会社 | プラズマ形成装置 |
US9437400B2 (en) * | 2012-05-02 | 2016-09-06 | Lam Research Corporation | Insulated dielectric window assembly of an inductively coupled plasma processing apparatus |
KR101582838B1 (ko) * | 2013-08-23 | 2016-01-12 | 니신 일렉트릭 컴패니 리미티드 | 플라즈마 처리장치 |
JP2015105398A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 三井造船株式会社 | 皮膜形成装置及び皮膜形成方法 |
CN104810233B (zh) * | 2014-01-23 | 2017-02-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 立体等离子源系统 |
JP6418543B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-11-07 | 株式会社プラズマイオンアシスト | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用アンテナユニット |
JP6603999B2 (ja) | 2015-02-13 | 2019-11-13 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102481432B1 (ko) * | 2015-08-10 | 2022-12-27 | 삼성전자주식회사 | 커버 플레이트 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
GB201603581D0 (en) * | 2016-03-01 | 2016-04-13 | Spts Technologies Ltd | Plasma processing apparatus |
US10896806B2 (en) * | 2016-11-03 | 2021-01-19 | En2Core Technology, Inc. | Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system |
WO2018151114A1 (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 日新電機株式会社 | プラズマ発生用のアンテナ、それを備えるプラズマ処理装置及びアンテナ構造 |
JP6931461B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2021-09-08 | 日新電機株式会社 | プラズマ発生用のアンテナ、それを備えるプラズマ処理装置及びアンテナ構造 |
JP6341329B1 (ja) * | 2017-02-16 | 2018-06-13 | 日新電機株式会社 | プラズマ発生用のアンテナ及びそれを備えるプラズマ処理装置 |
KR102235221B1 (ko) | 2017-02-16 | 2021-04-02 | 닛신덴키 가부시키 가이샤 | 플라즈마 발생용의 안테나, 그것을 구비하는 플라즈마 처리 장치 및 안테나 구조 |
TWI733021B (zh) | 2017-05-15 | 2021-07-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 電漿源組件、處理腔室與處理基板的方法 |
JP7069319B2 (ja) * | 2017-12-15 | 2022-05-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 垂直プラズマ源からの改良されたプラズマ暴露のために成形された電極 |
DE102018103949A1 (de) * | 2018-02-21 | 2019-08-22 | Christof-Herbert Diener | Niederdruckplasmakammer, Niederdruckplasmaanlage und Verfahren zur Herstellung einer Niederdruckplasmakammer |
JP7202641B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-01-12 | 株式会社プラズマイオンアシスト | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR20210150561A (ko) * | 2019-06-05 | 2021-12-10 | 닛신덴키 가부시키 가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP7426709B2 (ja) * | 2019-10-23 | 2024-02-02 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ源 |
JP2021170495A (ja) | 2020-04-16 | 2021-10-28 | 株式会社イー・エム・ディー | 高周波アンテナ及びプラズマ処理装置 |
CN113411943B (zh) * | 2021-05-17 | 2022-05-10 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种降低加热天线射频鞘的电流补偿装置 |
CN116590681B (zh) * | 2023-06-16 | 2023-10-31 | 中科纳微真空科技(合肥)有限公司 | 一种射频平面阴极 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04362091A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ化学気相成長装置 |
JPH08306500A (ja) * | 1995-05-01 | 1996-11-22 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマ発生装置 |
JPH0969399A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH09111460A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-28 | Anelva Corp | チタン系導電性薄膜の作製方法 |
JPH1064697A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-03-06 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH10189293A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-07-21 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH10510095A (ja) * | 1995-09-29 | 1998-09-29 | ラム リサーチ コーポレイション | プラズマ発生方法及び装置 |
JPH11131244A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-18 | Canon Inc | プラズマ発生用高周波電極と、該電極により構成されたプラズマcvd装置及びプラズマcvd法 |
JPH11185996A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JPH11260596A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2000164578A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2003147534A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-05-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 金属膜作製装置 |
JP2003249452A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005079416A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005285564A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006185921A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Samsung Electronics Co Ltd | プラズマ装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3801995A1 (de) | 1988-01-23 | 1989-07-27 | Bayer Ag | (thio)phosphorsaeure-hexafluorbutylester |
JP3640420B2 (ja) * | 1994-11-16 | 2005-04-20 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5589737A (en) | 1994-12-06 | 1996-12-31 | Lam Research Corporation | Plasma processor for large workpieces |
JPH09266174A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質半導体薄膜の製造方法および製造装置 |
WO1997039607A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-23 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de traitement au plasma |
US5846883A (en) * | 1996-07-10 | 1998-12-08 | Cvc, Inc. | Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation |
JPH10134996A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Nec Corp | プラズマ処理装置 |
US6152071A (en) | 1996-12-11 | 2000-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | High-frequency introducing means, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method |
JP4122467B2 (ja) | 1998-02-17 | 2008-07-23 | 株式会社東芝 | 高周波放電装置及び高周波処理装置 |
US6155199A (en) * | 1998-03-31 | 2000-12-05 | Lam Research Corporation | Parallel-antenna transformer-coupled plasma generation system |
US6164241A (en) * | 1998-06-30 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems |
JP2000331993A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
JP3836636B2 (ja) | 1999-07-27 | 2006-10-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | プラズマ発生装置 |
