JP2017073569A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理による搬送キャリアの保持シートが受ける熱ダメージを防止する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、環状のフレーム７と保持シート６からなる搬送キャリア５に保持された基板２にプラズマ処理を施す。プラズマ処理装置は、減圧可能な内部空間を有するチャンバ４と、チャンバ４内にプラズマを発生させるプラズマ源と、チャンバ４内に設けられ、搬送キャリア５が載置される第１領域と、第１領域から外方に広がった第２領域とを有する上面を備えたステージ１１とを備え、ステージ１１は、第１領域から第２領域に及ぶ領域を占める電極部１５を備え、前記第１領域から前記第２領域における前記電極部を冷却する冷却手段を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマ処理装置に関するものであり、特に環状フレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持されたウエハのプラズマ処理に有効な技術に関するものである。

プラズマ処理装置として、特許文献１及び２に開示されたものが知られている。これらプラズマ処理装置は、環状フレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持されたウエハを処理対象とするものである。そして、ウエハをプラズマにてダイシングする際、カバーで環状フレームを覆うことにより、環状フレームがプラズマに晒されないようにしている。

特許第４８５８３９５号公報 米国出願公開第２０１２／０２３８０７３号公報

しかしながら、前記従来のプラズマ処理装置では、石英やセラミックス等の耐エッチング性に優れた材料からなるカバーリングによって環状フレームが直接プラズマに晒されないようにはしてはいるものの、エッチングを繰り返して行っていくうちにカバーリングに熱が蓄積されて高温となる結果、保持シートが熱ダメージを受けてしまうという問題がある。

そこで、本発明は、プラズマ処理による搬送キャリアの保持シートが受ける熱ダメージを防止することを課題とする。

本発明の一態様は、環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、減圧可能な内部空間を有するチャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ源と、前記チャンバ内に設けられ、前記搬送キャリアが載置される第１領域と、当該第１領域から外方に広がった第２領域とを有する上面を備えたステージとを備え、前記ステージは、前記第１領域から前記第２領域に及ぶ領域を占める電極部を備え、前記第１領域から前記第２領域における前記電極部を冷却する冷却手段を備えたことを特徴とする、プラズマ処理装置を提供する。

本実施形態に係るプラズマ処理装置の概略を示す正面断面図である。 図１の部分拡大図である。 図２の平面図である。 （ａ）から（ｄ）は、図２のカバーに形成するプロテクト部の種々の例を示す部分断面図である。

以下、本発明に係る実施形態を添付図面に従って説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「側」、「端」を含む用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物、あるいは、その用途を制限することを意図するものではない。

図１は本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の一例であるドライエッチング装置１を示す。本実施形態では、このドライエッチング装置１で、ウエハ（基板）２にプラズマダイシングとそれに続くアッシングを施す。プラズマダイシングとは、複数のＩＣ部（半導体装置）が形成されたウエハ２を、境界線（ストリート）でドライエッチングを用いて切断し、個々のＩＣ部に分割する工法である。図２を参照すると、本実施形態では円形であるウエハ２は、図示しないＩＣ部等が形成された表面２ａと、この表面２ａとは反対側の裏面２ｂ（ＩＣ部等は形成されていない。）とを備える。また、ウエハ２の上面にはプラズマダイシングのためのパターンで、マスク３が形成されている。

ドライエッチング装置１は、減圧可能な内部空間を有するチャンバ４を備える。このチャンバ４では、出入口４ａを介して搬送キャリア５を内部空間に収納することができる。搬送キャリア５は、ウエハ２を着脱可能に保持する保持シート６を備える。保持シート６としては、例えば、弾性的に伸展可能であって粘着力によりウエハ２を保持するが、紫外線の照射によって化学的特性が変化して粘着力が大幅に減少するいわゆるＵＶテープを使用できる。一方の面が粘着性を有する面（粘着面６ａ）で他方が粘着性を有しない面（非粘着面６ｂ）である。保持シート６は柔軟でそれ自体のみでは容易に撓んで一定形状を維持できない。このため、保持シート６の外周縁付近の粘着面６ａには、概ねリング状で厚みの薄いフレーム７（環状フレーム）７が貼着されている。フレーム７は、例えば、ステンレス、アルミニウム等の金属や樹脂からなり、保持シート６と共に形状を保持できる剛性を有する。

搬送キャリア５の保持シート６には、粘着面６ａに裏面２ｂを貼着することでウエハ２が保持されている。図３に示すように、保持シート６の粘着面６ａのうちフレーム７で囲まれた円形領域６ｃの中央にウエハ２が配置されている。具体的には、円形領域６ｃの中心Ｃｓとウエハ２の中心Ｃｗ（ウエハ２を表面２ａ又は裏面２ｂから見たときの中心）とが概ね一致するように、保持シート６に対するウエハ２の位置が設定されている。ウエハ２を円形領域６ｃの中央に配置したことにより、保持シート６のウエハ２とフレーム７との間には一定幅で幅広の環状領域６ｄが形成される。そして、平面視で、この環状領域６ｄにＲＦ電極２１の外周縁が位置するように設定されている。

図１に示すように、ドライエッチング装置１のチャンバ４（真空容器）の頂部を閉鎖する誘電体壁８の上方には、上部電極としてのアンテナ９（プラズマ源）が配置されている。アンテナ９は第１の高周波電源部１０に電気的に接続されている。一方、チャンバ４内の底部側には、前述のようにウエハ２を保持した搬送キャリア５が載置されるステージ１１が配置されている。チャンバ４のガス導入口８ａにはプロセスガス源１２とアッシングガス源１３とが接続され、排気口４ｂにはチャンバ４内を真空排気するための真空ポンプを含む減圧機構１４が接続されている。

図２に示すように、ステージ１１は、静電チャック１６Ａ、及び、その下方側に配置される電極部本体１６Ｂからなる電極部１５と、電極部本体１６Ｂの下方側に配置される基台部１７と、これらの外周を取り囲む外装部１８とを備える。また、ステージ１１には冷却装置１９が設けられている。

電極部１５の静電チャック１６Ａは、薄いセラミックス、溶射セラミックス、又は、誘電材料からなるシート（テープ）で構成されている。静電チャック１６Ａの上面の中央部分にウエハ２を保持した搬送キャリア５が載置される。また静電チャック１６Ａの外周側部分には、後述するカバー２８が載置される。本実施形態では、静電チャック１６Ａの中央部分すなわち電極部１５の上面のうち、載置された搬送キャリア５で覆われている範囲が第１領域となっており、その第１領域から外方に広がった領域がカバー２８を接触させる第２領域となっている。静電チャック１６Ａには、双極型である静電吸着用電極２０が上方側に内蔵され、単極型であるＲＦ（高周波）電極２１が下方側に内蔵されている。静電吸着用電極２０には直流電源２２が電気的に接続されている。静電吸着用電極２０は、搬送キャリア５の中心部分からカバー２８の外周側下面に至る第１領域及び第２領域の全体に亘って配置されている。これにより、フレーム７及びカバー２８を静電吸着することができる。ＲＦ電極２１には第２の高周波電源部２３が電気的に接続されている。ＲＦ電極２１の外周縁部は、平面視で、搬送キャリア５上に載置したウエハ２よりも外周側で、後述するカバー２８の内周縁の内周側に位置している。これにより、発生させたプラズマでウエハ２の全体をエッチングすることができると共に、シース領域がカバー２８にかかることがなく、熱によるダメージを軽減することができる。

電極部１５の電極部本体１６Ｂは、金属（例えば、アルミニウム合金）で構成されている。冷却部１６には、冷媒流路２４が形成されている。

冷却装置１９は、冷却部１６に形成される冷媒流路２４と、冷媒循環装置２５とで構成されている。冷媒循環装置２５は、冷媒流路２４に温調した冷媒を循環させ、冷却部１６を所望温度に維持する。本実施形態に於ける冷却装置１９では、ステージ１１の第１領域と第２領域の冷却、つまり搬送キャリア５とカバー２８の双方の冷却ができるようになっている。これにより、プラズマ処理装置の小型化と、構造の簡素化が可能となる。

外装部１８はアースシールド材（導電性および耐エッチング性を有する金属）からなる。外装部１８により、電極部１５、冷却部１６及び基台部１７がプラズマから保護される。

搬送キャリア５は、保持シート６のウエハ２を保持している面（粘着面６ａ）が上向きの姿勢でステージ１１の電極部１５に載置され、保持シート６の非粘着面６ｂが電極部１５の上面に接触する。搬送キャリア５は、図示しない搬送機構によって電極部１５に対して予め定められた位置および姿勢（保持シート６の円形領域６ｃの中心Ｃｓ回りに回転角度位置を含む）で載置される。以下、この予め定められた位置および姿勢を正規位置と記載する。

正規位置に載置された搬送キャリア５は、後述する処理後に、第１駆動ロッド２６によって持ち上げられて排出される。第１駆動ロッド２６は、図１にのみ概念的に示す第１駆動機構２７により昇降駆動される。具体的には、搬送キャリア５は、図１に示す上昇位置と、図２に示す降下位置とに移動させることができるようになっている。

チャンバ４内にはステージ１１の上方側で昇降するカバー２８を備える。カバー２８は、アルミニウム又はアルミニウム合金等の金属材料、若しくは、炭化ケイ素、窒化アルミニウム等の熱伝導性に優れたセラミックス材料を、外形輪郭が円形であって、内径側に窓部３２を有する一定の薄い厚みのドーナツ状に形成したものである。

カバー２８の外径寸法は、搬送キャリア５の外形輪郭よりも十分に大きく形成されている。これは、プラズマ処理中に搬送キャリア５の保持シート６とフレーム７を覆ってプラズマから保護するためである。

カバー２８の内径寸法は、ウエハ２の外径寸法に対して±２ｍｍの範囲で設定されている。図４に示す例は、全てカバー２８の内径寸法がウエハ２の外径寸法よりも大きくなっているが、カバー２８の内径寸法をウエハ２の外径寸法よりも小さくしてウエハの外周部分をカバー２８で覆うようにしてもよい。

カバー２８は、降下時、その下面を第２領域の上面に面接触させる。この領域は、ステージ１１の外周側であり、十分な接触面積を確保することができる。したがって、カバー２８の熱を第２領域へと逃がしやすくなり、カバー２８を効率的に冷却することが可能となる。またカバー２８の下面を、フレーム７に近い第２領域の上面に面接触させることで、搬送キャリア５（シート、フレーム、ウエハ）への熱ダメージを効果的に防止することができる。特に輻射熱で高温になりやすいフレームの加熱を抑制して、これに接するシートの熱ダメージを防止することができる。

なお、カバー２８と第２領域との間の密着性を高めるため、カバー２８の下面又は第２領域の上面に、弾性を有するシートやＯリング等を設けるようにしてもよい。これにより、カバー２８の冷却効果をより一層向上させることができる。

図４（ａ）に示すように、カバー２８の上面は、石英、アルミナ、窒化アルミニウム、フッ化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等のプラズマとの反応性の低い材料によってプロテクト部２８ａが形成されている。プロテクト部２８ａにはカバー２８とは異なる材料を使用するが、どの材料を選択するかは使用するプロセスガスとの関係を考慮して決定すればよい。なお、カバー２８の下面（後述する電極部１５と当接する部分）には、静電吸着力を高めるために（例えば、導電シートを貼着することにより）導電層を形成してもよい。

プロテクト部２８ａは、必ずしも上面の全領域に形成されていなくてもよい。例えば、図４（ｂ）に示すように、カバー２８の中心穴（窓部３２）の内周面及びそれに連なる上面の一部にのみ形成するようにしてもよい。また、図４（ｃ）に示すように、カバー２８の内周部を段付き形状とし、その部分にプロテクト部２８ａを形成するようにしてもよいし、図４（ｄ）に示すように、そこからさらに外径側にも形成するようにしてもよい。但し、プロテクト部２８ａをカバー２８の上面全体に形成することによりカバー２８の一部が照射されるプラズマにより飛散して内径側に配置されるウエハ２に付着する、いわゆるコンタミ（contamination）の発生を確実に防止することができる点で好ましい。プロテクト部２８ａは、溶射又は組立によりカバー２８に設けることができる。カバー２８の材料がアルミニウム又はアルミニウム合金等の金属材料であれば、容射と組立のいずれかの工法でプロテクト部２８ａ（被覆層）を形成する。容射に採用できる材料としては、石英、アルミナ、窒化アルミニウム、フッ化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素がある。組立に採用できる材料としては、石英、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素がある。組立の場合、板状の材料のカバー２８への接着、嵌め込み、締結等によって装着することができる。カバー２８の材料が、炭化ケイ素、窒化アルミニウム等のセラミックス材料であれば、石英、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素のいずれかの材料からなる（板状、環状、ブロック状の）部材のカバー２８の上面への接着、嵌め込み、締結等により装着してプロテクト部２８ａを形成する。なお、組立によりプロテクト部２８ａをカバー部２８に取り付ける場合、プロテクト部２８ａとカバー２８は面接触よりも点接触とするのが好ましい。具体的に、いずれか若しくは両方に凹凸又は突起を形成したり、粗面加工を施したりすることで、プロテクト部２８ａとカバー２９の接触面積を抑え、プロテクト部２８ａからカバー２８に熱伝達しにくい構造とすることができる。これにより、搬送キャリア５の熱ダメージをより効果的に防止することが可能となる。

ＲＦ電極２１の外径寸法は、ウエハ２の外径寸法と同じかそれよりも大きくなっている。ＲＦ電極２１の外径寸法は、大きくするほどエッチングレートの均一性で有利となる反面、大きくなりすぎると発生するプラズマのシース領域がカバー２８にかかるようになるためカバー２８へ衝突するイオンが増加し、カバー２８をより激しく加熱してしまう問題がある。従って、ＲＦ電極２１の外径寸法を適切に設計することが、エッチングレートの均一性とカバー２８の過加熱防止（過剰に加熱されて高温になることを防止すること）を図る上で重要となる。本実施の形態では、ウエハ２の外径寸法、ＲＦ電極２１の外径寸法、カバー２８の内径寸法の順で大きくなるように形成することで、エッチングの均一性とカバー２８の過加熱防止を両立させている。

カバー２８の昇降動作は第２駆動ロッド２９によって行われる。カバー２８と第２駆動ロッド２９とは熱伝導性に優れた材料からなるネジ等によって固定されている。そして、カバー２８が加熱された場合には、その熱は第２駆動ロッド２９を介して放熱される。第２駆動ロッド２９は図１にのみ概念的に示す第２駆動機構３０により昇降駆動される。第２駆動ロッド２９の昇降によりカバー２８が昇降する。具体的には、カバー２８は、図１に示す上昇位置と、図２に示す降下位置とに移動可能である。またカバー２８は、下降位置に於いてその下面がステージ１１の電極部１５の上面と接触する。このように、第２駆動機構３０は、カバー２８をステージ１１に対して昇降させる昇降手段として機能すると共に、カバー２８をステージ１１の載置面１１ａ（電極部１５の上面）に接離させる接離手段としても機能する。

図１に示すように、上昇位置のカバー２８は、ステージ１１の載置面１１ａの上方に十分な間隔を有して位置している。従って、カバー２８が上昇位置にあれば、電極部１５の上面に搬送キャリア５（ウエハ２を保持している。）を載せる作業と、その逆に電極部１５の上面から搬送キャリア５を降ろす作業とを行うことが可能となっている。

図２に示すように、降下位置のカバー２８は、正規位置にある搬送キャリア５の保持シート６（ウエハ２を保持している部分は除く）とフレーム７を覆う。また、カバー２８の外周側下面は、前記電極部１５の上面に接触し、静電吸着用電極２０によって静電吸着される。この状態では、カバー２８の熱は電極部１５、基台部１７、外装部１８からチャンバ４を介して外部へと放熱可能である。

カバー２８により搬送キャリア５を覆った状態では、カバー２８の天井面２８ｂは、フレーム７に対して十分な隙間ａ（例えば、５ｍｍ）を有し、プラズマ処理時の熱影響を防止する。また、カバー２８の傾斜面２８ｃは、フレーム７の内径側で露出する保持シート６に対して十分な距離を確保する。図面から明らかなように、降下位置のカバー２８は、フレーム７、保持シート６、ウエハ２のいずれにも接触しない。

