JP2015532542A - フィルムフレームアプリケーション用uv除去ダイシングテープの部分的前反応によるレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング - Google Patents
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Abstract
UV反応性接着フィルムを用いたレーザ・プラズマエッチングによるウェハのダイシング方法及びシステム。方法は、ウェハ上に形成されたICを覆うマスクを形成する工程を含む。半導体ウェハは、UV反応性接着フィルムによってフィルムフレームに結合される。UV反応性接着フィルムの前反応は、ウェハの縁部を越えて延在する接着剤の周辺部を反応させ、これによって露出した接着剤材料のプラズマエッチング耐性を改善し、エッチングチャンバ内での炭化水素の再堆積を削減する。マスクは、パターニングされたマスクにギャップを提供するために、レーザスクライビングによってパターニングされる。パターニングは、そこからICが形成される薄膜層の下の半導体ウェハの領域を露出させる。半導体ウェハは、パターニングされたマスク内のギャップを貫通してプラズマエッチングされ、これによってICを個片化する。その後、UV反応性接着剤の中心部が反応され、個片化されたICがフィルムから分離される。
Description
本出願は、2012年10月17日に、「フィルムフレームアプリケーション用UV除去ダイシングテープの部分的前反応によるレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング(LASER AND PLASMA ETCH WAFER DICING WITH PARTIAL PRE−CURING OF UV RELEASE DICING TAPE FOR FILM FRAME WAFER APPLICATION)」の名称で出願された米国仮特許出願第61/715,190号に基づく優先権の利益を主張し、全目的のためにその全体が参照により本明細書に援用される。
本発明の実施形態は、半導体処理の分野に関し、特に、各ウェハが複数の集積回路を上に有する半導体ウェハをダイシングする方法に関する。
半導体ウェハ処理では、集積回路は、シリコン又は他の半導体材料からなるウェハ(基板ともいう)上に形成されている。一般に、半導体、導電体又は絶縁体のいずれかである様々な材料の層が、集積回路を形成するために利用される。これらの材料は、様々な周知のプロセスを用いて堆積され、エッチングされ、これによって集積回路を形成する。各ウェハは、ダイとして知られる集積回路を含む多数の個々の領域を形成するように処理される。
集積回路形成プロセスに続いて、ウェハは「ダイシング」され、これによってパッケージ化するために、又はより大規模な回路内でパッケージ化されていない形態で使用するために、互いに個々のダイに分離される。ウェハダイシング用に使用される2つの主要な技術は、スクライビングとソーイングである。スクライビングでは、ダイヤモンドを先端に付けたスクライブが、予め形成されたスクライブラインに沿ってウェハ表面を横切って移動する。これらのスクライブラインは、ダイ間の空間に沿って延びている。これらの空間は、一般に「ストリート」と呼ばれている。ダイヤモンドスクライブは、ストリートに沿って、ウェハ表面に浅い傷を形成する。ローラなどによる圧力の印加時に、ウェハは、スクライブラインに沿って分離する。ウェハ内での破断は、ウェハ基板の結晶格子構造に従う。スクライビングは、約10ミル(1インチの1000分の1)又はそれ以下の厚さであるウェハに対して使用することができる。より厚いウェハに対しては、ソーイングが、現在のところ、ダイシングするのに好適な方法である。
ソーイングでは、1分当たり高回転数で回転するダイヤモンドが先端に付いた鋸(ソー)が、ウェハ表面に接触し、ストリートに沿ってウェハを切断(ソーイング)する。ウェハは、支持部材(例えば、フィルムフレーム全域に亘って伸ばされた接着フィルム)上に取り付けられ、鋸が垂直及び水平の両方のストリートに繰り返し印加される。スクライビング又はソーイングのいずれにおいても1つの問題は、チップ(欠け)及びゴージ(削り溝)が切断されたダイ端部に沿って形成される可能性があることである。また、亀裂が形成され、ダイの端部から基板内へと伝播し、集積回路を動作不能にする可能性がある。正方形又は長方形のダイの片側のみが結晶構造の方向にスクライブ可能であるので、チッピング(欠け)及びクラッキング(割れ)は、スクライビングにおいて特に問題である。その結果、ダイのもう一方の側の劈開は、ギザギザの分離ラインをもたらす。チッピング及びクラッキングのために、集積回路への損傷を防止するための追加の間隔がウェハ上のダイ間に必要となる(例えば、チップ及びクラックは、実際の集積回路からある距離に維持される)。間隔要件の結果として、標準サイズのウェハ上にはそれほど多くのダイを形成することはできず、もしもそうでないならば回路用に使用可能であったウェハの実質的な領域が無駄になる。鋸の使用は、半導体ウェハ上の実質的な領域の無駄を悪化させる。鋸の刃は、約15ミクロンの厚さである。このように、鋸によって作られた切り口を取り巻く割れ及びその他の損傷が、集積回路に悪影響を及ぼさないことを保証するために、300〜500ミクロンはしばしばダイのそれぞれの回路を分離しなければならない。更に、切断後、各ダイは、ソーイングプロセスから生じる粒子及び他の汚染物質を除去するために実質的なクリーニングを必要とする。
プラズマダイシングもまた使用されてきたが、同様に制限を有するかもしれない。例えば、プラズマダイシングの実施を妨げる1つの制限は、コストであるかもしれない。レジストをパターニングするための標準的なリソグラフィ操作は、実行コストが桁違いに高くなる可能性がある。プラズマダイシングの実施を妨げる可能性のあるもう一つの制限は、一般的に遭遇する金属(例えば、銅)のプラズマ処理は、ストリートに沿ってダイシングする際に、製造の問題又はスループットの限界を作る可能性があることである。
本発明の実施形態は、各々が複数の集積回路を上に有する半導体ウェハをダイシングする方法に向けられている。一実施形態によると、複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法は、マスクを半導体ウェハの上方に形成する工程を含む。マスクは、集積回路を覆い保護する。本方法は、紫外線(UV)反応性接着フィルムでフィルムフレームに半導体ウェハを結合する工程を含む。本方法は、半導体ウェハの縁部を越えて配置された接着フィルムの周辺部を前反応させる工程を含む。本方法は、集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させるギャップをパターニングされたマスクに提供するために、レーザスクライビングプロセスでマスクをパターニングする工程を含む。本方法はまた、半導体ウェハを接着フィルムに固定しながら、個片化された集積回路を形成するために、パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングする工程を含む。
一実施形態によると、複数の集積回路をダイシング方法は、UV反応性接着フィルムによってマスクされた結晶シリコン基板をフィルムフレームに結合する工程を含む。本方法は、シリコン基板の縁部を越えて配置された接着フィルムの周辺部を前反応させる工程を含む。本方法は、レーザスクライビングプロセスによって、マスクをパターニングし、少なくとも二酸化ケイ素の層、低K材料の層、及び銅の層をパターニングし、これによって集積回路間のシリコン基板の領域を露出させる工程を含む。本方法は、個片化された集積回路を形成するために、露出した領域を貫通してシリコン基板をエッチングする工程を含む。本方法は、UV光への曝露によって、シリコン基板の縁部内に配置された接着フィルムの中心部を反応させる工程を含む。本方法はまた、反応した接着フィルムから個片化された集積回路を分離する工程を含む。
一実施形態では、複数の集積回路(IC)を含む半導体ウェハをダイシングするシステムは、ICを覆い保護するマスクを半導体ウェハの上方に形成するための堆積チャンバを含む。本システムは、紫外線(UV)反応性接着フィルムでフィルムフレームに半導体ウェハを結合するための接着フィルムアプリケータを含む。本システムは、半導体ウェハの縁部を越えて配置された接着フィルムの周辺部を前反応させるための反応ステーションを含む。本システムは、集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させるギャップをパターニングされたマスクに提供するために、レーザスクライビングプロセスでマスクをパターニングするためのレーザスクライブモジュールを含む。本システムはまた、半導体ウェハを接着フィルムに固定しながら、個片化された集積回路を形成するために、パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングするためのプラズマエッチングチャンバを含む。
本発明の実施形態は、添付図面の図中において、例として示され、限定するものではない。
本発明の一実施形態に係る、複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法における操作を示すフローチャートである。
本発明の一実施形態に係る、複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法における操作を示すフローチャートである。
本発明の一実施形態に係る、図1Aの操作101に対応する、半導体ウェハをダイシングする方法を実施する間の、複数の集積回路を含む半導体ウェハの断面図を示す。
本発明の一実施形態に係る、図1Aの操作104及び図1Bの操作115に対応する、半導体ウェハをダイシングする方法を実施する間の、複数の集積回路を含む半導体ウェハの断面図を示す。
本発明の一実施形態に係る、図1Aの操作106及び図1Bの操作116に対応する、半導体ウェハをダイシングする方法を実施する間の、複数の集積回路を含む半導体ウェハの断面図を示す。
本発明の一実施形態に係る、半導体ウェハ又は基板のストリート領域内に存在することができる材料のスタックの断面図を示す。
〜
本発明の実施形態に係る、半導体ウェハをダイシングする方法の様々な操作の断面図を示す。
本発明の一実施形態に係る、ウェハ又は基板のレーザ・プラズマダイシング用のツールレイアウトのブロック図を示す。
本発明の一実施形態に係る、本明細書に記載の方法の任意の1以上をコンピュータシステムに実行させるための命令セットを内部で実行することができる例示的なコンピュータシステムのブロック図を示す。
