JPH059741A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH059741A JPH059741A JP15667091A JP15667091A JPH059741A JP H059741 A JPH059741 A JP H059741A JP 15667091 A JP15667091 A JP 15667091A JP 15667091 A JP15667091 A JP 15667091A JP H059741 A JPH059741 A JP H059741A
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- JP
- Japan
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- plasma
- wafer
- film thickness
- counter electrodes
- electrodes
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】プラズマＣＶＤ装置を用いて、段差のあるウエ
ハに成膜する場合に、段差の側壁部に良質の成膜を得
る。 【構成】対向電極１，２に高周波電圧３を印加してプラ
ズマ４を発生させ、電界用電極５，６を設けることによ
って、プラズマ４の移送方向を曲げる。電界用電極５，
６は対向電極１，２の周囲を回転する。
ハに成膜する場合に、段差の側壁部に良質の成膜を得
る。 【構成】対向電極１，２に高周波電圧３を印加してプラ
ズマ４を発生させ、電界用電極５，６を設けることによ
って、プラズマ４の移送方向を曲げる。電界用電極５，
６は対向電極１，２の周囲を回転する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】上下にプラズマ発生用対向電極を設け、
その間にウエハを挿入しプラズマを発生させてウエハに
成膜するプラズマＣＶＤ装置がある。従来のプラズマＣ
ＶＤ装置でウエハの段差のある部分に表面保護膜を成膜
すると、段差の側壁部は膜質が悪いという問題があっ
た。例えば段差の側壁部は成膜の緻密性が劣り、エッチ
ング工程において膜のエッチングレートが高く、この部
分の耐湿性が劣り、水分がＡｌの層に達し、コロージョ
ンが生じ易い。図４はこのことを模式的に説明したもの
である。図４（ａ）は、従来のプラズマＣＶＤ装置によ
って基板１１上にＡｌの層１２が形成されている段差の
あるウエハに膜１３を成膜したものを示している。この
ような膜１３は、表面部１４に比して段差の側壁部１５
の膜質が劣り、エッチング工程において、図４（ｂ）に
示すように、段差の側壁部１５の膜が消滅する。従って
Ａｌの層１２でコロージョンが起る。
その間にウエハを挿入しプラズマを発生させてウエハに
成膜するプラズマＣＶＤ装置がある。従来のプラズマＣ
ＶＤ装置でウエハの段差のある部分に表面保護膜を成膜
すると、段差の側壁部は膜質が悪いという問題があっ
た。例えば段差の側壁部は成膜の緻密性が劣り、エッチ
ング工程において膜のエッチングレートが高く、この部
分の耐湿性が劣り、水分がＡｌの層に達し、コロージョ
ンが生じ易い。図４はこのことを模式的に説明したもの
である。図４（ａ）は、従来のプラズマＣＶＤ装置によ
って基板１１上にＡｌの層１２が形成されている段差の
あるウエハに膜１３を成膜したものを示している。この
ような膜１３は、表面部１４に比して段差の側壁部１５
の膜質が劣り、エッチング工程において、図４（ｂ）に
示すように、段差の側壁部１５の膜が消滅する。従って
Ａｌの層１２でコロージョンが起る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は簡易な装置に
よって上記問題を解決したプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
よって上記問題を解決したプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の装置は、プラズ
マＣＶＤ装置において、プラズマ発生用対向電極の対向
方向に直交する方向に、プラズマ粒子に運動を与える電
界用電極を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置
である。この場合、電界用電極はプラズマ発生領域の周
囲に回転自在に設けると好適である。
マＣＶＤ装置において、プラズマ発生用対向電極の対向
方向に直交する方向に、プラズマ粒子に運動を与える電
界用電極を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置
である。この場合、電界用電極はプラズマ発生領域の周
囲に回転自在に設けると好適である。
【０００５】
【作用】成膜の場合、プラズマを移送する方向にプラズ
マ粒子が衝突するので、この現象を利用してウエハ上に
被膜を形成することができる。本発明では、このプラズ
マ粒子がプラズマ発生電極の対向方向にのみ移送される
のではなく、その直交方向にも移送されるように補助的
な電界を付与することによってプラズマ粒子に直角方向
の運動成分を与え、段差の側壁部に良質な膜を形成させ
ることができる。
マ粒子が衝突するので、この現象を利用してウエハ上に
被膜を形成することができる。本発明では、このプラズ
マ粒子がプラズマ発生電極の対向方向にのみ移送される
のではなく、その直交方向にも移送されるように補助的
な電界を付与することによってプラズマ粒子に直角方向
の運動成分を与え、段差の側壁部に良質な膜を形成させ
ることができる。
【０００６】
【実施例】図１に本発明の実施例の模式的斜視図を示し
た。この図はＣＶＤ装置の内容物のみを示したもので、
ケーシング、真空装置、ガス供給装置等は省略してあ
る。図１において、対向電極１，２はその間にウエハ１
０を介在させ、対向電極１，２間に高周波電圧を印加す
ることによって、この高周波電極間のガスをプラズマ化
し、このプラズマガスによりウエハ１０上に所望の成膜
を行う。
た。この図はＣＶＤ装置の内容物のみを示したもので、
ケーシング、真空装置、ガス供給装置等は省略してあ
る。図１において、対向電極１，２はその間にウエハ１
