JP2005203541A - ウエーハのレーザー加工方法 - Google Patents

ウエーハのレーザー加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005203541A
JP2005203541A JP2004007850A JP2004007850A JP2005203541A JP 2005203541 A JP2005203541 A JP 2005203541A JP 2004007850 A JP2004007850 A JP 2004007850A JP 2004007850 A JP2004007850 A JP 2004007850A JP 2005203541 A JP2005203541 A JP 2005203541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
laser beam
protective tape
chuck table
optical device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004007850A
Other languages
English (en)
Inventor
Yusuke Nagai
祐介 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2004007850A priority Critical patent/JP2005203541A/ja
Priority to US11/028,737 priority patent/US7435607B2/en
Publication of JP2005203541A publication Critical patent/JP2005203541A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Abstract

【課題】 ウエーハに貼着された保護テープがウエーハに照射されたレーザー光線のエネルギーを吸収して気泡を発生しても、この気泡による影響を除去することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】 ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に溶融再固化した変質領域を形成するレーザー加工方法であって、ウエーハの一方の面に通気性を有する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、保護テープが貼着されたウエーハを保護テープが貼着された側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持するウエーハ保持工程と、チャックテーブルに保持されたウエーハの他方の面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハの一方の面の近傍に集光点を合わせて照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って一方の面に露出する変質層を形成するレーザー光線照射工程とを含む。
【選択図】 図７

