JP2008294191A - ウエーハの分割方法 - Google Patents

ウエーハの分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008294191A
JP2008294191A JP2007137645A JP2007137645A JP2008294191A JP 2008294191 A JP2008294191 A JP 2008294191A JP 2007137645 A JP2007137645 A JP 2007137645A JP 2007137645 A JP2007137645 A JP 2007137645A JP 2008294191 A JP2008294191 A JP 2008294191A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
adhesive
protective plate
dividing
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007137645A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Nakamura
勝 中村
Original Assignee
Disco Abrasive Syst Ltd
株式会社ディスコ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Syst Ltd, 株式会社ディスコ filed Critical Disco Abrasive Syst Ltd
Priority to JP2007137645A priority Critical patent/JP2008294191A/ja
Publication of JP2008294191A publication Critical patent/JP2008294191A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape

Abstract

【課題】ウエーハの内部の所定位置にストリートに沿って確実に変質層を形成することができ、かつ、ウエーハの厚さを薄く形成しても安全に搬送することができるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】ウエハの表面に外的刺激によって貼着力が低下する粘着材を有する保護プレートを貼着する工程と、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するレーザー光線をストリートに沿って照射しウエーハの内部にウエーハの表面から少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する厚さの変質層を形成する変質層形成工程と、ウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、保護プレートの粘着材に外的刺激を付与して貼着力を低下せしめる工程と、ウエーハの表面から保護プレートを剥離する工程と、ウエーハに外力を付与しウエーハをストリートに沿って破断する工程とを含む。
【選択図】図6

