JPH06163462A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH06163462A JPH06163462A JP31162492A JP31162492A JPH06163462A JP H06163462 A JPH06163462 A JP H06163462A JP 31162492 A JP31162492 A JP 31162492A JP 31162492 A JP31162492 A JP 31162492A JP H06163462 A JPH06163462 A JP H06163462A
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- JP
- Japan
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- substrate
- counter electrode
- electrode
- microwave
- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマ処理装置において、均一なμ波プラズ
マを形成し高周波バイアスを被処理物である基板上で均
一にすることにより、生産性の向上を図る。 【構成】被加工物である基板７に対向して、基板の加工
面より大きな面積を真空中へ露呈して成る対向電極４を
設け、μ波を対向電極４の下部外周に設けた石英リング
５を介して真空中に導く。基板７及び対向電極７はそれ
ぞれアース電位や高周波電源による高周波を印加するこ
とにより、最適なプロセス条件を得る。 【効果】本発明によれば、均一なプラズマが得られると
ともにバイアス電位が基板７の中で整い、ひいは歩留り
が向上し生産性が上がる。
マを形成し高周波バイアスを被処理物である基板上で均
一にすることにより、生産性の向上を図る。 【構成】被加工物である基板７に対向して、基板の加工
面より大きな面積を真空中へ露呈して成る対向電極４を
設け、μ波を対向電極４の下部外周に設けた石英リング
５を介して真空中に導く。基板７及び対向電極７はそれ
ぞれアース電位や高周波電源による高周波を印加するこ
とにより、最適なプロセス条件を得る。 【効果】本発明によれば、均一なプラズマが得られると
ともにバイアス電位が基板７の中で整い、ひいは歩留り
が向上し生産性が上がる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを用いて半導
体薄膜基板や電子部品等に薄膜を形成したり、除去（エ
ッチング）するプラズマ処理装置に関し、特に均一に大
面積の被処理物を加工するのに好適な装置に関するもの
である。
体薄膜基板や電子部品等に薄膜を形成したり、除去（エ
ッチング）するプラズマ処理装置に関し、特に均一に大
面積の被処理物を加工するのに好適な装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来本発明に最も近い公知例としては、
技術誌「住友金属」第４３巻第４号５０頁〜５７頁、及
び１４９頁〜１５１頁記載の表面波プラズマを用いた例
がある。この場合は２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波
管を用いて、テフロン板でできた誘電体線路に導入し、
さらに厚さ２０ｍｍの石英窓を介して真空中にマイクロ
波を導入している。
技術誌「住友金属」第４３巻第４号５０頁〜５７頁、及
び１４９頁〜１５１頁記載の表面波プラズマを用いた例
がある。この場合は２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波
管を用いて、テフロン板でできた誘電体線路に導入し、
さらに厚さ２０ｍｍの石英窓を介して真空中にマイクロ
波を導入している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記公知例に示された
装置では、マイクロ波の導入が被処理物の上方からなさ
れる。このため、セルフバイアス用のアース電極は被処
理物の周縁部付近に設けることになり、この場合アース
電極に対する距離が被処理物の中心部と周縁部とで異な
るので、被処理物全体にわたり、均一電界を与えること
ができない。