Description

本発明は、ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に分割予定ラインによって区画された複数の領域に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスが形成された光デバイスウエーハや、リチウムタンタレート基板の表面に分割予定ラインによって区画された複数の領域に圧電素子が配設されたウエーハは、分割予定ラインに沿って個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等のデバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物であるウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。しかるに、サファイヤ基板やリチウムタンタレート基板はモース硬度が高く、上記切削ブレードによる切削が困難である。
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
特開平２００２−１９２３６７号公報
サファイヤ基板やリチウムタンタレート基板等のウエーハにレーザー加工を施す際には、ウエーハの表面又は裏面に保護テープを貼着し、該保護テープ側をチャックテーブルに保持した状態でウエーハに透過性を有するパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に溶融再固化した変質層を形成する。しかるに、ウエーハの内部にクラックが生じないように変質層を形成するためには、クラックが生じない程度のパワー密度のレーザー光線をウエーハの内部に照射するとともに、レーザー光線の集光点を保護テープが貼着された面の近傍に位置付けることにより変質層を保護テープが貼着された面に露出させる必要がある。このように集光点を保護テープが貼着された面の近傍に位置付けてレーザー光線を照射すると、保護テープもレーザー光線のエネルギーを吸収するため、加熱される際に保護テープを構成する成分が変化して、またウエーハを構成する成分が変化して気泡が発生し、この気泡が保護テープとウエーハとの間に溜まる。この結果、チャックテーブルに保持されたウエーハが気泡により僅かに浮き上がるため、レーザー光線の集光点位置が変位し、均一な変質層を形成することができないという問題がある。また、チャックテーブルに保持されたウエーハが気泡により僅かに浮き上がることにより、チャックテーブルによるウエーハの保持力が低下するという問題もある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハに貼着された保護テープがウエーハに照射されたレーザー光線のエネルギーを吸収して気泡を発生しても、この気泡による影響を除去することができるウエーハのレーザー加工方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハに形成された分割予定ラインに沿って該ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射し、該ウエーハの内部に溶融再固化した変質領域を形成するレーザー加工方法であって、
該ウエーハの一方の面に通気性を有する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープが貼着された該ウエーハを該保護テープが貼着された側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルに保持された該ウエーハの他方の面側から該ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該ウエーハの一方の面の近傍に集光点を合わせて照射し、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って一方の面に露出する変質層を形成するレーザー光線照射工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。
上記通気性を有する保護テープは、メッシュ状テープまたは多孔質テープからなっている。
本発明においては、ウエーハの一方の面に貼着される保護テープが通気性を有するテープからなっているため、照射されるレーザー光線のエネルギーによって保護テープが加熱される際に発生した気泡は保護テープとウエーハとの間に溜まることなく、保護テープを通して排出される。従って、上記気泡が保護テープとウエーハとの間に溜まってウエーハが浮き上がることはない。このため、チャックテーブルに保持されたウエーハが気泡により浮き上がることによるレーザー光線の集光点位置が変位することを防止できるとともに、チャックテーブルによるウエーハの保持力が低下するという問題も解消される。
以下、本発明によるウエーハのレーザー加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には、本発明によるレーザー加工方法によって加工されるウエーハとしての光デバイスウエーハの斜視図が示されている。図１に示す光デバイスウエーハ２は、サファイヤ基板２０の表面２０ａに分割予定ライン２１によって区画された複数の領域に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイス２２が形成されている。以下、この光デバイスウエーハ２の分割予定ライン２１に沿ってレーザー加工を施すウエーハのレーザー加工方法について説明する。
上述した光デバイスウエーハ２のストリート２２に沿ってレーザー加工を施すには、先ず上記光デバイスウエーハ２の一方の面に通気性を有する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程を実施する。この保護テープ貼着工程は、図２に示すように環状のフレーム３に装着された通気性を有する保護テープ４に光デバイスウエーハ２の一方の面（図示の実施形態においては光デバイスウエーハ２を形成するサファイヤ基板２０の表面２０ａ）を貼着する。従って、保護テープ４に貼着された光デバイスウエーハ２は、裏面２０ｂが上側となる。なお、上記通気性を有する保護テープ４としては、樹脂繊維によって織物状に形成されたテープの表面に粘着剤が塗布されたメッシュ状の粘着テープが用いられている。図３には、環状のフレーム３に装着された通気性を有する保護テープの他の実施形態が示されている。図３に示す通気性を有する保護テープ４０は、多孔質の樹脂テープの表面に粘着剤が塗布された多孔質粘着テープである。
上述した保護テープ貼着工程を実施したならば、保護テープ４（４０）が貼着された光デバイスウエーハ２を保護テープ４（４０）が貼着された側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持するウエーハ保持工程を実施する。ここで、レーザー加工装置について図４乃至図６を参照して説明する。図４乃至図６に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。チャックテーブル５１は被加工物を保持する保持部が多孔質セラミックスによって形成され図示しない吸引手段に接続されており、その上面に載置された被加工物を適宜吸引保持するように構成されているとともに、図示しないクランプ機構によって上記環状のフレーム３をクランプするように構成されている。また、チャックテーブル５１は、図示しない移動機構によって図４において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図５に示すようにパルスレーザー光線発振手段５２２と伝送光学系５２３とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段５２２は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器５２２ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段５２２ｂとから構成されている。伝送光学系５２３は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。上記ケーシング５２１の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ（図示せず）を収容した集光器５２４が装着されている。上記パルスレーザー光線発振手段５２２から発振されたレーザー光線は、伝送光学系５２３を介して集光器５２４に至り、集光器５２４から上記チャックテーブル５１に保持される被加工物に所定の集光スポット径Ｄで照射される。この集光スポット径Ｄは、図６に示すようにガウス分布を示すパルスレーザー光線が集光器５２４の対物集光レンズ５２４ａを通して照射される場合、Ｄ（μｍ）＝４×λ×ｆ／（π×Ｗ）、ここでλはパルスレーザー光線の波長（μｍ）、Ｗは対物集光レンズ５２４ａに入射されるパルスレーザー光線の直径（ｍｍ）、ｆは対物集光レンズ７２４ａの焦点距離（ｍｍ）、で規定される。
上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上記ウエーハ保持工程においては、図４に示すレーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に保護テープ４（４０）が貼着された光デバイスウエーハ２を保護テープ４が貼着された側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル５１上に保護テープ４（４０）が貼着された光デバイスウエーハ２を吸着保持する。従って、チャックテーブル５１上に保持された光デバイスウエーハ２は、他方の面（図示の実施形態においては光デバイスウエーハ２を形成するサファイヤ基板２０の裏面２０ｂ）が上側となる。
上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、レーザー加工装置５のチャックテーブル５１に保持された光デバイスウエーハ２の他方の面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハの一方の面の近傍に集光点を合わせて照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って一方の面に露出する変質層を形成するレーザー光線照射工程を実施する。レーザー光線照射工程について、図４、図７および図８を参照して説明する。
上述したようにウエーハ保持工程において光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない移動機構によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、光デバイス２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、光デバイスウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、光デバイスウエーハ２の分割予定ライン２１が形成されている表面２０ａは下側に位置しているが、撮像手段５３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２０ｂから透かして分割予定ライン２１を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されている光デバイスウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図７の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２１の一端（図７の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５２４の直下に位置付ける。そして、集光器５２４から光デバイスウエーハ２のサファイヤ基板２０に対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１即ち光デバイスウエーハ２を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図７の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器５２４の照射位置が分割予定ライン２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１即ち光デバイスウエーハ２の移動を停止する。このレーザー光線照射工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを光デバイスウエーハ２の一方の面である表面２０ａ（下面）付近に合わせることにより、表面２０ａ（下面）に露出するとともに表面２ａから内部に向けて変質層２１０が形成される。この変質層２１０は、溶融再固化層として形成される。
なお、上記レーザー光線照射工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：ＹＶＯ４レーザー
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
ピークパワー密度：５．０×１０Ｅ８Ｗ／ｃｍ２ 〜２．０×１０Ｅ１２Ｗ／ｃｍ２
集光スポット径 ：φ１μｍ
繰り返し周波数 ：４０〜４００ｋＨｚ
加工送り速度 ：４０〜４００ｍｍ／秒
上述したようにレーザー光線照射工程においてパルスレーザー光線をその集光点Ｐを光デバイスウエーハ２の表面２０ａ（下面）付近に合わせて照射すると、光デバイスウエーハ２の表面２０ａ（下面）に貼着した保護テープ４（４０）もレーザー光線のエネルギーを吸収するため、加熱される際に保護テープ内に含まれる空気や水分等が熱膨張して気泡が発生する。しかるに、保護テープ４（４０）は上述したように通気性を有するテープによって形成されているので、加熱される際に発生した気泡は保護テープ４（４０）を通りチャックテーブル５１を構成する多孔質セラミックスによって形成された保持部を通して図示しない吸引手段に吸引される。従って、上記気泡が保護テープ４（４０）と光デバイスウエーハ２の表面２０ａ（下面）との間に溜まることはない。このため、チャックテーブルに保持されたウエーハが気泡により浮き上がることはなく、気泡によってウエーハが浮き上がることによりレーザー光線の集光点位置が変位することを防止できるとともに、チャックテーブルによるウエーハの保持力が低下するという問題も解消される。
なお、光デバイスウエーハ２の厚さが厚い場合には、図８に示すように集光点Ｐを段階的に変えて上述したレーザー光線照射工程を複数回実行することにより、複数の変質層２１０を形成する。
上述したように光デバイスウエーハ２の所定の分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線照射工程を実行したら、チャックテーブル５１、従ってこれに保持されている光デバイスウエーハ２を矢印Ｙで示す方向に分割予定ライン２１の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記レーザー光線照射工程を遂行する。このようにして光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全ての分割予定ライン２１についてレーザー光線照射工程と割り出し工程を遂行したならば、チャックテーブル５１、従ってこれに保持されている光デバイスウエーハ２を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各分割予定ライン２１に沿って上記レーザー光線照射工程と割り出し工程を実行することにより、光デバイスウエーハ２に形成されている全ての分割予定ライン２１に沿って変質層２１０を形成することができる。このようにして、光デバイスウエーハ２に形成されている全ての分割予定ライン２１に沿って変質層２１０を形成したならば分割工程に移行し、光デバイスウエーハ２を変質層２１０が形成された分割予定ライン２１に沿って外力を作用せしめることにより、個々の光デバイス２２に分割する。
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、図示の実施形態においては光デバイスウエーハ２の表面２０ａに保護テープ４（４０）を貼着し、光デバイスウエーハ２の裏面２０ｂ側からレーザー光線を照射する例を示したが、光デバイスウエーハ２の裏面２０ｂに保護テープ４（４０）を貼着し、光デバイスウエーハ２の表面２０ａ側からレーザー光線を照射するようにしてもよい。また、本発明は、サファイヤ基板を用いた光デバイスウエーハの外に、リチウムタンタレート基板、炭化珪素基板、水晶基板、シリコン基板等からなるウエーハのレーザー加工に有効である。
本発明によるウエーハのレーザー加工方法によってレーザー加工される光デバイスウエーハの斜視図。 図１に示す光デバイスウエーハを環状のフレームに装着された通気性を有する保護テープに貼着した状態を示す一実施形態の斜視図。 図１に示す光デバイスウエーハを環状のフレームに装着された通気性を有する保護テープに貼着した状態を示す他の実施形態の斜視図。 本発明によるウエーハのレーザー加工方法のレーザー光線照射工程を実施するレーザー加工装置の要部斜視図。 図４に示すレーザー加工装置に装備されるレーザ光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。 パルスレーザー光線の集光スポット径を説明するための簡略図。 本発明によるウエーハのレーザー加工方法におけるレーザ光線照射工程の説明図。 図７に示すレーザ光線照射工程においてウエーハの内部に変質層を積層して形成した状態を示す説明図。
符号の説明
２：光デバイスウエーハ
２０：サファイヤ基板
２１：分割予定ライン
２２：光デバイス
２１０：変質層
３：環状のフレーム
４、４０：保護テープ
５：レーザー加工装置
５１：レーザー加工装置のチャックテーブル
５２：レーザー光線照射手段
５３：撮像手段

Claims (3)

  1. ウエーハに形成された分割予定ラインに沿って該ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射し、該ウエーハの内部に溶融再固化した変質領域を形成するレーザー加工方法であって、
    該ウエーハの一方の面に通気性を有する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
    該保護テープが貼着された該ウエーハを該保護テープが貼着された側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持するウエーハ保持工程と、
    該チャックテーブルに保持された該ウエーハの他方の面側から該ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該ウエーハの一方の面の近傍に集光点を合わせて照射し、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って一方の面に露出する変質層を形成するレーザー光線照射工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
  2. 該通気性を有する保護テープは、メッシュ状テープからなっている、請求項１記載のウエーハのレーザー加工方法。
  3. 該通気性を有する保護テープは、多孔質テープからなっている、請求項１記載のウエーハのレーザー加工方法。
JP2004007850A 2004-01-15 2004-01-15 ウエーハのレーザー加工方法 Pending JP2005203541A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004007850A JP2005203541A (ja) 2004-01-15 2004-01-15 ウエーハのレーザー加工方法
US11/028,737 US7435607B2 (en) 2004-01-15 2005-01-05 Method of wafer laser processing using a gas permeable protective tape

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004007850A JP2005203541A (ja) 2004-01-15 2004-01-15 ウエーハのレーザー加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005203541A true JP2005203541A (ja) 2005-07-28

