KR102594442B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력에 의해 챔버 내에 공급한 가스를 플라즈마화하여, 기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치로서, 상부에 기판이 배치되는 제1 전극과, 상부에 포커스 링이 설치되며, 상기 제1 전극의 주위에 마련된 제2 전극이 이격하여 형성된 스테이지와, 주로 플라즈마 중의 이온을 인입하기 위한 제1 고주파 전력을 상기 제1 전극에 인가하는 제1 고주파 전원과, 상기 제1 고주파 전원과 독립적으로 마련되며, 주로 플라즈마 중의 이온을 인입하기 위한 제2 고주파 전력을 상기 제2 전극에 인가하는 제2 고주파 전원과, 상기 제1 고주파 전원과 상기 제2 고주파 전원을 독립적으로 제어하는 제어부를 갖는, 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마 처리의 균일성을 향상시키기 위해 여러 가지 기술이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1, 2를 참조). 예컨대, 특허문헌 1에서는, 플라즈마 처리 시에 소모하는 포커스 링의 소모량에 따라 임피던스 조정 회로를 제어하고, 이에 의해, 포커스 링에 인가하는 고주파 전력을 변화시키는 기술이 개시되어 있다. 이에 따르면, 시스를 제어함으로써 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
특허문헌 2에서는, 스테이지의 웨이퍼 배치측과 포커스 링 설치측을 지지하는 베이스에 홈을 형성하는 것이 개시되어 있다. 이에 따르면, 스테이지의 웨이퍼 배치측과 포커스 링측 사이의 열의 이동을 억제하고, 이에 의해, 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2010-186841호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2014-150104호 공보
그러나, 특허문헌 1, 2의 스테이지는, 웨이퍼 배치측과 포커스 링 설치측으로 완전하게 분리되어 있는 것은 아니고, 적어도 일부에 있어서 분리되지 않는 구조로 되어 있다. 이 때문에, 스테이지의 웨이퍼 배치측과 포커스 링 설치측에서 플라즈마 처리의 균일성을 도모하기 어려운 경우가 생긴다.
상기 과제에 대하여, 일측면에서는, 본 발명은 플라즈마 처리의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 하나의 양태에 따르면, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력에 의해 챔버 내에 공급한 가스를 플라즈마화하여, 기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치로서, 상부에 기판이 배치되는 제1 전극과, 상부에 포커스 링이 설치되며, 상기 제1 전극의 주위에 마련된 제2 전극이 이격하여 형성된 스테이지와, 주로 플라즈마 중의 이온을 인입하기 위한 제1 고주파 전력을 상기 제1 전극에 인가하는 제1 고주파 전원과, 상기 제1 고주파 전원과 독립적으로 마련되며, 주로 플라즈마 중의 이온을 인입하기 위한 제2 고주파 전력을 상기 제2 전극에 인가하는 제2 고주파 전원과, 상기 제1 고주파 전원과 상기 제2 고주파 전원을 독립적으로 제어하는 제어부를 갖는, 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
하나의 측면에 따르면, 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 일실시형태에 따른 스테이지의 일례를 확대한 도면이다.
도 3은 스테이지의 상부의 시스의 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 일실시형태에 따른 스테이지의 다른 예를 확대한 도면이다.
도 5는 일실시형태에 따른 멀티 컨택트 구조의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복하는 설명을 생략한다.
[플라즈마 처리 장치의 전체 구성]
먼저, 본 발명의 일실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)를 예를 들어 설명한다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 예컨대 알루미늄 등의 도전성 재료로 이루어지는 챔버(10)를 갖는다. 챔버(10)는, 접지되어 있다. 챔버(10) 내에는 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼(W)」라고 함)와 포커스 링(16)을 배치하는 스테이지(12)가 마련되어 있다. 스테이지(12)는, 지지체(42)에 의해 지지되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)는, 플라즈마 처리 대상인 기판의 일례이다.
본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는, 하부 전극으로서도 기능하는 스테이지(12)와, 상부 전극으로서도 기능하는 가스 샤워 헤드(40)를 대향 배치하고, 가스 샤워 헤드(40)로부터 가스를 챔버(10) 내에 공급하는 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치이다.
스테이지(12)는, 스테이지(12) 중앙의 웨이퍼 배치측(이하, 「웨이퍼(W)측」이라고 함)과 스테이지(12) 바깥 가장자리의 포커스 링(16)측으로 분리되며, 그 사이는 완전하게 분리되어 있다.
스테이지(12) 중앙의 웨이퍼(W)측 상면에는, 웨이퍼(W)를 정전 흡착하기 위한 정전 척(11)이 마련되어 있다. 정전 척(11)은, 유전체(15a)의 속에 도전층인 흡착용 전극(11a)을 개재시켜 구성되어 있다. 정전 척(11)은, 스테이지(12) 중앙의 웨이퍼(W)측 상면 전체를 덮도록 배치되어 있다. 또한, 유전체(15b)에 흡착용 전극을 마련하여 포커스 링(16)을 흡착하도록 하여도 좋다.
본 실시형태의 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측에서는, 원반형의 제1 전극(13) 및 정전 척(11)이 베이스(12a) 위에 설치되어 있다. 스테이지(12)의 포커스 링(16)측에서는, 링형의 제2 전극(14) 및 유전체(15b)가 베이스(12a) 위에 설치되어 있다. 정전 척(11) 위에는 웨이퍼(W)가 배치된다. 유전체(15b) 위에는 포커스 링(16)이 설치되어 있다. 포커스 링(16)은, 웨이퍼(W)의 바깥 가장자리를 둘러싸도록 배치된다. 또한, 베이스(12a)는, 유전체 부재로 형성되어 있다.
유전체(15a) 및 유전체(15b)는, 예컨대 산화이트륨(Y2O3), 알루미나(Al2O3) 또는 세라믹스에 의해 형성되어 있다. 제1 전극(13) 및 제2 전극(14)은, 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 스틸, 스테인레스 등의 도전성 부재에 의해 형성되어 있다. 포커스 링(16)은, 실리콘 또는 석영으로 형성되어 있다.
제1 전극(13)에는, 제1 전력 공급 장치(20)가 접속되어 있다. 제1 전력 공급 장치(20)는, 제1 고주파 전원(21), 제3 고주파 전원(22) 및 제1 직류 전원(25)을 갖는다. 제1 고주파 전원(21)은, 주로 이온을 인입하기 위한 고주파 전력(LF)인 제1 고주파 전력을 공급한다. 제3 고주파 전원(22)은, 주로 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력(HF)인 제3 고주파 전력을 공급한다. 제1 직류 전원(25)은, 제1 직류 전류를 공급한다.
제1 고주파 전원(21)은, 예컨대 20 ㎒ 이하의(예컨대 13.56 ㎒ 등) 주파수의 제1 고주파 전력을 제1 전극(13)에 공급한다. 제3 고주파 전원(22)은, 20 ㎒보다 큰(예컨대 40 ㎒나 60 ㎒ 등) 주파수의 제3 고주파 전력을 제1 전극(13)에 공급한다. 제1 직류 전원(25)은, 제1 직류 전류를 제1 전극(13)에 공급한다.
제1 고주파 전원(21)은, 제1 정합기(23)를 통해 제1 전극(13)에 전기적으로 접속된다. 제3 고주파 전원(22)은, 제3 정합기(24)를 통해 제1 전극(13)에 전기적으로 접속된다. 제1 정합기(23)는, 제1 고주파 전원(21)의 내부(또는 출력) 임피던스에 부하 임피던스를 정합시킨다. 제3 정합기(24)는, 제3 고주파 전원(22)의 내부(또는 출력) 임피던스에 부하 임피던스를 정합시킨다.
제2 전극(14)에는, 제2 전력 공급 장치(26)가 접속되어 있다. 제2 전력 공급 장치(26)는, 제2 고주파 전원(27), 제4 고주파 전원(28) 및 제2 직류 전원(31)을 갖는다. 제2 고주파 전원(27)은, 주로 이온을 인입하기 위한 고주파 전력(LF)인 제2 고주파 전력을 공급한다. 제4 고주파 전원(28)은, 주로 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력(HF)인 제4 고주파 전력을 공급한다. 제2 직류 전원(31)은, 제2 직류 전류를 공급한다.
제2 고주파 전원(27)은, 예컨대 20 ㎒ 이하의(예컨대 13.56 ㎒ 등) 주파수의 제2 고주파 전력을 제2 전극(14)에 공급한다. 제4 고주파 전원(28)은, 20 ㎒보다 큰(예컨대 40 ㎒나 60 ㎒ 등) 주파수의 제4 고주파 전력을 제2 전극(14)에 공급한다. 제2 직류 전원(31)은, 제2 직류 전류를 제2 전극(14)에 공급한다.
제2 고주파 전원(27)은, 제2 정합기(29)를 통해 제2 전극(14)에 전기적으로 접속된다. 제4 고주파 전원(28)은, 제4 정합기(30)를 통해 제2 전극(14)에 전기적으로 접속된다. 제2 정합기(29)는, 제2 고주파 전원(27)의 내부(또는 출력) 임피던스에 부하 임피던스를 정합시킨다. 제4 정합기(30)는, 제4 고주파 전원(28)의 내부(또는 출력) 임피던스에 부하 임피던스를 정합시킨다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 스테이지(12)는, 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측으로 분리되어 있다. 즉, 스테이지(12)는, 상부에 웨이퍼(W)가 배치되는 정전 척(11) 및 제1 전극(13)과, 상부에 포커스 링(16)이 설치되며, 제1 전극(13)의 주위에 마련된 유전체(15b) 및 제2 전극(14)이 이격하여 유전체 부재의 베이스(12a) 위에 형성되어 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 스테이지(12)에 고주파 전력 등을 공급하는 전원계에 대해서도, 웨이퍼(W)측의 제1 전력 공급 장치(20)와 포커스 링(16)측의 제2 전력 공급 장치(26)의 2계통이 각각 독립적으로 마련되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)측의 전원 제어와 포커스 링(16)측의 전원 제어를 따로따로 독립적으로 행할 수 있다.
제1 전극(13) 및 제2 전극(14)의 내부에는, 냉매 유로(18a) 및 냉매 유로(18d)가 형성되어 있다. 냉매 유로(18a) 및 냉매 유로(18d)에는, 칠러 유닛(19)으로부터 적절하게 냉매로서 예컨대 냉각수 등이 공급되고, 냉매 입구 배관(18b) 및 냉매 출구 배관(18c)을 통하여 냉매가 순환하도록 되어 있다. 또한, 냉매 유로(18a) 및 냉매 유로(18d)는, 각각 별개의 칠러 유닛에 접속되어, 독립적으로 온도 제어 가능한 구성으로 하여도 좋다.
전열 가스 공급원(34)은, 헬륨 가스(He)나 아르곤 가스(Ar) 등의 전열 가스를 가스 공급 라인(33)에 통과시켜 정전 척(11) 위의 웨이퍼(W)의 이면에 공급한다. 이러한 구성에 의해, 정전 척(11)은, 냉매 유로(18a, 18d)를 순환하는 냉매와, 웨이퍼(W)의 이면에 공급하는 전열 가스에 의해 온도 제어된다. 이 결과, 웨이퍼(W)를 미리 정해진 온도로 제어할 수 있다.
가스 샤워 헤드(40)는, 그 바깥 가장자리부를 피복하는 유전체의 실드 링(43)을 통해 챔버(10)의 천장부에 부착되어 있다. 가스 샤워 헤드(40)는, 전기적으로 접지되어도 좋고, 도시하지 않는 가변 직류 전원을 접속하여 가스 샤워 헤드(40)에 미리 정해진 직류(DC) 전압이 인가되도록 구성하여도 좋다.
가스 샤워 헤드(40)에는, 가스 공급원(41)으로부터 가스를 도입하기 위한 가스 도입구(45)가 형성되어 있다. 가스 샤워 헤드(40)의 내부에는 가스 도입구(45)로부터 도입된 가스를 확산하는 중앙측의 확산실(50a) 및 외주측의 확산실(50b)이 마련되어 있다.
가스 샤워 헤드(40)에는, 이들 확산실(50a, 50b)로부터 가스를 챔버(10) 내에 공급하는 다수의 가스 공급 구멍(55)이 형성되어 있다. 각 가스 공급 구멍(55)은, 스테이지(12)와 가스 샤워 헤드(40) 사이에 가스를 공급할 수 있도록 배치되어 있다.
이러한 구성에 의해, 가스 샤워 헤드(40)의 외주측으로부터 제1 가스를 공급하여, 가스 샤워 헤드(40)의 중앙측으로부터 제1 가스와는 가스종 또는 가스비가 상이한 제2 가스를 공급하도록 제어할 수 있다.
배기 장치(37)는, 챔버(10)의 바닥면에 마련된 배기구(36)에 접속되어 있다. 배기 장치(37)는, 챔버(10) 내의 가스를 배기하고, 이에 의해, 챔버(10) 내를 미리 정해진 진공도로 유지한다.
챔버(10)의 측벽에는 게이트 밸브(G)가 마련되어 있다. 웨이퍼(W)는, 게이트 밸브(G)로부터 챔버(10)의 내부에 반입되고, 챔버(10)의 내부에서 플라즈마 처리된 후에 게이트 밸브(G)로부터 챔버(10)의 외부에 반출된다.
플라즈마 처리 장치(1)에는, 장치 전체의 동작을 제어하는 제어부(101)가 마련되어 있다. 제어부(101)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 가지고 있다. CPU는, RAM 등의 기억 영역에 저장된 각종 레시피에 따라, 웨이퍼(W)에 원하는 플라즈마 처리를 실행한다. 레시피에는, 각 프로세스에 대한 장치의 제어 정보인 프로세스 시간, 압력(가스의 배기), 고주파 전력이나 전압, 각종 프로세스 가스 유량, 챔버 내부 온도도[상부 전극 온도, 챔버의 측벽 온도, 정전 척(ESC) 온도 등] 등이 기재되어 있다. 또한, 레시피는, 하드 디스크나 반도체 메모리에 기억되어도 좋고, CD-ROM, DVD 등의 가반성의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 기억 영역의 미리 정해진 위치에 보존되어도 좋다.
또한, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측을 분리하고, 그 사이에 형성된 홈(17)은, 진공 공간이어도 좋고, 도 2에 나타내는 바와 같이, 알루미나 등의 절연체(9)나 수지가 매립되어도 좋다. 알루미나 등의 절연체(9)나 수지가 매립되어 있는 경우에는, 제1 직류 전원(25) 혹은 제2 직류 전원(31) 중 어느 한쪽, 혹은, 양방의 접속을 생략하여도 좋다.
[효과]
본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 가스 공급원(41)으로부터 챔버(10) 내에 공급된 가스가, 제3 고주파 전원(22)으로부터 스테이지(12)에 인가한 제3 고주파 전력(HF) 및 제4 고주파 전원(28)으로부터 스테이지(12)에 인가한 제4 고주파 전력(HF)을 이용하여 전리나 해리함으로써 플라즈마가 생성되고, 그 플라즈마 중의 이온을 제1 고주파 전원(21)으로부터 스테이지(12)에 인가한 제1 고주파 전력(LF) 및 제2 고주파 전원(27)으로부터 스테이지(12)에 인가한 제2 고주파 전력(LF)을 이용하여 웨이퍼(W)에 인입함으로써 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리가 행해진다. 플라즈마 처리 시, 도 3의 상단에 나타내는 바와 같이, 시스 영역(S)이 웨이퍼(W) 상 및 포커스 링(16) 상에 형성된다. 시스 영역(S)의 내부에서는, 플라즈마 중의 주로 이온이 웨이퍼(W)를 향하여 가속한다.
플라즈마 처리 때마다 플라즈마에 폭로되는 포커스 링(16)의 표면은 서서히 소모된다. 그렇게 되면, 도 3의 좌측 아래에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(16)의 상부에 형성되는 시스 영역(S)의 높이는, 웨이퍼(W)의 상부에 형성되는 시스 영역(S)보다 낮아진다. 그렇게 되면, 웨이퍼(W)의 최외주의 근방에 있어서 시스 영역(S)이 경사하여 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 최외주의 근방에서는, 이온이 웨이퍼(W)에 형성되는 홀에 비스듬하게 입사된다. 이에 의해, 이온에 의해 비스듬하게 깎여, 비스듬하게 경사한 홀이 형성된다, 소위 「틸팅」이 발생한다. 틸팅이 발생하면, 플라즈마 처리의 균일성이 저하하기 때문에, 틸팅이 발생하기 전에 포커스 링(16)을 정기 교환하여, 수율의 저하를 회피할 필요가 있다. 그러나, 포커스 링(16)의 교환 주기가 줄어듬으로써 다운 타임이 길어지면, 스루풋의 저하와 동시에 포커스 링(16)의 교환 비용이 비싸진다.
그래서, 본 실시형태의 정전 척(11)은, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측이 전기적으로 분리된 구조로 되어 있고, 2계통의 전원계에 의해, 웨이퍼(W)측의 전원 제어와 포커스 링(16)측의 전원 제어를 따로따로 독립적으로 행한다. 이에 의해, 예컨대 포커스 링(16)측에 인가하는 고주파 전력을 웨이퍼(W)측에 인가하는 고주파 전력보다 높게 하도록 독립적으로 제어할 수 있다.
예컨대, 도 3의 하단의 좌측에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(16)이 소모된 경우, 포커스 링(16)의 시스 영역(S)의 높이는 낮아진다. 이 경우, 제어부(101)는, 포커스 링(16)측에 인가하는 제2 고주파 전력(LF)을 웨이퍼(W)측에 인가하는 제1 고주파 전력(LF)보다 높게 하도록 제1 고주파 전원(21) 및 제2 고주파 전원(27)을 제어한다. 이에 의해, 도 3의 하단의 우측에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(16)의 상부의 시스 영역(S)의 두께를 두껍게 할 수 있다. 이에 의해, 포커스 링(16)이 소모되기 전과 마찬가지로, 포커스 링(16)의 상부의 시스 영역(S)과 웨이퍼(W)의 상부의 시스 영역(S)을 동일한 높이로 제어할 수 있다. 이에 의해, 틸팅의 발생을 방지하고, 플라즈마 처리의 균일성을 높여, 수율의 저하를 막을 수 있다. 또한, 포커스 링(16)의 교환 사이클을 느리게 하여, 포커스 링(16)의 교환에 따른 비용을 저감할 수 있다.
[전원 제어]
본 실시형태에서는, 2계통의 전원계를 가지고, 그 제어는 제어부(101)에 의해 행해진다. 제어부(101)는, 예컨대, 제2 고주파 전원(27)으로부터 출력되는 제2 고주파 전력(LF)을, 제1 고주파 전원(21)으로부터 출력되는 제1 고주파 전력(LF)보다 상대적으로 높게 하도록 제어한다. 이에 의해, 포커스 링(16)의 상부에 형성되는 시스 영역(S)의 두께를, 웨이퍼(W)의 상부에 형성되는 시스 영역(S)의 두께보다 두껍게 할 수 있다. 이에 의해, 포커스 링(16)이 소모되어도, 포커스 링(16)과 웨이퍼(W)의 상부의 시스 영역(S)을 동일한 높이로 제어함으로써, 틸팅의 발생을 회피할 수 있다.
또한, 제2 고주파 전력(LF)과 제1 고주파 전력(LF)은, 주로 시스의 두께에 기여하기 때문에, 제어부(101) 양방의 제1 고주파 전원(21) 및 제2 고주파 전원(27)의 각각을 독립적으로 제어하도록 한다. 예컨대, 포커스 링(16)측에 인가하는 제2 고주파 전력(LF)을, 웨이퍼(W)측에 인가하는 제1 고주파 전력(LF)보다 높게 하면, 포커스 링(16)측의 상부의 시스 영역(S)의 두께를 웨이퍼(W)의 상부의 시스 영역(S)의 두께보다 두껍게 제어할 수 있다.
구체적인 제어 방법의 일례로서는, 제어부(101)는, 포커스 링(16)의 소모의 정도에 따라, 포커스 링(16)측에 인가하는 제2 고주파 전력(LF)을 서서히 높게 하는 방법이다. 제어 방법의 다른 예로서는, 미리 포커스 링(16)을 두껍게 작성해 두고, 제어부(101)는, 초기에는 제2 고주파 전력(LF)을 제1 고주파 전력(LF)보다 낮게 제어하고, 포커스 링(16)의 두께에 따라 서서히 높게 하여도 좋다.
제어부(101)는, 이온의 인입용으로 제1 고주파 전력(LF) 및 제2 고주파 전력(LF)을 인가하며, 제3 고주파 전원(22) 또는 제4 고주파 전원(28) 중 적어도 어느 하나를 제어함으로써, 스테이지(12)에 플라즈마 생성용의 고주파 전력(HF)을 인가한다.
구체적인 제어 방법의 일례로서는, 제어부(101)는, 포커스 링(16)의 소모의 정도에 따라, 포커스 링(16)측에 인가하는 제4 고주파 전력(HF)을 서서히 높게 하여도 좋다. 제어 방법의 다른 예로서는, 미리 포커스 링(16)을 두껍게 작성해 두고, 제어부(101)는, 초기에는 제4 고주파 전력(HF)을 제3 고주파 전력(HF)보다 낮게 제어하고, 포커스 링(16)의 두께에 따라 서서히 높게 하여도 좋다. 이와 같이 하여, 제1 고주파 전력 및 제2 고주파 전력(LF)에 더하여, 제3 고주파 전력(HF) 및 제4 고주파 전력(HF)을 제어함으로써, 포커스 링(16)측과 웨이퍼(W)측의 상부의 시스 영역(S)의 두께의 제어성을 높일 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측에 제1 고주파 전원(21) 및 제3 고주파 전원(22)을 접속하고, 포커스 링(16)측에 제2 고주파 전원(27) 및 제4 고주파 전원(28)을 접속하였지만, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측에 제1 고주파 전원(21) 및 제3 고주파 전원(22)을 접속하고, 포커스 링(16)측에 제2 고주파 전원(27)만을 접속하여도 좋다. 또한, 예컨대, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측에 제1 고주파 전원(21)만을 접속하고, 포커스 링(16)측에 제2 고주파 전원(27) 및 제4 고주파 전원(28)을 접속하고, 가스 샤워 헤드(40)(상부 전극)에 제3 고주파 전원(22)을 접속하여도 좋다. 또한, 예컨대, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측에 제1 고주파 전원(21)만을 접속하고, 포커스 링(16)측에 제2 고주파 전원(27)만을 접속하고, 가스 샤워 헤드(40)(상부 전극)에 제3 고주파 전원(22)을 접속하여도 좋다.
또한, 제어부(101)는, 제1 직류 전원(25) 및 제2 직류 전원(31) 중 적어도 어느 하나로부터, 제1 직류 전류 및 제2 직류 전류 중 적어도 어느 하나를, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측 및 포커스 링(16)측 중 적어도 어느 하나에 인가하여도 좋다. 본 실시형태의 스테이지(12)의 구조에서는, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측이 격리되어 있고, 2계통의 전원계를 이용하여 따로따로 제어되기 때문에, 제1 전극(13)과 제2 전극(14) 사이에 전위차가 생긴다. 전위차가 생기면, 홈(17)의 내부의 공간에서 이상 방전이 발생하는 경우가 있다. 따라서, 제어부(101)는, 홈(17)의 내부에 있어 방전 현상을 생기기 어렵게 하기 때문에, 전위차를 캔슬하도록 제1 직류 전류 및 제2 직류 전류 중 적어도 어느 하나를 제어하는 것이 바람직하다.
이러한 구성의 플라즈마 처리 장치(1)에 따르면, 2계통의 전원계를, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)와 포커스 링(16)측에 독립적으로 마련함으로써, 포커스 링(16)측의 상부의 시스 영역(S)의 두께와, 웨이퍼(W)의 상부의 시스 영역(S)의 두께를 따로따로 제어할 수 있다. 이에 의해, 틸팅의 발생을 방지할 수 있다. 이 결과, 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
[다른 전원 제어]
다른 제어의 일례로서, 제어부(101)는, 포커스 링(16)측에 인가하는 제2 고주파 전력(LF)을, 웨이퍼(W)측에 인가하는 제1 고주파 전력(LF)보다 낮게 하도록 제1 고주파 전원(21) 및 제2 고주파 전원(27)을 제어하여도 좋다. 이에 의하면, 포커스 링(16)측의 상부의 시스 영역(S)의 두께는, 웨이퍼(W)의 상부의 시스 영역(S)의 두께보다 더욱 얇아진다. 이러한 제어는, 웨이퍼리스 드라이 클리닝(WLDC) 시에, 스테이지(12) 중앙의 웨이퍼(W)측의 유전체(15a)의 최외주의 코너부에 부착된 반응 생성물을 제거하기 위해 사용할 수 있다. 즉, 제어부(101)는, 웨이퍼리스 드라이 클리닝(WLDC) 시에, 제2 고주파 전력(LF)을 제1 고주파 전력(LF)보다 낮게 하는 제어를 행한다. 이에 의해, 포커스 링(16)측의 상부의 시스 영역(S)의 두께가 스테이지(12) 중앙의 웨이퍼(W)측의 유전체(15a)의 상부에 형성되는 시스 영역(S)의 두께보다 더욱 얇아진다. 이 결과, 스테이지(12)의 최외주의 코너부(숄더부)에 이온을 비스듬하게 어택시키기 쉬워져, 스테이지(12) 중앙의 웨이퍼(W)측의 유전체(15a)의 최외주의 코너부에 부착된 반응 생성물을 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 웨이퍼리스 드라이 클리닝뿐만 아니라, 웨이퍼(W)를 스테이지(12)에 배치한 상태로 행하는 드라이 클리닝을 포함하는 클리닝 처리 시에, 제1 고주파 전력(LF) 에 대한 제2 고주파 전력(LF)을 낮게 하도록 제어하여도 좋다. 이에 의해, 스테이지(12) 중앙의 웨이퍼(W)측의 유전체(15a)의 최외주의 코너부에 퇴적한 반응 생성물을 제거하는 클리닝을 실행할 수 있다.
상기에서는, 주로 이온을 인입하기 위한 고주파 전력(LF)의 제어에 대해서만 기재하였다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제어부(101)는, 포커스 링(16)측에 인가하는 제4 고주파 전력(HF)을 웨이퍼(W)측의 유전체(15a)에 인가하는 제3 고주파 전력(HF)보다 높게 하도록 제3 고주파 전원(22) 및 제4 고주파 전원(28)을 제어하여도 좋다. 이와 같이 제어함으로써, 포커스 링(16) 상의 플라즈마 밀도를 스테이지(12) 중앙의 웨이퍼(W)측의 유전체(15a) 위의 플라즈마 밀도보다, 더욱 높게 하여, 웨이퍼리스 드라이 클리닝 시에 유전체(15a)의 소모를 억제하면서 포커스 링(16) 상의 플라즈마로부터 확산되어 온 라디칼에 의해 스테이지(12) 중앙의 웨이퍼(W)측의 유전체(15a)의 최외주의 코너부에 부착된 반응 생성물을 효율적으로 제거하는 것이 가능해진다. 클리닝 처리 시에는, 상기 고주파 전력(LF)만의 제어, 상기 고주파 전력(HF)만의 제어에 더하여 상기 고주파 전력(LF)과 상기 고주파 전력(HF)을 조합할 수 있었던 제어를 행하여도 좋다.
이상에 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 스테이지(12)를 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측으로 분리한 구조를 가지고, 또한, 2계통의 전원계를 웨이퍼(W)와 포커스 링(16)측에 독립적으로 마련한다. 이에 의해, 포커스 링(16)측의 상부에 형성되는 시스 영역(S)과 웨이퍼(W)의 상부에 형성되는 시스 영역(S)의 두께를 따로따로 제어할 수 있다. 이 결과, 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에 따르면, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측을 분리한 구조로 함으로써, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측 사이의 열 간섭을 저감시킬 수 있다. 이에 의해, 스테이지(12)의 온도 제어를 용이 또한 정확하게 행할 수 있다.
[온도 제어]
플라즈마 처리의 균일성을 향상시키기 위해, 웨이퍼(W)의 온도에 대하여, 포커스 링(16)의 온도를 고온으로 제어하고자 하는 요망이 있다. 예컨대, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측에 대하여 스테이지(12)의 포커스 링(16)측의 온도를 높게 제어함으로써, 포커스 링(16)에 부착되는 반응 생성물의 퇴적량을 적게 할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 최외주에 있어서의 에칭률의 상승 등을 억제하여, 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
그래서, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측의 냉각 라인을 독립적으로 하여, 2계통의 냉각 구조로 함으로써, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측 사이의 온도차를 더욱 용이하게 제어하는 것이 가능해진다. 그러나, 냉각 라인을 2계통으로 하면 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측에서 온도차를 두었을 때에 스테이지(12)의 전기적 접촉면으로부터 열의 교환가 생긴다. 그리고, 스테이지(12)의 포커스 링(16)측이 고온인 경우, 열이, 스테이지(12)의 포커스 링(16)측으로부터 웨이퍼(W)측으로 돌아 들어가, 웨이퍼(W)에 있어서의 면내 균일성을 악화시켜, 플라즈마 처리의 균일성을 저하시킨다.
예컨대, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 스테이지(12)에 인가하는 전원계가 1계통의 제1 전력 공급 장치(20)만이고, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측이 전극(113)에 의해 적어도 일부에 있어서 분리되지 않는 구조로 되어 있고, 전기적으로 접속되어 있는 경우의 열의 교환에 대해서 설명한다. 냉각 라인이 2계통인 경우, 제어부(101)는, 포커스 링(16)측의 냉매 유로(18d)에 흐르게 하는 냉매의 온도를, 웨이퍼(W)측의 냉매 유로(18a)에 흐르게 하는 냉매의 온도보다 높게 제어하면, 포커스 링(16)측으로부터 웨이퍼(W)측에 전극(113)의 전기적으로 접속된 부분으로부터 열의 교환이 발생하여 버린다. 즉, 포커스 링(16)측이 높은 온도의 열이, 더욱 낮은 온도의 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측으로 흘러간다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 최외주측이 웨이퍼(W)의 중앙측보다 온도가 높아지고, 웨이퍼(W) 표면의 온도 분포의 균일성이 나빠져, 플라즈마 처리의 균일성이 저하한다.
그래서, 본 발명의 일실시형태의 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 멀티 컨택트 부재(100)에 의해 전기적 접속을 유지한 채로, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측을 직접 닿지 않는 구조로 하고, 또한, 스테이지(12)의 재료에 열 전도가 낮은 유전체 재료를 채용한다. 이에 의해, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측을 열적으로 분리하는 구조로 한다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 표면의 온도 분포의 균일성을 높여, 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다.
구체적으로는, 제1 전극(13)과 제2 전극(14)을 분리하여, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측을 비접촉으로 함으로써, 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측의 스테이지(12)에 있어서 열의 교환이 생기기 어렵게 한다. 이 경우, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측을 격리하는 홈(117)은, 진공 공간이어도 좋고, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 진공 공간의 홈(117)을 단열재(125)로 덮어도 좋다. 단열재(125)는, 수지, 실리콘, 테플론(등록 상표), 폴리이미드 등의 고분자계 시트로 형성되어도 좋다. 또한, 홈(117)에는, 세라믹스 등의 유전체 재료가 매립되어 있어도 좋다. 어느 구조에 있어서도, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측 사이에 있어서 열의 교환을 발생하기 어렵게 할 수 있다.