Description

本発明は、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているウエーハを、複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
近年、半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。(例えば、特許文献2参照。)
特許第3408805号公報
近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを100μm以下に形成することが要求されている。しかるに、ウエーハの厚さを100μm以下に形成するとウエーハの外周に反りが生じ、レーザー加工装置のチャックテーブルにウエーハを保持しても外周が反り上がってしまう。このため、チャックテーブルに保持されたウエーハの内部の所定位置にレーザー光線の集光点を合わせることが困難となる。また、薄く形成されたウエーハの内部にストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成した後、レーザー加工装置のチャックテーブルからウエーハを取り出し次の工程に搬送する際に、ウエーハが変質層に沿って割れてしまうという問題がある。
上記事実に鑑み、本発明者はガラス板にウエーハの表面側を貼着し、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成した後に、ガラス板にウエーハの表面側を貼着した状態でウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する方法も試みたが、薄いウエーハの内部にレーザー光線の集光点を位置付けることが困難であった。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの内部の所定位置にストリートに沿って確実に変質層を形成することができ、かつ、ウエーハの厚さを薄く形成しても安全に搬送することができるウエーハの分割方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているウエーハを、複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
保護プレートの表面に外的刺激によって粘着力が低下する粘着材によりウエーハの表面を貼着する保護プレート貼着工程と、
該保護プレートに表面が貼着されたウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にウエーハの表面から少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する厚さの変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程が実施されたウエーハの裏面を研削し、ウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ウエーハ支持工程が実施され該ダイシングテープの表面に貼着されたウエーハを該保護プレートに貼着している該粘着材に外的刺激を付与し、該粘着材の貼着力を低下せしめる粘着力低下工程と、
該粘着力低下工程を実施した後に、ウエーハの表面から該保護プレートを剥離する保護プレート剥離工程と、
該保護プレート剥離工程を実施した後に、該ダイシングテープに貼着されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
上記保護プレートはガラス板からなっており、上記粘着力低下工程はウエーハの表面が貼着されている保護プレート側から紫外線を照射する。
また、上記ウエーハ支持工程においては、ダイシングテープの表面とウエーハの裏面との間にダイボンディング用の接着フィルムが介在されている。
本発明によれば、変質層形成工程はウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する前の厚い状態で実施するため外周が反り上がることがないとともに、ウエーハが厚いのでレーザー光線の集光点をウエーハ内部に位置付けることが容易となる。従って、ウエーハ2の内部にストリートに沿って確実に変質層を形成することができる。また、裏面研削工程を実施することによりウエーハがデバイスの仕上がり厚さに薄く形成されるが、ウエーハは保護プレートに貼着されているので研削装置から次工程に搬送する際に割れることがない。
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明に従って分割されるウエーハとしての半導体ウエーハおよびこのウエーハを貼着する保護プレートの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面2aに格子状に形成された複数のストリート21によって複数の領域が区画され、この区画された領域にそれぞれIC、LSI等のデバイス22が形成されている。保護プレート3は、ガラス板等の剛性の高い材料によって円盤状に形成され、その表面3aおよび裏面3bは平坦に形成されている。この保護部材3は、ガラス板によって構成する場合には厚さが1〜3mm程度とすることが好ましい。なお、保護部材3を構成する材料としては、ガラス板の他にセラミックス、ステンレス鋼等の金属材料、樹脂等を用いることができる。
上記のように形成されたウエーハ2および保護部材3は、図2に示すように保護部材3の表面3aに半導体ウエーハ2の表面2aと対面させ、紫外線や熱等の外的刺激によって粘着力が低下する粘着材30によって貼着し一体化する(保護プレート貼着工程)。従って、半導体ウエーハ2はデバイス22が形成されていない裏面2bが露出する状態となる。なお、外的刺激によって粘着力が低下する粘着材30としては、アクリル系、エステル系、ウレタン系等の樹脂からなる粘着材を用いることができる。また、保護部材3としてガラス板を用いた場合には、紫外線によって接着力が低下する粘着材を用いれば、後述するように半導体ウエーハ2と保護部材3を剥離する際に、保護部材3を透過させて紫外線を粘着材に照射することができるため、半導体ウエーハ2と保護部材3を容易に剥離することができる。
上述したように半導体ウエーハ2を保護部材3に貼着し両者を一体化したならば、半導体ウエーハ2の裏面2b側からシリコンウエーハに対して透過性を有するレーザー光線をストリート21に沿って照射し、半導体ウエーハ2の内部に半導体ウエーハ2の表面2aから少なくともデバイス22の仕上がり厚さに相当する厚さの変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図3に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図3に示すレーザー加工装置4は、被加工物を保持するチャックテーブル41と、該チャックテーブル41上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段42と、チャックテーブル41上に保持された被加工物を撮像する撮像手段43を具備している。チャックテーブル41は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図3において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段42は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング421を含んでいる。ケーシング421内には図示しないYAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング421の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器422が装着されている。
上記レーザー光線照射手段422を構成するケーシング421の先端部に装着された撮像手段43は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置4を用いて変質層形成工程を実施するには、図3に示すようにレーザー加工装置4のチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2の保護プレート3側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル41上に吸引保持された半導体ウエーハ2は裏面2bが上側となる。
上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、半導体ウエーハ2を形成するシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を半導体ウエーハ2の裏面2b側からストリート21に沿って照射し、半導体ウエーハ2の内部に半導体ウエーハ2の表面2aから仕上がり厚さに相当する厚さのストリート21に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、先ず半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル41は、図示しない移動機構によって撮像手段43の直下に位置付けられる。そして、撮像手段43および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ2のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段43および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ2の所定方向に形成されているストリート21と、このストリート21に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段42の集光器422との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ2に形成されている上記所定方向に対して直交して延びるストリート21に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される(アライメント工程)。このとき、半導体ウエーハ2のストリート21が形成されている表面2aは下側に位置しているが、撮像手段43が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面2bから透かしてストリート21を撮像することができる。
以上のようにしてアライメント工程を実施したならば、図4の(a)で示すようにチャックテーブル41をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段42の集光器422が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート21の一端(図4の(a)において左端)をレーザー光線照射手段42の集光器422の直下に位置付ける。そして、集光器422からシリコンウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル41を図4の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図4の(b)で示すように集光器422の照射位置がストリート21の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル41の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ2の表面2a(下面)付近に合わせる。この結果、集光点Pから上下に向けて変質層23が形成される。なお、上述した変質層形成工程においては、半導体ウエーハ2はデバイス22の仕上がり厚さに形成する前の厚い状態(図示の実施形態においては700μm)であるため、外周が反り上がることがないとともにレーザー光線の集光点を半導体ウエーハ2の内部に容易に位置付けることができる。従って、半導体ウエーハ2の内部にストリート21に沿って確実に変質層23を形成することができる。
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :2W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :300mm/秒