Family

ID=34747156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004007850A Pending JP2005203541A (ja) 2004-01-15 2004-01-15 ウエーハのレーザー加工方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7435607B2 (ja)
JP (1) JP2005203541A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207863A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2007227810A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Sharp Corp 表面保護シートおよび表面保護シートを用いた半導体装置の製造方法
JP2007242787A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2008006492A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Disco Abrasive Syst Ltd サファイア基板の加工方法
JP2008060164A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
US7897487B2 (en) 2006-07-03 2011-03-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP2012049456A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Disco Abrasive Syst Ltd テープ貼着方法およびテープ貼着装置
JP2012119670A (ja) * 2010-11-12 2012-06-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェハの分割方法及び分割装置
JP2012165039A (ja) * 2011-02-03 2012-08-30 Disco Abrasive Syst Ltd 水晶振動子の製造方法
WO2013039150A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2013229403A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置のチャックテーブル機構
CN105414744A (zh) * 2014-09-12 2016-03-23 株式会社迪思科 激光加工装置

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5122143B2 (ja) * 2004-10-15 2013-01-16 ムサシ化成工業株式会社 レンズ固定用粘着テープ及びこれを用いたレンズ加工方法
US7608523B2 (en) * 2005-08-26 2009-10-27 Disco Corporation Wafer processing method and adhesive tape used in the wafer processing method
US7838331B2 (en) * 2005-11-16 2010-11-23 Denso Corporation Method for dicing semiconductor substrate
US20110281439A1 (en) * 2010-05-13 2011-11-17 Stephen Aldo Ruatta Applying wafer backside coatings to semiconductor wafers
US8642448B2 (en) 2010-06-22 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
FI125379B (fi) 2010-10-25 2015-09-15 Jot Automation Oy Alusta
JP5860221B2 (ja) * 2011-03-17 2016-02-16 株式会社ディスコ 非線形結晶基板のレーザー加工方法
US8598016B2 (en) 2011-06-15 2013-12-03 Applied Materials, Inc. In-situ deposited mask layer for device singulation by laser scribing and plasma etch
US9126285B2 (en) 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using physically-removable mask
US8912077B2 (en) 2011-06-15 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
US9129904B2 (en) 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using pulse train laser with multiple-pulse bursts and plasma etch
US8507363B2 (en) 2011-06-15 2013-08-13 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film
US8759197B2 (en) 2011-06-15 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US9029242B2 (en) 2011-06-15 2015-05-12 Applied Materials, Inc. Damage isolation by shaped beam delivery in laser scribing process
US8703581B2 (en) 2011-06-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US8557683B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US8557682B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US8951819B2 (en) 2011-07-11 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid split-beam laser scribing process with plasma etch
US8652940B2 (en) 2012-04-10 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
US8946057B2 (en) 2012-04-24 2015-02-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using UV-curable adhesive film
US8969177B2 (en) 2012-06-29 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film
US9048309B2 (en) 2012-07-10 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Uniform masking for wafer dicing using laser and plasma etch
US8859397B2 (en) 2012-07-13 2014-10-14 Applied Materials, Inc. Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch
US8845854B2 (en) 2012-07-13 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing
US8940619B2 (en) 2012-07-13 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Method of diced wafer transportation
US8993414B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Laser scribing and plasma etch for high die break strength and clean sidewall
US9159574B2 (en) 2012-08-27 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Method of silicon etch for trench sidewall smoothing
US9252057B2 (en) 2012-10-17 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of UV release dicing tape for film frame wafer application
US8975162B2 (en) 2012-12-20 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside
US9236305B2 (en) 2013-01-25 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications
US8980726B2 (en) 2013-01-25 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate dicing by laser ablation and plasma etch damage removal for ultra-thin wafers
WO2014159464A1 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask including non-photodefinable laser energy absorbing layer for substrate dicing by laser and plasma etch
US9016552B2 (en) * 2013-03-15 2015-04-28 Sanmina Corporation Method for forming interposers and stacked memory devices
US8883614B1 (en) 2013-05-22 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach
US9105710B2 (en) 2013-08-30 2015-08-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing method for improving die packaging quality
US9224650B2 (en) 2013-09-19 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside and front side
US9460966B2 (en) 2013-10-10 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dicing wafers having thick passivation polymer layer
US9041198B2 (en) 2013-10-22 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Maskless hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing process
US9312177B2 (en) 2013-12-06 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Screen print mask for laser scribe and plasma etch wafer dicing process
US9299614B2 (en) 2013-12-10 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method and carrier for dicing a wafer
US9293304B2 (en) 2013-12-17 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Plasma thermal shield for heat dissipation in plasma chamber
US9018079B1 (en) 2014-01-29 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate reactive post mask-opening clean
US8927393B1 (en) 2014-01-29 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film vacuum lamination for laser and plasma dicing
US9012305B1 (en) 2014-01-29 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate non-reactive post mask-opening clean
US9299611B2 (en) 2014-01-29 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method of wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance
US9236284B2 (en) 2014-01-31 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Cooled tape frame lift and low contact shadow ring for plasma heat isolation