各ウェハが複数の集積回路を上に有する半導体ウェハのダイシング方法が記載される。以下の説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細(例えば、UV反応性接着フィルムによるレーザ・プラズマエッチングウェハダイシングのアプローチ)が記載される。本発明の実施形態は、これらの特定の詳細なしに実施できることが、当業者には明らかであろう。他の例では、周知の態様(例えば、集積回路の製造)は、本発明の実施形態を不必要に曖昧にしないために、詳細には説明されない。更に、図に示される様々な実施形態は、例示であり、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解すべきである。
初期のレーザスクライブとその後のプラズマエッチングを含むハイブリッドウェハ又は基板のダイシング工程は、ダイ個片化のために実施することができる。レーザスクライブプロセスはきれいにマスク層、有機及び無機誘電体層と、デバイス層を除去することができる。レーザスクライブプロセスは、その後の曝露、又はウェハ又は基板の部分エッチング時に終了することができる。ダイシング工程のプラズマエッチング部分は、次に、ダイ又はチップ個片化又はダイシングを得、バルク単結晶シリコンを介して、ウェハ又は基板のバルクをエッチングするために使用することができる。
ハイブリッドのウェハ又は基板のダイシングプロセスでは、ダイシングされるウェハは、概して、UV反応性接着フィルム(例えば、UV除去ダイシングテープ)によってテープフィルムフレーム上に取り付けられる。テープフィルムフレームは、従来のピックアンドプレース装置に適し、ハイブリッドダイシングプロセス中に、プラズマエッチングチャンバ内でのロボットハンドリング及びクランピングにも適しているタイプのものであってもよい。
一実施形態では、半導体ウェハは、ウェハの縁部を越えて外へと延びる接着面の第2の周辺部と共に、片面又は両面UV反応性接着フィルムの接着面の第1の中心部上に取り付けられる。プラズマエッチングフェーズの間、プラズマエッチングチャンバ内にテープフレームをロードする前に、UVフィルムの接着面の周辺部の反応が実行され、これによってプラズマエッチングプロセスに曝露されるであろうウェハ縁部を越えた領域内の接着剤を架橋反応させる。プラズマエッチングの間、高密度プラズマに曝露されたときに反応した接着剤は、蒸発してウェハ上に配置されたデバイス構造及びエッチングされた構造内に再堆積する可能性がより少ない。例えば、プラズマエッチングの間にエッチングの停止の発生は、UVフィルムの周辺接着部の前反応によって低減又は排除することができる。
一実施形態では、ウェハ縁部を越えて延在する周辺接着部の前反応は、UV反応性接着フィルムの裏面又は前面のいずれかからUV照射を通して実行される。UV照射がUV反応性接着フィルムの裏面を通して実行される有利な実施形態では、ウェハに付着した接着剤の中心部は、シャドーマスク(例えば、ダイシングを受ける半導体ウェハとほぼ同じ直径を有するダミーウェハ)によって裏面側のUV光から隠される。
プラズマエッチングの後、個々のダイは、UVフィルムを解放するために接着面の中心部を反応させることによって、UV反応性接着フィルムから採取することができる。あるいはまた、フレームと共に第2のダイシングテープを半導体ウェハ及びUV反応性接着フィルムから除去されたダイの前面にひとまとめに塗布し、その後、個々のダイは後続のパッケージング及び組み立て操作のためにテープ付けされたフレームから取り出される。
一実施形態では、上記のアプローチに適したウェハの厚さは、約50ミクロン以上である。ICメモリチップに対しては、メモリ容量が増加するのに伴い、マルチチップ機能及び連続パッケージングの小型化が、超薄型ウェハダイシングを必要とする可能性がある。ロジックデバイスチップ/プロセッサに対しては、主要な課題は、ICの性能向上、低k材料及び他の材料の採用にある。約100ミクロン〜760ミクロンの範囲内のウェハの厚さは、十分なチップの完全性を確保するためにそのような用途に使用することができる。プロセッサチップの設計者/製造者は、テストエレメントグループ(TEG又はテストパターン)並びにアライメントパターンをウェハストリート内に配置することができる。このため、少なくともウェハの上面で約50ミクロン〜100ミクロンの範囲内のカーフ幅が、隣接するチップを分離し、テストパターンのみを除去するために必要とされる場合がある。主要な焦点は、層間剥離のない、効率的なダイシングプロセスを達成することである。
本明細書内に記載される実施形態は、特に、約100ミクロン〜800ミクロンの範囲内の厚さ、より具体的には、約100ミクロン〜600ミクロンの範囲内の厚さと、約50ミクロン〜200ミクロンの範囲内、より具体的には、約50ミクロン〜100ミクロンの範囲内のウェハ前面で測定された許容できるダイシングカーフ幅(これは例えば、レーザ/ソーハイブリッドプロセスにおいて、ウェハの裏側から測定された約30〜50ミクロンの典型的なカーフ幅に対応する)を有するプロセッサチップを備えたICウェハのダイシング用途に対処することができる。1以上の実施形態は、上述のようなウェハをダイシングするためのハイブリッドレーザスクライビング+プラズマエッチングのアプローチに向けられる。
図1Aは、本発明の一実施形態に係る、複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法100の操作を示す。図1Bは、本発明の一実施形態に係る、複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法140の操作を示す。方法140は、より一般的な方法100の1つの例示的な実施形態である。図2A〜2Cは、方法100及び140の実行中における複数の集積回路を含む半導体ウェハの断面図を示し、一方、図4A〜4Hは、方法100及び140の実行中における半導体ウェハのキャリア基板への着脱の断面図を示す。
方法100の操作101及び対応する図2Aを参照すると、マスク202が、半導体ウェハ又は基板204の上方に形成される。ウェハ又は基板204は、キャリアフィルムの少なくとも片面上に接着剤が配置されたUV反応性接着フィルム214の上に配置される。UV反応性接着フィルム214は、図4A〜4Hに関連してより詳細に説明されるように、フィルムフレーム上に更に配置されてもよい(図2A〜2Cには図示せず)。図4Aに示されるように、マスク202用に記載された材料のいずれであってもよいマスク410が、例えば、レジスト又は他の材料のスピンコーティングによって、半導体ウェハ400のアクティブ面402上に配置される。図4Aには、コンフォーマルでない平坦化されたマスクとして図示されている(例えば、バンプの上方のマスク410の厚さは、谷部におけるマスク410の厚さよりも小さい)が、代替の一実施形態では、マスク410は、コンフォーマルマスクである。コンフォーマルマスクの実施形態は、有利なことに、トポグラフィー(例えば、20μmのバンプ)の上方にマスク410の十分な厚さを確保し、これによってプラズマエッチングダイシング操作の期間を存続する。コンフォーマルマスクの形成は、例えば、CVD法によって、又は当技術分野で既知の他の任意のプロセスによってできる。
半導体ウェハ400の材料特性の厚さに応じて、ウェハ400をフィルムフレームに取り付ける前又は後にマスク410を貼り付けることができる。図1A及び図4Aに示される例示的な実施形態では、マスクは、半導体ウェハ400をフィルムフレームに取り付ける前に貼り付けられる。このような特定の実施形態では、ウェハ400は、350μmを超える厚さを有する。図1Bに示される例示的な実施形態では、マスクは、半導体ウェハ400をフィルムフレームに取り付けた後に貼り付けられる。このような特定の実施形態では、ウェハ400は、350μm未満の厚さを有する。
図2Aに示されるように、マスク202は、半導体ウェハ204の表面上に形成された集積回路(IC)206を覆い保護し、また、半導体ウェハ204の表面から(例えば、10〜20μm)上へ突出するバンプも保護する。マスク202はまた、隣接する集積回路206間に形成された介在ストリート207も覆う。
本発明の一実施形態によると、マスク202及び410を形成する工程は、例えば、フォトレジスト層又はI線パターニング層が挙げられるが、これらに限定されない層を形成する工程を含む。例えば、ポリマー層(例えば、フォトレジスト層)は、リソグラフィプロセスで使用するのに適したそれ以外の材料で構成されてもよい。一実施形態では、フォトレジスト層は、例えば、248ナノメートル(nm)レジスト、193nmレジスト、157nmレジスト、極紫外(EUV)レジスト、又は増感剤を加えたフェノール樹脂マトリックスが挙げられるが、これらに限定されないポジ型フォトレジスト材料で構成される。別の一実施形態では、フォトレジスト層は、ネガ型フォトレジスト材料で構成される。
一実施形態では、半導体ウェハ又は基板204(図2A〜2C)及び半導体ウェハ又は基板400(図4A〜4G)は、製造プロセスに耐えるのに適しており、その上に半導体処理層を好適に配置することができる材料で構成される。例えば、一実施形態では、半導体ウェハ又は基板204は、IV族系材料(例えば、結晶シリコン、ゲルマニウム又はシリコン/ゲルマニウムが挙げられるが、これらに限定されない)で構成される。特定の一実施形態では、半導体ウェハ204を提供する工程は、単結晶シリコン基板を提供する工程を含む。特定の一実施形態では、単結晶シリコン基板は、不純物原子によってドープされる。別の一実施形態では、半導体ウェハ又は基板204は、III−V族材料又はIII族−N(例えば、発光ダイオード(LED)の製造に使用されるGaNなど)から構成される。
図2Aを参照すると、半導体ウェハ又は基板204は、半導体デバイスのアレイが集積回路206の一部として、その上又は中に配置される。このような半導体デバイスの例としては、シリコン基板内に製造され、誘電体層に囲まれたメモリデバイス又は相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタを含むが、これらに限定されない。複数の金属相互接続が、誘電体層を取り囲んで、デバイス又はトランジスタの上方に形成され、集積回路206を形成するようにデバイス又はトランジスタを電気的に結合するのに使用することができる。導電性バンプ層及びパッシベーション層が相互接続層の上方に形成されてもよい。ストリート207を構成する材料は、集積回路206を形成するために使用される材料と類似又は同じであることができる。例えば、ストリート207は、誘電体材料、半導体材料、及び/又はメタライゼーションの層から構成することができる。一実施形態では、1以上のストリート207は、集積回路206の実際のデバイスと類似のテストデバイスを含む。