上述した加工条件においては1回に形成される変質層23の厚さは約80μm程度であるため、図示の実施形態においては半導体ウエーハ2の内部には表面2a(下面)から80μmの厚さの変質層23が形成される。この変質層23の厚さは、デバイス22の仕上がり厚さ(例えば60μm)より厚い。
以上のようにして、半導体ウエーハ2の所定方向に延在する全てのストリート21に沿って上記変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル41を90度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリート21に沿って上記変質層形成工程を実行する。
上述した変質層形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ2の裏面2bを研削し、半導体ウエーハ2をデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図5に示す研削装置を用いて実施する。図5に示す研削装置5は、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル51と、該チャックテーブル51に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段52を具備している。チャックテーブル51は、上面にウエーハを吸引保持し図5において矢印51aで示す方向に回転せしめられる。研削手段52は、スピンドルハウジング521と、該スピンドルハウジング521に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル522と、該回転スピンドル522の下端に装着されたマウンター523と、該マウンター523の下面に取り付けられた研削ホイール524とを具備している。この研削ホイール524は、円板状の基台525と、該基台525の下面に環状に装着された研削砥石526とからなっており、基台525がマウンター523の下面に取り付けられている。
上述した研削装置5を用いて裏面研削工程を実施するには、チャックテーブル51の上面(保持面)に上述した変質層形成工程が実施された半導体ウエーハ2の保護プレート3側を載置し、半導体ウエーハ2をチャックテーブ51上に吸引保持する。従って、チャックテーブル51上に吸引保持された半導体ウエーハ2は裏面2bが上側となる。このようにチャックテーブル51上に半導体ウエーハ2を吸引保持したならば、チャックテーブル51を矢印51aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削手段22の研削ホイール524を矢印524aで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて半導体ウエーハ2の裏面2bに接触せしめて研削することにより、半導体ウエーハ2をデバイス22の仕上がり厚さ(例えば、60μm)に形成する。なお、デバイスの仕上がり厚さ(例え60μm)に研削された半導体ウエーハ2は裏面2bには、ストリート21に沿って形成された変質層23が露出される。このように裏面研削工程を実施することにより、半導体ウエーハ2は厚さが例えば60μmと薄く形成されるが、保護プレート3に貼着されているので研削装置5から次工程に搬送する際に割れることがない。
上述したように裏面研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ2の裏面2bを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図6の(a)および(b)に示す実施形態においては、環状のフレーム6の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ7の表面に貼着されているダイボンディング用の接着フィルム70に半導体ウエーハ2の裏面2bを装着する。このとき、80〜200°Cの温度で加熱しつつ接着フィルム70を半導体ウエーハ2の裏面2bに押圧して装着する。
上述したウエーハ支持工程を実施ならば、ダイシングテープ7の表面に貼着された半導体ウエーハ2を保護プレート3に貼着している粘着材30に外的刺激を付与し、粘着材30の貼着力を低下せしめる粘着力低下工程を実施する。即ち、図7に示す実施形態においては、紫外線照射器8によって半導体ウエーハ2の表面2aが貼着されている保護プレート3側から紫外線を照射する。紫外線照射器8から照射された紫外線は、ガラス板からなる保持プレート3を透過して粘着材30に照射される。この結果、粘着材30は上述したように紫外線等の外的刺激が付与されると粘着力が低下する粘着剤によって形成されているので、粘着力が低下せしめられる。
上述した粘着力低下工程を実施したならば、半導体ウエーハ2の表面2aから保護プレート3を剥離する保護プレート剥離工程を実施する。即ち、上記粘着材低下工程を実施することにより粘着材30の粘着力が低下せしめられているので、図8に示すように保護プレート3を半導体ウエーハ2の表面2aから容易に剥離することができる。
上述した保護プレート剥離工程を実施したならば、環状のフレーム6に装着されたダイシングテープ7に貼着されている半導体ウエーハ2に外力を付与し、半導体ウエーハ2を変質層23が形成されているストリート21に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する。このウエーハ破断工程は、図示の実施形態においては図9に示すテープ拡張装置9を用いて実施する。図9に示すテープ拡張装置9は、上記環状のフレーム6を保持するフレーム保持手段91と、該フレーム保持手段91に保持された環状のフレーム6に装着されたダイシングテープ7を拡張するテープ拡張手段92を具備している。フレーム保持手段91は、環状のフレーム保持部材911と、該フレーム保持部材911の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ912とからなっている。フレーム保持部材911の上面は環状のフレーム6を載置する載置面911aを形成しており、この載置面911a上に環状のフレーム6が載置される。そして、載置面911a上に載置された環状のフレーム6は、クランプ912によってフレーム保持部材911に固定される。このように構成されたフレーム保持手段91は、テープ拡張手段92によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段92は、上記環状のフレーム保持部材911の内側に配設される拡張ドラム921を具備している。この拡張ドラム921は、環状のフレーム6の内径より小さく該環状のフレーム6に装着されたダイシングテープ7に貼着される半導体ウエーハ2の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム921は、下端に支持フランジ922を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段92は、上記環状のフレーム保持部材911を上下方向に進退可能な支持手段93を具備している。この支持手段93は、上記支持フランジ922上に配設された複数のエアシリンダ931からなっており、そのピストンロッド932が上記環状のフレーム保持部材911の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ931からなる支持手段93は、環状のフレーム保持部材911を載置面911aが拡張ドラム921の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム921の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ931からなる支持手段93は、拡張ドラム921とフレーム保持部材911とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
以上のように構成されたテープ拡張装置9を用いて実施するウエーハ破断工程について図10を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ2(ストリート21に沿って変質層23が形成されている)の裏面2bが貼着されているダイシングテープ7が装着された環状のフレーム6を、図10の(a)に示すようにフレーム保持手段91を構成するフレーム保持部材911の載置面911a上に載置し、クランプ912によってフレーム保持部材911に固定する。このとき、フレーム保持部材911は図10の(a)に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段92を構成する支持手段93としての複数のエアシリンダ931を作動して、環状のフレーム保持部材911を図10の(b)に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材911の載置面911a上に固定されている環状のフレーム6も下降するため、図10の(b)に示すように環状のフレーム6に装着されたダイシングテープ7は拡張ドラム921の上端縁に接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープ7に貼着されている半導体ウエーハ2には放射状に引張力が作用するため、半導体ウエーハ2は変質層23が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート21に沿って破断され個々のデバイス22に分割される。このとき、半導体ウエーハ2の裏面2bに装着されたダイボンディング用の接着フィルム70も個々のデバイス22に沿って破断される。
上述したようにウエーハ破断工程を実施したならば、図11に示すようにピックアップ機構10を作動しピックアップコレット101によって所定位置に位置付けられたデバイス22をピックアップ(ピックアップ工程)し、裏面にダイボンディング用の接着フィルム70が装着されたデバイス22を図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。
本発明によるウエーハの分割方法よって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハおよびウエーハを貼着する保護プレートの斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における保護プレート貼着工程を実施し、半導体ウエーハと保護プレートを一体化した状態を示す斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部を示す斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法における裏面研削工程を実施するための研削装置の要部を示す斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ支持工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法における粘着力低下工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法における保護プレート剥離工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ破断工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ破断工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法によって分割されたデバイスをピックアップするピックアップ工程を示す説明図。
符号の説明
2:半導体ウエーハ
3:保護プレート
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
422:集光器
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削手段
524:研削ホイール
6:環状の支持フレーム
7:ダイシングテープ
70:ダイボンディング用の接着フィルム
8:紫外線照射器
9:テープ拡張装置
91:フレーム保持手段
92:テープ拡張手段
10:ピックアップ機構
101:ピックアップコレット

