JP6468521B2 - 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 - Google Patents
誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6468521B2 JP6468521B2 JP2016245036A JP2016245036A JP6468521B2 JP 6468521 B2 JP6468521 B2 JP 6468521B2 JP 2016245036 A JP2016245036 A JP 2016245036A JP 2016245036 A JP2016245036 A JP 2016245036A JP 6468521 B2 JP6468521 B2 JP 6468521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductively coupled
- antenna conductor
- coupled antenna
- antenna
- antenna unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 114
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Description
この構成ならば、アンテナ導体のインピーダンスを略2分の1に低減でき、均一な放電プラズマを励起できるだけでなく、1台の高周波電源と整合器で複数のアンテナ導体を駆動することができる。また、最短距離の給電路でアンテナ導体に給電でき、最短距離の接地路で接地できるため、高周波電力を無駄なくプラズマ励起に投入できる。更に、プラズマ処理装置への脱着やアンテナユニットのクリーニング等が容易になる。
この構成ならば、前記アンテナ導体の両端部のプラズマ密度を抑制することができ、アンテナ導体の全面に亘って均一な密度のプラズマを励起することができる。
この構成ならば、前記アンテナ導体を水冷することができ、高周波電流による前記アンテナ導体の温度上昇を抑制できる効果がある。
この構成ならば、前記アンテナ導体のスパッタリングによる金属不純物の飛散を防止することができる。
この構成ならば、前記アンテナ導体が放電プラズマに曝されることはなく、スパッタリングによる不純物の飛散を防止することができる。
この構成ならば、前記アンテナ導体の着脱が容易になるためプラズマ処理装置のメンテナンスが容易になる。
この構成ならば、複数個の前記誘導結合型アンテナユニットを真空チャンバの壁面に並列に装着することによって、大面積に亘って均一な高密度の放電プラズマを励起することができる。
<実施例1>
<実施例2>
Claims (7)
- プラズマ処理装置の真空チャンバの壁面に設けられた開口部に気密を保持して装着される誘導結合型アンテナユニットであって、気密を保持して前記開口部を覆う蓋体と、1又は複数の誘導結合型アンテナ導体とを有し、前記誘導結合型アンテナ導体が前記蓋体に沿って前記真空チャンバ内に配置され、前記誘導結合型アンテナ導体の中央部が給電端子板に接続され、前記誘導結合型アンテナ導体の両端部が接地されている前記蓋体に接触した状態で固定されて電気的に直接接続されていることを特徴とする誘導結合型アンテナユニット。
- 前記蓋体の内面と前記誘導結合型アンテナ導体の中央部との間隔が、前記蓋体の内面と前記誘導結合型アンテナ導体の両端部の間隔より大であるV字形状、或いは円弧形状であることを特徴とする請求項1に記載の誘導結合型アンテナユニット。
- 前記誘導結合型アンテナ導体が金属パイプであって一方の端部から他方の端部へと冷却媒体を流して前記誘導結合型アンテナ導体を冷却できる構成であることを特徴とする請求項1または2に記載の誘導結合型アンテナユニット。
- 前記誘導結合型アンテナ導体が誘電体管又は誘電体材料で被覆されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の誘導結合型アンテナユニット。
- 長方形の金属枠体とその底壁に設けた誘電体窓板とからなる筐体内に前記誘導結合型アンテナ導体を収容したことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の誘導結合型アンテナユニット。
- 前記蓋体が前記真空チャンバの内壁の一部であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の誘導結合型アンテナユニット。
- 真空チャンバの壁に設けた1又は複数の開口又は内壁面に、請求項1から6のいずれか一項に記載の前記誘導結合型アンテナユニットを装着していることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016245036A JP6468521B2 (ja) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016245036A JP6468521B2 (ja) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018101463A JP2018101463A (ja) | 2018-06-28 |
JP2018101463A5 JP2018101463A5 (ja) | 2018-08-30 |
JP6468521B2 true JP6468521B2 (ja) | 2019-02-13 |
Family
ID=62714402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016245036A Active JP6468521B2 (ja) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6468521B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6708887B2 (ja) | 2018-09-25 | 2020-06-10 | 株式会社プラズマイオンアシスト | プラズマ処理装置、アンテナ導体又は/及び導電性部材の製造方法 |
JP7202641B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-01-12 | 株式会社プラズマイオンアシスト | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
EP3813092A1 (en) * | 2019-10-23 | 2021-04-28 | EMD Corporation | Plasma source |
JP7426709B2 (ja) * | 2019-10-23 | 2024-02-02 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ源 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220594A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置 |
JP2009142016A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Denso Corp | 車載電力変換回路の駆動装置 |
JP4621287B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2011-01-26 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
JP2010225296A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Emd:Kk | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
JP6418543B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-11-07 | 株式会社プラズマイオンアシスト | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用アンテナユニット |
JP6580830B2 (ja) * | 2015-01-22 | 2019-09-25 | 株式会社Screenホールディングス | プラズマ処理装置 |
-
2016
- 2016-12-19 JP JP2016245036A patent/JP6468521B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018101463A (ja) | 2018-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5747231B2 (ja) | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 | |
JP6468521B2 (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
KR101016147B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 안테나, 플라즈마 처리 장치의 사용방법, 및 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법 | |
KR100471728B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
US20080302761A1 (en) | Plasma processing system and use thereof | |
KR101088876B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 급전 장치 및 플라즈마 처리 장치의 사용 방법 | |
KR100812746B1 (ko) | 플라즈마 생성방법 및 장치 및 플라즈마처리장치 | |
TWI418263B (zh) | Plasma processing device | |
KR101594636B1 (ko) | 고주파 안테나 유닛 및 플라즈마 처리장치 | |
JP2018101463A5 (ja) | ||
JP2007149638A (ja) | プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理装置 | |
JP2021502688A (ja) | 線形化されたエネルギーの無線周波数プラズマイオン供給源 | |
JP2010225296A (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
KR101743306B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
JP2017033788A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI770144B (zh) | 電漿處理裝置 | |
WO2011058608A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN115279938A (zh) | 溅镀装置 | |
JP7398630B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6709478B1 (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
JP2024062955A (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
JP2017010820A (ja) | プラズマ処理装置 | |
EP4394842A1 (en) | Inductive coupling antenna unit and plasma treatment apparatus | |
JP7335490B2 (ja) | スパッタリング装置及びそのクリーニング方法 | |
TWI839097B (zh) | 濺鍍裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20180615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180719 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180719 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180719 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6468521 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |