JP6543466B2 - 物理的に除去可能なマスクを用いたレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、半導体処理の分野に関し、特に、各ウェハが複数の集積回路を上に有する半導体ウェハをダイシングする方法に関する。
半導体ウェハ処理では、集積回路は、シリコン又は他の半導体材料からなるウェハ(基板ともいう)上に形成されている。一般に、半導体、導電体又は絶縁体のいずれかである様々な材料の層が、集積回路を形成するために利用される。これらの材料は、様々な周知のプロセスを用いてドープされ、堆積され、エッチングされ、これによって集積回路を形成する。各ウェハは、ダイとして知られる集積回路を含む多数の個々の領域を形成するように処理される。
Claims (12)
- 複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法であって、
半導体ウェハの上方に、集積回路を覆い、保護するマスクを形成する工程と、
フェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスによってマスク及び半導体ウェハの一部をパターニングし、これによって集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させるギャップをパターニングされたマスク及び半導体ウェハに提供する工程であって、各ギャップは半導体ウェハ内でその深さ方向に一定の幅を有し、フェムト秒ベースのレーザは、540ナノメートル以下の波長と400フェムト秒以下のパルス幅を有し、540ナノメートル以下の波長と400フェムト秒以下のパルス幅を有するフェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスは、近赤外又は赤外範囲内の波長を有するフェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスよりもチッピング、マイクロクラック、及び層間剥離の少ないアブレーションプロセスを提供する工程と、
半導体ウェハ内にトレンチを形成するために、ギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングし、これによって個片化された集積回路を形成する工程であって、各トレンチはその深さ方向に前記一定の幅を有する工程と、
個片化された集積回路からパターニングされたマスクを分離する工程を含む方法。 - マスクを形成する工程は、集積回路に薄いポリマーシートを接着させる工程を含む請求項1記載の方法。
- 薄いポリマーシートは、集積回路に対して透明であり、約50ミクロン以下の厚さを有する請求項2記載の方法。
- マスクを形成する工程は、集積回路上にフォトレジスト層を堆積させる工程を含む請求項1記載の方法。
- 半導体ウェハの上方にマスクを形成する工程は、高密度プラズマエッチングプロセスに耐えるのに適したマスクを形成する工程を含む請求項1記載の方法。
- 請求項1記載の方法を実行することにより、複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするためのシステムであって、
ファクトリインタフェースと、
ファクトリインタフェースに結合されたレーザスクライブ装置であって、レーザスクライブ装置は、540ナノメートル以下の波長と400フェムト秒以下のパルス幅を有するフェムト秒ベースのレーザを含み、540ナノメートル以下の波長と400フェムト秒以下のパルス幅を有するフェムト秒ベースのレーザは、近赤外又は赤外範囲内の波長を有するフェムト秒ベースのレーザよりもチッピング、マイクロクラック、及び層間剥離の少ないアブレーションプロセスを提供するレーザスクライブ装置と、
ファクトリインタフェースに結合され、プラズマエッチングチャンバを含むクラスタツールであって、レーザスクライブ装置はクラスタツール内には含まれないクラスタツールと、
ファクトリインタフェースに結合され、物理的に除去可能なマスクを形成するように構成された堆積チャンバを含むシステム。 - 堆積チャンバは、集積回路に薄いポリマーシートを接着するように構成される請求項6記載のシステム。
- 堆積チャンバは、集積回路上にフォトレジスト層を堆積するように構成される請求項6記載のシステム。
- 堆積チャンバは、クラスタツールに収容され、クラスタツールは、
マスク除去ステーション又はチャンバを含む請求項6記載のシステム。 - 複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法であって、
シリコン基板の上方に、物理的に除去可能なマスクを形成する工程であって、物理的に除去可能なマスクは、シリコン基板上に配置された集積回路を覆い、保護し、集積回路は、低K材料の層及び銅の層の上方に配置された二酸化ケイ素の層を含む工程と、
フェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスによって、物理的に除去可能なマスクと、二酸化ケイ素の層と、低K材料の層と、銅の層と、シリコン基板の一部をパターニングし、これによってギャップを有するパターニングされたシリコン基板を提供し、集積回路間のシリコン基板の領域を露出させる工程であって、各ギャップは半導体ウェハ内でその深さ方向に一定の幅を有し、フェムト秒ベースのレーザは、540ナノメートル以下の波長と400フェムト秒以下のパルス幅を有し、540ナノメートル以下の波長と400フェムト秒以下のパルス幅を有するフェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスは、近赤外又は赤外範囲内の波長を有するフェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスよりもチッピング、マイクロクラック、及び層間剥離の少ないアブレーションプロセスを提供する工程と、
シリコン基板内にトレンチを形成するために、ギャップを貫通してシリコン基板をエッチングし、これによって個片化された集積回路を形成する工程であって、各トレンチはその深さ方向に前記一定の幅を有する工程と、
個片化された集積回路から物理的に除去可能なマスクを分離する工程を含む方法。 - レーザスクライビングプロセスによって、物理的に除去可能なマスクと、二酸化ケイ素の層と、低K材料の層と、銅の層をパターニングする工程は、二酸化ケイ素の層をアブレーション加工する前に物理的に除去可能なマスクをアブレーション加工する工程と、低K材料の層及び銅の層をアブレーション加工する前に二酸化ケイ素の層をアブレーション加工する工程を含む請求項10記載の方法。
- 物理的に除去可能なマスクを形成する工程は、集積回路に薄いポリマーシートを接着する工程を含む請求項10記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/161,036 | 2011-06-15 | ||
US13/161,036 US9126285B2 (en) | 2011-06-15 | 2011-06-15 | Laser and plasma etch wafer dicing using physically-removable mask |
PCT/US2012/040303 WO2012173792A2 (en) | 2011-06-15 | 2012-05-31 | Laser and plasma etch wafer dicing using physically-removable mask |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014523116A JP2014523116A (ja) | 2014-09-08 |
JP6543466B2 true JP6543466B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=47353994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014515855A Active JP6543466B2 (ja) | 2011-06-15 | 2012-05-31 | 物理的に除去可能なマスクを用いたレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9126285B2 (ja) |
JP (1) | JP6543466B2 (ja) |
KR (2) | KR20140039049A (ja) |
CN (1) | CN103650128B (ja) |
TW (1) | TWI552215B (ja) |
WO (1) | WO2012173792A2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4478053B2 (ja) | 2005-03-29 | 2010-06-09 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハ処理方法 |
JP4285455B2 (ja) | 2005-07-11 | 2009-06-24 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP4599243B2 (ja) | 2005-07-12 | 2010-12-15 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP4769560B2 (ja) | 2005-12-06 | 2011-09-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP4372115B2 (ja) | 2006-05-12 | 2009-11-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法、および半導体モジュールの製造方法 |
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JP4480728B2 (ja) | 2006-06-09 | 2010-06-16 | パナソニック株式会社 | Memsマイクの製造方法 |
JP4544231B2 (ja) | 2006-10-06 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
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JP4840200B2 (ja) | 2007-03-09 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
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US7859084B2 (en) | 2008-02-28 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Semiconductor substrate |
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-
2011
- 2011-06-15 US US13/161,036 patent/US9126285B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-31 KR KR1020147001001A patent/KR20140039049A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-05-31 CN CN201280030905.2A patent/CN103650128B/zh active Active
- 2012-05-31 JP JP2014515855A patent/JP6543466B2/ja active Active
- 2012-05-31 WO PCT/US2012/040303 patent/WO2012173792A2/en active Application Filing
- 2012-05-31 KR KR1020197001867A patent/KR102149409B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-04 TW TW101119983A patent/TWI552215B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012173792A3 (en) | 2013-04-04 |
KR102149409B1 (ko) | 2020-08-28 |
US9126285B2 (en) | 2015-09-08 |
WO2012173792A2 (en) | 2012-12-20 |
TW201310516A (zh) | 2013-03-01 |
JP2014523116A (ja) | 2014-09-08 |
CN103650128B (zh) | 2016-09-21 |
CN103650128A (zh) | 2014-03-19 |
US20120322237A1 (en) | 2012-12-20 |
KR20190012268A (ko) | 2019-02-08 |
TWI552215B (zh) | 2016-10-01 |
KR20140039049A (ko) | 2014-03-31 |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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A02 | Decision of refusal |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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