US8991329B1 (en) 2014-01-31 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Wafer coating
US9130030B1 (en) 2014-03-07 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Baking tool for improved wafer coating process
US20150255349A1 (en) 2014-03-07 2015-09-10 JAMES Matthew HOLDEN Approaches for cleaning a wafer during hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing processes
US9275902B2 (en) 2014-03-26 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Dicing processes for thin wafers with bumps on wafer backside
US9076860B1 (en) 2014-04-04 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Residue removal from singulated die sidewall
US8975163B1 (en) 2014-04-10 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Laser-dominated laser scribing and plasma etch hybrid wafer dicing
US8932939B1 (en) 2014-04-14 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film lamination
US8912078B1 (en) 2014-04-16 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Dicing wafers having solder bumps on wafer backside
US8999816B1 (en) 2014-04-18 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Pre-patterned dry laminate mask for wafer dicing processes
JP6324796B2 (ja) * 2014-04-21 2018-05-16 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
US9159621B1 (en) 2014-04-29 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Dicing tape protection for wafer dicing using laser scribe process
US8912075B1 (en) 2014-04-29 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Wafer edge warp supression for thin wafer supported by tape frame
US8980727B1 (en) 2014-05-07 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate patterning using hybrid laser scribing and plasma etching processing schemes
US9112050B1 (en) 2014-05-13 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Dicing tape thermal management by wafer frame support ring cooling during plasma dicing
US9034771B1 (en) 2014-05-23 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Cooling pedestal for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9130057B1 (en) 2014-06-30 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Hybrid dicing process using a blade and laser
US9093518B1 (en) 2014-06-30 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Singulation of wafers having wafer-level underfill
US9142459B1 (en) 2014-06-30 2015-09-22 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination
US9165832B1 (en) 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US9349648B2 (en) 2014-07-22 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rectangular shaped two-dimensional top hat laser beam profile or a linear shaped one-dimensional top hat laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9117868B1 (en) 2014-08-12 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9196498B1 (en) 2014-08-12 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Stationary actively-cooled shadow ring for heat dissipation in plasma chamber
US9281244B1 (en) 2014-09-18 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an adaptive optics-controlled laser scribing process and plasma etch process
US9177861B1 (en) 2014-09-19 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using laser scribing process based on an elliptical laser beam profile or a spatio-temporal controlled laser beam profile
US11195756B2 (en) 2014-09-19 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Proximity contact cover ring for plasma dicing
US9196536B1 (en) 2014-09-25 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a phase modulated laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9130056B1 (en) 2014-10-03 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Bi-layer wafer-level underfill mask for wafer dicing and approaches for performing wafer dicing
US9245803B1 (en) 2014-10-17 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a bessel beam shaper laser scribing process and plasma etch process
US10692765B2 (en) 2014-11-07 2020-06-23 Applied Materials, Inc. Transfer arm for film frame substrate handling during plasma singulation of wafers
US9159624B1 (en) 2015-01-05 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Vacuum lamination of polymeric dry films for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
US9355907B1 (en) 2015-01-05 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a line shaped laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9330977B1 (en) 2015-01-05 2016-05-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a galvo scanner and linear stage hybrid motion laser scribing process and plasma etch process
US9601375B2 (en) 2015-04-27 2017-03-21 Applied Materials, Inc. UV-cure pre-treatment of carrier film for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
US9721839B2 (en) 2015-06-12 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch
US9478455B1 (en) 2015-06-12 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Thermal pyrolytic graphite shadow ring assembly for heat dissipation in plasma chamber
JP6469854B2 (ja) * 2015-11-09 2019-02-13 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法及びこれに用いるマスク一体型表面保護テープ
US9972575B2 (en) 2016-03-03 2018-05-15 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process
US9852997B2 (en) 2016-03-25 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process
US9793132B1 (en) 2016-05-13 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US11158540B2 (en) 2017-05-26 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Light-absorbing mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US10363629B2 (en) 2017-06-01 2019-07-30 Applied Materials, Inc. Mitigation of particle contamination for wafer dicing processes
US10535561B2 (en) 2018-03-12 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a multiple pass laser scribing process and plasma etch process
US11355394B2 (en) 2018-09-13 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment
US11011424B2 (en) 2019-08-06 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US11342226B2 (en) 2019-08-13 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an actively-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US10903121B1 (en) 2019-08-14 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process
US11600492B2 (en) 2019-12-10 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced current leakage for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US11211247B2 (en) 2020-01-30 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Water soluble organic-inorganic hybrid mask formulations and their applications

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09298339A (ja) * 1996-04-30 1997-11-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザの製法
JP3321029B2 (ja) * 1997-06-18 2002-09-03 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3484396B2 (ja) * 2000-05-09 2004-01-06 新光電気工業株式会社 ウェハーの切断方法
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US7090325B2 (en) * 2001-09-06 2006-08-15 Ricoh Company, Ltd. Liquid drop discharge head and manufacture method thereof, micro device ink-jet head ink cartridge and ink-jet printing device
JP2004311576A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP4398686B2 (ja) * 2003-09-11 2010-01-13 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2005129607A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207863A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2007227810A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Sharp Corp 表面保護シートおよび表面保護シートを用いた半導体装置の製造方法
JP2007242787A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2008006492A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Disco Abrasive Syst Ltd サファイア基板の加工方法
US8043941B2 (en) 2006-07-03 2011-10-25 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
US7897487B2 (en) 2006-07-03 2011-03-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
US8338271B2 (en) 2006-07-03 2012-12-25 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP2008060164A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2012049456A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Disco Abrasive Syst Ltd テープ貼着方法およびテープ貼着装置
JP2012119670A (ja) * 2010-11-12 2012-06-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェハの分割方法及び分割装置
JP2012165039A (ja) * 2011-02-03 2012-08-30 Disco Abrasive Syst Ltd 水晶振動子の製造方法
WO2013039150A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2013063453A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2013229403A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置のチャックテーブル機構
CN105414744A (zh) * 2014-09-12 2016-03-23 株式会社迪思科 激光加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20050158968A1 (en) 2005-07-21
US7435607B2 (en) 2008-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005203541A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP4471632B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR102096674B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
KR101160200B1 (ko) 웨이퍼의 분할방법
JP4959422B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP4767711B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP4694795B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP4342992B2 (ja) レーザー加工装置のチャックテーブル
JP6026222B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2008108792A (ja) ウエーハの加工方法
KR102096675B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
KR102313271B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2005129607A (ja) ウエーハの分割方法
JP2007158108A (ja) ウエーハの分割方法
JP2007019252A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2008294191A (ja) ウエーハの分割方法
CN100528451C (zh) 用于晶圆的激光处理的方法
JP2007242787A (ja) ウエーハの分割方法
JP2006202933A (ja) ウエーハの分割方法
JP2008053500A (ja) ウエーハの分割方法
JP4447392B2 (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
KR20160088808A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP4833657B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP2006205187A (ja) レーザー加工装置
JP2005313188A (ja) レーザー加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061006

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090805

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090811

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091006

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091124