JP2541361B2 - ３極プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
３極プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP2541361B2 JP2541361B2 JP4019194A JP1919492A JP2541361B2 JP 2541361 B2 JP2541361 B2 JP 2541361B2 JP 4019194 A JP4019194 A JP 4019194A JP 1919492 A JP1919492 A JP 1919492A JP 2541361 B2 JP2541361 B2 JP 2541361B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- film
- high frequency
- plasma cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜室内の高周波電極
と接地電極間に導入した原料ガスを、該両電極間に配置
したラジカル制御用の第３電極にてラジカル、イオン挙
動を制御しつつプラズマ化し、このプラズマに前記接地
電極上の基板を曝して該基板上に薄膜を形成するプラズ
マＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）装置に関する。
と接地電極間に導入した原料ガスを、該両電極間に配置
したラジカル制御用の第３電極にてラジカル、イオン挙
動を制御しつつプラズマ化し、このプラズマに前記接地
電極上の基板を曝して該基板上に薄膜を形成するプラズ
マＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置はアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）太陽電池、液晶表示装置等の各種薄膜
デバイスの形成に広く使用されている。プラズマＣＶＤ
装置には種々のタイプのものがあるが、その中には図４
に示すように、成膜室内に対向する高周波電極及び接地
電極を配置し、前記両電極間にラジカル制御用の第３電
極を備えた３極プラズマＣＶＤ装置がある。
コン（ａ−Ｓｉ）太陽電池、液晶表示装置等の各種薄膜
デバイスの形成に広く使用されている。プラズマＣＶＤ
装置には種々のタイプのものがあるが、その中には図４
に示すように、成膜室内に対向する高周波電極及び接地
電極を配置し、前記両電極間にラジカル制御用の第３電
極を備えた３極プラズマＣＶＤ装置がある。
【０００３】図示の従来例３極プラズマＣＶＤ装置で
は、成膜室１に高周波電極２と接地電極３が対向配置さ
れるとともに、該両電極間に通常多数の孔を有するか又
はメッシュ状の第３電極４が配置され、高周波電極２に
はマッチングボックス２１及びＲＦパワーアンプ２２を
介して高周波信号発生器２３が接続され、接地電極３に
は基板９が配置され、該基板はヒータ５にて成膜温度に
制御される。第３電極４は接地されるか、或いは状況に
応じて正又は負のバイアス電圧が印加される。また、成
膜室１には所定真空度を得るためにバルブ６１を介して
排気ポンプ６が接続されるとともに、原料ガスを供給す
るためにバルブ７を介して原料ガス供給源８が接続され
る。
は、成膜室１に高周波電極２と接地電極３が対向配置さ
れるとともに、該両電極間に通常多数の孔を有するか又
はメッシュ状の第３電極４が配置され、高周波電極２に
はマッチングボックス２１及びＲＦパワーアンプ２２を
介して高周波信号発生器２３が接続され、接地電極３に
は基板９が配置され、該基板はヒータ５にて成膜温度に
制御される。第３電極４は接地されるか、或いは状況に
応じて正又は負のバイアス電圧が印加される。また、成
膜室１には所定真空度を得るためにバルブ６１を介して
排気ポンプ６が接続されるとともに、原料ガスを供給す
るためにバルブ７を介して原料ガス供給源８が接続され
る。
【０００４】この装置によると、接地電極３上の基板９
がヒータ５にて成膜温度に制御され、成膜室１内が排気
ポンプ６にて所定の成膜真空度に維持されつつ該成膜室
に原料ガス供給源８から原料ガスが導入され、高周波電
極２に高周波電力が印加されることで、該ガスがプラズ
マ化される。第３電極４がこのプラズマから出るイオ
ン、ラジカルの基板９表面に達する量をコントロールす
ることで該表面上に所望の薄膜が堆積形成される。
がヒータ５にて成膜温度に制御され、成膜室１内が排気
ポンプ６にて所定の成膜真空度に維持されつつ該成膜室
に原料ガス供給源８から原料ガスが導入され、高周波電