Claims (3)

  1. 表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているウエーハを、複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
    保護プレートの表面に外的刺激によって粘着力が低下する粘着材によりウエーハの表面を貼着する保護プレート貼着工程と、
    該保護プレートに表面が貼着されたウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にウエーハの表面から少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する厚さの変質層を形成する変質層形成工程と、
    該変質層形成工程が実施されたウエーハの裏面を研削し、ウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
    裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
    該ウエーハ支持工程が実施され該ダイシングテープの表面に貼着されたウエーハを該保護プレートに貼着している該粘着材に外的刺激を付与し、該粘着材の貼着力を低下せしめる粘着力低下工程と、
    該粘着力低下工程を実施した後に、ウエーハの表面から該保護プレートを剥離する保護プレート剥離工程と、
    該保護プレート剥離工程を実施した後に、該ダイシングテープに貼着されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの分割方法。
  2. 該保護プレートはガラス板からなっており、該粘着力低下工程はウエーハの表面が貼着されている該保護プレート側から紫外線を照射する、請求項1記載のウエーハの分割方法。
  3. 該ウエーハ支持工程においては、該ダイシングテープの表面とウエーハの裏面との間にダイボンディング用の接着フィルムが介在されている、請求項1又は2記載のウエーハの分割方法。
JP2007137645A 2007-05-24 2007-05-24 ウエーハの分割方法 Pending JP2008294191A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007137645A JP2008294191A (ja) 2007-05-24 2007-05-24 ウエーハの分割方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007137645A JP2008294191A (ja) 2007-05-24 2007-05-24 ウエーハの分割方法
US12/122,952 US7605058B2 (en) 2007-05-24 2008-05-19 Wafer dividing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008294191A true JP2008294191A (ja) 2008-12-04