装置では、マイクロ波の導入が被処理物の上方からなさ
れる。このため、セルフバイアス用のアース電極は被処
理物の周縁部付近に設けることになり、この場合アース
電極に対する距離が被処理物の中心部と周縁部とで異な
るので、被処理物全体にわたり、均一電界を与えること
ができない。
【０００４】本発明の目的は、マイクロ波の供給が被処
理物の上部からなされる場合であっても、被処理物に対
して均一電界を与えることができるプラズマ処理装置を
提供するにある。
理物の上部からなされる場合であっても、被処理物に対
して均一電界を与えることができるプラズマ処理装置を
提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】これを達成するため、本
発明においては基板に対向して、基板より大面積を有す
る対向電極が設けられる。この場合にはマイクロ波を導
入するための絶縁物の窓が必要となるが、この窓は対向
電極の下部周囲にリング状に形成される。またこのマイ
クロ波の導入が円周方向で均一にするため、導波管の導
入口が基板中心の法線上の上部に配置されるように、導
波管が取付けられる。
発明においては基板に対向して、基板より大面積を有す
る対向電極が設けられる。この場合にはマイクロ波を導
入するための絶縁物の窓が必要となるが、この窓は対向
電極の下部周囲にリング状に形成される。またこのマイ
クロ波の導入が円周方向で均一にするため、導波管の導
入口が基板中心の法線上の上部に配置されるように、導
波管が取付けられる。
【０００６】
【作用】本発明においてはマイクロ波は対向電極裏面の
大きな空間の中心上方から導入される。マイクロ波はそ
の形成した導波路の形状やサイズに従い、様々なモード
の波に変換されるが、最も良く用られる２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波の場合φ３００ｍｍを超すとより高次のモ
ードを発生させ易くなり、総じて導波管周辺に強い電界
を発生させる。この電界を対向電極下に設けた絶縁物の
リングを介して大気中から基板上の真空の空間へマイク
ロ波を導入するので、円周方向で均一なマイクロ波に基
づいてプラズマが発生する。従来のように高周波のみを
用いたＲＩＥ方式やプラズマ方式の場合には、条件にも
よるが、磁場の存在なしに１Ｐａ以下の圧力下で放電を
開始させるのは難しかった。しかし、本発明によれば、
０．０２Ｐａの圧力下でもマイクロ波の導入により容易
に放電が開始できる。
大きな空間の中心上方から導入される。マイクロ波はそ
の形成した導波路の形状やサイズに従い、様々なモード
の波に変換されるが、最も良く用られる２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波の場合φ３００ｍｍを超すとより高次のモ
ードを発生させ易くなり、総じて導波管周辺に強い電界
を発生させる。この電界を対向電極下に設けた絶縁物の
リングを介して大気中から基板上の真空の空間へマイク
ロ波を導入するので、円周方向で均一なマイクロ波に基
づいてプラズマが発生する。従来のように高周波のみを
用いたＲＩＥ方式やプラズマ方式の場合には、条件にも
よるが、磁場の存在なしに１Ｐａ以下の圧力下で放電を
開始させるのは難しかった。しかし、本発明によれば、
０．０２Ｐａの圧力下でもマイクロ波の導入により容易
に放電が開始できる。
【０００７】また、本発明では、対向電極の面積が基板
の面積に比べて大きくされるので、イオン引き込み電圧
を大きくすることができる。
の面積に比べて大きくされるので、イオン引き込み電圧
を大きくすることができる。
【０００８】対向する電極にアース電位印加、高周波印
加（この場合には基板搭載側の電極をアース電位）基板
搭載電極を同期した高周波印加、さらには基板搭載電極
とは異なる高周波電源による独立高周波印加としても良
い。それぞれの被処理物の加工特性や使用する反応ガス
に応じて最適な電位印加が用いられることは言うまでも
ない。
加（この場合には基板搭載側の電極をアース電位）基板
搭載電極を同期した高周波印加、さらには基板搭載電極
とは異なる高周波電源による独立高周波印加としても良
い。それぞれの被処理物の加工特性や使用する反応ガス
に応じて最適な電位印加が用いられることは言うまでも
ない。
【０００９】また対向する電極（通常金属）がダメージ