極２に高周波電力が印加されることで、該ガスがプラズ
マ化される。第３電極４がこのプラズマから出るイオ
ン、ラジカルの基板９表面に達する量をコントロールす
ることで該表面上に所望の薄膜が堆積形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の３極プラズマＣＶＤ装置によると、基板９への成
膜中に第３電極４にも膜の付着がみられ、この膜片がパ
ーティクルとなって基板９上に降り注ぎ、基板上の膜に
付着したり、混入したりし、これが最終デバイスの欠陥
になるという問題がある。
従来の３極プラズマＣＶＤ装置によると、基板９への成
膜中に第３電極４にも膜の付着がみられ、この膜片がパ
ーティクルとなって基板９上に降り注ぎ、基板上の膜に
付着したり、混入したりし、これが最終デバイスの欠陥
になるという問題がある。
【０００６】そこで本発明は、第３電極への膜の付着を
抑制して第３電極から基板へ向かうパーティクルを低減
させることができ、それによって、従来に比べ良質の成
膜を行える３極プラズマＣＶＤ装置を提供することを目
的とする。
抑制して第３電極から基板へ向かうパーティクルを低減
させることができ、それによって、従来に比べ良質の成
膜を行える３極プラズマＣＶＤ装置を提供することを目
的とする。
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的に従
い、高周波電極と接地電極の間に配置したラジカル制御
用の、全体的に多数の孔を有する第３電極を誘導加熱で
きる手段が設けられており、該誘導加熱手段は、前記第
３電極に対し配置されて高周波電圧を印加される ことで
該第３電極をそれへの膜付着を抑制するように、全体的
に被成膜基板より高温に加熱可能の誘導コイルを含んで
いることを特徴とする３極プラズマＣＶＤ装置、及び 高
周波電極と接地電極との間に配置したラジカル制御用
の、全体的に多数の孔を有する第３電極を通電加熱する
手段が設けられており、該通電加熱手段は、前記第３電
極をそれへの膜付着を抑制するように、全体的に被成膜
基板より高温に加熱可能に該第３電極に直接通電できる
ように構成されていることを特徴とする３極プラズマＣ
ＶＤ装置を提供するものである。前記第３電極の加熱手
段は、プラズマＣＶＤ装置内では成膜すべき基板より温
度が高い部分には膜が付着しにくいことに着目して設け
られたものである。前記第３電極を誘導加熱する手段と
しては、該電極の周りに誘導コイルを設置してこれに高
周波電圧を印加することで該電極全体を誘導加熱するも
の、第３電極面に対し誘導コイルを設け、これに高周波
電圧を印加することで該電極全体を誘導加熱するもの等
が考えられる。第３電極の材質としてはカーボン、金属
等が考えられる。
い、高周波電極と接地電極の間に配置したラジカル制御
用の、全体的に多数の孔を有する第３電極を誘導加熱で
きる手段が設けられており、該誘導加熱手段は、前記第
３電極に対し配置されて高周波電圧を印加される ことで
該第３電極をそれへの膜付着を抑制するように、全体的
に被成膜基板より高温に加熱可能の誘導コイルを含んで
いることを特徴とする３極プラズマＣＶＤ装置、及び 高
周波電極と接地電極との間に配置したラジカル制御用
の、全体的に多数の孔を有する第３電極を通電加熱する
手段が設けられており、該通電加熱手段は、前記第３電
極をそれへの膜付着を抑制するように、全体的に被成膜
基板より高温に加熱可能に該第３電極に直接通電できる
ように構成されていることを特徴とする３極プラズマＣ
ＶＤ装置を提供するものである。前記第３電極の加熱手
段は、プラズマＣＶＤ装置内では成膜すべき基板より温
度が高い部分には膜が付着しにくいことに着目して設け
られたものである。前記第３電極を誘導加熱する手段と
しては、該電極の周りに誘導コイルを設置してこれに高
周波電圧を印加することで該電極全体を誘導加熱するも
の、第３電極面に対し誘導コイルを設け、これに高周波
電圧を印加することで該電極全体を誘導加熱するもの等
が考えられる。第３電極の材質としてはカーボン、金属
等が考えられる。
【０００９】
【作用】本発明の３極プラズマＣＶＤ装置によると、装
置内に設置した基板上に成膜中、全体的に多数の孔を有
する第３電極全体を、その誘導加熱手段又は通電加熱手
段にて該基板の温度以上に、全体的に昇温させることに
より、該第３電極への膜の付着が該電極の全体にわたり
抑制され、従って、該第３電極から基板上へ向かうパー
ティクルも低減する。また、高周波電極と接地電極との
間に位置する第３電極をこのように加熱することによ
り、該電極付近の原料ガスが分解されて膜質が向上す
る。
置内に設置した基板上に成膜中、全体的に多数の孔を有
する第３電極全体を、その誘導加熱手段又は通電加熱手
段にて該基板の温度以上に、全体的に昇温させることに
より、該第３電極への膜の付着が該電極の全体にわたり
抑制され、従って、該第３電極から基板上へ向かうパー
ティクルも低減する。また、高周波電極と接地電極との
間に位置する第３電極をこのように加熱することによ
り、該電極付近の原料ガスが分解されて膜質が向上す
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の１実施例である３極プラズマＣ
ＶＤ装置の概略構成を示している。この装置は、図４に
示す従来装置を改良したもので、多孔円板形状のカーボ
ン製の第３電極４ａの周りに誘導コイル４１を配置し、
これに誘導加熱用高周波電源４２を接続した点が、従来
装置に対する改良点である。その他の構成は図４に示す
装置と同様であり、図４の装置における部品と同部品に
ついては同じ参照符号を付けてある。
する。図１は、本発明の１実施例である３極プラズマＣ
ＶＤ装置の概略構成を示している。この装置は、図４に
示す従来装置を改良したもので、多孔円板形状のカーボ
ン製の第３電極４ａの周りに誘導コイル４１を配置し、
これに誘導加熱用高周波電源４２を接続した点が、従来
装置に対する改良点である。その他の構成は図４に示す
装置と同様であり、図４の装置における部品と同部品に
ついては同じ参照符号を付けてある。
【００１１】図２は、本発明の他の実施例における第３
電極４ｂとその誘導加熱手段を示している。電極４ｂは
図１の実施例における電極４ａと同材質、形状のもので
あり、誘導加熱手段は、電極４ｂの下面全面に対応する
ように誘導コイル４３を配置し、このコイルに誘導加熱
用高周波電源４４を接続したものである。この実施例に
おける他の点は図１の装置と同様であるので、図示を省
略する。
電極４ｂとその誘導加熱手段を示している。電極４ｂは
図１の実施例における電極４ａと同材質、形状のもので
あり、誘導加熱手段は、電極４ｂの下面全面に対応する
ように誘導コイル４３を配置し、このコイルに誘導加熱
用高周波電源４４を接続したものである。この実施例に
おける他の点は図１の装置と同様であるので、図示を省
略する。
【００１２】図３は、本発明のさらに他の実施例におけ
る第３電極４ｃとその通電加熱手段を示している。電極
４ｃは多孔円板形状のカーボン製の電極であり、通電加
熱手段はこの電極に接続した通電加熱用の直流電源４５
である。この実施例における他の点は図１の装置と同様
であるので、図示を省略する。図示していないさらに他
の実施例では、図３の第３電極４ｃに代えて多孔円板形
状のモリブデン（Ｍｏ）製の第３電極を採用し、この電
極に通電加熱用の交流又は直流電源を接続する。
る第３電極４ｃとその通電加熱手段を示している。電極
４ｃは多孔円板形状のカーボン製の電極であり、通電加
熱手段はこの電極に接続した通電加熱用の直流電源４５
である。この実施例における他の点は図１の装置と同様
であるので、図示を省略する。図示していないさらに他
の実施例では、図３の第３電極４ｃに代えて多孔円板形
状のモリブデン（Ｍｏ）製の第３電極を採用し、この電
極に通電加熱用の交流又は直流電源を接続する。
【００１３】以上説明したいずれの実施例においても、
接地電極３上の基板９がヒータ５にて成膜温度に制御さ
れ、成膜室１内が排気ポンプ６にて所定の成膜真空度に
維持されつつ該成膜室に原料ガス供給源８から原料ガス
が導入され、高周波電極２に高周波電力が印加されるこ
とで、原料ガスがプラズマ化し、第３電極４ａ、４ｂ、
４ｃ等により、基板９へ到達するラジカル、イオンがコ
ントロールされ、基板９表面に所望の薄膜が堆積形成さ
れる。
接地電極３上の基板９がヒータ５にて成膜温度に制御さ
れ、成膜室１内が排気ポンプ６にて所定の成膜真空度に
維持されつつ該成膜室に原料ガス供給源８から原料ガス
が導入され、高周波電極２に高周波電力が印加されるこ
とで、原料ガスがプラズマ化し、第３電極４ａ、４ｂ、
４ｃ等により、基板９へ到達するラジカル、イオンがコ
ントロールされ、基板９表面に所望の薄膜が堆積形成さ
れる。
【００１４】かかる成膜中、第３電極及びその加熱手段
が図１のものでは、誘導コイル４１に電源４２から電圧
が印加されることで電極４ａ全体が基板９より高温に誘
導加熱され、図２のものでは、誘導コイル４３に電源４
４から電圧が印加されることで電極４ｂ全体が基板９よ
り高温に誘導加熱され、また、図３に示すタイプのもの
では、第３電極４ｃに電源から通電されることで、該電
極全体が基板９より高温に通電加熱され、かくして、全