図1Aに戻って、方法100は、操作102で、UV反応性接着フィルムによって半導体ウェハをフィルムフレームに結合する工程によって進む。一実施形態では、図2A〜2C中のUV反応性接着フィルム214及び図4B〜4H中のUV反応性接着フィルム406は、少なくとも第1の接着層又は接着面の下に配置されたキャリアフィルムを含むダイシングテープである(第2の接着層は、両面の実施形態用のキャリアフィルムの反対側に存在することができる)。一実施形態では、接着剤は、UV光への曝露によって弱化(すなわち、解放)する接着性を有する1以上の材料から構成される。このような一実施形態では、キャリアフィルムは、ポリ塩化ビニルで構成され、1つ又は2つの接着層は、アクリル系接着層である。
一実施形態では、図4Bに示されるように、ウェハを接着フィルムに結合する工程は、1つの接着層404Aをフィルムフレーム408に接触させる工程を伴う。図示の実施形態では、UV反応接着フィルムは、例えば、従来のウェハテープアプリケータによって、まずフィルムフレーム408に貼り付けられ、その後、第2接着層又は接着面404Bを半導体ウェハ400に接触させる(図4B)。フィルムフレーム408は、ウェハよりも大きい(例えば、直径300mmのウェハに対して380mm以内である)ので、ウェハ400は、露出した接着剤と接触する前に、テープ付けされたフィルムフレーム408に位置合わせすることができる。代替実施形態では、UV反応性接着フィルムは、例えば、従来のウェハテープアプリケータによって、第2接着面をフィルムフレーム408に接触させる前に、まず半導体ウェハ400に貼り付けられる。このような実施形態では、両面UV反応性テープの第1面が、(前面402とは反対の)ウェハ裏面に貼り付けられ、その後、テープ付けされたウェハは、テープ付けされていないフィルムフレームと位置合わせされ、フィルムフレームと接触する。
図4Cに示されるように、接着剤404Aを手段としてフィルムフレーム408の一方の面に貼り付けられた接着フィルム406によって、半導体ウェハ400は、マスク410を露出して他方の接着層404Bに固定される。半導体ウェハ400は非常に脆い場合、まずキャリア基板に接着剤を塗布することが有利であるが、代替の実施形態では、両面接着フィルム406(例えば、接着層404B)が、まずウェハ400に貼り付けられ、その後、接着フィルムの他方の面(例えば、接着層404A)がフィルムフレーム408に貼り付けられてもよい。
図1Aに戻ると、半導体ウェハをキャリア上に取り付けて、方法100は、マスクされた半導体ウェハをUV反応性接着フィルムによってフィルムフレームに結合して操作103へ進む。同様に、方法140(図1B)は、例えば、方法100によってこれまでに準備されたアセンブリを入力出発物質として利用する操作113で始まる。その後、方法100及び140は両方とも、キャリアフィルムのウェハと同じ側上のウェハ縁部を越えて延在する接着剤の周辺部の前反応に進む。言い換えると、ウェハによって接触されず、ウェハ縁部を越えてウェハ側の上に露出された接着層が前反応される。前反応操作(103、114)は、スクライビングプロセスの後続のプラズマエッチングフェーズの間にプラズマに曝露されるであろう接着材料を架橋するためのものである。一旦架橋されると、接着材料は、より耐エッチング性が増し、エッチングプロセス中に再堆積しがちである炭化水素を生み出しにくくなる。このような再堆積は、エッチング性能に悪影響を与え、エッチングの停止、チャンバ又はウェハの汚染、又はエッチングプロファイル制御の喪失のうちの1以上に潜在的に寄与することが見出されてきたので、前反応操作(例えば、図1Aにおける103、図1Bにおける114)が有利であることが見出されている。
図4Cに示される一実施形態では、前反応の操作は、接着フィルム406の裏面及び/又はウェハ400の裏面から発するUV光に上側の接着剤を曝露させる工程を含む。このように、UV光の少なくとも一部は、前反応時に上(前)面の接着剤と相互作用する前に、接着フィルム406のキャリアフィルムを透過又は通過する。代替の一実施形態では、接着フィルム406の前(上)面及び/又はウェハ400の前(上)面から発するUV光が、前反応操作の間に使用されるが、裏面UV露光は、粒子付加物に対する、及び前面処理と関連する他の汚染に対する潜在的可能性を最小化するクリーンなプロセスであることが見出されている。図4Cに更に示されるように、マスク405は、接着剤の中心部が前反応中に反応されることから保護しながら、周囲のウェハ縁部400Aを越えた接着剤の周辺領域414は、照射される。一般的に、マスク405は、ウェハ400とマスク405との間に配置された接着剤の反応を防止するためのUVバリアとして機能することができる任意の接触又は投影シャドーマスクであることができる。一実施形態では、マスク405は、ウェハ400とほぼ同じ大きさであり、例えば、ウェハ400と同じ直径(例えば、300mm、450mm等)を有するシリコン半導体ウェハが挙げられるが、これらに限定されないダミーウェハであることができる。マスク405は、一般的に、前反応操作の間、ウェハ400と位置合わせされるが、ダイの歩留まり損失を発生させることなく、事前のエッチングの部分的な反応の結果として、ダイシング後に接着性を失うことができるエッジビードの排除が、ウェハ400上において典型的にはあるので、多少の位置ずれは許容される。
前反応に続いて、方法100及び140は、レーザスクライブ操作(104及び115)及びプラズマエッチング操作(106及び116)に移る。図2Bは、パターニングされたマスク208に、集積回路206間の半導体ウェハ又は基板204の領域を露出させるギャップ210を提供するために、レーザスクライビングプロセスによってパターニングされたマスク202の近位断面図を提供する。図4Dは、基板400が接着フィルム406によってフィルムフレーム408に固定されながら、ギャップ412を形成するレーザスクライブプロセスの遠位断面図を提供する。
図2Bを参照すると、レーザスクライビングプロセスは、概して、集積回路206間に存在するストリート207の材料を除去することである。本発明の一実施形態によれば、レーザスクライビングプロセスでマスク202をパターニングする工程は、集積回路206間の半導体ウェハ204の領域内にトレンチ212を部分的に形成する工程を含む。一実施形態では、レーザスクライビングプロセスによってマスク202をパターニングする工程は、フェムト秒範囲内のパルス幅をもつレーザを使用する工程を含む。具体的には、可視スペクトル又は紫外線(UV)又は赤外線(IR)の波長(これら3つを合わせて、広帯域光スペクトル)を有するレーザが使用され、これによってフェムト秒ベースのレーザ(すなわち、フェムト秒(10−15秒)オーダーのパルス幅を有するレーザ)を提供することができる。一実施形態では、アブレーションは、波長に依存しない、又は本質的には波長に依存しないので、複雑な膜(例えば、マスク202、ストリート207、及びひょっとすると半導体ウェハ又は基板204の一部の膜)に適している。
レーザパラメータの選択(例えば、パルス幅)は、クリーンなレーザスクライブ切断を実現するために、チッピング、マイクロクラック、層間剥離を最小化する、成功したレーザスクライビング・ダイシングプロセスを開発するのに重要である可能性がある。レーザスクライブ切断がクリーンであればあるほど、最終的なダイ個片化のために実行することができるエッチングプロセスはよりスムーズになる。半導体デバイスウェハにおいては、異なる材料の種類(例えば、導体、絶縁体、半導体)及び厚さの多くの機能層が、典型的には、その上に配置される。このような材料は、有機材料(例えば、ポリマー)、金属、又は無機誘電体(例えば、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素)を含むことができるが、これらに限定されない。
ウェハ又は基板上に配置された個々の集積回路の間のストリートは、集積回路自身と類似又は同じ層を含むことができる。例えば、図3は、本発明の一実施形態に係る、半導体ウェハ又は基板のストリート領域内で使用することができる材料のスタックの断面図を示す。図3を参照すると、ストリート領域300は、シリコン基板の上部302、第1二酸化ケイ素層304、第1エッチストップ層306、(例えば、二酸化ケイ素の誘電率4.0よりも低い誘電率を有する)第1低K誘電体層308、第2エッチストップ層310、第2低K誘電体層312、第3エッチストップ層314、非ドープシリカガラス(USG)層316、第2二酸化ケイ素層318、及びフォトレジスト320の層を、図示の相対的な厚さで含む。銅メタライゼーション322は、第1及び第3のエッチストップ層306及び314の間に、第2エッチストップ層310を貫通して配置される。特定の一実施形態では、第1、第2、第3エッチストップ層306、310、314は、窒化シリコンで構成され、一方、低K誘電体層308及び312は、炭素ドープ酸化シリコン材料で構成される。
従来のレーザ照射(例えば、ナノ秒ベース又はピコ秒ベースのレーザ照射)の下では、ストリート300の材料は、光吸収及びアブレーションメカニズムの面で、かなり異なって振る舞う。例えば、誘電体層(例えば、二酸化ケイ素)は、通常の条件下では市販されているレーザの波長に対して基本的に透明である。対照的に、金属、有機物(例えば、低K材料)及びシリコンは、(特に、ナノ秒ベース又はピコ秒ベースのレーザ照射に応答して)非常に容易に光子に結合可能である。しかしながら、一実施形態では、フェムト秒ベースのレーザプロセスは、低K材料の層及び銅の層をアブレーション加工する前に、二酸化ケイ素の層をアブレーション加工することによって、二酸化ケイ素の層、低K材料の層、及び銅の層をパターニングするために使用される。特定の一実施形態では、約400フェムト秒以下のパルスが、マスク、ストリート、及びシリコン基板の一部を除去するフェムト秒ベースのレーザ照射プロセスで使用される。
本発明の一実施形態によると、好適なフェムト秒ベースのレーザプロセスは、通常、様々な材料内で非線形相互作用をもたらす高いピーク強度(照度)によって特徴付けられる。このような一実施形態では、フェムト秒レーザ光源は、約10フェムト秒〜500フェムト秒の範囲内のパルス幅を有するが、好ましくは100フェムト秒〜400フェムト秒の範囲内である。一実施形態では、フェムト秒レーザ光源は、約200ナノメートル〜1570ナノメートルの範囲内の波長を有するが、好ましくは250ナノメートル〜540ナノメートルの範囲内である。一実施形態では、レーザ及び対応する光学系は、作業面で約3ミクロン〜15ミクロンの範囲内の焦点を提供するが、好ましくは、約5ミクロン〜10ミクロンの範囲内である。
作業面での空間ビームプロファイルは、シングルモード(ガウシアン)であるか、又は整形されたトップハットプロファイルを有していてもよい。一実施形態では、レーザ光源は、約200kHz〜10MHzの範囲内のパルス繰り返しレートを有するが、好ましくは、約500kHz〜5MHzの範囲内である。一実施形態では、レーザ光源は、作業面で約0.5μJ〜100μJの範囲内のパルスエネルギーを送出するが、好ましくは約1μJ〜5μJの範囲内である。一実施形態では、レーザスクライビングプロセスは、ワークピース表面に沿って約500mm/秒〜5m/秒の範囲内の速度で走るが、好ましくは、約600mm/秒〜2m/秒の範囲内である。
スクライビングプロセスは、単一のパスのみ、又は複数のパスで実行可能であるが、一実施形態では、好ましくは1〜2パスである。一実施形態では、ワークピース内のスクライビング深さは、約5ミクロン〜50ミクロンの深さの範囲内であるが、好ましくは、約10ミクロン〜20ミクロンの深さの範囲内である。レーザは、特定のパルス繰り返しレートの単一パルス列又はパルスバーストの列のいずれかで印加することができる。一実施形態では、生成されたレーザ光のカーフ幅は、約2ミクロン〜15ミクロンの範囲内であるが、シリコンウェハのスクライビング/ダイシングでは、デバイス/シリコン界面で測定されたときに、好ましくは約6ミクロン〜10ミクロンの範囲内である。
無機誘電体(例えば二酸化ケイ素)のイオン化を達成し、無機誘電体の直接的なアブレーションの前に下地の損傷によって引き起こされる層間剥離及び欠けを最小限に抑えるのに十分に高いレーザ強度を提供するなどの利益及び利点によって、レーザパラメータを選択することができる。また、パラメータは、正確に制御されたアブレーション幅(例えば、カーフ幅)及び深さと共に、産業用途に意味のあるプロセススループットを提供するように選択することができる。上述したように、ピコ秒ベース及びナノ秒ベースのレーザアブレーションプロセスと比較して、フェムト秒ベースのレーザは、このような利点を提供するのにはるかにより適している。しかしながら、フェムト秒ベースのレーザアブレーションのスペクトル内においてさえ、特定の波長が他よりも優れたパフォーマンスを提供する場合がある。例えば、一実施形態では、近紫外又は紫外範囲内の波長を有するフェムト秒レーザベースのプロセスは、近赤外又は赤外範囲内の波長を有するフェムト秒ベースのレーザプロセスよりもクリーンなアブレーションプロセスを提供する。このような特定の一実施形態では、半導体ウェハ又は基板のスクライビングに適したフェムト秒ベースのレーザプロセスは、約540ナノメートル以下の波長を有するレーザに基づく。このような特定の一実施形態では、約540ナノメートル以下の波長を有するレーザの、パルスは約400フェムト秒以下が使用される。しかしながら、代替の一実施形態では、デュアルレーザ波長(例えば、赤外線レーザと紫外線レーザの組み合わせ)が使用される。
図1A及び図1Bに戻ると、プラズマエッチング操作(106、116)では、半導体ウェハは、ICを個片化するためにプラズマエッチングされる。プラズマエッチングの前面は、パターニングされたマスク208内でギャップ210を貫通して進み、これによって個片化された集積回路206を形成する。本発明の一実施形態によれば、半導体ウェハをエッチングする工程は、レーザスクライビングプロセスで形成されたトレンチをエッチングして、これによって最終的に半導体ウェハを貫通して完全にエッチングする工程を含む。これは、基板204に対しては図2C、基板400に対しては(貫通トレンチ416の形態で)図4Eの両方に図示される。図2C及び図4Eに図示される例示的な実施形態では、プラズマエッチングは、トレンチ416によって分離された半導体ウェハ400の個別化された部分414(例えば、414A及び414B)によって接着フィルム214、406上でそれぞれ停止される。
図4Eに示されるように、プラズマエッチングプロセスの間、ウェハ400は、接着フィルムによってフィルムフレームに取り付けられながら、チャック508A上に配置される。チャック508Aよりも大きいフィルムフレーム408は、チャック508Aを取り囲む外側リング508Bに載置される。特定の一実施形態では、エッチングプロセスの間、半導体ウェハ400の材料のエッチング速度は、毎分25ミクロンよりも大きい。超高密度プラズマ源を、ダイの個片化プロセスのプラズマエッチング部分用に使用してもよい。このようなプラズマエッチングプロセスを行うのに適したプロセスチャンバの一例は、米国カリフォルニア州サニーベールのアプライドマテリアルズ(Applied Materials)から入手可能なApplied Centura(商標名) Silvia(商標名)Etchシステムである。Applied Centura(商標名) Silvia(商標名)Etchシステムは、容量性及び誘導性RF結合を組み合わせ、これによって容量結合のみで可能なものよりも、イオン密度及びイオンエネルギーをはるかに独立して制御し、更に磁気強化による改善も提供される。この組み合わせは、イオン密度をイオンエネルギーから効果的に分離することを可能にし、これによって非常に低い圧力でさえ、高く、潜在的に損傷を与えるDCバイアスレベル無しで、相対的に高い密度のプラズマを達成することができる。複数のRF源による構成はまた、非常に広いプロセスウィンドウをもたらす。しかしながら、シリコンをエッチングすることができる任意のプラズマエッチングチャンバを用いることができる。例示的な一実施形態では、基本的に正確なプロファイル制御と事実上スカラップの無い側壁を維持しながら、従来のシリコンのエッチング速度を約40%上回るエッチング速度で単結晶シリコン基板又はウェハ204をエッチングするのに、ディープシリコンエッチングが使用される。特定の一実施形態では、スルーシリコンビア型のエッチングプロセスが使用される。エッチングプロセスは、一般的にフッ素系ガス(例えば、SF6、C4F8、CHF3、XeF2)である反応ガス又は比較的速いエッチング速度でシリコンをエッチングすることができる任意の他の反応ガスから生成されたプラズマに基づく。
プラズマエッチング操作(図1Aでは106及び図1Bでは116)に続いて、個片化された集積回路は、UV反応性接着フィルムに結合されたままである。図1Aを参照すると、操作108において、そして図4F−4Hに関連してより詳細に後述されるが、UV反応性接着フィルムの中心部分は、UV(光)エネルギーの照射によって反応し、ウェハに貼り付けられたUV反応性接着剤の接着性を弱める。図4Fによって図示される例示的な実施形態では、図4A〜4Eのパターニングされたマスク410は、個片化プロセスのレーザスクライブ・プラズマエッチング部分の後、接着フィルム406の除去の前に除去される。これはまた、図2Cによって示される。しかしながら、代替の実施形態では、パターニングされたマスク208は、接着剤の中心部分が曝露されるUV反応性接着フィルムのUV照射中又はUV照射後に除去することができる。
図4Gに示されるように、UV反応性接着フィルムは、何れのマスクも無しで(すなわち、図4Cのマスク405は除去されている)フィルムフレーム408を通してUV光420を再照射される。UV光420はまた、ウェハ400の下方に配置された中心領域417内において、UV反応性接着フィルムのキャリアフィルムを通って伝わり、これによって個別化されたIC415A、415Bを接着テープから解放する。例えば、方法140(図1B)内の操作117にあるように、ウェハと接触している接着面の完全なる反応があり、ここでUV分離接着剤を反応させる工程は、UV反応性接着フィルムの一面の接着性を少なくとも90%低減させる工程を伴う。
図4Hに更に示されるように、ウェハ400(又はフレーム408)の上面から起こる前反応も二次的な接着剤の反応も無いことによって、接着フィルムは、個別化されたIC414A及び414Bが、接着フィルム及び/又はフィルムフレーム408から分離されるとき、フィルムフレーム408上に優先的に保持されることができる。特に、操作108及び110(又は、117及び121)は、例えば、ダイシングされたウェハがIC製造施設からフィルムフレーム上で輸送された後、パッケージアセンブリハウスで実行することができる。これによって、パッケージアセンブリハウスは、フィルムフレーム408を従来のピックアンドプレースパッケージングプロセス内でのテープフレームのように用いることができる。このような一実施形態では、例えば、方法140(図1B)内の操作121によって図示されるように、ダイの分離は、従来のピックアンドプレース機によって個々のダイ毎に行われる。
あるいはまた、保護層(例えば、従来の保護ダイシングテープ)が、例えば、従来のダイシングテープ/テープフレームアプリケーション内でダイシングの前に半導体の面に対して行われるように、UV接着フィルム406の反対側に貼り付けられてもよい。一旦前面のダイシングテープが貼り付けられると、UV反応性接着フィルム406は、部分的に反応し、これによって前面のテープはテープフレーム上で膨張するので、UV反応性接着フィルム406のウェハ側を解放する。このような実施形態では、IC415A及び415Bを含む個別化されたダイは、ウェハレベルでUV反応性接着フィルム406から分離される。
図2A〜図2Cを再び参照すると、複数の集積回路206は、約10ミクロン以下の幅を有するストリート207によって分離することができる。フェムト秒ベースのレーザスクライビングのアプローチの使用は、少なくとも部分的にレーザの厳しいプロファイル制御のため、集積回路のレイアウト内にこのような圧縮を可能にすることができる。しかしながら、たとえフェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスによって別なやり方で可能であるにしても、ストリート幅を10ミクロン未満に減らすことが必ずしも常に望ましくはないかもしれないことを理解すべきである。例えば、いくつかのアプリケーションでは、集積回路を分離するストリート内に、ダミー又はテストデバイスを製造するために、少なくとも40ミクロンのストリート幅を必要とする場合がある。一実施形態では、複数の集積回路206は、半導体ウェハ又は基板204上に制約の無い又は自由形式のレイアウトで配置することができる。
単一のプロセスツールは、UV反応性接着フィルムの使用を含むハイブリッドレーザアブレーション・プラズマエッチング個片化プロセス内の多くの又はすべての操作を実行するように構成することができる。例えば、図5は、本発明の一実施形態に係る、ウェハ又は基板のレーザ・プラズマダイシング用のツールレイアウトのブロック図を示す。
図5を参照すると、プロセスツール500は、複数のロードロック504が結合されたファクトリインタフェース502(FI)を含む。クラスタツール506は、ファクトリインタフェース502に結合される。クラスタツール506は、プラズマエッチングチャンバ508を含む。レーザスクライブ装置510も又はクトリインタフェース502に結合される。プロセスツール500全体の設置面積は、一実施形態では、図5に示されるように、約3500ミリメートル(3.5メートル)×約3800ミリメートル(3.8メートル)であることができる。