Family

ID=40072808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007137645A Pending JP2008294191A (ja) 2007-05-24 2007-05-24 ウエーハの分割方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7605058B2 (ja)
JP (1) JP2008294191A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010177430A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの処理方法
JP2010267653A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2010278235A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011040631A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Disco Abrasive Syst Ltd 硬質ウエーハの研削方法
JP2012104780A (ja) * 2010-11-15 2012-05-31 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの分割方法
JP2014007333A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008294191A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP5155030B2 (ja) * 2008-06-13 2013-02-27 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの分割方法
TW201002462A (en) * 2008-07-03 2010-01-16 Advanced Semiconductor Eng Wafer laser-marking method and die fabricated using the same
US8728915B2 (en) 2008-07-03 2014-05-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer laser-making method and die fabricated using the same
JP2010027857A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
KR101041137B1 (ko) * 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
KR20100107253A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
US9559004B2 (en) 2011-05-12 2017-01-31 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of singulating thin semiconductor wafer on carrier along modified region within non-active region formed by irradiating energy
JP5930645B2 (ja) * 2011-09-30 2016-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US8936969B2 (en) 2012-03-21 2015-01-20 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of singulating semiconductor wafer along modified region within non-active region formed by irradiating energy through mounting tape
JP6054234B2 (ja) * 2013-04-22 2016-12-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6633446B2 (ja) * 2016-04-27 2020-01-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064232A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2005086111A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3816253B2 (ja) * 1999-01-19 2006-08-30 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2003077940A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
EP1467402A4 (en) * 2002-01-15 2009-02-11 Sekisui Chemical Co Ltd METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT CHIP
US7179722B2 (en) * 2004-02-03 2007-02-20 Disco Corporation Wafer dividing method
JP4733934B2 (ja) * 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2006054246A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分離方法
US7081597B2 (en) * 2004-09-03 2006-07-25 The Esab Group, Inc. Electrode and electrode holder with threaded connection
JP4630689B2 (ja) * 2005-03-01 2011-02-09 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP4749851B2 (ja) * 2005-11-29 2011-08-17 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP4758222B2 (ja) * 2005-12-21 2011-08-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法および装置
JP2008182015A (ja) 2007-01-24 2008-08-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP5166899B2 (ja) * 2007-02-13 2013-03-21 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2008294191A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064232A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2005086111A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010177430A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの処理方法
JP2010267653A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2010278235A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011040631A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Disco Abrasive Syst Ltd 硬質ウエーハの研削方法
JP2012104780A (ja) * 2010-11-15 2012-05-31 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの分割方法
JP2014007333A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7605058B2 (en) 2009-10-20
US20080293218A1 (en) 2008-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8865566B2 (en) Method of cutting semiconductor substrate
KR102096674B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP4630692B2 (ja) レーザー加工方法
US8048780B2 (en) Method of processing optical device wafer
US7446022B2 (en) Wafer laser processing method
JP5162163B2 (ja) ウェーハのレーザ加工方法
US7662700B2 (en) Optical device wafer dividing method
US7435607B2 (en) Method of wafer laser processing using a gas permeable protective tape
JP4471632B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP4422463B2 (ja) 半導体ウエーハの分割方法
JP4494728B2 (ja) 非金属基板の分割方法
JP4640173B2 (ja) ダイシング装置
US7549560B2 (en) Wafer dividing method
JP4398686B2 (ja) ウエーハの加工方法
US7622366B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US7507639B2 (en) Wafer dividing method
JP5443104B2 (ja) ウエーハの加工方法
US7682858B2 (en) Wafer processing method including formation of a deteriorated layer
JP4944642B2 (ja) デバイスの製造方法
JP2016001677A (ja) ウエーハの加工方法
US7977215B2 (en) Method of processing optical device wafer
JP6078376B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2005262249A (ja) レーザー加工装置のチャックテーブル
JP4439990B2 (ja) レーザー加工方法
US7666760B2 (en) Method of dividing wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20100409

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120302

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120313

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120710