を受け汚染物や異物を発生するのを抑えるため表面を純
度の高い絶縁物で覆うとともに対向電極とこの絶縁物と
の間にガスを導き、絶縁物に設けたガス穴からシャワー
状に反応ガスを供給し、処理の均一化に努めた。またこ
の対向電極に用いる絶縁物の厚さは印加する高周波の周
波数に応じて最適化する必要がある。またさらに対向電
極表面に何らかのプラズマに耐する表面処理を施し、対
向電極の中でガスを分散させ、対向電極にシャワー状に
ガスを供給するためのガス供給口を多数設けても良いこ
とは言うまでもない。
を受け汚染物や異物を発生するのを抑えるため表面を純
度の高い絶縁物で覆うとともに対向電極とこの絶縁物と
の間にガスを導き、絶縁物に設けたガス穴からシャワー
状に反応ガスを供給し、処理の均一化に努めた。またこ
の対向電極に用いる絶縁物の厚さは印加する高周波の周
波数に応じて最適化する必要がある。またさらに対向電
極表面に何らかのプラズマに耐する表面処理を施し、対
向電極の中でガスを分散させ、対向電極にシャワー状に
ガスを供給するためのガス供給口を多数設けても良いこ
とは言うまでもない。
【００１０】さらにはプラズマを着火するときやプラズ
マを切るときにのみマイクロ波を印加するような使い方
をしても良い。
マを切るときにのみマイクロ波を印加するような使い方
をしても良い。
【００１１】基板から見た壁の相対的な面積を減少させ
れば総じて壁面で形成された不純物の影響（不純ガスや
異物）を減じることができる。この観点からも基板と対
向電極の距離を小さく取る方が良いが、φ１５０ｍｍを
越える基板を処理する場合には基板直径の１／３以下に
対向電極と基板間の距離をセットした場合に、イオン密
度や基板上の電界分布、電子密度を一定に保つのに効果
があった。したがって、基板と対向電極との距離を５〜
５０ｍｍの範囲にするのが望しい。
れば総じて壁面で形成された不純物の影響（不純ガスや
異物）を減じることができる。この観点からも基板と対
向電極の距離を小さく取る方が良いが、φ１５０ｍｍを
越える基板を処理する場合には基板直径の１／３以下に
対向電極と基板間の距離をセットした場合に、イオン密
度や基板上の電界分布、電子密度を一定に保つのに効果
があった。したがって、基板と対向電極との距離を５〜
５０ｍｍの範囲にするのが望しい。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例を図１を用いて設明する。
図１はプラズマ処理装置の断面略図である。基板の真空
中での搬送機構、ボルト、ナット類、真空シール材及び
排気の為の手段を省略した。１はマイクロ波発生源、２
は第１の導波管である。３はマイクロ波を拡大するため
の第２の導波管で、対向電極４が収まる口径を有する。
第２の導波管３の導入口３′の中心が基板７の中心と一
致するように第２の導波管３が設けられる。５が石英リ
ングである。６は電極カバーで、４の対向電極を覆うよ
うに設けられ、基板７に対して反応ガスを供給するガス
流出口６′を多数個貫通させて設けている。８は基板７
を搭載する下部電極であり、高周波電源１２で発生した
高周波（本実施例では１３．５６ＭＨｚ）をマッチング
ネットワーク１１を介して供給される。１０は下部電極
８のアースシールドであり、下部電極８と、下部電極８
を覆う絶縁材９で隔絶されている。１３はベースフラン
ジでアース電位となっており、石英リング５の中を貫通
させて設けたアース柱１６を介して対向電極４と電気的
に接続してある。石英リング５の中間高さ位置での断面
図が図２であり、図に示すようにアース柱１６は石英リ
ング５を貫通して６本設けたが、さらに数を増大させた
り、減じたりしても良い。また、１７は絶縁カバーであ
る。
図１はプラズマ処理装置の断面略図である。基板の真空
中での搬送機構、ボルト、ナット類、真空シール材及び
排気の為の手段を省略した。１はマイクロ波発生源、２
は第１の導波管である。３はマイクロ波を拡大するため
の第２の導波管で、対向電極４が収まる口径を有する。
第２の導波管３の導入口３′の中心が基板７の中心と一
致するように第２の導波管３が設けられる。５が石英リ
ングである。６は電極カバーで、４の対向電極を覆うよ
うに設けられ、基板７に対して反応ガスを供給するガス
流出口６′を多数個貫通させて設けている。８は基板７
を搭載する下部電極であり、高周波電源１２で発生した