US7098599B2 (en) * | 2000-12-27 | 2006-08-29 | Japan Science & Technology Corporation | Plasma generator |
US7567037B2 (en) * | 2003-01-16 | 2009-07-28 | Japan Science And Technology Agency | High frequency power supply device and plasma generator |
KR101007822B1 (ko) | 2003-07-14 | 2011-01-13 | 주성엔지니어링(주) | 혼합형 플라즈마 발생 장치 |
EP1727186B1 (en) | 2005-05-23 | 2012-01-25 | New Power Plasma Co., Ltd. | Plasma chamber with discharge inducing bridge |
EP2087778A4 (en) | 2006-08-22 | 2010-11-17 | Mattson Tech Inc | INDUCTIVE PLASMA SOURCE WITH HIGH COUPLING EFFICIENCY |
US7845310B2 (en) * | 2006-12-06 | 2010-12-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Wide area radio frequency plasma apparatus for processing multiple substrates |
US7605008B2 (en) * | 2007-04-02 | 2009-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma ignition and complete faraday shielding of capacitive coupling for an inductively-coupled plasma |
US8604697B2 (en) * | 2009-12-09 | 2013-12-10 | Jehara Corporation | Apparatus for generating plasma |
EP2546385A4 (en) * | 2010-03-09 | 2013-08-07 | Emd Corp | sputtering |
-
2009
- 2009-05-21 CN CN200980117009.8A patent/CN102027811B/zh active Active
- 2009-05-21 KR KR1020107028814A patent/KR101591404B1/ko active IP Right Grant
- 2009-05-21 US US12/993,640 patent/US8917022B2/en active Active
- 2009-05-21 EP EP09750378.3A patent/EP2299789A4/en not_active Withdrawn
- 2009-05-21 WO PCT/JP2009/002234 patent/WO2009142016A1/ja active Application Filing
- 2009-05-21 JP JP2010512945A patent/JP5747231B2/ja active Active
- 2009-05-22 TW TW098117035A patent/TWI555443B/zh active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04362091A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ化学気相成長装置 |
JPH08306500A (ja) * | 1995-05-01 | 1996-11-22 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマ発生装置 |
JPH0969399A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH10510095A (ja) * | 1995-09-29 | 1998-09-29 | ラム リサーチ コーポレイション | プラズマ発生方法及び装置 |
JPH09111460A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-28 | Anelva Corp | チタン系導電性薄膜の作製方法 |
JPH1064697A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-03-06 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH10189293A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-07-21 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH11131244A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-18 | Canon Inc | プラズマ発生用高周波電極と、該電極により構成されたプラズマcvd装置及びプラズマcvd法 |
JPH11185996A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JPH11260596A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2000164578A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2003147534A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-05-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 金属膜作製装置 |
JP2003249452A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005079416A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005285564A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006185921A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Samsung Electronics Co Ltd | プラズマ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2009142016A1 (ja) | 2011-09-29 |
KR20110016450A (ko) | 2011-02-17 |
KR101591404B1 (ko) | 2016-02-03 |
EP2299789A1 (en) | 2011-03-23 |
EP2299789A4 (en) | 2013-11-06 |
WO2009142016A1 (ja) | 2009-11-26 |
US20110115380A1 (en) | 2011-05-19 |
TWI555443B (zh) | 2016-10-21 |
CN102027811A (zh) | 2011-04-20 |
US8917022B2 (en) | 2014-12-23 |
CN102027811B (zh) | 2015-12-09 |
TW201012311A (en) | 2010-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5747231B2 (ja) | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 | |
US10090134B2 (en) | Plasma reactor with inductive excitation of plasma and efficient removal of heat from the excitation coil | |
TWI324027B (en) | Plasma producing method and apparatus as well as plasma processing apparatus | |
KR101594636B1 (ko) | 고주파 안테나 유닛 및 플라즈마 처리장치 | |
US20100074807A1 (en) | Apparatus for generating a plasma | |
JP2010225296A (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
JP2007317661A (ja) | プラズマ反応器 | |
KR101496841B1 (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
TWI472268B (zh) | 具有鐵氧體結構之電漿源天線及使用其之電漿產生裝置 | |
JPH11135438A (ja) | 半導体プラズマ処理装置 | |
JP2001035839A (ja) | プラズマ生成装置および半導体製造方法 | |
WO2011111712A1 (ja) | スパッタ装置 | |
JP2017033788A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6468521B2 (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
JP2012133899A (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2011058608A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101572100B1 (ko) | 복합 주파수를 이용한 대면적 플라즈마 반응기 | |
TW200812444A (en) | Compound plasma source and method for dissociating gases using the same | |
KR100806522B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
US20040163595A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20080028848A (ko) | 대면적 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
TWI770144B (zh) | 電漿處理裝置 | |
KR20080028518A (ko) | 대면적 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
KR101585890B1 (ko) | 수직 듀얼 챔버로 구성된 대면적 플라즈마 반응기 | |
JP2017228422A (ja) | プラズマ生成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150305 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150406 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150409 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5747231 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |