JP2010165963A - 半導体ウェハの処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合する工程(a)と、前記半導体ウェハの非パターン面を研削する工程(b)と、研削した前記非パターン面に水溶性フィルムを加熱により貼合する工程(c)と、前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程(d)と、前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程(e)と、前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程(f)と、前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程(g)と、前記表面保護フィルムを前記半導体ウェハのパターン面から剥がす工程(h)と、を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法である。
【選択図】図2
Description
第1の実施形態を図1〜図3を参照して説明する。図1〜図3は、第1の実施形態にかかる半導体ウェハの処理方法を断面概略図を用いて説明する図である。図1(a)に示すように、半導体ウェハ1のパターン面2に、粘着剤層4を介して表面保護テープ3を貼合する。また、図示はしないが、パターン面2には複数のストリートが平面図において格子状に形成されている。
2………パターン面
3………表面保護テープ
4………表面保護テープの粘着剤層
5………水溶性フィルム
6………レーザー光照射手段
7………レーザー光
8………溝
9………プラズマ
10………プラズマエッチング装置
11………水あるいは温水
12………支持固定用テープ
13………支持固定用テープの粘着剤層
14………リングフレーム
15………ピン
16………コレット
21………操作・入力部
22………ワークデータ記憶部
23………レーザー発生部
24………制御部
25………認識部
26………移動機構
27………移動プレート
28………カメラ
29………ウェハ保持部
31………真空チャンバ
32………高周波側電極
33………ガス供給電極
35………絶縁リング
36………ガス供給孔
37………制御バルブ
38………プラズマ発生用ガス供給部
39………多孔質プレート
40………高周波電源部
41………冷却ユニット
Claims (9)
- 半導体ウェハを個片化する半導体ウェハの処理方法であって、
前記半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合する工程(a)と、
前記半導体ウェハの非パターン面を研削する工程(b)と、
研削した前記非パターン面に水溶性フィルムを加熱により貼合する工程(c)と、
前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程(d)と、
前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程(e)と、
前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程(f)と、
前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程(g)と、
前記表面保護フィルムを前記半導体ウェハのパターン面から剥がす工程(h)と、
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。 - 半導体ウェハを個片化する半導体ウェハの処理方法であって、
水溶性フィルムと表面保護テープとを積層したフィルムを、前記半導体ウェハのパターン面に、水溶性フィルムを介して加熱により貼合する工程(a)と、
前記半導体ウェハの裏面を研削する工程(b)と、
前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程(c)と、
前記表面保護フィルムを前記水溶性フィルムから剥がす工程(d)と、
前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程(e)と、
前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程(f)と、
前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程(g)と、
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。 - さらに、工程の最後に個片化した前記半導体ウェハをピックアップする工程を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 前記水溶性フィルムが、水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せず、60℃〜100℃の温水に可溶であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 前記表面保護テープの粘着層が、放射線の照射によって粘着力が著しく低下することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 前記工程(a)において、水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せずに60℃〜100℃の温水に可溶である水溶性フィルムと、紫外線硬化可能な粘着層を有する表面保護テープとを積層したフィルムを、前記半導体ウェハのパターン面に、水溶性フィルムを加熱貼合することで貼合することを特徴とする請求項2に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 前記工程(a)に代えて、前記半導体ウェハのパターン面に、水溶性フィルムを貼合し、さらに表面保護テープを貼合する工程と、を具備することを特徴とする請求項2に記載の半導体ウェハの処理方法。
- 紫外線硬化可能な粘着層を介して表面保護テープと水溶性フィルムを積層したフィルムであって、
前記水溶性フィルムが水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せず60℃〜100℃の温水に可溶であることを特徴とするフィルム。 - 請求項8に記載のフィルムを、パターン面に貼合したことを特徴とする半導体ウェハ。
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