０を介在させ、対向電極１，２間に高周波電圧を印加す
ることによって、この高周波電極間のガスをプラズマ化
し、このプラズマガスによりウエハ１０上に所望の成膜
を行う。
【０００７】このとき、対向電極１，２の対向する方向
に直交する方向に電界用電極５，６を配設する。この電
界用電極５，６は対向電極１，２の外周を公転するよう
になっている。図２はこの装置の側面図を示し、対向電
極１，２に高周波電圧３を印加してプラズマ４を発生さ
せ、電界用電極５，６を設けることによって、プラズマ
４の移送方向が曲げられる状態を示している。
に直交する方向に電界用電極５，６を配設する。この電
界用電極５，６は対向電極１，２の外周を公転するよう
になっている。図２はこの装置の側面図を示し、対向電
極１，２に高周波電圧３を印加してプラズマ４を発生さ
せ、電界用電極５，６を設けることによって、プラズマ
４の移送方向が曲げられる状態を示している。
【０００８】図１のＣＶＤ装置を次の成膜条件及び電界
電極の負荷条件下で、図３（ａ）に示すように基板１１
上に段差を付したＡｌの層１２を形成したシリコンウエ
ハ上にＳｉ3 Ｎ4 絶縁膜１３を形成した。エッチング
後、図３（ｂ）に示すように段差部の側壁部１５の膜は
健全でＡｌの層１２にコロージョンを生じなかった。
電極の負荷条件下で、図３（ａ）に示すように基板１１
上に段差を付したＡｌの層１２を形成したシリコンウエ
ハ上にＳｉ3 Ｎ4 絶縁膜１３を形成した。エッチング
後、図３（ｂ）に示すように段差部の側壁部１５の膜は
健全でＡｌの層１２にコロージョンを生じなかった。
【０００９】成膜条件：
ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ：１３３／４７ｓｃｃｍ
Ｎ2 ：１５００ｓｃｃｍ
電極間隔 ：１０ｍｍ
ＲＦパワー ：４２０Ｗ
圧力 ：５．５ｔｏｒｒ
温度 ：３６０℃
補助電極の大きさ ：１５ｍｍ×２００ｍｍ
補助電極の電極間隔：１７０ｍｍ
補助電極の磁束密度：１００〜３００Ｇ
補助電極の回転速度：０．３回／分
実施例及び比較例の成膜後及びエッチング後の膜厚の測
定結果、図３（実施例）、図４（比較例、補助電極な
し）に示すＡ〜Ｉの寸法は次の通りであった。
定結果、図３（実施例）、図４（比較例、補助電極な
し）に示すＡ〜Ｉの寸法は次の通りであった。
【００１０】
実施例（図３） 比較例（図４）
成膜後寸法 Ａ １０，０００Å １０，０００Å
Ｂ １０，０００Å １０，０００Å
Ｃ ２５，０００Å ２５，０００Å
Ｄ ９，０００Å ７，０００Å
Ｅ ９，０００Å ６，０００Å
エッチング後 Ｆ ８，０００Å ８，０００Å
Ｇ ７，０００Å −
Ｈ ７，０００Å ０Å
Ｉ − ５，０００Å
【００１１】
【発明の効果】本発明のプラズマＣＶＤ装置で成膜した
膜は、段差の側壁でも緻密性にすぐれ、従来のように導
電体層に欠陥を生ずるおそれがない。
膜は、段差の側壁でも緻密性にすぐれ、従来のように導
電体層に欠陥を生ずるおそれがない。
【図１】本発明の実施例の模式的斜視図である。
【図２】本発明の実施例の模式的側面図である。
【図３】本発明の実施例の被膜形成状況の説明図であ
る。
る。
【図４】従来の実施例の被膜形成状況の説明図である。
１，２ 対向電極 ３ 高
周波電源 ４ プラズマ ５，６ 電
界電極 ７ 回転装置 １０ ウ
エハ １１ 基板 １２ Ａ
ｌ層 １３ 膜
周波電源 ４ プラズマ ５，６ 電
界電極 ７ 回転装置 １０ ウ
エハ １１ 基板 １２ Ａ
ｌ層 １３ 膜
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ発生用対向電極の対向方向に直
交する方向に、プラズマ粒子に運動を与える電界用電極
を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 電界用電極はプラズマ発生領域の周囲に
回転自在に設けたことを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15667091A JPH059741A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15667091A JPH059741A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH059741A true JPH059741A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15632742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15667091A Withdrawn JPH059741A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH059741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021051779A1 (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 | 镀膜设备及其运动电极装置、可运动支架装置和应用 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP15667091A patent/JPH059741A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021051779A1 (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 | 镀膜设备及其运动电极装置、可运动支架装置和应用 |
| US11555247B2 (en) | 2019-09-20 | 2023-01-17 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. | Coating apparatus and movable electrode arrangement, movable support arrangement, and application thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |