JP2023114814A - プラズマ処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】荷電粒子の動作を適切に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置（１）は、処理室（２）を備えている。処理室（２）の内部に、被処理物としての被処理基板（Ｈ１）が設置されるステージ（３）と、処理室（２）の内部に誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナ（４）と、所定の電位が印加される内部電極（８）と、を備えている。【選択図】図１

Description

本開示は、プラズマ処理装置に関する。
真空容器内に配置したアンテナを用いて当該真空容器内に誘導結合性のプラズマを発生させるプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、その種別に応じて、発生させたプラズマを用いた所定のプラズマ処理、例えば、化学気相堆積法あるいはスパッタ法による成膜、またはエッチング等の処理を被処理基板などの被処理物に施す。
特開平８－８２３２号公報
プラズマ処理装置では、真空容器（処理室）内において、プラズマ処理の際に発生させるプラズマに含まれた荷電粒子の動作を適切に制御することが重要である。プラズマ処理装置では、被処理物に対する上記荷電粒子の動作に応じて、プラズマ処理の品質に影響を与えるからである。
しかしながら、上記従来のプラズマ処理装置では、荷電粒子の動作を適切に制御することについては開示されていなかった。
本開示は上記の問題点を鑑みてなされたものであり、荷電粒子の動作を適切に制御することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本開示の一側面に係るプラズマ処理装置は、処理室を備えたプラズマ処理装置であって、前記処理室の内部に、被処理物が設置されるステージと、前記処理室の内部に誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナと、所定の電位が印加される内部電極と、を備えている。
本開示の一態様によれば、荷電粒子の動作を適切に制御することができるプラズマ処理装置を提供することができる。
本開示の実施形態１に係るプラズマ処理装置の構成を説明する図である。 図１に示した内部電極の具体的な構成例を説明する図である。 上記内部電極の機能を説明する図である。 本開示の実施形態２に係るプラズマ処理装置の構成を説明する図である。
〔実施形態１〕
以下、本開示の実施形態１について、図１から図２を用いて詳細に説明する。図１は、本開示の実施形態１に係るプラズマ処理装置１の構成を説明する図である。図２は、図１に示した内部電極８の具体的な構成例を説明する図である。
なお、以下の説明では、プラズマ処理として、誘導結合性のプラズマを使用したプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相堆積）法によって被処理基板Ｈ１上に成膜を行うプラズマ装置を例示して説明する。しかしながら、本開示のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理として、例えば、被処理物としての被処理基板Ｈ１に所定物を形成するスパッタリング処理を実施するプラズマ処理装置にも適用することができる。また、本開示のプラズマ処理装置１は、被処理基板Ｈ１から所定物を除去するエッチング処理あるいはアッシング処理を実施するプラズマ処理装置にも適用することができる。
＜プラズマ処理装置１＞
図１に示すように、本実施形態１のプラズマ処理装置１は、被処理物としての被処理基板Ｈ１が設置されるステージとしてのステージ３を備えている。プラズマ処理装置１は処理室２を備え、処理室２の内部において、ステージ３上に載置された被処理基板Ｈ１に対して所定のプラズマ処理を行う。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理装置１の外部との間で被処理基板Ｈ１を搬入出するためのロードロック室（図示せず）を備えている。
また、プラズマ処理装置１は、プラズマ処理装置１の各部を制御する制御部（図示せず）を備えている。この制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等を含み、情報処理に応じて各構成要素の制御を行う機能ブロックである。
被処理基板Ｈ１は、不図示の搬送機構によってロードロック室から処理室２のステージ３上に載置される。また、被処理基板Ｈ１は、上記搬送機構によって処理室２のステージ３からロードロック室の内部に搬送される。被処理基板Ｈ１は、例えば、液晶パネルディスプレイ、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルディスプレイなどに用いられるガラス基板、合成樹脂基板であり得る。また、被処理基板Ｈ１は、各種用途に用いられる半導体基板であり得る。プラズマ処理装置１は、上記所定のプラズマ処理によってバリア（防湿）膜などの所定の被膜を被処理基板Ｈ１上に成膜する。