図１にのみ模式的に示す制御装置３１は、第１の高周波電源部１０、プロセスガス源１２、アッシングガス源１３、減圧機構１４、直流電源２２、第２の高周波電源部２３、冷媒循環装置２５、第１駆動機構２７及び第２駆動機構３０を含むドライエッチング装置１を構成する各要素の動作を制御する。

次に、本実施形態のドライエッチング装置１の動作を説明する。

まず、保持シート６の円形領域６ｃの中央にウエハ２を貼着した搬送キャリア５を図示しない搬送機構によってチャンバ４内に搬入し、ステージ１１上の正規位置に配置する。このとき、カバー２８は上昇位置（図１）にある。

そして、第２駆動機構３０により第２駆動ロッド２９を駆動し、カバー２８を上昇位置（図１）から降下位置（図２）に降下させる。カバー２８が降下位置となると、搬送キャリア５の保持シート６とフレーム７はカバー２８で覆われ、その窓部３２からウエハ２が露出する。またカバー２８は第２領域に於いて電極部１５と接触する。

続いて、直流電源２２から静電吸着用電極２０に直流電圧を印加し、ウエハ２をステージ１１の電極部１５の上面に静電吸着により保持する。このとき、静電吸着用電極２０がカバー２８の下面の近傍に配置されているため、十分な静電力を作用させて吸着状態を安定させることができる。

さらに、プロセスガス源１２からチャンバ４内にプラズマダイシング用のプロセスガスを導入しつつ、減圧機構１４により排気し、チャンバ４内を所定圧力に維持する。その後、アンテナ９に対して第１の高周波電源部１０から高周波電力を供給してチャンバ４内にプラズマを発生させてカバー２８の窓部３２から露出しているウエハ２に照射する。このとき、ステージ１１のＲＦ電極２１には第２の高周波電源部２３からバイアス電圧が印加される。また、冷却装置１９によりステージ１１が冷却される。ウエハ２のマスク３から露出している部分（ストリート）では、プラズマ中のラジカルとイオンの物理化学的作用よって表面２ａから裏面２ｂまで除去され、ウエハ２は個別のチップに分割される。

ところで、以上のプラズマダイシングでは、カバー２８がプラズマに晒されて加熱されることになるが、このカバー２８は熱伝導性に優れた材料で構成されている。したがって、プラズマによる熱は効率良くステージ１１（冷却部１６）へと逃がすことができ、搬送キャリア５が熱によるダメージを受けることがない。

また、カバー２８の上面にはプラズマとの反応性の低い材料からなるプロテクト部２８ａが形成されている。このため、プラズマによりカバー２８の表面が保護され、ダメージを受けることがない。したがって、カバー２８を構成する材料の一部が飛散して、窓部内に配置される搬送キャリア５上のウエハ２に付着するといった不具合は発生せず、コンタミの問題を生じさせることがない。

プラズマダイシング完了後、アッシングが実行される。アッシングガス源１３からチャンバ４内にアッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガス）を導入しつつ、減圧機構１４により排気し、チャンバ４内を所定圧力に維持する。その後、アンテナ９に対して第１の高周波電源部１０から高周波電力を供給してチャンバ４内にプラズマを発生させてカバー２８の窓部３２から露出しているウエハ２に照射する。プラズマの照射によりウエハ２の表面２ａからマスク３が完全に除去される。

アッシング後、第２駆動機構３０により第２駆動ロッド２９を駆動してカバー２８を降下位置から上昇位置へ移動させる。その後、第１駆動機構２７により第１駆動ロッド２６を駆動して搬送キャリア５を降下位置から上昇位置へと移動させ、図示しない搬送機構によって搬送キャリア５がチャンバ外に搬出する。

なお、本発明は、前記実施形態に記載された構成に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。

例えば、前記実施形態では、第２駆動機構３０（昇降手段、接離手段）は第２駆動ロッド２９を介してカバー２８をステージ１１に対して昇降させているが、昇降手段、接離手段の構成としては、チャンバ４内に固定されたカバー２８に対してステージ１１を昇降させるものであってもよい。この場合であっても、カバー２８は熱伝導性に優れた材料で構成されているので、プラズマに晒されて加熱されたカバー２８の熱は、チャンバ４を介して放熱することができる。したがって、前記実施形態と同様に、カバー２８が高温となって搬送キャリア５が間接的に加熱されることによる不具合の発生を防止することが可能となる。

また、静電吸着用電極２０は実施形態のような双極型に限定されず、単極型であってもよい。

また、本実施形態では、カバー２８を静電吸着するように構成したが、カバー２８の静電吸着は必須ではなく、静電吸着用電極２０は少なくとも第１領域にあればよい。

また、ドライエッチング装置１で実行される処理はプラズマダイシングとアッシングに限定されず、例えば通常のドライエッチングであってもよい。また、ドライエッチング装置１は実施形態のようなＩＣＰ型に限定されず平行平板型であってもよい。

１…ドライエッチング装置
２…ウエハ
３…マスク
４…チャンバ
５…搬送キャリア
６…保持シート
７…フレーム
８…誘電体壁
９…アンテナ
１０…第１の高周波電源部
１１…ステージ
１２…プロセスガス源
１３…アッシングガス源
１４…減圧機構
１５…電極部
１６Ａ…静電チャック
１６Ｂ…電極部本体
１７…基台部
１８…外装部
１９…冷却装置（冷却手段）
２０…静電吸着用電極
２１…ＲＦ（高周波）電極
２２…直流電源
２３…第２の高周波電源部
２４…冷媒流路
２５…冷媒循環装置
２６…第１駆動ロッド
２７…第１駆動機構
２８…カバー
２８ａ…プロテクト部
２８ｂ…天井面
２８ｃ…傾斜面
２９…第２駆動ロッド
３０…第２駆動機構
３１…制御装置

Claims (8)

1. 環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
   減圧可能な内部空間を有するチャンバと、
   前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ源と、
   前記チャンバ内に設けられ、前記搬送キャリアが載置される第１領域と、当該第１領域から外方に広がった第２領域とを有する上面を備えたステージと、
   を備え、
   前記ステージは、前記第１領域から前記第２領域に及ぶ領域を占める電極部を備え、
   前記第１領域から前記第２領域における前記電極部を冷却する冷却手段を備えたこと
   を特徴とする、プラズマ処理装置。
2. 前記電極部は、少なくとも前記第１領域内に静電吸着用電極を内蔵し、前記保持シートに保持された基板を静電吸着することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記電極部は、前記第１領域内と、前記第２領域内の少なくとも一部とに、静電吸着用電極を内蔵することを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記電極部は、高周波が印加されるRF電極を内蔵し、前記RF電極の外周縁が、平面視で前記保持シートの前記基板と前記フレームとの間の環状領域に位置することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
5. 環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
   チャンバ内に搬送キャリアを搬入し、第１領域と、当該第１領域から外方に広がった第２領域とを有する上面を有し、前記第１領域から前記第２領域に及ぶ領域を占める電極部を備えたステージの第１領域に、前記搬送キャリアを載置する工程と、
   前記第１領域から前記第２領域における前記電極部を冷却手段により冷却する工程と、
   を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
6. 前記電極部は、少なくとも前記第１領域内に静電吸着用電極を内蔵し、
   前記搬送キャリアを載置する工程で、さらに保持シートに保持された基板を静電吸着することを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理方法。
7. 前記電極部は、前記第１領域内と、前記第２領域内の少なくとも一部とに、静電吸着用電極を内蔵し、
   前記搬送キャリアを載置する工程で、さらに第１領域で前記搬送キャリアを静電吸着することを特徴とする請求項５又は６に記載のプラズマ処理方法。
8. 前記電極部は、外周縁が平面視で前記保持シートの前記基板と前記フレームとの間の環状領域に位置するRF電極を内蔵し、このRF電極に高周波電力が印加されることを特徴とする、請求項５から７のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。

Images