JPH05283343A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05283343A JPH05283343A JP7686692A JP7686692A JPH05283343A JP H05283343 A JPH05283343 A JP H05283343A JP 7686692 A JP7686692 A JP 7686692A JP 7686692 A JP7686692 A JP 7686692A JP H05283343 A JPH05283343 A JP H05283343A
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- Japan
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- power
- discharge
- metal flat
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 片面ずつ電力制御できる両面放電プラズマＣ
ＶＤ装置を提供する。 【構成】 別個の電源に接続された２枚の電力印加用金
属平板８Ａ，８Ｂの間に接地金属平板１０を配設するこ
とでこれら２枚の電力印加用金属平板の電気的干渉を遮
断する。
ＶＤ装置を提供する。 【構成】 別個の電源に接続された２枚の電力印加用金
属平板８Ａ，８Ｂの間に接地金属平板１０を配設するこ
とでこれら２枚の電力印加用金属平板の電気的干渉を遮
断する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空反応室内に成膜に
必要な原料ガスを導入し、グロ−放電分解することによ
り基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置に関す
る。
必要な原料ガスを導入し、グロ−放電分解することによ
り基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は、太陽電池や薄膜
トランジスタ用の非晶質シリコン膜やシリコン窒化膜の
形成に用いられている。これは、スパッタリング法など
の他の成膜方法で形成された膜に較べて膜特性が優れて
いることや大面積での成膜が容易にできることなどが主
な理由である。最近のプラズマＣＶＤ装置においては、
生産性を向上させるために、基板を載置した基板カ−ト
を移動して複数の反応室で次々に成膜させるインライン
方式が用いられている。
トランジスタ用の非晶質シリコン膜やシリコン窒化膜の
形成に用いられている。これは、スパッタリング法など
の他の成膜方法で形成された膜に較べて膜特性が優れて
いることや大面積での成膜が容易にできることなどが主
な理由である。最近のプラズマＣＶＤ装置においては、
生産性を向上させるために、基板を載置した基板カ−ト
を移動して複数の反応室で次々に成膜させるインライン
方式が用いられている。
【０００３】さらに、生産性を向上するために、反応室
内で２枚の基板カ−トを同時に成膜できる両面放電型の
プラズマＣＶＤ装置も用いられている。
内で２枚の基板カ−トを同時に成膜できる両面放電型の
プラズマＣＶＤ装置も用いられている。
【０００４】第５図は、この両面放電型のプラズマＣＶ
Ｄ装置の従来例を示した反応室断面図であり、主に、反
応室５１、高周波電力を印加する第１電極５２、第１電
極に対向して配置される第２電極５３Ａ、５３Ｂ、ヒ−
タ５４Ａ、５４Ｂ、高周波電源５６、とから構成されて
いる。第１電極５２は、反応室５１の壁面に絶縁物５５
により電気的に絶縁されて取り付けられ、外部の高周波
電源５６と接続されている。第２電極５３Ａ、５３Ｂ
は、第１電極の両面にそれぞれ対向して平行に配置さ
れ、下部に取り付けた金属性の車輪５８、金属性のレ−
ル５９とを介して反応室５１の壁面と電気的に接続する
ことにより接地される。この車輪５８、レ−ル５９は、
第２電極５３Ａ、５３Ｂを図示しない他の反応室に移動
可能にするための機構であり第２電極自身が基板カ−ト
としての役目を兼ねている。ヒ−タ５４Ａ、５４Ｂは、
基板５７Ａ、５７Ｂを加熱成膜するときに使用する。ガ
ス導入口６０は、成膜原料ガスを反応室に導入するため
のものである。
Ｄ装置の従来例を示した反応室断面図であり、主に、反
応室５１、高周波電力を印加する第１電極５２、第１電
極に対向して配置される第２電極５３Ａ、５３Ｂ、ヒ−
タ５４Ａ、５４Ｂ、高周波電源５６、とから構成されて
いる。第１電極５２は、反応室５１の壁面に絶縁物５５
により電気的に絶縁されて取り付けられ、外部の高周波
電源５６と接続されている。第２電極５３Ａ、５３Ｂ
は、第１電極の両面にそれぞれ対向して平行に配置さ
れ、下部に取り付けた金属性の車輪５８、金属性のレ−
ル５９とを介して反応室５１の壁面と電気的に接続する
ことにより接地される。この車輪５８、レ−ル５９は、
第２電極５３Ａ、５３Ｂを図示しない他の反応室に移動
可能にするための機構であり第２電極自身が基板カ−ト
としての役目を兼ねている。ヒ−タ５４Ａ、５４Ｂは、
基板５７Ａ、５７Ｂを加熱成膜するときに使用する。ガ
ス導入口６０は、成膜原料ガスを反応室に導入するため
のものである。
【０００５】このような構成のプラズマＣＶＤ装置にお
いて、高周波電源５６から第１電極５２に電力を投入
し、第１電極５２の両面と、対向する第２電極５３Ａ、
５４Ｂとの間でグロ−放電を発生させることで、ガス導
入口６０から導入された原料ガスが分解され第２電極５
３Ａ、５３Ｂ上に載置した基板５７Ａ、５７Ｂ上に同時
に成膜することができる。
いて、高周波電源５６から第１電極５２に電力を投入
し、第１電極５２の両面と、対向する第２電極５３Ａ、
５４Ｂとの間でグロ−放電を発生させることで、ガス導
入口６０から導入された原料ガスが分解され第２電極５
３Ａ、５３Ｂ上に載置した基板５７Ａ、５７Ｂ上に同時
に成膜することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の両面放電型プラズマＣＶＤ装置では、第１電極５２と
第２電極５３Ａ間の放電と、第１電極５２と第２電極５
３Ｂ間の放電とにアンバランスが生じることがある。ア
ンバランスが生じる原因としてはたとえば、第２電極５
３Ａ、５３Ｂが第１電極に対して非対称な位置に停止し
たことなどが考えられる。この場合、従来の装置では放
電のアンバランスを解消するための手段がないために両
面で均等な成膜ができるように操作することが不可能で
あった。
の両面放電型プラズマＣＶＤ装置では、第１電極５２と
第２電極５３Ａ間の放電と、第１電極５２と第２電極５
３Ｂ間の放電とにアンバランスが生じることがある。ア
ンバランスが生じる原因としてはたとえば、第２電極５
３Ａ、５３Ｂが第１電極に対して非対称な位置に停止し
たことなどが考えられる。この場合、従来の装置では放
電のアンバランスを解消するための手段がないために両
面で均等な成膜ができるように操作することが不可能で
あった。
【０００７】本発明は、従来の両面放電型プラズマＣＶ
Ｄ装置で問題となった放電のアンバランスを解消するた
めの制御機構を備えることで、両面放電型プラズマＣＶ
Ｄ装置がもつ優れた量産性に加えて膜の均一性について
も優れた性能を発揮する成膜装置を提供することにあ
る。
Ｄ装置で問題となった放電のアンバランスを解消するた
めの制御機構を備えることで、両面放電型プラズマＣＶ
Ｄ装置がもつ優れた量産性に加えて膜の均一性について
も優れた性能を発揮する成膜装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
になされた本発明は、電力を印加する第一電極と、この
第一電極の両面にそれぞれ対向して設けられた接地第二
電極との間でプラズマを発生して、接地第二電極上に載
置した基板表面に薄膜を形成する両面放電型プラズマＣ
ＶＤ装置において、該第一電極が、１）接地金属平板
と、２）該接地金属平板の両面に絶縁スペ−サを挟んで
平行配置した電力印加用金属平板とからなり、３）各電
力印加用金属平板にはそれぞれ別個の電源から電力を供
給すること、を特徴とする。
になされた本発明は、電力を印加する第一電極と、この
第一電極の両面にそれぞれ対向して設けられた接地第二
電極との間でプラズマを発生して、接地第二電極上に載
置した基板表面に薄膜を形成する両面放電型プラズマＣ
ＶＤ装置において、該第一電極が、１）接地金属平板
と、２）該接地金属平板の両面に絶縁スペ−サを挟んで
平行配置した電力印加用金属平板とからなり、３）各電
力印加用金属平板にはそれぞれ別個の電源から電力を供
給すること、を特徴とする。
【０００９】以下、この構造のプラズマＣＶＤ装置がど
のように作用するかを説明する。
のように作用するかを説明する。
【００１０】
【作用】本発明のプラズマＣＶＤ装置における第１電極
は、接地金属平板を挟んで両側に２枚の電力印加用金属
平板が絶縁スペ−サを介して取り付けられ、各電力印加
用金属平板は、別個の電源に接続される。したがってそ
れぞれ一つの電源からは、一方の電力印加用金属平板に
のみ電力が供給される。接地金属平板は２枚の電力印加
用金属平板相互の間での容量結合を遮断する働きをして
いる。即ち、一方の電力印加用金属平板に投入された電
力はこの接地金属平板の存在により互いに電気的な干渉
を受けることがなくなる。その結果、各電源の電力を調
整することでそれぞれの電源に接続された片側のみの放
電が制御できることになる。
は、接地金属平板を挟んで両側に２枚の電力印加用金属
平板が絶縁スペ−サを介して取り付けられ、各電力印加
用金属平板は、別個の電源に接続される。したがってそ
れぞれ一つの電源からは、一方の電力印加用金属平板に
のみ電力が供給される。接地金属平板は２枚の電力印加
用金属平板相互の間での容量結合を遮断する働きをして
いる。即ち、一方の電力印加用金属平板に投入された電
力はこの接地金属平板の存在により互いに電気的な干渉
を受けることがなくなる。その結果、各電源の電力を調
整することでそれぞれの電源に接続された片側のみの放
電が制御できることになる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。
る。
【００１２】第１図は本発明による一実施例を示した両
面放電プラズマＣＶＤ装置の反応室断面図である。図に
おけるプラズマＣＶＤ装置は、主に反応室１、高周波電
力を印加する第１電極２、第１電極に対向して配置され
る第２電極３Ａ、３Ｂ、ヒ−タ４Ａ、４Ｂ、高周波電源
５Ａ、５Ｂ、成膜原料ガス流量を調整するための流量コ
ントロ−ル装置６Ａ、６Ｂ、原料ガスを反応室に導入す
るガス導入管７Ａ、７Ｂとから構成されている。
面放電プラズマＣＶＤ装置の反応室断面図である。図に
おけるプラズマＣＶＤ装置は、主に反応室１、高周波電
力を印加する第１電極２、第１電極に対向して配置され
る第２電極３Ａ、３Ｂ、ヒ−タ４Ａ、４Ｂ、高周波電源
５Ａ、５Ｂ、成膜原料ガス流量を調整するための流量コ
ントロ−ル装置６Ａ、６Ｂ、原料ガスを反応室に導入す
るガス導入管７Ａ、７Ｂとから構成されている。
【００１３】第１電極２は高周波電源５Ａ、５Ｂに接続
された電力印加用金属平板８Ａ、８Ｂと、この電力印加
用金属平板８Ａ、８Ｂの中間に絶縁スペ−サ９を介して
配置された接地金属平板１０とから形成される。高周波
電源５Ａ、５Ｂから反応室内の電力印加用金属平板８
Ａ、８Ｂへの接続ラインは、絶縁物１２により反応室１
の壁面と電気絶縁してある。
された電力印加用金属平板８Ａ、８Ｂと、この電力印加
用金属平板８Ａ、８Ｂの中間に絶縁スペ−サ９を介して
配置された接地金属平板１０とから形成される。高周波
電源５Ａ、５Ｂから反応室内の電力印加用金属平板８
Ａ、８Ｂへの接続ラインは、絶縁物１２により反応室１
の壁面と電気絶縁してある。
【００１４】本実施例では、絶縁スペ−サ９は電力印加
用金属平板８Ａ、８Ｂの外周取り巻いて設置してあり、
これらと接地金属平板１０とで囲まれる空間内にガスが
導入されるようガス導入管７Ａ、７Ｂが設けられてい
る。導入されたガスは、電力印加用金属平板８Ａ、８Ｂ