高周波（本実施例では１３．５６ＭＨｚ）をマッチング
ネットワーク１１を介して供給される。１０は下部電極
８のアースシールドであり、下部電極８と、下部電極８
を覆う絶縁材９で隔絶されている。１３はベースフラン
ジでアース電位となっており、石英リング５の中を貫通
させて設けたアース柱１６を介して対向電極４と電気的
に接続してある。石英リング５の中間高さ位置での断面
図が図２であり、図に示すようにアース柱１６は石英リ
ング５を貫通して６本設けたが、さらに数を増大させた
り、減じたりしても良い。また、１７は絶縁カバーであ
る。
【００１３】図１に戻ると１４は処理室を形成するため
のチャンバ、１５は排気ポートである。本実施例におい
て基板をセットした後反応ガスを供給し規定の圧力に制
御した後、マイクロ波源１を起動すると伴に高周波電源
１２を起動しプラズマを発生させ基板の表面処理を施
す。
のチャンバ、１５は排気ポートである。本実施例におい
て基板をセットした後反応ガスを供給し規定の圧力に制
御した後、マイクロ波源１を起動すると伴に高周波電源
１２を起動しプラズマを発生させ基板の表面処理を施
す。
【００１４】本実施例では基板７と対向電極４との距離
を３０ｍｍにセットした。Ｃｌ2ガスを用いて熱酸化シ
リコン膜をエッチングした。マイクロ波パワー３００
Ｗ、高周波パワー８０Ｗ印加した時に熱酸化シリコン膜
のエッチング速度は５ｎｍ／ｍｉｎ、これに対し、シリ
コンのエッチング速度が２５０ｎｍ／ｍｉｎを得た。従
来の対向電極のない石英ベルジャータイプの装置では熱
酸化シリコン膜を被着したウエハ（φ２００）の中央部
のエッチング速度が小さく均一性は±１５％程度であっ
たが、本発明では熱酸化膜のエッチング速度の均一性は
±５％内に低減できた。これとともにウエハ中央部でパ
ターン付のPoly-Siのエッチングにおいてテーパ型の形
状と成り易かったものが改善され、直角な形状が得ら
れ、イオン入射の均一性が向上できた。また電界分布や
電子密度の測定においても従来のベルジャータイプのも
のより径方向に均一化されていることを確認した。
を３０ｍｍにセットした。Ｃｌ2ガスを用いて熱酸化シ
リコン膜をエッチングした。マイクロ波パワー３００
Ｗ、高周波パワー８０Ｗ印加した時に熱酸化シリコン膜
のエッチング速度は５ｎｍ／ｍｉｎ、これに対し、シリ
コンのエッチング速度が２５０ｎｍ／ｍｉｎを得た。従
来の対向電極のない石英ベルジャータイプの装置では熱
酸化シリコン膜を被着したウエハ（φ２００）の中央部
のエッチング速度が小さく均一性は±１５％程度であっ
たが、本発明では熱酸化膜のエッチング速度の均一性は
±５％内に低減できた。これとともにウエハ中央部でパ
ターン付のPoly-Siのエッチングにおいてテーパ型の形
状と成り易かったものが改善され、直角な形状が得ら
れ、イオン入射の均一性が向上できた。また電界分布や
電子密度の測定においても従来のベルジャータイプのも
のより径方向に均一化されていることを確認した。
【００１５】また第２の導波管３の外周に設けた磁場発
生用のコイル１７ａ，１７ｂ及び１７ｃを用いることに
より、ＥＣＲ（エレクトロン・サイクロトロン・レゾナ
ンス）放電を導入しても良いし、さらにＥＣＲを発生さ
せない８７５Ｇ以下の磁場でも径方向の処理を制御する
のに有効であった。しかしながら全く磁場を用いなくと
も基板７と対向電極４との距離、ガス流量、ガス流出口
６′の配置の仕方、圧力等でも処理の均一性を制御でき
る利点がある。また、コイル１７ａ，１７ｂ，１７ｃが
不要になる場合、装置全体を小形化できることは言うま
でもない。
生用のコイル１７ａ，１７ｂ及び１７ｃを用いることに
より、ＥＣＲ（エレクトロン・サイクロトロン・レゾナ
ンス）放電を導入しても良いし、さらにＥＣＲを発生さ
せない８７５Ｇ以下の磁場でも径方向の処理を制御する
のに有効であった。しかしながら全く磁場を用いなくと
も基板７と対向電極４との距離、ガス流量、ガス流出口
６′の配置の仕方、圧力等でも処理の均一性を制御でき
る利点がある。また、コイル１７ａ，１７ｂ，１７ｃが
不要になる場合、装置全体を小形化できることは言うま
でもない。
【００１６】次に他の実施例を図３〜図５を用いて説明
する。これらの図では同一部材には同一記号を付したの
で共通部分の説明は省略する。
する。これらの図では同一部材には同一記号を付したの
で共通部分の説明は省略する。
【００１７】図３は対向電極２３に高周波電源１２′に
よる高周波を印加した例である。本実施例ではベースフ
ランジ１３′の中を貫通させた導入端子２２を介して対
向電極２３へ高周波を導びいた。
よる高周波を印加した例である。本実施例ではベースフ
ランジ１３′の中を貫通させた導入端子２２を介して対
向電極２３へ高周波を導びいた。
【００１８】図４は図３の下部電極８′をアース電位と
した場合である。
した場合である。
【００１９】図５は１つの高周波電源１２″から分岐型
マッチングネットワーク１１″を介して、対向電極２４
と下部電極８″に分けて高周波を印加した場合である。
これら本実施例における同一パワー、同一条件（マイク
ロ波パワー３００Ｗ，高周波８０Ｗ，Ｃｌ2，０．７Ｐ
ａ，対向電極距離３０ｍｍ）の場合で比較すると、熱酸
化膜のエッチング速度は、図３，図１，図５，図４の順
に小さくなった。熱酸化シリコン膜のエッチング速度は
イオンの入射強度と見なすことができる。それぞれのプ
ラズマ処理（エッチング材料，ガス，デポジション材
料，バイアススパッタ効果）に合致した高周波バイアス
印加方式を選択すれば、様々な処理に対応できることは
言うまでもない。
マッチングネットワーク１１″を介して、対向電極２４
と下部電極８″に分けて高周波を印加した場合である。
これら本実施例における同一パワー、同一条件（マイク
ロ波パワー３００Ｗ，高周波８０Ｗ，Ｃｌ2，０．７Ｐ
ａ，対向電極距離３０ｍｍ）の場合で比較すると、熱酸
化膜のエッチング速度は、図３，図１，図５，図４の順
に小さくなった。熱酸化シリコン膜のエッチング速度は
イオンの入射強度と見なすことができる。それぞれのプ
ラズマ処理（エッチング材料，ガス，デポジション材
料，バイアススパッタ効果）に合致した高周波バイアス
印加方式を選択すれば、様々な処理に対応できることは
言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマを均一に制御
できるので、半導体装置の歩留りを向上できる。またウ
エハに対向して設けた電極を加温することにより、プラ
ズマ発生部の温度制御も可能となり、反応生成物の壁面
付着により経時変化の影響も低減でき、生産性向上を図
ることができる。さらに、磁場形成不要の場合は装置全
体を小形化できる。
できるので、半導体装置の歩留りを向上できる。またウ
エハに対向して設けた電極を加温することにより、プラ
ズマ発生部の温度制御も可能となり、反応生成物の壁面
付着により経時変化の影響も低減でき、生産性向上を図
ることができる。さらに、磁場形成不要の場合は装置全
体を小形化できる。
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の石英リング位置での断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示すプラズマ処理装置の
断面略図である。
断面略図である。
【図４】本発明の他の実施例を示すプラズマ処理装置の
断面略図である。
断面略図である。
【図５】本発明の他の実施例を示すプラズマ処理装置の
断面略図である。
断面略図である。
１…マイクロ波発生源、２…導波管、３…第２の導波
管、４，２３…対向電極、５…石英リング、１１，１３
…ベースフランジ、１１′…分岐型マッチングネットワ
ーク、１２…高周波電源、２２…導入端子。
管、４，２３…対向電極、５…石英リング、１１，１３
…ベースフランジ、１１′…分岐型マッチングネットワ
ーク、１２…高周波電源、２２…導入端子。
Claims (7)
- 【請求項１】マイクロ波を用いてプラズマを生成するマ
イクロ波プラズマ処理装置において、被処理物である基
板より大きな表面積を有する対向電極を、前記基板と対
向して設け、前記対向電極をアース電位とし、前記対向
電極の下面に配した絶縁物を介してマイクロ波を全周方
向から導入することを特徴としたプラズマ処理装置。 - 【請求項２】マイクロ波を用いてプラズマを生成するマ
イクロ波プラズマ処理装置において、被処理物である基
板より大きな表面積を有する対向電極を、前記基板と対
向して設け、前記対向電極には前記基板を搭載する電極
に印加する高周波電源とは異なる高周波電源から得た高
周波を印加し、前記対向電極の下面に配した絶縁物を介
してマイクロ波を全周方向から導入することを特徴とし