体的に多数の孔を有する第３電極全体が基板９より高温
に昇温して、それへの膜の付着が全体的に抑制される。
そしてこれにより、第３電極から基板９へ降り注ぐパー
ティクルがそれだけ低減し、基板９上に良質の膜が形成
される。また、第３電極をこのように加熱することで該
電極付近の原料ガスが加熱されて膜質が向上する。
が図１のものでは、誘導コイル４１に電源４２から電圧
が印加されることで電極４ａ全体が基板９より高温に誘
導加熱され、図２のものでは、誘導コイル４３に電源４
４から電圧が印加されることで電極４ｂ全体が基板９よ
り高温に誘導加熱され、また、図３に示すタイプのもの
では、第３電極４ｃに電源から通電されることで、該電
極全体が基板９より高温に通電加熱され、かくして、全
体的に多数の孔を有する第３電極全体が基板９より高温
に昇温して、それへの膜の付着が全体的に抑制される。
そしてこれにより、第３電極から基板９へ降り注ぐパー
ティクルがそれだけ低減し、基板９上に良質の膜が形成
される。また、第３電極をこのように加熱することで該
電極付近の原料ガスが加熱されて膜質が向上する。
【００１５】ここで、成膜条件として次の同一条件を採
用し、第３電極及びその加熱手段として前記実施例のも
のを採用した場合のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
膜形成実験及び第３電極を加熱しない図４に示す従来例
による同膜形成実験並びにそれらの結果を示す。 （成膜条件） 成膜室１内の成膜真空度：０．４〜０．６Ｔｏｒｒ 高周波電極２へ印加する高周波電力：１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ 成膜温度（基板９の温度）：３００℃ 基板９：８インチシリコン（Ｓｉ）基板 成膜ガス：シラン（ＳｉＨ４）５０ｃｃｍ 水素（Ｈ２） ２５０ｃｃｍ 第３電極加熱温度：３００℃より高温〜４００℃ （実験例１−１） 図１の第３電極４ａ及び加熱手段使用 電極４ａの材質：カーボン 電極４ａのメッシュサイズ：０．５〜２ｍｍ 電極４ａの加熱方法：高周波電源４２（ＲＦ４００Ｈｚ、１ｋＷ）による誘導 加熱 （実験例１−２） 図２の第３電極４ｂ及び加熱手段使用 電極４ｂの材質：カーボン 電極４ｂのメッシュサイズ：０．５〜２ｍｍ 電極４ｂの加熱方法：高周波電源４４（ＲＦ４００Ｈｚ、１ｋＷ）による誘導 加熱 （実験例２） 図３の第３電極及び加熱手段使用 電極４ｃの材質：カーボン 電極４ｃのメッシュサイズ：０．５〜２ｍｍ 電極４ｃの加熱方法：直流電源４５（６０Ｖ、２０Ａ）による通電加熱 （実験例３） 図３のタイプの第３電極及び加熱手段使用 第３電極の材質：モリブデン（Ｍｏ） 第３電極のメッシュサイズ：０．２５〜２ｍｍ 第３電極の加熱方法：直流電源（１００Ｖ、５Ａ）による通電加熱 （従来例に関する実験例） 図４の第３電極４（接地）使用 電極４の材質：モリブデン（Ｍｏ）（又はステンレススチール） 電極４のメッシュサイズ：０．５〜２ｍｍ 以上の実験結果は、次のとおりである。
用し、第３電極及びその加熱手段として前記実施例のも
のを採用した場合のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
膜形成実験及び第３電極を加熱しない図４に示す従来例
による同膜形成実験並びにそれらの結果を示す。 （成膜条件） 成膜室１内の成膜真空度：０．４〜０．６Ｔｏｒｒ 高周波電極２へ印加する高周波電力：１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ 成膜温度（基板９の温度）：３００℃ 基板９：８インチシリコン（Ｓｉ）基板 成膜ガス：シラン（ＳｉＨ４）５０ｃｃｍ 水素（Ｈ２） ２５０ｃｃｍ 第３電極加熱温度：３００℃より高温〜４００℃ （実験例１−１） 図１の第３電極４ａ及び加熱手段使用 電極４ａの材質：カーボン 電極４ａのメッシュサイズ：０．５〜２ｍｍ 電極４ａの加熱方法：高周波電源４２（ＲＦ４００Ｈｚ、１ｋＷ）による誘導 加熱 （実験例１−２） 図２の第３電極４ｂ及び加熱手段使用 電極４ｂの材質：カーボン 電極４ｂのメッシュサイズ：０．５〜２ｍｍ 電極４ｂの加熱方法：高周波電源４４（ＲＦ４００Ｈｚ、１ｋＷ）による誘導 加熱 （実験例２） 図３の第３電極及び加熱手段使用 電極４ｃの材質：カーボン 電極４ｃのメッシュサイズ：０．５〜２ｍｍ 電極４ｃの加熱方法：直流電源４５（６０Ｖ、２０Ａ）による通電加熱 （実験例３） 図３のタイプの第３電極及び加熱手段使用 第３電極の材質：モリブデン（Ｍｏ） 第３電極のメッシュサイズ：０．２５〜２ｍｍ 第３電極の加熱方法：直流電源（１００Ｖ、５Ａ）による通電加熱 （従来例に関する実験例） 図４の第３電極４（接地）使用 電極４の材質：モリブデン（Ｍｏ）（又はステンレススチール） 電極４のメッシュサイズ：０．５〜２ｍｍ 以上の実験結果は、次のとおりである。
