JPH0124866B2 - - Google Patents
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- JPH0124866B2 JPH0124866B2 JP12157880A JP12157880A JPH0124866B2 JP H0124866 B2 JPH0124866 B2 JP H0124866B2 JP 12157880 A JP12157880 A JP 12157880A JP 12157880 A JP12157880 A JP 12157880A JP H0124866 B2 JPH0124866 B2 JP H0124866B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放電、殊にグロー放電を利用して、
例えば光導電膜、半導体膜、無機絶縁膜或いは有
機樹脂膜を形成するに有効な堆積膜の製造法に関
する。
例えば光導電膜、半導体膜、無機絶縁膜或いは有
機樹脂膜を形成するに有効な堆積膜の製造法に関
する。
堆積膜形成用の原料ガスを減圧にし得る堆積室
内に所定圧で導入し、放電によるプラズマ現象を
利用して所定の支持体上に所望の特性を有する堆
積膜を形成する場合、堆積速度が遅いことが、こ
の方式の工業化に於ける大きな問題点となつてい
る。
内に所定圧で導入し、放電によるプラズマ現象を
利用して所定の支持体上に所望の特性を有する堆
積膜を形成する場合、堆積速度が遅いことが、こ
の方式の工業化に於ける大きな問題点となつてい
る。
例えば、SiH4ガスを放電エネルギを使つて分
解し、所定の支持体上にアモルフアス水素化シリ
コン（ａ−Si：Ｈ）膜を形成してこの膜の電気的
もしくは光電的物性を利用しようとする場合、現
状では所望の特性を得る為にガス圧、ガス流量、
放電パワー等の製作条件を最適化しても、堆積速
度は高々＋数Å／secと遅く生産性の上で満足さ
れるものとは言えない。
解し、所定の支持体上にアモルフアス水素化シリ
コン（ａ−Si：Ｈ）膜を形成してこの膜の電気的
もしくは光電的物性を利用しようとする場合、現
状では所望の特性を得る為にガス圧、ガス流量、
放電パワー等の製作条件を最適化しても、堆積速
度は高々＋数Å／secと遅く生産性の上で満足さ
れるものとは言えない。
とくに、電子写真用の感光体として用いる場合
には膜厚が10μ以上必要となるために堆積速度の
遅さが致命的欠点ともなり得る。
には膜厚が10μ以上必要となるために堆積速度の
遅さが致命的欠点ともなり得る。
本発明は、斯かる点に鑑み成されたものであつ
て、所望の特性を有し良品質の堆積膜が効率良く
高速で製造出来る堆積膜の製造法を提案すること
を目的とする。
て、所望の特性を有し良品質の堆積膜が効率良く
高速で製造出来る堆積膜の製造法を提案すること
を目的とする。
上記目的を達成する本発明の堆積膜の製造法は
減圧にされ得る堆積室内に所望圧で堆積膜形成用
の原料ガスを導入し、放電によつて前記ガスを分
解して所望の支持体上に堆積膜を形成する堆積膜
の製造法において、第１の電極と第２の電極とを
前記堆積室内に対向させて配置し、前記第１の電
極と前記第２の電極との間であつて且つ前記第２
の電極側に近い位置に多数の貫通した開口を有す
る第３の電極を、該第３の電極に対して前記第１
の電極とは反対側の位置に前記支持体を夫々配置
し、前記第２、第３の電極に印加されるバイアス
電圧を夫々この順番にV2、V3、前記第１の電極
と前記第３の電極との間の距離をd13、前記第３
の電極と前記第２の電極との間の距離をd32とす
るとき、 ｜V2｜＞｜V3｜ 且つ ｜V3／d13｜＞｜V3−V2／d32｜ を満たすように前記第２、第３の各電極にバイア
ス電圧を印加することを特徴とする。
減圧にされ得る堆積室内に所望圧で堆積膜形成用
の原料ガスを導入し、放電によつて前記ガスを分
解して所望の支持体上に堆積膜を形成する堆積膜
の製造法において、第１の電極と第２の電極とを
前記堆積室内に対向させて配置し、前記第１の電
極と前記第２の電極との間であつて且つ前記第２
の電極側に近い位置に多数の貫通した開口を有す
る第３の電極を、該第３の電極に対して前記第１
の電極とは反対側の位置に前記支持体を夫々配置
し、前記第２、第３の電極に印加されるバイアス
電圧を夫々この順番にV2、V3、前記第１の電極
と前記第３の電極との間の距離をd13、前記第３
の電極と前記第２の電極との間の距離をd32とす
るとき、 ｜V2｜＞｜V3｜ 且つ ｜V3／d13｜＞｜V3−V2／d32｜ を満たすように前記第２、第３の各電極にバイア
ス電圧を印加することを特徴とする。
この様な特徴を有する本発明の堆積膜の製造法
によれば、上記堆積室中の放電によつて生起され
ているプラズマ反応で、生成する陽イオン（例え
ばSiH4、Si2H6、Si3H10等のシランガスを使用す
るならば、SiH+、SiH2 +等）を第１の電極と第
３の電極の間に形成されている強い電界によつ
て、第３の電極方向に迅速にドリフトさせ、そし
て第３の電極と、支持体の配置されている第２の
電極の間に形成されている比較的弱い電界により
比較的緩かに支持体の方向へドリフトさせるもの
であり、これにより強過ぎる（運動エネルギーの
高い）イオンの衝撃によつて形成されつつある薄
膜表面を損傷することなく、高速度で膜形成を行
うことが出来る。
によれば、上記堆積室中の放電によつて生起され
ているプラズマ反応で、生成する陽イオン（例え
ばSiH4、Si2H6、Si3H10等のシランガスを使用す
るならば、SiH+、SiH2 +等）を第１の電極と第
３の電極の間に形成されている強い電界によつ
て、第３の電極方向に迅速にドリフトさせ、そし
て第３の電極と、支持体の配置されている第２の
電極の間に形成されている比較的弱い電界により
比較的緩かに支持体の方向へドリフトさせるもの
であり、これにより強過ぎる（運動エネルギーの
高い）イオンの衝撃によつて形成されつつある薄
膜表面を損傷することなく、高速度で膜形成を行
うことが出来る。
以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の堆積膜の製造法を具現化す
る装置の構成を説明する為の模式的説明図であ
る。
る装置の構成を説明する為の模式的説明図であ
る。
減圧にし得る堆積室１０１内には、電極支持用
の支持体１１１上に取付けられている電極１０６
と、該電極１０６に対向し、堆積室１０１の上方
部に設けてある電極１０４と、電極１０４と電極
１０６との間で且つ電極１０６により近い位置に
配設されている多数の貫通された開口を有するグ
リツト状の第３の電極とが設けてある。第３の電
極１０６上には、必要に応じて予め清浄処理が施
された堆積膜形成用の支持体１０５が配設されて
いる。
の支持体１１１上に取付けられている電極１０６
と、該電極１０６に対向し、堆積室１０１の上方
部に設けてある電極１０４と、電極１０４と電極
１０６との間で且つ電極１０６により近い位置に
配設されている多数の貫通された開口を有するグ
リツト状の第３の電極とが設けてある。第３の電
極１０６上には、必要に応じて予め清浄処理が施
された堆積膜形成用の支持体１０５が配設されて
いる。
電極１０６の内部には、支持体１０５を所定温
度に加熱する為のヒータ１０７が設けてある。
度に加熱する為のヒータ１０７が設けてある。
電極１０４は、堆積室１０１内にグロー放電を
形成する為に、マツチング回路１０２を介して高
周波電源１０３に接続されている。堆積室１０１
へのガスの導入は、ガス導入管１１２を通じて成
される。ガス導入管の上流には、堆積室１０１内
に導入するガスが充填されているガスボンベ（不
図示）に通じる分枝管１１０−１，１１０−２…
…が設けてある。１１３，１１４はバルブであつ
て、ガスの流量を調節して、堆積室１０１内に導
入されるガスの単位時間当りの量を制御する。
形成する為に、マツチング回路１０２を介して高
周波電源１０３に接続されている。堆積室１０１
へのガスの導入は、ガス導入管１１２を通じて成
される。ガス導入管の上流には、堆積室１０１内
に導入するガスが充填されているガスボンベ（不
図示）に通じる分枝管１１０−１，１１０−２…
…が設けてある。１１３，１１４はバルブであつ
て、ガスの流量を調節して、堆積室１０１内に導
入されるガスの単位時間当りの量を制御する。
電極１０６及び電極１０８は、夫々、定電圧電
源１１５，１１６に各々接続され、各電源はアー
スに接地されている。
源１１５，１１６に各々接続され、各電源はアー
スに接地されている。
堆積室１０１内は、メインバルブ１１７を開放
し、不図示の排気装置によつて所定圧まで減圧さ
れる。
し、不図示の排気装置によつて所定圧まで減圧さ
れる。
１１３はリークバルブで、堆積室１０１内を大
気圧に戻す際に開放される。
気圧に戻す際に開放される。
第１図ｃに示す装置によつて堆積膜を形成する
方法を、例としてａ−Si：Ｈ膜の形成を挙げて説
明する。
方法を、例としてａ−Si：Ｈ膜の形成を挙げて説
明する。
所定の清浄化処理を施した支持体１０５を清浄
化面を第１の電極１０４側にして電極１０６上に
設置する。
化面を第１の電極１０４側にして電極１０６上に
設置する。
支持体１０５の表面を清浄化するには、通常、
実施されている方法、例えば、中性洗剤溶液、純
水、アルカリ又は酸による化学的処理法が採用さ
れる。また、ある程度上記の方法等で清浄化した
後、堆積室１０１内の所定位置に設置し、膜形成
前にグロー放電処理を行つて清浄化処理を済ませ
る事も出来る。
実施されている方法、例えば、中性洗剤溶液、純
水、アルカリ又は酸による化学的処理法が採用さ
れる。また、ある程度上記の方法等で清浄化した
後、堆積室１０１内の所定位置に設置し、膜形成
前にグロー放電処理を行つて清浄化処理を済ませ
る事も出来る。
この場合、支持体１０５の清浄化処理から堆積
膜の形成終了まで堆積室１０１内の真空を破るこ
となく連続して行うことが出来るので、清浄化し
た支持体面に汚物や不純物が付着するのを避ける
ことが出来る。
膜の形成終了まで堆積室１０１内の真空を破るこ
となく連続して行うことが出来るので、清浄化し
た支持体面に汚物や不純物が付着するのを避ける
ことが出来る。
支持体１０５を上記の位置に設置した後、メイ
ンバルブ１１７を開放して不図示の排気装置によ
り堆積室１０１内を所定圧まで減圧にする。堆積
室１０１内が所定の圧力まで減圧された後、必要
に応じて、ヒータ１０７を点火して支持体１０５
を加熱し、所定温度に達したら、その温度に保
つ。
ンバルブ１１７を開放して不図示の排気装置によ
り堆積室１０１内を所定圧まで減圧にする。堆積
室１０１内が所定の圧力まで減圧された後、必要
に応じて、ヒータ１０７を点火して支持体１０５
を加熱し、所定温度に達したら、その温度に保
つ。
その後、ガス導入管１１２を通じて、シリコン
原子及び水素原子の供給源としてのSiH4、
Si2H6、Si3H10等のシランガス、必要に応じて水
素原子供給源としてのH2、これ等のガスを所定
濃度に稀釈するHe、Ne、Ar等の稀釈ガス、更
には形成される堆積膜中に不純物としてドーピン
グされる原子の供給源としてのドーピングガス、
例えばB2H4、PH3、CH3、NH3等の堆積膜形成
用の原料ガスを所定圧で堆積室１０１内に供給す
る。この様な原料ガスの供給は、堆積膜の形成中
一定の量で成される。堆積室１０１内が前記の原
料ガスで充満され、所定圧に達したら、電源１０
３をON状態にして堆積室１０１内のグロー放電
を生起させる。この時、第３の電極１０８にもあ
る一定の電圧を印加しておく。第３の電極１０８
へ印加される電圧は、支持体１０８に形成される
堆積膜の形成速度を制御し得るもので、電極１０
４と電極１０８内に形成される電界と、電極１０
６と電極１０８との間に形成される電界との強度
バランス及び放電によつてプラズマ化される原料
ガスの種類及びプラズマを形成しているガス種に
よつて適宜所望に従つてその値が選定される。
原子及び水素原子の供給源としてのSiH4、
Si2H6、Si3H10等のシランガス、必要に応じて水
素原子供給源としてのH2、これ等のガスを所定
濃度に稀釈するHe、Ne、Ar等の稀釈ガス、更
には形成される堆積膜中に不純物としてドーピン
グされる原子の供給源としてのドーピングガス、
例えばB2H4、PH3、CH3、NH3等の堆積膜形成
用の原料ガスを所定圧で堆積室１０１内に供給す
る。この様な原料ガスの供給は、堆積膜の形成中
一定の量で成される。堆積室１０１内が前記の原
料ガスで充満され、所定圧に達したら、電源１０
３をON状態にして堆積室１０１内のグロー放電
を生起させる。この時、第３の電極１０８にもあ
る一定の電圧を印加しておく。第３の電極１０８
へ印加される電圧は、支持体１０８に形成される
堆積膜の形成速度を制御し得るもので、電極１０
４と電極１０８内に形成される電界と、電極１０
６と電極１０８との間に形成される電界との強度
バランス及び放電によつてプラズマ化される原料
ガスの種類及びプラズマを形成しているガス種に
よつて適宜所望に従つてその値が選定される。
電極１０８としては、第１図ｂに示される様
に、多数の貫通した開口１１９を有する、所謂メ
ツシユスクリーン状のものが通常は用いられる。
ａ−Si：Ｈ膜を形成する場合の第２図に示す形状
の電極の好適なサイズを記せば、ａとしては１mm
程度、ｂは４mm程度、メツシユの厚みは0.3mm程
度である。
に、多数の貫通した開口１１９を有する、所謂メ
ツシユスクリーン状のものが通常は用いられる。
ａ−Si：Ｈ膜を形成する場合の第２図に示す形状
の電極の好適なサイズを記せば、ａとしては１mm
程度、ｂは４mm程度、メツシユの厚みは0.3mm程
度である。
この場合、電極１０４と電極１０６間の距離
d46は150mm程度、電極１０４と電極１０８間の距
離d48は100mm程度、電極１０６と電極１０８間の
距離は50mm程度とされ、電極１０８に印加される
バイアス電圧V8は200〜−600V程度、電極１０
６に印加されるバイアス電圧V6は−250〜−
700V程度で｜V6｜＞｜V8｜且つ｜V8／d48｜＞
｜V6−V8／d68｜であるときに、著しく良好な特
性を有する堆積膜が迅速に得ることが出来る。
d46は150mm程度、電極１０４と電極１０８間の距
離d48は100mm程度、電極１０６と電極１０８間の
距離は50mm程度とされ、電極１０８に印加される
バイアス電圧V8は200〜−600V程度、電極１０
６に印加されるバイアス電圧V6は−250〜−
700V程度で｜V6｜＞｜V8｜且つ｜V8／d48｜＞
｜V6−V8／d68｜であるときに、著しく良好な特
性を有する堆積膜が迅速に得ることが出来る。
勿論、これ等の数値条件は、原料ガスの種類、
堆積室１０１の形状、電極形状等によつて変化し
得るもので、その度最適条件を選定してやること
が一層の膜製造の効率向上に役立つものである。
堆積室１０１の形状、電極形状等によつて変化し
得るもので、その度最適条件を選定してやること
が一層の膜製造の効率向上に役立つものである。
上記の様な条件に設定されると、堆積室１０１
内に形成される電気力線は点線によつて図示され
ている如くになり、放電によつて形成されるプラ
ズマ中の陽イオンは、支持体１０５方向に積極的
に移動し、堆積速度の向上が計られる。そして、
電極１０８と電極１０６との間の電界は充分弱い
様に形成されているので、イオンの衝突による膜
の損傷を殆んど避けることが出来、高品質の膜が
形成され得る。
内に形成される電気力線は点線によつて図示され
ている如くになり、放電によつて形成されるプラ
ズマ中の陽イオンは、支持体１０５方向に積極的
に移動し、堆積速度の向上が計られる。そして、
電極１０８と電極１０６との間の電界は充分弱い
様に形成されているので、イオンの衝突による膜
の損傷を殆んど避けることが出来、高品質の膜が
形成され得る。
第２図には、本発明の別の実施態様例を説明す
る模式的説明図が示される。
る模式的説明図が示される。
第２図ａには、全体的構成を説明する為のもの
で、第２図ｂは、電極の配置構造を説明する為の
ものである。
で、第２図ｂは、電極の配置構造を説明する為の
ものである。
第２図ａに示される装置は、減圧にし得る堆積
室２０１内に該堆積室２０１の内壁側より棒状電
極２０２が所定の間隔で多数樹立されて、堆積室
２０１の内壁面と同心円的に配設されている第３
の電極２０３、第３の電極２０３の内側に、第２
の電極を兼ねた膜形成用の円筒状の支持体２０４
が配設される。
室２０１内に該堆積室２０１の内壁側より棒状電
極２０２が所定の間隔で多数樹立されて、堆積室
２０１の内壁面と同心円的に配設されている第３
の電極２０３、第３の電極２０３の内側に、第２
の電極を兼ねた膜形成用の円筒状の支持体２０４
が配設される。
第３の電極２０３、及び支持体２０４は、ベー
スプレート２０５に固定されている支持部材２０
５に堅固に付設される。
スプレート２０５に固定されている支持部材２０
５に堅固に付設される。
堆積室２０１内に導入されるガスは、堆積室２
０１の上方に付設されているガス導入管２０６を
通じて不図示のガスボンベより堆積室２０１内に
供給される。
０１の上方に付設されているガス導入管２０６を
通じて不図示のガスボンベより堆積室２０１内に
供給される。
堆積室２０１の外周囲には、グロー放電を堆積
室２０１内に生起させる為の第１の電極としての
誘導コイル２０７が巻回されており、誘導コイル
２０７は、該コイル２０７に高周波電力を投入す
る為の高周波電源２０８に接続されている。
室２０１内に生起させる為の第１の電極としての
誘導コイル２０７が巻回されており、誘導コイル
２０７は、該コイル２０７に高周波電力を投入す
る為の高周波電源２０８に接続されている。
第３の電極２０３は、電源２０９に支持体２０
４は電源２１０に各々接続されている。この第２
図に示される装置によつて、ａ−Si：Ｈ堆積膜を
形成する為の各電極の位置条件の好適な１例を挙
げれば、堆積室２０１の内壁面と支持体２０４間
の距離d14……約50mm、第３の電極２０３と支持
体２０４間の距離d34……約15mm、堆積室２０１
の内壁面と第３の電極２０３間の距離d23……約
35mm、棒状電極２０２の大きさａ……約３mm、ｂ
……約４mm。
４は電源２１０に各々接続されている。この第２
図に示される装置によつて、ａ−Si：Ｈ堆積膜を
形成する為の各電極の位置条件の好適な１例を挙
げれば、堆積室２０１の内壁面と支持体２０４間
の距離d14……約50mm、第３の電極２０３と支持
体２０４間の距離d34……約15mm、堆積室２０１
の内壁面と第３の電極２０３間の距離d23……約
35mm、棒状電極２０２の大きさａ……約３mm、ｂ
……約４mm。
各電極と支持体との間に形成されるバイアス電
界は支持体２０４の膜形成面に垂直であり、第１
の電極２０２と第３の電極２０３との間の電界は
強く、第３の電極２０３と支持体２０４との間の
電界はそれよりも弱い。
界は支持体２０４の膜形成面に垂直であり、第１
の電極２０２と第３の電極２０３との間の電界は
強く、第３の電極２０３と支持体２０４との間の
電界はそれよりも弱い。
第２図に示す装置に於いては、支持体２０４は
膜がより一層均一膜厚で形成される様に膜形成時
に定速回転される。
膜がより一層均一膜厚で形成される様に膜形成時
に定速回転される。
第１図ａは本発明を具現化する装置の構成を説
明する為の模式的説明図、第１図ｂは第１図ａに
示す装置の電極形状を説明する為の模式的説明
図、第２図ａは別の装置の構成を説明する為の模
式的説明図、第２図ｂは第２図ａに示す装置の電
極配置を説明する為の模式的説明図である。 １０１，２０１……堆積室、１０４，１０６，
１０８，２０２，２０３……電極、１０５，２０
４……支持体、２０７……誘導コイル。
明する為の模式的説明図、第１図ｂは第１図ａに
示す装置の電極形状を説明する為の模式的説明
図、第２図ａは別の装置の構成を説明する為の模
式的説明図、第２図ｂは第２図ａに示す装置の電
極配置を説明する為の模式的説明図である。 １０１，２０１……堆積室、１０４，１０６，
１０８，２０２，２０３……電極、１０５，２０
４……支持体、２０７……誘導コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 減圧にされ得る堆積室内に所望圧で堆積膜形
成用の原料ガスを導入し、放電によつて前記ガス
を分解して所望の支持体上に堆積膜を形成する堆
積膜の製造法において、第１の電極と第２の電極
