JP2665077B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JP2665077B2 JP2665077B2 JP16485991A JP16485991A JP2665077B2 JP 2665077 B2 JP2665077 B2 JP 2665077B2 JP 16485991 A JP16485991 A JP 16485991A JP 16485991 A JP16485991 A JP 16485991A JP 2665077 B2 JP2665077 B2 JP 2665077B2
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- Japan
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- phase growth
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板面に絶縁膜
等を成膜する気相成長装置に関する。
等を成膜する気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の気相成長装置は、図面に
は示さないが、半導体基板であるウェーハを載置すると
ともに電極の一つであるステージと、ウェーハに対向し
て配置されるとともに反応ガスを吹き付ける電極板と、
この電極板とウェーハを載置するステージを収納するチ
ャンバと、電極板に高周波電圧を印加し、反応ガスをプ
ラズマ発生電源部とを有していた。
は示さないが、半導体基板であるウェーハを載置すると
ともに電極の一つであるステージと、ウェーハに対向し
て配置されるとともに反応ガスを吹き付ける電極板と、
この電極板とウェーハを載置するステージを収納するチ
ャンバと、電極板に高周波電圧を印加し、反応ガスをプ
ラズマ発生電源部とを有していた。
【０００３】図２（ａ）及び（ｂ）は成膜されたウェー
ハの断面図である。従来、この気相成長装置は、成長ガ
スをチャンバ内に導入し、このガスをプラズマ化し、半
導体基板であるウェーハに成膜を施していた。そして、
図２（ｂ）に示すように、ウェーハ７の面に一様な成膜
１０が得られていた。
ハの断面図である。従来、この気相成長装置は、成長ガ
スをチャンバ内に導入し、このガスをプラズマ化し、半
導体基板であるウェーハに成膜を施していた。そして、
図２（ｂ）に示すように、ウェーハ７の面に一様な成膜
１０が得られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
気相成長装置では、ウェーハに対して電極板が固定され
ているので、電極板の手坦度異常や、ウェーハとの間隔
のずれ等により、しばしば、図２（ａ）に示すように、
成膜の厚さが均一でなくなることがある。
気相成長装置では、ウェーハに対して電極板が固定され
ているので、電極板の手坦度異常や、ウェーハとの間隔
のずれ等により、しばしば、図２（ａ）に示すように、
成膜の厚さが均一でなくなることがある。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、ウェーハ面内に均一膜厚の成膜が得られる気相成長
装置を提案することである。
く、ウェーハ面内に均一膜厚の成膜が得られる気相成長
装置を提案することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置
は、半導体基板を搭載する電極に対向する電極板を回転
する回転機構と、この回転機構に接続され、成長用ガス
を供給する回り継手を有している。
は、半導体基板を搭載する電極に対向する電極板を回転
する回転機構と、この回転機構に接続され、成長用ガス
を供給する回り継手を有している。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示す気相成長装
置の模式断面図である。この気相成長装置は、図１に示
すように、電極板５ａを回転するモータ１と、一端をガ
ス供給管２と接続し、他端を電極板５の吹き出し口に通
ずるガス供給口に接続される回り継手４を設けたことで
ある。それ以外は従来と同じである。
置の模式断面図である。この気相成長装置は、図１に示
すように、電極板５ａを回転するモータ１と、一端をガ
ス供給管２と接続し、他端を電極板５の吹き出し口に通
ずるガス供給口に接続される回り継手４を設けたことで
ある。それ以外は従来と同じである。
【０００９】この気相成長装置でウェーハに成膜を形成
するには、まず、モータにより電極板５が、回転させら
れ、この状態でプラズマを発生させながら、ガス供給管
２から、ガスを流すと、ガス吹出し口９から、ガスが噴
出する。このことによりウェーハに成膜が形成される。
するには、まず、モータにより電極板５が、回転させら
れ、この状態でプラズマを発生させながら、ガス供給管
２から、ガスを流すと、ガス吹出し口９から、ガスが噴
出する。このことによりウェーハに成膜が形成される。
【００１０】このように電極板５を回転させることによ
り、均一成の良好を形成することが出来る。
り、均一成の良好を形成することが出来る。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は半導体基
板であるウェーハを搭載した電極に対向する電極が成膜
ガスを噴出しながら回転する機構を備えることによっ
て、半導体基板面と電極の間隔を一定に保つことが出
来、面内の膜厚が均一に成膜出来る気相成長装置が得ら
れるという効果がある。
板であるウェーハを搭載した電極に対向する電極が成膜
ガスを噴出しながら回転する機構を備えることによっ
て、半導体基板面と電極の間隔を一定に保つことが出
来、面内の膜厚が均一に成膜出来る気相成長装置が得ら
れるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す気相成長装置の模式断
面図である。
面図である。
【図２】成膜されたウェーハの断面図である。
１ モータ ２ ガス供給管 ３ プラズマ発生電源部 ４ 回り継手 ５ 電極板 ６ キャンバ ７ ウェーハ ８ ステージ ９ 吹出し口
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を搭載する電極に対向する電
極板を回転する回転機構と、この回転機構に接続され、
成長用ガスを供給する回り継手を有することを特徴とす
る気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16485991A JP2665077B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16485991A JP2665077B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513343A JPH0513343A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2665077B2 true JP2665077B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=15801277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16485991A Expired - Fee Related JP2665077B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2665077B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4493756B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| KR100452525B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-10-12 | 주성엔지니어링(주) | Ａｌｄ 공정에 적합한 가스 인젝터 |
| KR20030095801A (ko) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 분사기를 가지는 ｈｄｐｃｖｄ 장치 및 이를이용한 갭 필링 방법 |
| JP2016122491A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP16485991A patent/JP2665077B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513343A (ja) | 1993-01-22 |
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