【００１６】 以上の結果から分かるとおり、本発明において第３電極
を全体的に基板９の成膜温度より高温に加熱することに
より、基板上のパーティクル数が大幅に低減している。
を全体的に基板９の成膜温度より高温に加熱することに
より、基板上のパーティクル数が大幅に低減している。
【００１７】なお、本発明は基板がＳｉ基板以外のガラ
ス基板等にも適用でき、また、形成する膜がＳｉＮ膜、
ＳｉＯＮ膜等の場合でも有効である。
ス基板等にも適用でき、また、形成する膜がＳｉＮ膜、
ＳｉＯＮ膜等の場合でも有効である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、第
３電極への膜の付着を抑制して第３電極から基板へ向か
うパーティクルを低減させることができ、それによっ
て、従来に比べ良質の成膜を行える３極プラズマＣＶＤ
装置を提供することができる。また、高周波電極と接地
電極との間に位置する第３電極を加熱することで膜質が
向上する。
３電極への膜の付着を抑制して第３電極から基板へ向か
うパーティクルを低減させることができ、それによっ
て、従来に比べ良質の成膜を行える３極プラズマＣＶＤ
装置を提供することができる。また、高周波電極と接地
電極との間に位置する第３電極を加熱することで膜質が
向上する。
【図１】本発明の一実施例の概略構成図である。
【図２】本発明の他の実施例における第３電極とその誘
導加熱手段を示す図である。
導加熱手段を示す図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例における第３電極と
その通電加熱手段を示す図である。
その通電加熱手段を示す図である。
【図４】従来例の概略構成図である。
１ 成膜室 ２ 高周波電極 ２１ マッチングボックス ２２ ＲＦパワーアンプ ２３ 高周波信号発生器 ３ 接地電極 ４、４ａ、４ｂ、４ｃ 第３電極 ４１、４３ 誘導コイル ４２、４４ 誘導加熱用高周波電源 ４５ 直流電源 ５ ヒータ ６ 排気ポンプ ６１ バルブ ７ バルブ ８ 原料ガス供給源
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波電極と接地電極との間に配置した
ラジカル制御用の、全体的に多数の孔を有する第３電極
を誘導加熱する手段が設けられており、該誘導加熱手段
は、前記第３電極に対し配置されて高周波電圧を印加さ
れることで該第３電極をそれへの膜付着を抑制するよう
に、全体的に被成膜基板より高温に加熱できる誘導コイ
ルを含んでいることを特徴とする３極プラズマＣＶＤ装
置。 - 【請求項２】 高周波電極と接地電極との間に配置した
ラジカル制御用の、全体的に多数の孔を有する第３電極
を通電加熱する手段が設けられており、該通電加熱手段
は、前記第３電極をそれへの膜付着を抑制するように、
全体的に被成膜基板より高温に加熱可能に該第３電極に
直接通電できるように構成されていることを特徴とする
３極プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4019194A JP2541361B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | ３極プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4019194A JP2541361B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | ３極プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217907A JPH05217907A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2541361B2 true JP2541361B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=11992542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4019194A Expired - Fee Related JP2541361B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | ３極プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541361B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI127769B (en) * | 2016-03-11 | 2019-02-15 | Beneq Oy | Apparatus and method |