とを前記堆積室内に対向させて配置し、前記第１
の電極と前記第２の電極との間であつて且つ前記
第２の電極側に近い位置に多数の貫通した開口を
有する第３の電極を、該第３の電極に対して前記
第１の電極とは反対側の位置に前記支持体を夫々
配置し、前記第２、第３の電極に印加されるバイ
アス電圧を夫々この順番にV2、V3、前記第１の
電極と前記第３の電極との間の距離をd13、前記
第３の電極と前記第２の電極との間の距離をd32
とするとき、 ｜V2｜＞｜V3｜ 且つ ｜V3／d13｜＞｜V3−V2／d32｜ を満たすように前記第２、第３の各電極にバイア
ス電圧を印加することを特徴とする堆積膜の製造
法。 ２ 支持体が第２の電極に接して又は近接して配
設される特許請求の範囲第１項の堆積膜の製造
法。 ３ 支持体が第２の電極の機能を兼ねる特許請求
の範囲第１項の堆積膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12157880A JPS5745339A (en) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | Production of deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12157880A JPS5745339A (en) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | Production of deposited film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5745339A JPS5745339A (en) | 1982-03-15 |
| JPH0124866B2 true JPH0124866B2 (ja) | 1989-05-15 |
Family
ID=14814702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12157880A Granted JPS5745339A (en) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | Production of deposited film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5745339A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160911A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of amorphous silicon film |
| JPS5964769A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS607133A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0645897B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1994-06-15 | 神奈川県 | 炭素薄膜あるいは炭素粒子の気相合成法 |
| JPS6446644A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Shikoku Elec Power | Ultrasonic wave generating device for ultrasonic flaw detection |
-
1980
- 1980-09-01 JP JP12157880A patent/JPS5745339A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5745339A (en) | 1982-03-15 |
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