JP7398630B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
このような構成であれば、上流側流路よりも下流側流路の流路断面を大きくしているので、この下流側流路に電子を閉じ込めることができ、この下流側流路を通過する際に第1ガスを十分に分解させることができる。
このような構成であれば、複数種類の成膜用ガスを用いて成膜する構成において、結合の強いガス(第1ガス)を十分に分解させたうえで成膜処理をすることができる。
本実施形態のプラズマ処理装置100は、図1及び図2に示すように、誘導結合型プラズマPを用いて基板Wに処理を施すものである。ここで、基板Wは、例えば、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(FPD)用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。また、基板Wに施す処理は、例えば、プラズマCVD法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。
より具体的には、一方の成膜用ガス(以下、第1ガスともいう)は、他方の成膜用ガス(以下、第2ガスともいう)よりも結合が強いガスであり、第1ガスとしては、例えばN2、O2、HFX、SiFX、SFX、又はCFXなどを挙げることができ、第2ガスとしては、例えばSiH4、H2、NH3、N2O、NF3、又はArなどを挙げることができる。なお、xは1以上の自然数である。
このように構成した本実施形態のプラズマ処理装置100によれば、第1ガス導入部材7が、ホローカソードとして機能して電子を閉じ込めるので、結合の強い例えばN2等の第1ガスを十分に分解させたうえで成膜処理をすることができる。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
W ・・・基板
P ・・・誘導結合プラズマ
2 ・・・真空容器
3 ・・・アンテナ
2x ・・・ガス供給ポート
5 ・・・第2ガス導入部材
5a ・・・第2ガス導入口
5b ・・・第2ガス導出口
5c ・・・第2ガス流路
5S ・・・第2ガス空間
PS ・・・プラズマ生成空間
7 ・・・第1ガス導入部材
7a ・・・第1ガス導入口
7b ・・・第1ガス導出口
7c ・・・第1ガス流路
7c1・・・上流側流路
7c2・・・下流側流路
7S ・・・第1ガス空間
Z ・・・絶縁部材
V ・・・電源
Claims (5)
- 真空容器内に配置されたアンテナに高周波電流を流すことによって前記真空容器内に誘導結合型プラズマを生成し、当該誘導結合型プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置であって、
第1ガスが流れる第1ガス流路を有し、前記第1ガスを前記誘導結合型プラズマに導入する第1ガス導入部材と、
前記第1ガス導入部材に負の電圧を印加する電源とを備え、
前記第1ガス導入部材が、
前記第1ガスが導入される導入口と、
前記導入口よりも大きく、前記第1ガスを導出する導出口とを有し、
前記第1ガス流路が、
前記導入口に接続された上流側流路と、
前記上流側流路よりも流路断面が大きく、前記導出口に接続された下流側流路とを有し、
前記下流側流路が、前記負の電圧により、電子を前記第1ガス流路内に閉じ込めるホローカソードとして機能することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記下流側流路は、円筒形状をなし、直径が3mm以上40mm以下、軸方向長さが前記直径の1倍以上1.5倍以下である、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1ガスとは別の第2ガスが流れる第2ガス流路を有し、前記第2ガスを前記誘導結合型プラズマに導入する第2ガス導入部材とをさらに備え、
前記第1ガスが、前記第2ガスよりも結合の強いガスである、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1ガス導入部材が、複数の前記第1ガス流路を有する長尺状のものであり、
前記第2ガス導入部材が、複数の前記第2ガス流路を有する長尺状のものであり、
複数の前記第1ガス導入部材及び複数の前記第2ガス導入部材が、前記アンテナの長手方向に沿って、又は、前記アンテナの長手方向と直交する方向に沿って交互に設けられている、請求項3記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1ガスが、N2、O2、HFX、SiFX、SFX、又はCFXの少なくとも1つである、請求項1乃至4のうち何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
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