一実施形態では、レーザスクライブ装置510は、レーザを収容する。このような一実施形態では、レーザは、フェムト秒ベースのレーザである。レーザは、マスクの利用を含むハイブリッドレーザ・エッチング個片化プロセスのレーザアブレーション部分(例えば、上述したレーザアブレーションプロセス)を実行するのに適している。一実施形態では、レーザに対してウェハ又は基板(又はそのキャリア)を移動させるために構成された可動ステージもまた、プロセスツール500に含まれる。特定の一実施形態では、レーザもまた、移動可能である。レーザスクライブ装置510全体の設置面積は、一実施形態では、図5に示されるように、約2240ミリメートル×約1270ミリメートルであることができる。
一実施形態では、プラズマエッチングチャンバ508は、パターニングされたマスク内のギャップを貫通してウェハ又は基板をエッチングして、これによって複数の集積回路を個片化するように構成される。このような一実施形態では、プラズマエッチングチャンバ508は、ディープシリコンエッチングプロセスを行うように構成される。特定の一実施形態では、プラズマエッチングチャンバ508は、米国カリフォルニア州サニーベールのアプライドマテリアルズから入手可能なApplied Centura(商標名) Silvia(商標名)Etchシステムである。プラズマエッチングチャンバ508は、単結晶シリコン基板又はウェハの上又は中に収容された集積回路を個片化するために使用されるディープシリコンエッチング用に具体的に設計されてもよい。一実施形態では、高密度プラズマ源が、プラズマエッチングチャンバ508に含まれ、これによって高いシリコンエッチング速度を促進する。一実施形態では、複数のプラズマエッチングチャンバが、プロセスツール500のクラスタツール506の部分に含まれ、これによって個片化又はダイシングプロセスの高い製造スループットを可能にする。
一実施形態では、プラズマエッチングチャンバ508は、プラズマ処理中にテープフレーム上に配置されながら、ウェハをクランプするためにチャンバ内に配置されたチャックを含む。ファクトリインタフェース502は、レーザスクライブ装置510を有する外部の製造施設とクラスタツール506との間をインタフェース接続するのに適した大気ポートであってもよい。ファクトリインタフェース502は、ウェハ(又はそのキャリア)を格納ユニット(例えば、正面開口式カセット一体型搬送・保管箱(FOUP))からクラスタツール506又はレーザスクライブ装置510のいずれか又はその両方へ搬送するためのアーム又はブレードを備えたロボットを含むことができる。
クラスタツール506は、個片化の方法において機能を実行するのに適した他のチャンバを含むことができる。例えば、一実施形態では、追加のエッチングチャンバの代わりに、堆積チャンバ512が含まれる。堆積チャンバ512は、ウェハ又は基板のレーザスクライビングの前に、ウェハ又は基板のデバイス層の上又は上方へのマスク堆積用に構成することができる。このような一実施形態では、堆積チャンバ512は、フォトレジスト層を堆積するのに適している。
図6は、本明細書に記載される1以上のスクライビング法をマシンに実行させるための命令のセットを内部で実行することができるコンピュータシステム600を示す。例示的なコンピュータシステム600は、プロセッサ602、メインメモリ604(例えば、リードオンリーメモリ(ROM)、フラッシュメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)(例えば、シンクロナスDRAM(SDRAM)又はラムバスDRAM(RDRAM)など)、スタティックメモリ606(例えば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)など)、及び二次メモリ618(例えば、データ記憶装置)を含み、これらはバス630を介して互いに通信する。
プロセッサ602は、1以上の汎用処理装置(例えば、マイクロプロセッサ、中心処理装置など)を表す。より具体的には、プロセッサ602は、複合命令セットコンピューティング(CISC)マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング(RISC)マイクロプロセッサ、超長命令語(VLIW)マイクロプロセッサなどであることができる。プロセッサ602は、1以上の特殊目的処理装置(例えば、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、デジタル信号プロセッサ(DSP)、ネットワークプロセッサなど)であることも可能である。プロセッサ602は、本明細書に記載の操作及び工程を実行するための処理ロジック626を実行するように構成される。
コンピュータシステム600は更に、ネットワークインターフェースデバイス608を含むことができる。コンピュータシステム600は、ビデオディスプレイユニット610(例えば、液晶ディスプレイ(LCD)、又は陰極線管(CRT))、英数字入力装置612(例えば、キーボード)、カーソル制御装置614(例えば、マウス)、及び信号生成装置616(例えば、スピーカ)も含むことができる。
二次メモリ618は、本明細書に記載の1以上の方法又は機能の何れかを具現化する1以上の命令セット(例えば、ソフトウェア622)を格納するマシンアクセス可能な記憶媒体(又は、より具体的には、コンピュータ可読記憶媒体)631を含むことができる。ソフトウェア622はまた、コンピュータシステム600、メインメモリ604及びプロセッサ602(これらもまたマシン可読記憶媒体を構成している)によるその実行中に、メインメモリ604内及び/又はプロセッサ602内に、完全に又は少なくとも部分的に常駐することもできる。ソフトウェア622は更に、ネットワークインターフェースデバイス608を介してネットワーク620上で送信又は受信されることができる。
マシンアクセス可能な記憶媒体631は、例示的な一実施形態では単一の媒体であることが示されているが、用語「マシン可読記憶媒体」は、1以上の命令セットを格納する単一の媒体又は複数の媒体(例えば、集中型又は分散型データベース、及び/又は関連するキャッシュ及びサーバ)を含むように解釈されるべきである。用語「マシン可読記憶媒体」はまた、マシンによる実行用命令セットを格納又はエンコードすることができ、本発明の1以上の方法の何れかをマシンに実行させる任意の媒体を含むようにも解釈されるべきである。
例えば、マシン可読(例えば、コンピュータ可読)媒体は、マシン(例えば、コンピュータ)可読記憶媒体(例えば、リードオンリーメモリ(「ROM」)、ランダムアクセスメモリ(「RAM」)、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス等)、マシン(例えば、コンピュータ)可読伝送媒体(電気的、光学的、音響的、又は他の形態の伝搬信号(例えば、赤外線信号、デジタル信号等))等を含む。
なお、上記の説明は例示的なものであって限定的なものではないことを意図していることを理解すべきである。例えば、図中のフロー図は、本発明の特定の実施形態によって実行される操作の特定の順序を示しているが、そのような順序は必要とされない(例えば、代替の実施形態は、異なる順序で操作を実行する、特定の操作を組み合わせる、特定の操作を重複させる等ができる)ことを理解すべきである。更に、上記の説明を読んで理解することにより、当業者にとって多くの他の実施形態が明らかとなるであろう。本発明は特定の例示的な実施形態を参照して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲内で修正及び変更して実施することができることが認識されるであろう。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照して、そのような特許請求の範囲が権利を認める均等物の全範囲と共に決定されるべきである。
Claims (14)
- 複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法であって、
集積回路を覆い保護するマスクを半導体ウェハの上方に形成する工程と、
紫外線(UV)反応性接着フィルムでフィルムフレームに半導体ウェハを結合する工程と、
半導体ウェハの縁部を越えて配置された接着フィルムの周辺部を前反応させる工程と、
集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させるギャップをパターニングされたマスクに提供するために、レーザスクライビングプロセスでマスクをパターニングする工程と、
半導体ウェハを接着フィルムに固定しながら、個片化された集積回路を形成するために、パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングする工程を含む方法。 - 接着フィルムは、UV光を透過し、前反応は、
接着フィルムの裏面から発するUV光を接着フィルムの周辺部に照射する工程を含み、UV光の少なくとも一部は、半導体ウェハをエッチングする前に接着フィルムの周辺部が上に配置された接着フィルムを通過する請求項1記載の方法。 - 前反応は、
周辺部の前反応中にUV曝露から中心部を保護するために、接着フィルムの中心部をマスクする工程を含む請求項2記載の方法。 - 中心部をマスクする工程は、半導体ウェハと位置合わせした接着フィルムの裏面に隣接する半導体ウェハの寸法とほぼ同じ寸法を有するUVバリアを配置する工程を含む請求項3記載の方法。
- UVバリアは、半導体ウェハと同じ直径のダミーウェハを含む請求項4記載の方法。
- 半導体ウェハ及びダミーウェハは、シリコンであり、約100〜600μmの範囲内の厚さを有し、直径が300〜450mmである請求項5記載の方法。
- 半導体ウェハの縁部内に配置された接着フィルムの中心部をUV光への曝露によって反応させる工程と、
反応した接着フィルムから個片化された集積回路を分離する工程を含む請求項1記載の方法。 - UV反応性接着フィルムは、ポリ塩化ビニルフィルム上に配置された少なくとも1種のアクリル系接着剤を含む請求項2記載の方法。
- 紫外線(UV)反応性接着フィルムでフィルムフレームに半導体ウェハを結合する工程は、
接着フィルムをフィルムフレームに接触させる工程と、
半導体ウェハをフィルムフレームに位置合わせする工程と、
半導体ウェハを接着フィルムに接触させる工程を含む請求項2記載の方法。 - レーザスクライビングプロセスでマスクをパターニングする工程は、フェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスでパターニングする工程を含み、パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングする工程は、高密度プラズマエッチングプロセスを用いる工程を含む請求項1記載の方法。
- 高密度プラズマエッチングプロセスを用いる工程は、
エッチングプロセスチャンバ内に配置されたチャックを囲む支持体上にフィルムフレームを配置する工程と、
半導体ウェハをチャックにクランプする工程と、
チャック上に配置されながら、パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをプラズマエッチングする工程と、
半導体ウェハのクランプを外す工程を含む請求項9記載の方法。 - 複数の集積回路(IC)を含む半導体ウェハをダイシングするためのシステムであって、
ICを覆い保護するマスクを半導体ウェハの上方に形成するための堆積チャンバと、
紫外線(UV)反応性接着フィルムでフィルムフレームに半導体ウェハを結合するための接着フィルムアプリケータと、
半導体ウェハの縁部を越えて配置された接着フィルムの周辺部を前反応させるための反応ステーションと、
集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させるギャップをパターニングされたマスクに提供するために、レーザスクライビングプロセスでマスクをパターニングするためのレーザスクライブモジュールと、
半導体ウェハを接着フィルムに固定しながら、個片化された集積回路を形成するために、パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングするためのプラズマエッチングチャンバを含むシステム。 - 反応ステーションは、接着フィルムの裏面から発したUV光を接着フィルムの周辺部に照射するためのものであり、UV光の少なくとも一部は、半導体ウェハをエッチングする前に接着フィルムの周辺部が上に配置された接着フィルムを通過する請求項12記載のシステム。
- 反応ステーションは、周辺部の前反応中にUV曝露から中心部を保護するために、接着フィルムの中心部を更にマスクするためのものである請求項12記載のシステム。
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190087553A (ko) * | 2016-11-30 | 2019-07-24 | 플라즈마-썸, 엘엘씨 | 반도체 웨이퍼를 플라즈마 다이싱하기 위한 방법 및 장치 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8845854B2 (en) * | 2012-07-13 | 2014-09-30 | Applied Materials, Inc. | Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing |
JP6113019B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2017-04-12 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
US9076860B1 (en) * | 2014-04-04 | 2015-07-07 | Applied Materials, Inc. | Residue removal from singulated die sidewall |
US20150287638A1 (en) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | Jungrae Park | Hybrid wafer dicing approach using collimated laser scribing process and plasma etch |
US9112050B1 (en) * | 2014-05-13 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Dicing tape thermal management by wafer frame support ring cooling during plasma dicing |
US9093518B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Singulation of wafers having wafer-level underfill |
US9165832B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser |
TWI664668B (zh) * | 2014-10-13 | 2019-07-01 | 新加坡商聯測總部私人有限公司 | 用於單一化半導體晶圓之方法 |
US9601375B2 (en) | 2015-04-27 | 2017-03-21 | Applied Materials, Inc. | UV-cure pre-treatment of carrier film for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach |
CN109003898A (zh) * | 2017-06-07 | 2018-12-14 | 郑州光力瑞弘电子科技有限公司 | 一种在薄片(包括晶圆)上实现图形转移的新工艺 |
GB2566030B (en) * | 2017-08-30 | 2023-01-04 | Pragmatic Printing Ltd | Integrated circuit handling process and apparatus |
CN107564950A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-09 | 苏州日月新半导体有限公司 | 晶圆、半导体封装件及其制造方法 |
KR102434021B1 (ko) | 2017-11-13 | 2022-08-24 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 기판의 디본딩 방법, 이를 수행하기 위한 장치 및 이를 포함하는 반도체 칩의 싱귤레이팅 방법 |
US11348784B2 (en) | 2019-08-12 | 2022-05-31 | Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd | Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing |
US20210247691A1 (en) * | 2020-02-12 | 2021-08-12 | Hutchinson Technology Incorporated | Method For Forming Components Without Adding Tabs During Etching |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01272130A (ja) * | 1987-07-08 | 1989-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体用放射線硬化性粘着テ−プ |
JP2003347260A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-05 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び基板処理方法 |
JP2004087660A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Takatori Corp | ウエハのダイシングテープへの転写方法とその装置 |
JP2004247443A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工方法 |
JP2007048876A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009094436A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
US20100151678A1 (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-17 | Mark Dydyk | Wafer Backside Grinding with Stress Relief |
JP2010165963A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハの処理方法 |
WO2011163149A2 (en) * | 2010-06-22 | 2011-12-29 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch |
Family Cites Families (82)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4049944A (en) | 1973-02-28 | 1977-09-20 | Hughes Aircraft Company | Process for fabricating small geometry semiconductive devices including integrated components |
US4339528A (en) | 1981-05-19 | 1982-07-13 | Rca Corporation | Etching method using a hardened PVA stencil |
US4684437A (en) | 1985-10-31 | 1987-08-04 | International Business Machines Corporation | Selective metal etching in metal/polymer structures |
JPH0416085A (ja) | 1990-05-10 | 1992-01-21 | Tokyo Gas Co Ltd | 画像記録再生装置 |
KR100215338B1 (ko) | 1991-03-06 | 1999-08-16 | 가나이 쓰도무 | 반도체 장치의 제조방법 |
US5691794A (en) | 1993-02-01 | 1997-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
US5593606A (en) | 1994-07-18 | 1997-01-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets |
JPH08274048A (ja) | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Sony Corp | チップ部材の製造方法 |
DE69725245T2 (de) | 1996-08-01 | 2004-08-12 | Surface Technoloy Systems Plc | Verfahren zur Ätzung von Substraten |
US6426484B1 (en) | 1996-09-10 | 2002-07-30 | Micron Technology, Inc. | Circuit and method for heating an adhesive to package or rework a semiconductor die |
US5920973A (en) | 1997-03-09 | 1999-07-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Hole forming system with multiple spindles per station |
JP3230572B2 (ja) | 1997-05-19 | 2001-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子 |
US6057180A (en) | 1998-06-05 | 2000-05-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output |
JP2001044144A (ja) | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体チップの製造プロセス |
JP2001110811A (ja) | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4387007B2 (ja) | 1999-10-26 | 2009-12-16 | 株式会社ディスコ | 半導体ウェーハの分割方法 |
JP2001144126A (ja) | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2001148358A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハ及び該半導体ウェーハの分割方法 |
US6300593B1 (en) | 1999-12-07 | 2001-10-09 | First Solar, Llc | Apparatus and method for laser scribing a coated substrate |
US6574250B2 (en) | 2000-01-10 | 2003-06-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser system and method for processing a memory link with a burst of laser pulses having ultrashort pulse widths |
US6887804B2 (en) | 2000-01-10 | 2005-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Passivation processing over a memory link |
US6407363B2 (en) | 2000-03-30 | 2002-06-18 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser system and method for single press micromachining of multilayer workpieces |
KR100773070B1 (ko) | 2000-07-12 | 2007-11-02 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | Ic 퓨즈를 하나의 펄스로 절단하기 위한 uv 레이저시스템 및 방법 |
US6676878B2 (en) | 2001-01-31 | 2004-01-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser segmented cutting |
US6759275B1 (en) | 2001-09-04 | 2004-07-06 | Megic Corporation | Method for making high-performance RF integrated circuits |
US6642127B2 (en) | 2001-10-19 | 2003-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method for dicing a semiconductor wafer |
JP3910843B2 (ja) | 2001-12-13 | 2007-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置 |
US6706998B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-03-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Simulated laser spot enlargement |
KR100451950B1 (ko) | 2002-02-25 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법 |
DE10391811B4 (de) | 2002-02-25 | 2012-06-21 | Disco Corp. | Verfahren zum Zerlegen eines Halbleiterwafers |
JP2003257896A (ja) | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分割方法 |
DE60303371T2 (de) | 2002-04-19 | 2006-08-10 | Xsil Technology Ltd. | Laser-behandlung |
JP2004031526A (ja) | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
US6582983B1 (en) | 2002-07-12 | 2003-06-24 | Keteca Singapore Singapore | Method and wafer for maintaining ultra clean bonding pads on a wafer |
JP4286497B2 (ja) | 2002-07-17 | 2009-07-01 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3908148B2 (ja) | 2002-10-28 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 積層型半導体装置 |
US20040157457A1 (en) | 2003-02-12 | 2004-08-12 | Songlin Xu | Methods of using polymer films to form micro-structures |
JP2004273895A (ja) | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
US7087452B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-08-08 | Intel Corporation | Edge arrangements for integrated circuit chips |
JP2004322168A (ja) | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP4231349B2 (ja) | 2003-07-02 | 2009-02-25 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP4408361B2 (ja) | 2003-09-26 | 2010-02-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
US7128806B2 (en) | 2003-10-21 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Mask etch processing apparatus |
JP4471632B2 (ja) | 2003-11-18 | 2010-06-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2005203541A (ja) | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
US7459377B2 (en) | 2004-06-08 | 2008-12-02 | Panasonic Corporation | Method for dividing substrate |
US7804043B2 (en) | 2004-06-15 | 2010-09-28 | Laserfacturing Inc. | Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser |
US7687740B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-03-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows |
US7507638B2 (en) | 2004-06-30 | 2009-03-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ultra-thin die and method of fabricating same |
JP4018088B2 (ja) | 2004-08-02 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体ウェハの分割方法及び半導体素子の製造方法 |