たプラズマ処理装置。 - 【請求項３】マイクロ波を用いてプラズマを生成するマ
イクロ波プラズマ処理装置において、被処理物である基
板より大きな表面積を有する対向電極を、前記基板と対
向して設け、前記対向電極に前記高周波を印加し、前記
基板を搭載した電極をアース電位とし、前記対向電極の
下面に配した絶縁物を介してマイクロ波を全周方向から
導入することを特徴としたプラズマ処理装置。 - 【請求項４】マイクロ波を用いてプラズマを生成するマ
イクロ波プラズマ処理装置において、被処理物である基
板より大きな表面積を有する対向電極を、前記基板と対
向して設け、前記対向電極には前記基板を搭載する電極
と位相を合せた高周波を印加し、前記対向電極の下面に
配した絶縁物を介してマイクロ波を全周方向から導入す
ることを特徴としたプラズマ処理装置。 - 【請求項５】前記基板と前記対向電極との表面間距離を
５〜５０ｍｍの範囲内にしてプラズマ処理を行うことを
特徴とする請求項１，２，３及び４項のいずれかに記載
のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】前記μ波を基板の中心の法線上に小口径で
導入し大空間内に導入することを特徴とした請求項１，
２，３及び４項のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】プラズマ処理される基板を載置する載置用
電極と、上記基板よりも広い面積をもち、下方にガス放
出する放出孔を有し、上記載置用電極の上方に配置され
た対向電極と、この対向電極に対してガスを供給するガ
ス供給手段と、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源
と、上記マイクロ波を上記載置用電極の周辺に導き、周
辺から上記載置用電極に向かって上記マイクロ波を放出
するマイクロ波導出手段とからなることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31162492A JPH06163462A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31162492A JPH06163462A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08060548A Division JP3082659B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163462A true JPH06163462A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18019503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31162492A Pending JPH06163462A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163462A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067816A1 (fr) * | 1998-06-24 | 1999-12-29 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de gravure a sec et procede de production de dispositifs a semi-conducteurs |
| US6902683B1 (en) | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63155728A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | プラズマ処理装置 |
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-
1992
- 1992-11-20 JP JP31162492A patent/JPH06163462A/ja active Pending
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