＜処理室２＞
処理室２は、接地された真空容器を用いて構成されており、当該真空容器の内部が所定の真空度に保たれた状態で、上記制御部の制御によって、所定のプラズマ処理が被処理基板Ｈ１に施されるようになっている。尚、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、ステージ３も接地されている。尚、この説明以外に、後述の実施形態２に示すように、ステージ３の電位も制御することがプラズマ処理をより適切に実施できる点で好ましい。
また、処理室２は、ステージ３の温度を検出する温度センサを備えており（図示せず）、当該温度センサの検出結果は、上記制御部に出力される。そして、制御部は、入力した温度センサの検出結果を用いた、ステージ３の温度についてのフィードバック制御を行うことにより、上記プラズマ処理中に、ステージ３を予め定められた設定温度となるように制御する。
また、処理室２には、上記所定のプラズマ処理に対応した、上記被膜の成膜用ガスを含んだ処理ガスを処理室２の内部に導入する処理ガス供給部が設けられており（図示せず）、処理ガスの雰囲気化で当該プラズマ処理が行われるようになっている。処理ガスは、例えば、アルゴン、水素、窒素、シラン、または酸素である。
＜アンテナ４＞
処理室２の内部には、誘導結合性のプラズマを処理室２の内部に発生させるためのアンテナ４がステージ３の上方に設けられている。つまり、本開示のプラズマ処理装置１は、アンテナ４に高周波電流を流してアンテナ４の近傍に高周波誘導電界を発生させ、誘導結合性のプラズマを生成させる。アンテナ４は、例えば、被処理基板Ｈ１上で直線状に設けられている。アンテナ４の両端部は、処理室２の外部に気密に引き出されている。また、アンテナ４の一方の端部及び他方の端部には、インピーダンス調整部５及びインピーダンス調整部７がそれぞれ接続されている。
インピーダンス調整部５は、整合回路を備えており、当該インピーダンス調整部５を介してアンテナ４の一方の端部が電源６に接続されている。また、インピーダンス調整部７は、可変コンデンサを備えている。アンテナ４の他方の端部は、インピーダンス調整部７を介して接地されている。
電源６は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、インピーダンス調整部５を介してアンテナ４の一方の端部に供給する。上記制御部がインピーダンス調整部７の上記可変コンデンサの容量を変更することにより、処理室２の内部のアンテナ４に高周波電力が効率的に供給されるように制御する。
＜内部電極８＞
処理室２の内部には、内部電極８がアンテナ４に対して被処理基板Ｈ１（ステージ３）の反対側に設けられている。内部電極８は、アンテナ４の背面側で、絶縁スペーサー９を介して処理室２の内部に取り付けられている。つまり、処理室２の内部で、アンテナ４は内部電極８とステージ３との間に配置されている。
内部電極８は、例えば、カーボン板または金属板を用いて構成されている。内部電極８は、処理室２の内部において、上記プラズマに含まれた荷電粒子を制御する制御電極である。すなわち、内部電極８には、内部電極８に接続された電源（図示せず）を含み、当該電源を制御することにより、所定の電位が内部電極８に印加されるように制御する電極電位制御部１０が接続されている。電極電位制御部１０は、上記制御部からの指示に従って、電極電源から内部電極８に印加する印加電圧を可変に調整することにより、内部電極８の電位を所定の電位に制御する。
尚、カーボン板を用いて内部電極８を構成した場合には、カーボン板は、金属板に比べて密度が小さいにもかかわらず、強度が強く、たわみ等が内部電極８に発生しにくい。このため、内部電極８を大型化したときでも、たわみ等に起因した、プラズマの面内不均一性を生じ難くすることができる。
また、金属板には、密度が低く、電気伝導度が高い金属材料を用いることが好ましく、具体的には、アルミニウムまたはアルミニウム合金を用いることが好ましい。また、このような金属材料の金属板を用いて内部電極８を構成した場合には、カーボン板を用いた内部電極８よりも、機械的衝撃に優れた内部電極８を構成することができ、プラズマ処理装置１の耐衝撃性を高めることができる。この結果、例えば、プラズマ処理装置１に対し、不図示のバルブの開閉等に起因する振動等が伝わる場合には、上述の金属板を用いて内部電極８を構成する場合の方が好ましい。
内部電極８は、図２に示すように、例えば、各々円形状に形成された、複数の開口８ａを有するパンチングメタル形状のグリッド電極によって構成されている。内部電極８では、上記荷電粒子の極性に応じて、選択的に運動エネルギーを荷電粒子に与えたり、被処理基板Ｈ１への荷電粒子の到達量を低減させたりする（詳細は後述。）。
なお、上記の説明以外に、例えば、メッシュ状のグリッド電極を内部電極８に用いる構成でもよい。
また、上記の説明以外に、開口８ａを設けていない、平板状の内部電極８を用いることもできる。
＜動作例＞
図３も用いて、本実施形態１のプラズマ処理装置１の動作について具体的に説明する。図３は、上記内部電極８の機能を説明する図である。なお、以下の説明では、内部電極８の動作について主に説明する。また、図３では、被処理基板Ｈ１、アンテナ４及びこれに接続された電源６などの図示は省略する。
図３に示すように、アンテナ４（図１）が動作して処理室２の内部にプラズマが発生すると、当該プラズマに含まれた荷電粒子ｋは、中性粒子ｎと異なり、内部電極８への印加電圧に応じて、移動する。つまり、処理室２の内部では、図３に示すように、ステージ３は、接地されているので、プラスイオンｐ及び電子あるいはマイナスイオンｅからなる荷電粒子ｋは、内部電極８への印加電圧に対応して運動する。つまり、荷電粒子ｋは、その極性に応じて、内部電極８から選択的に運動エネルギーを与えられたり、被処理基板Ｈ１への到達量を低減させられたりする。
具体的にいえば、図３の矢印Ｅにて示すように、電極電位制御部１０が、例えば、内部電極８の電位がプラズマ電位よりも高電位となるように、内部電極８に対して正の電圧を印加する。この場合、プラスイオンｐは、図３に示すように、被処理基板Ｈ１へ向かう方向での運動エネルギーが大きくされる。この結果、被処理基板Ｈ１の表面でのプラスイオンｐの反応を促進することができ、高品質な膜を当該表面上に成膜することができる。
一方、電子あるいはマイナスイオンｅは、図３に示すように、内部電極８へ向かう方向での運動エネルギーが大きくされる。これにより、電子あるいはマイナスイオンｅの被処理基板Ｈ１への到達量を低減することができる。この結果、電子あるいはマイナスイオンｅがプラズマ処理による被処理基板Ｈ１の表面に形成される被膜の膜質を低下させる場合などにおいて、膜質の低下を抑えることができる。
以上のように構成された本実施形態１のプラズマ処理装置１は、処理室２を備えている。本実施形態１のプラズマ処理装置１は、処理室２の内部に、被処理基板Ｈ１（被処理物）が設置されるステージ３と、処理室２の内部に誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナ４とを備えている。また、本実施形態１のプラズマ処理装置１は、処理室２の内部に、所定の電位が印加される内部電極８を備えている。これにより、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、上記従来例と異なり、内部電極８に所定の電位を印加することにより、内部電極８は処理室２の内部のプラズマに含まれた荷電粒子ｋの動作を適切に制御することができる。
すなわち、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナ４を処理室２の内部に備えているため、プラズマを効率よく生成できる。また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、内部電極８を処理室２の内部に備えているため、上記プラズマの荷電粒子のステージ３に対する運動や到達量を直接的に制御することができる。さらに、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、内部電極８に所定の電位を印加することにより、内部電極８と被処理基板Ｈ１との間での電位勾配を大きく形成することができる。
この結果、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、図３に例示したように、プラズマに含まれた荷電粒子ｋの極性に応じて、選択的に運動エネルギーを荷電粒子ｋに与えることができる。このため、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、被処理基板Ｈ１への荷電粒子ｋの到達量を増減することができる。従って、本実施形態１では、上記従来例と異なり、荷電粒子ｋの動作を適切に制御することができ、高品質のプラズマ処理を行えるプラズマ処理装置１を構成することができる。
また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナ４は線状のアンテナであって、内部電極８とステージ３との間に配置することができる。これにより、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナ４によって発生させたプラズマの荷電粒子ｋのプラスイオンｐ及び電子あるいはマイナスイオンｅを、処理内容に応じて、各々被処理基板Ｈ１側または内部電極８側に適切に移動させることができる。この結果、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、被処理基板Ｈ１への荷電粒子ｋのプラスイオンｐまたは電子あるいはマイナスイオンｅの到達量を容易に増減することができる。従って、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、被処理基板Ｈ１に対する高精度なプラズマ処理を容易に行うことができる。
さらに、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナ４とステージ３上の被処理基板Ｈ１との間には、遮蔽物となる、内部電極８を設置していない。それ故、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、プラズマ処理に用いられる、イオンやラジカル等の被処理基板Ｈ１への到達量が多くすることができる。このため、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、成膜レートもしくはエッチングレートを大きくすることができ、タクトタイムを短くしつつ、低コスト化を容易に図ることができる。
また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、ステージ３から見て、アンテナ４の背面側に内部電極８が配置されている。これにより、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナ４とステージ３との間のみならず、アンテナ４の内部電極８側に生成されたプラズマをも含む広範囲のプラズマに対して、内部電極８によりステージ３との間に付与される電界を作用させることができるようになる。よって、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、プラズマの荷電粒子のステージ３に対する運動の制御を効率的に行うことができる。この結果、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、被処理基板Ｈ１に対する高精度なプラズマ処理を容易に行うことができる。
また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナ４には、線状のアンテナ４が用いられている。線状のアンテナ４が複数並べて配置されることにより、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、大型の被処理基板Ｈ１に対応するように、複数のアンテナ４を処理室２の内部に配置することができるようになる。
また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、プラズマ処理として、被処理基板Ｈ１に対してプラズマを使用した化学気相堆積法を行っている。これにより、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、被処理基板Ｈ１に対し、高品質な成膜を施すことができる。
〔実施形態２〕
本開示の実施形態２について、図４を用いて具体的に説明する。図４は、本開示の実施形態２に係るプラズマ処理装置の構成を説明する図である。なお、説明の便宜上、上記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
本実施形態２と上記実施形態１との主な相違点は、処理室２の内部に電位を互いに独立して制御可能な複数の内部電極８を設けた点である。また、ステージ３の電位を可変に制御する点である。
本実施形態２のプラズマ処理装置１では、図４に示すように、複数、例えば、２つの内部電極８及び１８が処理室２の内部に設けられている。内部電極１８は、アンテナ４が内部電極８と内部電極１８との間に配置されるように、アンテナ４に対して、被処理基板Ｈ１（ステージ３）側に設けられている。また、内部電極１８は、絶縁スペーサー１９を介して処理室２の内部に取り付けられている。内部電極１８は、内部電極８と同様に、例えば、パンチングメタル形状に構成されており、図２に示したように、複数の開口を有するカーボン板または金属板からなる（図示せず）。
内部電極１８には、内部電極１８に接続された電極電源（図示せず）を含み、当該電極電源を制御することにより、内部電極１８の電位を制御する電極電位制御部２０が接続されている。電極電位制御部２０は、上記制御部からの指示に従って、電極電源から内部電極１８に印加する印加電圧を可変に調整することにより、内部電極１８の電位を所定の電位に制御する。また、この電極電位制御部２０は、電極電位制御部１０とは互いに独立して制御を行うようになっており、内部電極８及び１８では、各々異なる電位となるように制御可能となっている。
また、本実施形態２のプラズマ処理装置１は、ステージ３の電位を可変に制御可能になっている。具体的には、ステージ３には、ステージ３に接続された電源（図示せず）を含み、当該電源を制御することにより、ステージ３の電位を制御するステージ電位制御部３０が設けられている。