US7199050B2 (en) | 2004-08-24 | 2007-04-03 | Micron Technology, Inc. | Pass through via technology for use during the manufacture of a semiconductor device |
JP4018096B2 (ja) | 2004-10-05 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体ウェハの分割方法、及び半導体素子の製造方法 |
US20060088984A1 (en) | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Intel Corporation | Laser ablation method |
US20060086898A1 (en) | 2004-10-26 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus of making highly repetitive micro-pattern using laser writer |
US20060146910A1 (en) | 2004-11-23 | 2006-07-06 | Manoochehr Koochesfahani | Method and apparatus for simultaneous velocity and temperature measurements in fluid flow |
JP4288229B2 (ja) | 2004-12-24 | 2009-07-01 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
US7875898B2 (en) | 2005-01-24 | 2011-01-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
JP2006253402A (ja) | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7361990B2 (en) | 2005-03-17 | 2008-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reducing cracking of high-lead or lead-free bumps by matching sizes of contact pads and bump pads |
JP4478053B2 (ja) | 2005-03-29 | 2010-06-09 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハ処理方法 |
JP4285455B2 (ja) | 2005-07-11 | 2009-06-24 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP4599243B2 (ja) | 2005-07-12 | 2010-12-15 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP4769560B2 (ja) | 2005-12-06 | 2011-09-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP4372115B2 (ja) | 2006-05-12 | 2009-11-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法、および半導体モジュールの製造方法 |
JP4480728B2 (ja) | 2006-06-09 | 2010-06-16 | パナソニック株式会社 | Memsマイクの製造方法 |
JP4544231B2 (ja) | 2006-10-06 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP2008171844A (ja) | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4840174B2 (ja) | 2007-02-08 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP4840200B2 (ja) | 2007-03-09 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
US7926410B2 (en) | 2007-05-01 | 2011-04-19 | J.R. Automation Technologies, L.L.C. | Hydraulic circuit for synchronized horizontal extension of cylinders |
JP5205012B2 (ja) | 2007-08-29 | 2013-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器 |
JP4882971B2 (ja) | 2007-11-16 | 2012-02-22 | パナソニック株式会社 | プラズマダイシング装置 |
US7859084B2 (en) | 2008-02-28 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Semiconductor substrate |
JP2009260272A (ja) | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Panasonic Corp | 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法 |
TW201006600A (en) | 2008-04-10 | 2010-02-16 | Applied Materials Inc | Laser-scribing platform and hybrid writing strategy |
US20100015782A1 (en) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Chen-Hua Yu | Wafer Dicing Methods |
US20100013036A1 (en) | 2008-07-16 | 2010-01-21 | Carey James E | Thin Sacrificial Masking Films for Protecting Semiconductors From Pulsed Laser Process |
JP2010062375A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2010135356A (ja) | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのダイシング方法 |
US8609512B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-12-17 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser singulation of chip scale packages on glass substrates |
JP2012079936A (ja) | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
US8802545B2 (en) | 2011-03-14 | 2014-08-12 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
-
2013
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01272130A (ja) * | 1987-07-08 | 1989-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体用放射線硬化性粘着テ−プ |
JP2003347260A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-05 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び基板処理方法 |
JP2004087660A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Takatori Corp | ウエハのダイシングテープへの転写方法とその装置 |
JP2004247443A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工方法 |
JP2007048876A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009094436A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
US20100151678A1 (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-17 | Mark Dydyk | Wafer Backside Grinding with Stress Relief |
JP2010165963A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハの処理方法 |
WO2011163149A2 (en) * | 2010-06-22 | 2011-12-29 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190087553A (ko) * | 2016-11-30 | 2019-07-24 | 플라즈마-썸, 엘엘씨 | 반도체 웨이퍼를 플라즈마 다이싱하기 위한 방법 및 장치 |
KR102103129B1 (ko) | 2016-11-30 | 2020-05-26 | 플라즈마-썸, 엘엘씨 | 반도체 웨이퍼를 플라즈마 다이싱하기 위한 방법 및 장치 |
Also Published As
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---|---|
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