JPS5931977B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS5931977B2 JPS5931977B2 JP52005932A JP593277A JPS5931977B2 JP S5931977 B2 JPS5931977 B2 JP S5931977B2 JP 52005932 A JP52005932 A JP 52005932A JP 593277 A JP593277 A JP 593277A JP S5931977 B2 JPS5931977 B2 JP S5931977B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holder
- plasma cvd
- wafer
- gas
- plasma
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、膜厚及び膜質が均一な堆積膜を大量の被処理
体表面に効率的に形成することのできる改良されたプラ
ズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置に関するものである。
体表面に効率的に形成することのできる改良されたプラ
ズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置に関するものである。
従来、プラズマＣＶＤ装置としてはいくつかのタイプの
ものが提案されているが、そのいずれの装置においても
ウェハの如き被処理体が平坦なホルダ表面上に載置され
た状態でプラズマＣＶＤ反応を生じさせて被処理体表面
上に堆積膜を形成するようになつている。
ものが提案されているが、そのいずれの装置においても
ウェハの如き被処理体が平坦なホルダ表面上に載置され
た状態でプラズマＣＶＤ反応を生じさせて被処理体表面
上に堆積膜を形成するようになつている。
このような装置は、一度に処理できる被処理体の数が低
く制限されるため、特に大量生産ラインなどで使用する
には必ずしも好適でないという問題点をもつている。本
発明の目的は、膜厚及び膜質の均一性と大量生産性とを
両立させうる新規なプラズマＣＶＤ装置を提供すること
にある。
く制限されるため、特に大量生産ラインなどで使用する
には必ずしも好適でないという問題点をもつている。本
発明の目的は、膜厚及び膜質の均一性と大量生産性とを
両立させうる新規なプラズマＣＶＤ装置を提供すること
にある。
本発明の特徴の１つは、ウェハホルダを円筒状に構成し
た点にある。
た点にある。
このような円筒状ホルダの内部にはプラズマＣＶＤ反応
発生機構が配置される。そして、ホルダの内壁面に沿つ
て多数の被処理ウェハが配置される。このようにすると
、膜厚・膜質の均一性をそこなうことなく大量処理が可
能になる。次に、添付図面に示す実施例について本発明
を詳述する。
発生機構が配置される。そして、ホルダの内壁面に沿つ
て多数の被処理ウェハが配置される。このようにすると
、膜厚・膜質の均一性をそこなうことなく大量処理が可
能になる。次に、添付図面に示す実施例について本発明
を詳述する。
第１図は、本発明の第１の実施例によるプラズマＣＶＤ
装置を示すもので、１０は、ガス吹出孔１０ａを有し内
部にＮ２ガスが矢印の方向に流通されるガス導入管、１
２はガス流通孔１２ａを有する円筒状の高周波シールド
筒、１４は円筒状のウェハホルダであり、これらガス導
入管１０、シールド筒１２及びホルダ１４は同軸的に配
置されている。
装置を示すもので、１０は、ガス吹出孔１０ａを有し内
部にＮ２ガスが矢印の方向に流通されるガス導入管、１
２はガス流通孔１２ａを有する円筒状の高周波シールド
筒、１４は円筒状のウェハホルダであり、これらガス導
入管１０、シールド筒１２及びホルダ１４は同軸的に配
置されている。
ホルダ１４の内壁面には多数のウェハ（例えばシリコン
ウェハ）が配置され、シールド筒１２とホルダ内壁面と
の間には下方からＳ１Ｈ４ガスが供給されるようになつ
ている。ホルダ１４は、内部にウェハ１６を装着したま
ま後述のＣＶＤプロセスの間矢印Ｒに示す方向に回転し
うるようになつている。ガス導入管１０及びウェハホル
ダ１６の各々の周囲にはコイル１８及び２２がそれぞれ
巻回されており、各々のコイル１８、２２には高周波電
源２０、２４がそれぞれ接続されている。いま、電源２
０からの高周波出力によりガス導入管１０内でＮ２ガス
をプラズマ化すると、励起された窒素の原子や分子力号
Ｌ１０ａ、１２ａを介してウェハ１２の表面に到達し、
そこでＳｉＨ４と反応し、ウェハ１２上にはシリコンナ
イトライド（Ｓｉ３Ｎ４）の堆積層を得ることができる
。
ウェハ）が配置され、シールド筒１２とホルダ内壁面と
の間には下方からＳ１Ｈ４ガスが供給されるようになつ
ている。ホルダ１４は、内部にウェハ１６を装着したま
ま後述のＣＶＤプロセスの間矢印Ｒに示す方向に回転し
うるようになつている。ガス導入管１０及びウェハホル
ダ１６の各々の周囲にはコイル１８及び２２がそれぞれ
巻回されており、各々のコイル１８、２２には高周波電
源２０、２４がそれぞれ接続されている。いま、電源２
０からの高周波出力によりガス導入管１０内でＮ２ガス
をプラズマ化すると、励起された窒素の原子や分子力号
Ｌ１０ａ、１２ａを介してウェハ１２の表面に到達し、
そこでＳｉＨ４と反応し、ウェハ１２上にはシリコンナ
イトライド（Ｓｉ３Ｎ４）の堆積層を得ることができる
。
このような堆積処理の前または後には、電源２４の高周
波出力を用いてホルダ１４の内側でフレオンガスをプラ
ズマ化してプラズマエッチングを実施し、それによつて
内部を清浄化することができる。第１図の装置において
は、円筒状ホルダ１４の内壁面に沿つてウエハを配置す
るようにしたので、ウエハのチヤージ枚数を従来装置に
比べて大幅に増大させることができる上、膜厚・膜質の
均一性はーウエハ内でも複数ウエハ間でも良好である。
このような膜厚・膜質の均一性は、ウエハホルダ１４を
回転させることと相俟つて、多数の孔１０ａ，１２ａを
分布させることにより一層改善される。また、ウエハ１
２は直接プラズマにさらされることがないので、プラズ
マ中の電子の衝撃などによりダメージを受けることが殆
んどない。さらにＮ２ガスとＳｉＨ４ガスとを分離して
導入しているので、Ｎ２とＳｉＨ４とが同時にプラズマ
化されず、従つて堆積膜中に不要な誘導生成物（例えば
Ｓｉ３Ｈ３，Ｓｉ２Ｈ５など、これは同時プラズマ化に
より生ずることが多い）が混入して膜質を悪化させるこ
とがなく、良質のシリコンナイトライド膜を得ることが
できる。第２図は、本発明をキヤバシタ型ＣＶＤ装置に
適用した他の実施例を示すものである。
波出力を用いてホルダ１４の内側でフレオンガスをプラ
ズマ化してプラズマエッチングを実施し、それによつて
内部を清浄化することができる。第１図の装置において
は、円筒状ホルダ１４の内壁面に沿つてウエハを配置す
るようにしたので、ウエハのチヤージ枚数を従来装置に
比べて大幅に増大させることができる上、膜厚・膜質の
均一性はーウエハ内でも複数ウエハ間でも良好である。
このような膜厚・膜質の均一性は、ウエハホルダ１４を
回転させることと相俟つて、多数の孔１０ａ，１２ａを
分布させることにより一層改善される。また、ウエハ１
２は直接プラズマにさらされることがないので、プラズ
マ中の電子の衝撃などによりダメージを受けることが殆
んどない。さらにＮ２ガスとＳｉＨ４ガスとを分離して
導入しているので、Ｎ２とＳｉＨ４とが同時にプラズマ
化されず、従つて堆積膜中に不要な誘導生成物（例えば
Ｓｉ３Ｈ３，Ｓｉ２Ｈ５など、これは同時プラズマ化に
より生ずることが多い）が混入して膜質を悪化させるこ
とがなく、良質のシリコンナイトライド膜を得ることが
できる。第２図は、本発明をキヤバシタ型ＣＶＤ装置に
適用した他の実施例を示すものである。
同図において、ガス導入管を兼ねた内外の電極３０，３
２の間には高周波電源４０が接続されており、内側電極
３０のガス吹出孔３０ａから吹出されたＮ２ガスをプラ
ズマ化しうるようになつている。外側電極３２のガス吹
出孔３２ａからは放射状にＳｉＨ４ガスが吹出されるよ
うになつており、外側電極３２の外側には、これを取囲
むように、矢印Ｒ方向に回転自在な円筒状のウエハホル
ダ３４が設けられている。ホルダ３４の内壁面には前述
例同様多数の被処理ウエハ３６が配置されている。電極
３０，３２間に発生されるプラズマにより励起された窒
素の原子又は分子は矢印ＥＡに示すように電極３２に設
けた多数の貫通孔３２Ａを介してウエハ１２側へ到達し
、そこでＳｉＨ４と反応してシリコンナイトライド堆積
を生じさせうる。第２図の装置もウエハホルダ３４が筒
状になつていることにより膜厚・膜質の均一性をそこな
うことなく大量のウエハを一括して被膜付着処理しうる
ものであり、その他第１図の装置と同様の作用効果を奏
するものである。
２の間には高周波電源４０が接続されており、内側電極
３０のガス吹出孔３０ａから吹出されたＮ２ガスをプラ
ズマ化しうるようになつている。外側電極３２のガス吹
出孔３２ａからは放射状にＳｉＨ４ガスが吹出されるよ
うになつており、外側電極３２の外側には、これを取囲
むように、矢印Ｒ方向に回転自在な円筒状のウエハホル
ダ３４が設けられている。ホルダ３４の内壁面には前述
例同様多数の被処理ウエハ３６が配置されている。電極
３０，３２間に発生されるプラズマにより励起された窒
素の原子又は分子は矢印ＥＡに示すように電極３２に設
けた多数の貫通孔３２Ａを介してウエハ１２側へ到達し
、そこでＳｉＨ４と反応してシリコンナイトライド堆積
を生じさせうる。第２図の装置もウエハホルダ３４が筒
状になつていることにより膜厚・膜質の均一性をそこな
うことなく大量のウエハを一括して被膜付着処理しうる
ものであり、その他第１図の装置と同様の作用効果を奏
するものである。
以上、本発明をいくつかの実施例について述べたが、本
発明は、上記実施例に限定されることなく、種々の改変
形態において実施できるものである。
発明は、上記実施例に限定されることなく、種々の改変
形態において実施できるものである。
例えば、上記実施例では装置が全体として縦形であつた
が、これは横形にすることもでき、それによつてウエハ
ホルダを横方向に一層長くしてさらにウエハチヤージ枚
数を増大させるようにしてもよい。
が、これは横形にすることもでき、それによつてウエハ
ホルダを横方向に一層長くしてさらにウエハチヤージ枚
数を増大させるようにしてもよい。
第１図は、本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置
を示す要部縦断面図、第２図は、本発明の他の実施例に
よるプラズマＣＶＤ装置を示す要部横断面図である。 符号の説明、１０・・・・・・ガス導入管、１２・・・
・・・高周波シールド筒、１４・・・・・・ウエハホル
ダ、１６・・・・・・ウエハ、１８，２２・・・・・・
コイル、３０，３２・・・・・・ガス導入管兼電極、３
４・・・・・・ウエハホルダ、３６・・・・・・ウエハ
。
を示す要部縦断面図、第２図は、本発明の他の実施例に
よるプラズマＣＶＤ装置を示す要部横断面図である。 符号の説明、１０・・・・・・ガス導入管、１２・・・
・・・高周波シールド筒、１４・・・・・・ウエハホル
ダ、１６・・・・・・ウエハ、１８，２２・・・・・・
コイル、３０，３２・・・・・・ガス導入管兼電極、３
４・・・・・・ウエハホルダ、３６・・・・・・ウエハ
。
Claims (1)
- １ 被処理体を保持するホルダを筒状に構成してその内
壁面に沿つて前記被処理体を配置しうるようにするとと
もに前記筒状ホルダの内部でプラズマＣＶＤ反応を生じ
させるようにしたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52005932A JPS5931977B2 (ja) | 1977-01-24 | 1977-01-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52005932A JPS5931977B2 (ja) | 1977-01-24 | 1977-01-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15781183A Division JPS59224128A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5391663A JPS5391663A (en) | 1978-08-11 |
| JPS5931977B2 true JPS5931977B2 (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=11624658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52005932A Expired JPS5931977B2 (ja) | 1977-01-24 | 1977-01-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931977B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148642U (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-18 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60431B2 (ja) * | 1979-06-27 | 1985-01-08 | キヤノン株式会社 | 膜形成法 |
| JPS571231A (en) * | 1980-06-04 | 1982-01-06 | Res Dev Corp Of Japan | Plasma chemical vapour deposition (cvd) device |
| JPS58193362A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-11 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS5935674A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 蒸着装置 |
| CN101451237B (zh) | 2007-11-30 | 2012-02-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 具有多个等离子体反应区域的包括多个处理平台的等离子体反应室 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3475307A (en) * | 1965-02-04 | 1969-10-28 | Continental Can Co | Condensation of monomer vapors to increase polymerization rates in a glow discharge |
| JPS4837408U (ja) * | 1971-09-04 | 1973-05-08 | ||
| JPS4962385A (ja) * | 1972-10-20 | 1974-06-17 | ||
| JPS5141031A (ja) * | 1974-10-05 | 1976-04-06 | Tomota Fukuda | Setsuchakuzaisoseibutsu |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524133Y2 (ja) * | 1974-03-20 | 1980-06-09 |
-
1977
- 1977-01-24 JP JP52005932A patent/JPS5931977B2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3475307A (en) * | 1965-02-04 | 1969-10-28 | Continental Can Co | Condensation of monomer vapors to increase polymerization rates in a glow discharge |
| JPS4837408U (ja) * | 1971-09-04 | 1973-05-08 | ||
| JPS4962385A (ja) * | 1972-10-20 | 1974-06-17 | ||
| JPS5141031A (ja) * | 1974-10-05 | 1976-04-06 | Tomota Fukuda | Setsuchakuzaisoseibutsu |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148642U (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5391663A (en) | 1978-08-11 |
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