ステージ電位制御部３０は、電極電位制御部１０及び２０と互いに独立して制御を行うようになっている。そして、ステージ電位制御部３０と電極電位制御部１０及び２０とは、ステージ３、内部電極８、及び内部電極１８の電位を各々所定の電位に制御することにより、上記荷電粒子の動作をより適切に制御することができるように構成されている。
具体的にいえば、内部電極８、内部電極１８、及びステージ３の電位をそれぞれ第１の電位、第２の電位、及び第３の電位とした場合、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、例えば、第１の電位＞第２の電位＞第３の電位とする。これにより、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、図３に示したプラスイオンｐ及び電子あるいはマイナスイオンｅに対する制御をより効果的に行うことができる。
すなわち、ステージ３の電位（第３の電位）が最も低くされているため、プラスイオンｐは、ステージ３の電位に誘引されて、被処理基板Ｈ１へ向かう方向での運動エネルギーがより大きくされる。この結果、被処理基板Ｈ１の表面でのプラスイオンｐの反応をより促進することができ、より高品質な膜を当該表面上に成膜することができる。
一方、内部電極８の電位（第１の電位）が最も高くされているため、電子あるいはマイナスイオンｅは、内部電極８の電位に誘引されて、内部電極８へ向かう方向での運動エネルギーがより大きくされる。これにより、電子あるいはマイナスイオンｅの被処理基板Ｈ１への到達量をより低減することができる。この結果、電子あるいはマイナスイオンｅがプラズマ処理による被処理基板Ｈ１の表面に形成される被膜の膜質を低下させる場合などにおいて、膜質の低下をより抑えることができる。
以上の構成により、本実施形態２のプラズマ処理装置１は、第１の実施形態のものと同様な効果を奏する。
また、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、ステージ３の電位を制御するステージ電位制御部３０をさらに備えている。これにより、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、ステージ電位制御部３０がステージ３の電位を制御することにより、荷電粒子ｋの動作をより適切に制御することができるようになる。
また、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、内部電極１８は開口１８ａを備えているので、開口１８ａによって処理室２の内部に生じた荷電粒子ｋや処理室２の内部に導入された処理ガスや成膜前駆体を円滑に通過させることができる。この結果、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、内部電極１８をアンテナ４とステージ３との間に設けた場合でも、プラズマ処理での処理効率の低下を抑えることができる。尚、上記成膜前駆体とは、処理室２の内部に導入される、上記処理ガスや上記処理ガスが分解されて生成した分子および／または原子が、イオン化および／または励起された後のイオンやラジカルである。
また、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、複数の内部電極８及び１８が処理室２の内部に設けられている。また、複数の各内部電極８及び１８には、それぞれ電極電位制御部１０及び２０が接続されており、電極電位制御部１０及び２０は、それぞれ内部電極８及び１８の電位を互いに独立して制御可能である。これにより、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、電極電位制御部１０及び２０がそれぞれ内部電極８及び１８の電位を制御することにより、適切な荷電粒子ｋの動作を確実に制御することができる。すなわち、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、実施形態１のものに比べて、処理室２の内部の電位勾配をより適切に設定することができ、荷電粒子ｋの動作をより高度に制御することができるようになる。
尚、上記の説明以外に、例えば、内部電極８の設置を省略する構成でもよい。また、アンテナ４とステージ３との間に、電位を互いに独立して制御可能な複数の内部電極を設ける構成でもよい。
〔まとめ〕
上記の課題を解決するために、本開示の一側面に係るプラズマ処理装置は、処理室を備えたプラズマ処理装置であって、前記処理室の内部に、被処理物が設置されるステージと、前記処理室の内部に誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナと、所定の電位が印加される内部電極と、を備えている。
上記構成によれば、プラズマ処理装置が、誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナを処理室の内部に備えているため、プラズマを効率よく生成できる。更にプラズマ処理装置が、所定の電位が印加される内部電極を処理室の内部に備えているため、上記プラズマの荷電粒子のステージに対する運動や到達量を直接的に制御することができ、高品質のプラズマ処理を行えるプラズマ処理装置を提供することができる。
上記一側面に係るプラズマ処理装置において、前記アンテナは、前記内部電極と前記ステージとの間に配置されてもよい。
上記構成によれば、ステージから見て、アンテナの背面側に内部電極が配置される。そのため、アンテナの周囲のプラズマ、すなわち、アンテナとステージとの間のみならず、ステージから見て、アンテナの向こう側に生成されたプラズマをも含む広範囲のプラズマに対して、内部電極によりステージとの間に付与される電界を作用させることができるようになる。よって、プラズマの荷電粒子のステージに対する運動や到達量の制御を効率的に行うことができる。この結果、被処理物に対する高精度なプラズマ処理を容易に行うことができる。
上記一側面に係るプラズマ処理装置において、前記アンテナは、線状のアンテナであってもよい。
上記構成によれば、大型の被処理物に対応するように、アンテナを処理室の内部に配置することができるようになる。
上記一側面に係るプラズマ処理装置において、前記ステージの電位を制御するステージ電位制御部をさらに備えてもよい。
上記構成によれば、上記荷電粒子の制御をより適切にすることができるようになる。
上記一側面に係るプラズマ処理装置において、前記内部電極は複数設けられており、前記複数の内部電極にそれぞれ接続された複数の電極電位制御部をさらに備え、前記複数の電極電位制御部は、前記複数の内部電極の電位を互いに独立して制御可能であってもよい。
上記構成によれば、適切な荷電粒子の制御をより高度に行うことができるようになる。
上記一側面に係るプラズマ処理装置において、前記内部電極は、複数の開口を有するカーボン板または金属板からなってもよい。
上記構成によれば、開口によって処理室の内部に生じた荷電粒子や処理室の内部に導入された処理ガスなどを円滑に通過させることができ、当該内部電極をアンテナとステージとの間に設けた場合でも、プラズマ処理での処理効率の低下を抑えることができる。
上記一側面に係るプラズマ処理装置において、前記ステージに設置された前記被処理物への、前記プラズマを用いた化学気相堆積法による成膜を行ってもよい。
上記構成によれば、被処理物に対し、高品質な成膜を施すことができる。
本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態に開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。
１ プラズマ処理装置
２ 処理室
３ ステージ
４ アンテナ
８ 内部電極
８ａ 開口
１０、２０ 電極電位制御部
３０ ステージ電位制御部
Ｈ１ 被処理基板（被処理物）
ｋ 荷電粒子
ｐ プラスイオン
ｅ 電子あるいはマイナスイオン

Claims (7)

  1. 処理室を備えたプラズマ処理装置であって、
    前記処理室の内部に、
    被処理物が設置されるステージと、
    前記処理室の内部に誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナと、
    所定の電位が印加される内部電極と、を備えている、プラズマ処理装置。
  2. 前記アンテナは、前記内部電極と前記ステージとの間に配置されている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記アンテナは、線状のアンテナである、請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記ステージの電位を制御するステージ電位制御部をさらに備えている、請求項１から３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記内部電極は複数設けられており、
    前記複数の内部電極にそれぞれ接続された複数の電極電位制御部をさらに備え、
    前記複数の電極電位制御部は、前記複数の内部電極の電位を互いに独立して制御可能である、請求項１から４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記内部電極は、複数の開口を有するカーボン板または金属板からなる、請求項１から５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記ステージに設置された前記被処理物への、前記プラズマを用いた化学気相堆積法による成膜を行う、請求項１から６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
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