| JP2023114814A (ja) * | 2022-02-07 | 2023-08-18 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029121A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマエッチング装置 |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP4019194A patent/JP2541361B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05217907A (ja) | 1993-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6071797A (en) | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition | |
| JPH07115062A (ja) | 薄膜の製造方法および製造装置 | |
| JP2541361B2 (ja) | ３極プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2000260721A (ja) | 化学的気相成長装置、化学的気相成長方法および化学的気相成長装置のクリーニング方法 | |
| US5609691A (en) | Plasma CVD apparatus for forming a thin film of uniform thickness | |
| JP2003137521A (ja) | 成膜方法 | |
| JP3259452B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3282326B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0124866B2 (ja) | ||
| JPH08209349A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0740766U (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2609844B2 (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH05160028A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH0578850A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6323826B2 (ja) | ||
| JP3022794B2 (ja) | ダイヤモンド様炭素薄膜堆積装置 | |
| JPH057462B2 (ja) | ||
| JPH05160044A (ja) | プラズマｃｖｄ法及び装置 | |
| JPH0514904B2 (ja) | ||
| JPH06291054A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0645897B2 (ja) | 炭素薄膜あるいは炭素粒子の気相合成法 | |
| JPS6132417A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0643632B2 (ja) | プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 | |
| JPS59227709A (ja) | アモルフアス・シリコンの成膜装置 | |
| JPS6333573A (ja) | 電子写真用感光体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950926 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960604 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |