JP2011009351A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板ステージ55の外周部に配置したフォーカスリング51の下部に、静電吸着層54、電極層52、絶縁層62を設け、電極層52に高周波電力を印加することでフォーカスリング51に高周波バイアスを印加するとともに、フォーカスリング51を静電吸着層54に静電吸着し、フォーカスリングと静電吸着層の間に伝熱ガスを介在させることでフォーカスリング51を冷却可能とし、フォーカスリング51の温度を所定値に制御する。
【選択図】図2
Description
前記フォーカスリングの裏面に熱伝達ガスを導入する伝熱ガス溝と、その下方に冷媒を流すための冷媒溝を前記基板ステージに形成し、
前記フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間を記憶する記憶媒体と、
この記憶された印加時間に応じて、フォーカスリングへの高周波電力の分配を変えるように前記電力分配手段を制御すると共に、前記熱伝達ガスの圧力と前記冷媒の温度の少なくとも一方を制御する制御手段を設けたことを特徴とする。
前記基板ステージには、プラズマ生成用高周波電力とは異なる所定の高周波バイアス電力が高周波バイアス電源より印加され、
前記被処理基板の周辺に配置されたフォーカスリングには、前記高周波バイアス電源より出力された高周波バイアス電力が電力分配手段によって分配して印加され、
前記プラズマ処理によよる前記フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間に応じて、前記フォーカスリングに印加する高周波バイアス電力を前記電力分配手段を制御することで変化させる一方、
前記基板ステージに印加する前記高周波バイアス電力は、前記高周波バイアス電源の出力を制御することで制御され、
前記フォーカスリングに印加する高周波バイアス電力に応じて、前記フォーカスリングが所定温度となるように制御されることを特徴とする。
次に、(b)高周波バイアス電源11を制御して全体のバイアス電力を所定の値に上昇させる。これは、フォーカスリングへのバイアス電力の増加分を補って、基板ステージ5への印加電力を所定値確保してエッチング特性を維持するためである。
次いで、(c)フォーカスリングへ分配されたバイアス電力に対応して伝熱ガス導入機構23を制御し、伝熱ガス溝63の伝熱ガス圧力を所定の値に上昇させる。
続いて(d)フォーカスリングへ分配されたバイアス電力に対応して温調機22を制御し、第二冷媒溝58の冷媒温度を所定の値に低下させる。
Claims (7)
- 真空排気手段により排気された真空容器と、真空容器にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するための高周波電源と、被処理基板とこの基板の外周部に配置されたフォーカスリングを載せる基板ステージと、前記基板ステージに高周波バイアス電力を印加する高周波バイアス電源と、前記高周波バイアス電源から出力された高周波バイアス電力の一部をフォーカスリングに分配して印加する電力分配手段とを備えたプラズマ処理装置において、
前記フォーカスリングの裏面に熱伝達ガスを導入する伝熱ガス溝と、その下方に冷媒を流すための冷媒溝を前記基板ステージに形成し、
前記フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間を記憶する記憶媒体と、
この記憶された印加時間に応じて、フォーカスリングへの高周波電力の分配を変えるように前記電力分配手段を制御すると共に、前記熱伝達ガスの圧力と前記冷媒の温度の少なくとも一方を制御する制御手段を設けたことを特徴としたプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、前記フォーカスリングの下部に静電吸着層と電極層及び絶縁層を一体で形成し、前記静電吸着層とフォーカスリングとの間に前記熱伝達ガス溝を形成したことを特徴としたプラズマ処理装置。
- 請求項1記載のプラズマ処理装置において、前記フォーカスリングの下部に電極リングと、その下部に絶縁リングを備え、前記絶縁リングの上面に溶射により静電吸着層を形成し、前記フォーカスリング下面と前記静電吸着層の上面との間、前記電極リング下面と前記絶縁リング上面との間、および前記絶縁リング下面と基板ステージの基材外周部の上面との間に、熱伝達ガスを介在させることを特徴としたプラズマ処理装置。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記制御手段は前記フォーカスリングに分配する電力に対応して、熱伝達ガスの圧力を制御することを特徴としたプラズマ処理装置。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記制御手段は前記フォーカスリングに分配する電力に対応して、前記フォーカスリング下部に流す冷媒の温度を制御することを特徴としたプラズマ処理装置。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記制御手段は前記フォーカスリングに分配する電力に対応して、熱伝達ガスの圧力とフォーカスリング下部に流す冷媒の温度を制御することを特徴としたプラズマ処理装置。
- 真空容器内にガスを供給して基板ステージに載置された被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記基板ステージには、プラズマ生成用高周波電源とは異なる所定の高周波バイアス電力が高周波バイアス電源より印加され、
前記被処理基板の周辺に配置されたフォーカスリングには、前記高周波バイアス電源より出力された高周波バイアス電力が電力分配手段によって分配して印加され、
前記プラズマ処理による前記フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間に応じて、前記フォーカスリングに印加する高周波バイアス電力を前記電力分配手段を制御することで変化させる一方、
前記基板ステージに印加する前記高周波バイアス電力は、前記高周波バイアス電源の出力を制御することで制御され、
前記フォーカスリングに印加する高周波バイアス電力に応じて、前記フォーカスリングが所定温度となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法。
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