또한, 스테이지(12)를 열 전도율이 낮은 재료로 구성하기 위해, 제2 전극(14)은, 예컨대, 알루미늄보다 열전도가 낮은 티탄, 스틸, 스테인레스 등에 의해 형성되어도 좋다. 또한, 제2 전극(14)은, 제1 전극(13)보다 열 전도율이 낮은 재료로 형성되어도 좋다. 제1 전극(13)이 알루미늄으로 형성되고, 제2 전극(14)이 상기 티탄 등으로 형성되어 있는 경우를 일례로서 들 수 있다. 이에 의해, 스테이지(12)의 포커스 링(16)측으로부터 웨이퍼(W)측에의 열의 이동을 더욱 생기기 어렵게 할 수 있다.
또한, 제2 전극(14)의 내부에는, 진공 공간(120)이 형성되어도 좋다. 이에 의해, 제2 전극(14)의 내부에 있어서 열이 전해지는 단면을 줄여, 단열 효과를 높일 수 있다. 진공 공간(120)에는, 세라믹스 등의 유전체 재료가 매립되어 있어도 좋다. 또한, 진공 공간(120)은, 단열 효과를 높이기 위해, 열의 교환이 생기기 쉬운 멀티 컨택트 부재(100)의 상방에 마련되고, 또한, 직경 방향으로 되도록 넓은 공간을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 제2 전극(14)과 베이스(12a) 사이에 단열재(110)를 깔아도 좋다. 이에 의해, 제2 전극(14)과 베이스(12a)의 접촉 면적을 작게 하여, 열의 전달을 더욱 억제하도록 하여도 좋다. 단열재(110)는, 수지, 실리콘, 테플론(등록 상표), 폴리이미드 등의 고분자계 시트로 형성되어도 좋다.
멀티 컨택트 부재(100)는, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측의 전기적인 접속을 유지하기 위해, 제1 전극(13)과 제2 전극(14)을 잇도록, 베이스(12a)에 감입되어 있다. 도 5에 멀티 컨택트 부재(100)의 일례를 나타낸다.
멀티 컨택트 부재(100)는 금속으로 형성되어, 외주측의 링 플레이트(100a)와 내주측의 링 플레이트(100b)를 전선 등의 금속 부재(100c)로 잇는 구조로 되어 있어도 좋다. 도 4의 (b)에는, 멀티 컨택트 부재(100)의 일부의 단면이 나타나 있다. 도 4의 (b)의 멀티 컨택트 부재(100)의 바닥부의 A-A부는, 도 5의 A-A부에 대응한다. 멀티 컨택트 부재(100)는, 베이스(12a)에 감입된 상태로, 금속 부재(100c)가 둘레 방향으로 균등하게 배치되어 있다. 이에 의해, 플라즈마의 생성에 기울기가 생기기 어렵도록 할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측을 이격하고, 또한, 스테이지(12)의 재료를 열 전도가 낮은 유전체 재료로 한다. 이에 의해, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측을 열적으로 분리하는 구조로 함으로써, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측의 열의 교환을 생기기 어렵게 할 수 있다.
이러한 구성에 더하여, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측의 냉각 라인을 독립적으로 제어함으로써, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측 사이의 온도차를 정확하게 제어할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 온도 분포의 면내 균일성을 높여, 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
덧붙여, 본 실시형태의 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 멀티 컨택트 부재(100)에 의해, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측의 전기적 접속을 확보한다. 이에 의해, 1계통의 전원계로부터 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측에 고주파 전력을 공급할 수 있다.
단, 도 1을 참조하여 설명한 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)와 같이, 전원계를 2계통으로 하고, 멀티 컨택트 부재(100)를 마련하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 스테이지(12)의 웨이퍼(W)측과 포커스 링(16)측 사이에서 더욱 열의 교환이 생기기 어려운 구조로 할 수 있다.
또한, 도 1을 참조하여 설명한 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 본 실시형태의 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)와 같이 냉각 라인을 2계통으로 하고, 냉매 유로(18a)와 냉매 유로(18d)를 독립적으로 제어 가능한 구성으로 하여도 좋다.
본 실시형태의 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 상부에 기판이 배치되는 제1 전극(13)과, 상부에 포커스 링(16)이 설치되며, 제1 전극(13)의 주위에 마련된 제2 전극(14)이 이격하여 형성된 스테이지(12)와, 주로 플라즈마 중의 이온을 인입하기 위한 제1 고주파 전력(LF)을 제1 전극(13) 및 제2 전극(14)에 인가하는 제1 고주파 전원(21)과, 제1 전극(13) 및 제2 전극(14)에 마련되며, 각각이 독립된 냉매 유로(18a, 18d)로 되는 2계통의 냉각 라인을 갖는다.
또한, 본 실시형태의 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는, 유전체의 베이스(12a)의 일부를 도체의 멀티 컨택트 부재(100)로 형성하고, 제1 고주파 전원(21)으로부터의 제1 고주파 전력(LF)을 제1 전극(13)에 인가함으로써 제2 전극(14)에도 제1 고주파 전력(LF)을 인가하는 구성으로 할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는, 상부 전극[가스 샤워 헤드(40)]을 가지고, 주로 플라즈마를 생성하기 위한 제3 고주파 전원(22)으로부터의 고주파 전력(HF)을, 상부 전극, 제1 전극(13), 또는, 제1 전극(13)과 제2 전극(14) 중 어느 하나에 인가하여도 좋다.
제2 전극(14)은, 제1 전극(13)보다 열 전도율이 낮은 재료로 구성되어 있어도 좋다.
제2 전극(14)의 내부에는, 진공 공간(120)이 마련되어 있어도 좋다.
제2 전극(14)과 유전체의 베이스(12a) 사이에 단열재(110)가 마련되어도 좋다.
이상, 플라즈마 처리 장치를 상기 실시형태에 의해 설명하였지만, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 스테이지(12)의 구조는, 도 1의 평행 평판형 2주파 인가 장치뿐만 아니라, 그 외의 플라즈마 처리 장치에 적용 가능하다. 그 외의 플라즈마 처리 장치로서는, 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 장치, 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 처리 장치, 레이디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 플라즈마 처리 장치, 헬리콘파 여기형 플라즈마(HWP: Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR: Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치, 표면파 플라즈마 처리 장치 등이어도 좋다.
본 명세서에서는, 처리 대상의 기판으로서 반도체 웨이퍼(W)에 대해서 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, LCD(Liquid Crystal Display), FPD(Flat Panel Display) 등에 이용되는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이어도 좋다.
1: 플라즈마 처리 장치 10: 챔버
11: 정전 척 12: 스테이지(하부 전극)
12a: 베이스 13: 제1 전극
14: 제2 전극 16: 포커스 링
15a, 15b: 유전체 18a, 18d: 냉매 유로
19: 칠러 유닛 20: 제1 전력 공급 장치
21: 제1 고주파 전원 22: 제3 고주파 전원
25: 제1 직류 전원 26: 제2 전력 공급 장치
27: 제2 고주파 전원 28: 제4 고주파 전원
31: 제2 직류 전원 37: 배기 장치
40: 가스 샤워 헤드(상부 전극) 41: 가스 공급원
101: 제어부 100: 멀티 컨택트 부재
110: 단열재 117: 홈
120: 진공 공간 125: 단열재

Claims (16)

  1. 챔버와,
    상기 챔버 내에 배치되고, 기판 배치면 및 링 배치면을 가지는 스테이지로서, 상기 스테이지는, 상기 기판 배치면의 아래쪽에 배치되는 제1 전극과, 상기 제1 전극을 둘러싸도록 상기 링 배치면의 아래쪽에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극으로부터 이격되어 있는, 상기 스테이지와,
    상기 기판 배치면 상의 기판을 둘러싸도록 상기 링 배치면 상에 배치되는 포커스 링과,
    상기 제1 전극에 접속되고, 제1 고주파 전력을 생성하는 제1 고주파 전원과,
    상기 제2 전극에 접속되고, 제2 고주파 전력을 생성하는 제2 고주파 전원과,
    상기 제1 고주파 전원과 상기 제2 고주파 전원을 독립하여 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는, 플라즈마 처리시, 상기 포커스 링의 소모량에 따라 상기 제2 고주파 전력이 높아지도록 상기 제2 고주파 전원을 제어하고, 클리닝 처리시, 상기 제2 고주파 전력이 상기 제1 고주파 전력보다 작게 되도록 상기 제1 고주파 전원 및 상기 제2 고주파 전원을 제어하는,
    플라즈마 처리 장치.
  2. 챔버와,
    상기 챔버 내에 배치되고, 기판 배치면 및 링 배치면을 가지는 스테이지로서, 상기 스테이지는, 상기 기판 배치면의 아래쪽에 배치되는 제1 전극과, 상기 제1 전극을 둘러싸도록 상기 링 배치면의 아래쪽에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극으로부터 이격되어 있는, 상기 스테이지와,
    상기 기판 배치면 상의 기판을 둘러싸도록 상기 링 배치면 상에 배치되는 포커스 링과,
    상기 제1 전극에 접속되고, 제1 고주파 전력을 생성하는 제1 고주파 전원과,
    상기 제2 전극에 접속되고, 제2 고주파 전력을 생성하는 제2 고주파 전원과,
    상기 제1 전극에 접속되고, 20 ㎒보다 큰 주파수를 가지는 제3 고주파 전력을 생성하는 제3 고주파 전원과,
    상기 제2 전극에 접속되고, 20 ㎒보다 큰 주파수를 가지는 제4 고주파 전력을 생성하는 제4 고주파 전원과,
    상기 제1 고주파 전원과 상기 제2 고주파 전원을 독립하여 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는 상기 제3 고주파 전원과 상기 제4 고주파 전원 중 적어도 어느 하나를 독립적으로 제어하고,
    상기 제어부는, 상기 포커스 링의 소모량에 따라 상기 제2 고주파 전력이 높아지도록 상기 제2 고주파 전원을 제어하는,
    플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 고주파 전력과 상기 제2 고주파 전력은 각각 20 ㎒ 이하의 주파수를 가지는, 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    20 ㎒보다 큰 주파수를 가지는 주파수 전력을 상기 제1 전극에 인가하거나, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가하거나, 또는 상기 스테이지의 위쪽에 마련된 상부 전극에 인가하는, 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 냉매 유로를 가지는, 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 스테이지는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 모두에 접촉하고 있는 유전체 부재를 포함하고, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 유전체 부재에 의해 형성된 간극을 가지는, 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 간극에 절연체 또는 수지가 배치되는, 플라즈마 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극에 접속되는 제1 직류 전원과,
    상기 제2 전극에 접속되는 제2 직류 전원을 가지며,
    상기 제어부는, 상기 제1 직류 전원과 상기 제2 직류 전원 중 적어도 어느 하나를 독립적으로 제어하는, 플라즈마 처리 장치.
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