の表面に開けた多数の小孔１１から噴き出される。これ
は基板近傍にガスを均一に噴き出す構造にしてガスの流
れによる膜厚不均一を防止するための対策である。した
がって膜厚分布をあまり重要視しない成膜であれば、第
５図の従来例で示したようにガス導入口を反応室の壁面
に取り付けてもよい。
用金属平板８Ａ、８Ｂの外周取り巻いて設置してあり、
これらと接地金属平板１０とで囲まれる空間内にガスが
導入されるようガス導入管７Ａ、７Ｂが設けられてい
る。導入されたガスは、電力印加用金属平板８Ａ、８Ｂ
の表面に開けた多数の小孔１１から噴き出される。これ
は基板近傍にガスを均一に噴き出す構造にしてガスの流
れによる膜厚不均一を防止するための対策である。した
がって膜厚分布をあまり重要視しない成膜であれば、第
５図の従来例で示したようにガス導入口を反応室の壁面
に取り付けてもよい。
【００１５】第２電極３Ａ、３Ｂには、第１電極２の各
対向面にそれぞれ対向して基板１５Ａ、１５Ｂが載置さ
れる。第２電極３Ａ、３Ｂは、下部に取り付けた金属性
の車輪１３、金属性のレ−ル１４とを介して反応室１の
壁面と電気的に接続することにより接地される。この車
輪１３、レ−ル１４は、第２電極３Ａ、３Ｂを図示しな
い他の反応室に移動可能にするための機構であり、第２
電極自身が基板カ−トとしての役目を兼ねている。ヒ−
タ４Ａ、４Ｂは、基板１５Ａ、１５Ｂを加熱するのに使
用する。
対向面にそれぞれ対向して基板１５Ａ、１５Ｂが載置さ
れる。第２電極３Ａ、３Ｂは、下部に取り付けた金属性
の車輪１３、金属性のレ−ル１４とを介して反応室１の
壁面と電気的に接続することにより接地される。この車
輪１３、レ−ル１４は、第２電極３Ａ、３Ｂを図示しな
い他の反応室に移動可能にするための機構であり、第２
電極自身が基板カ−トとしての役目を兼ねている。ヒ−
タ４Ａ、４Ｂは、基板１５Ａ、１５Ｂを加熱するのに使
用する。
【００１６】このような構成のプラズマＣＶＤ装置にお
いて、高周波電源５Ａから投入される電力は、電力印加
用金属平板８Ａと第２電極３Ａとの間にグロ−放電を発
生させる。また高周波電源５Ｂから投入される電力は、
電力印加用金属平板８Ｂと第２電極３Ｂとの間にグロ−
放電を発生させる。２枚の電力印加用金属平板８Ａ、８
Ｂの間には、反応室１の壁面に接続された接地金属平板
１０が設けられているため、相互に電気的な干渉を生じ
ることなく電力制御が可能である。
いて、高周波電源５Ａから投入される電力は、電力印加
用金属平板８Ａと第２電極３Ａとの間にグロ−放電を発
生させる。また高周波電源５Ｂから投入される電力は、
電力印加用金属平板８Ｂと第２電極３Ｂとの間にグロ−
放電を発生させる。２枚の電力印加用金属平板８Ａ、８
Ｂの間には、反応室１の壁面に接続された接地金属平板
１０が設けられているため、相互に電気的な干渉を生じ
ることなく電力制御が可能である。
【００１７】なお、電力印加用金属平板８Ａ（８Ｂ）と
接地金属平板１０との間隔が広くなると、この空間でも
放電が発生するので通常は、この間隔は１０ｍｍ以上に
広がらないよう設計する。また、後述する第３図、第４
図によって示すような電極構造にして放電防止対策を施
すこともできる。
接地金属平板１０との間隔が広くなると、この空間でも
放電が発生するので通常は、この間隔は１０ｍｍ以上に
広がらないよう設計する。また、後述する第３図、第４
図によって示すような電極構造にして放電防止対策を施
すこともできる。
【００１８】第２図は本発明の他の一実施例を示した両
面放電プラズマＣＶＤ装置の反応室断面図である。この
プラズマＣＶＤ装置は、第１図で示した第１電極をさら
に改良したもので、第１電極の接地金属平板２２にも多
数の小孔２３を設けている。たとえばガス導入管２４の
詰まりが生じて接地金属平板２３の両側に流入するガス
量に差が生じてもこの穴を通して接地電極平板２３両側
のガス圧力を同圧力にすることができ、電力印加用金属
平板２５Ａ、２５Ｂからほぼ均等のガス噴き出しができ
る。この結果、ガス流量コントロ−ル装置も不要にな
り、装置の低価格化につながる。
面放電プラズマＣＶＤ装置の反応室断面図である。この
プラズマＣＶＤ装置は、第１図で示した第１電極をさら
に改良したもので、第１電極の接地金属平板２２にも多
数の小孔２３を設けている。たとえばガス導入管２４の
詰まりが生じて接地金属平板２３の両側に流入するガス
量に差が生じてもこの穴を通して接地電極平板２３両側
のガス圧力を同圧力にすることができ、電力印加用金属
平板２５Ａ、２５Ｂからほぼ均等のガス噴き出しができ
る。この結果、ガス流量コントロ−ル装置も不要にな
り、装置の低価格化につながる。
【００１９】第３図は、本発明の他の実施例を示した両
面放電プラズマＣＶＤ装置の第１電極の断面図である。
本実施例は電力印加用金属平板３２Ａ（３２Ｂ）と接地
金属平板３１との間隔が広くなるときに、この間での放
電防止対策を施したものである。電力印加用金属平板３
２Ａ（３２Ｂ）と同電位である放電防止板３３Ａ（３３
Ｂ）を接地金属平板３１に近接配置させることで実質的
に電力印加用金属平板３２Ａ（３２Ｂ）と接地金属平板
３１との間隔が縮められ、放電を防止することができ
る。
面放電プラズマＣＶＤ装置の第１電極の断面図である。
本実施例は電力印加用金属平板３２Ａ（３２Ｂ）と接地
金属平板３１との間隔が広くなるときに、この間での放
電防止対策を施したものである。電力印加用金属平板３
２Ａ（３２Ｂ）と同電位である放電防止板３３Ａ（３３
Ｂ）を接地金属平板３１に近接配置させることで実質的
に電力印加用金属平板３２Ａ（３２Ｂ）と接地金属平板
３１との間隔が縮められ、放電を防止することができ
る。
【００２０】第４図は、本発明の他の実施例を示した両
面放電プラズマＣＶＤ装置の第１電極の断面図である。
本実施例も第３図と同じく電力印加用金属平板４２Ａ
（４２Ｂ）と接地金属平板との間隔が広くなるときに、
この間での放電防止対策を施したものである。接地金属
平板４１を図に示すように中空二重構造とすることによ
り電力印加用金属平板４２Ａ（４２Ｂ）との間隔が縮ま
り放電が防止できる。
面放電プラズマＣＶＤ装置の第１電極の断面図である。
本実施例も第３図と同じく電力印加用金属平板４２Ａ
（４２Ｂ）と接地金属平板との間隔が広くなるときに、
この間での放電防止対策を施したものである。接地金属
平板４１を図に示すように中空二重構造とすることによ
り電力印加用金属平板４２Ａ（４２Ｂ）との間隔が縮ま
り放電が防止できる。
【００２１】なお、本発明によるプラズマＣＶＤ装置の
電源は、高周波電源に限られず、直流電源であってもよ
い。
電源は、高周波電源に限られず、直流電源であってもよ
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の両面放電
プラズマＣＶＤ装置では、片面ずつ独立して放電を制御
することができるので、両面間の放電のアンバランスの
調整が容易となり均一な成膜が可能になる。
プラズマＣＶＤ装置では、片面ずつ独立して放電を制御
することができるので、両面間の放電のアンバランスの
調整が容易となり均一な成膜が可能になる。
【００２３】また、試作時の成膜などで処理すべき基板
の数が少なく片面のみに基板を載置する場合、従来の装
置では必ず両面放電しなければならず、基板を載置して
いない片側は反応室壁面や電極面を汚すだけの不要な放
電となっていたが、本発明の両面放電プラズマＣＶＤ装
置では、必要な片面のみを放電することもできる。
の数が少なく片面のみに基板を載置する場合、従来の装
置では必ず両面放電しなければならず、基板を載置して
いない片側は反応室壁面や電極面を汚すだけの不要な放
電となっていたが、本発明の両面放電プラズマＣＶＤ装
置では、必要な片面のみを放電することもできる。
【００２４】さらに、２台の電源の内、１台が故障した
場合に、生産量は半減するが残りの電源で片面のみの成
膜をすることは可能であり生産ラインの全停止にならな
いことから生産用装置としての信頼性も向上する。
場合に、生産量は半減するが残りの電源で片面のみの成
膜をすることは可能であり生産ラインの全停止にならな
いことから生産用装置としての信頼性も向上する。
【図１】本発明の一実施例である両面放電プラズマＣＶ
Ｄ装置の反応室断面図。
Ｄ装置の反応室断面図。
【図２】本発明の他の一実施例である両面放電プラズマ
ＣＶＤ装置の反応室断面図。
ＣＶＤ装置の反応室断面図。
【図３】本発明の一実施例の第１電極の断面図。
【図４】本発明の一実施例の第１電極の断面図。
【図５】従来の両面放電プラズマＣＶＤ装置の反応室断
面図。
面図。
１：反応室 ２：第１電極 ３Ａ、３Ｂ：第２電極 ５Ａ、５Ｂ：高周波電源 ８Ａ、８Ｂ：電力印加用金属平板 ９：絶縁スペ−サ １０：接地金属平板
Claims (1)
- 【請求項１】 電力を印加する第一電極と、この第一電
極の両面にそれぞれ対向して設けられた接地第二電極と
の間でプラズマを発生して、接地第二電極上に載置した
基板表面に薄膜を形成する両面放電型プラズマＣＶＤ装
置において、 該第一電極が、 １）接地金属平板と、 ２）該接地金属平板の両面に絶縁スペ−サを挟んで平行
配置した電力印加用金属平板とからなり、 ３）各電力印加用金属平板にはそれぞれ別個の電源から
電力を供給すること、 を特徴としたプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076866A JP3049932B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076866A JP3049932B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283343A true JPH05283343A (ja) | 1993-10-29 |
| JP3049932B2 JP3049932B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=13617573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4076866A Expired - Lifetime JP3049932B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3049932B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329071A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2009063629A1 (ja) * | 2007-11-14 | 2009-05-22 | Emd Corporation | プラズマ処理装置 |
| US7722738B2 (en) | 2002-11-12 | 2010-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing unit and semiconductor device manufacturing method |
| EP2290701A1 (en) * | 2008-06-06 | 2011-03-02 | Ulvac, Inc. | Apparatus for manufacturing thin film solar cell |
| US7927455B2 (en) | 2004-10-22 | 2011-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103397311B (zh) * | 2013-08-15 | 2016-05-18 | 苏州思博露光伏能源科技有限公司 | Pecvd柔性太阳能电池制造设备 |
| JP6240042B2 (ja) | 2014-08-05 | 2017-11-29 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
-
1992
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