CN105414744A - 激光加工装置 - Google Patents

激光加工装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105414744A
CN105414744A CN201510570407.2A CN201510570407A CN105414744A CN 105414744 A CN105414744 A CN 105414744A CN 201510570407 A CN201510570407 A CN 201510570407A CN 105414744 A CN105414744 A CN 105414744A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
laser
photographed images
laser processing
chuck table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510570407.2A
Other languages
English (en)
Inventor
前田勉
大须贺净
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN105414744A publication Critical patent/CN105414744A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Abstract

本发明提供一种激光加工装置，其能够简单设定晶片加工所需的信息。激光加工装置(2)对在正面排列了多个器件(13)的晶片(11)上的隔开相邻器件的分割预定线(15、15a)照射透过晶片的波长的激光光线(L)，在晶片内部形成以规定长度连续的改质层(21)，在显示单元(44)中显示有在拍摄晶片得到的摄像图像上重叠的标记部(52)，并且构成为通过使标记部移动至显示于显示单元的摄像图像的期望位置处，将与摄像图像的期望位置对应的坐标作为待形成改质层的分割预定线(15a)的起点(15b)或终点(15c)而存储于存储单元(42b)中。

Description

激光加工装置
技术领域
本发明涉及对晶片照射用于形成作为分割起点的改质层的激光光线的激光加工装置。
背景技术
为了将形成有IC(IntegratedCircuit：集成电路)等器件的晶片分割为多个芯片，提出了将激光光线会聚于晶片内部以形成作为分割起点的改质层的晶片的加工方法(例如，参照专利文献1)。
这种加工方法相比于使用切削刀片的以往的加工方法而言，能够缩小切弃部分(加工宽度)，此外还能够抑制崩边(芯片的缺损)。进而，在这种加工方法中，还能够在不使用水的情况下加工晶片。
另外，用于上述加工方法中的激光加工装置能够容易地切换为激光光线的照射或非照射。于是，提出了一种发挥该激光加工装置的特性，加工混合了不同形状、大小的器件的所谓的多项目类型晶片的方法(例如，参照专利文献2)。
专利文献1日本特开2005-86161号公报
专利文献2日本特开2010-123723号公报
在加工如上述多项目类型晶片那样的分割预定线在中途中断的晶片的情况下，需要适当切换激光光线的照射与非照射，仅对期望区域照射激光光线。于是，按照每个晶片对于激光加工装置设定包括待照射激光光线的区域的信息(例如，起点和终点的坐标)在内的加工条件。
然而，这种情况下的加工条件相比于按照晶片直径等而确定的通常的晶片的加工条件而言较为复杂，不易进行设定。因此，对激光加工装置设定错误的加工条件的可能性变大。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供一种能够容易设定晶片加工所需的信息的激光加工装置。
本发明提供一种激光加工装置，其对晶片上的隔开器件彼此的分割预定线照射透过该晶片的波长的激光光线，在该晶片的内部形成以规定的长度连续的改质层，其中，该晶片在正面排列有多个该器件，其特征在于，具有：卡盘台，其保持晶片；激光光线照射单元，其对保持于该卡盘台的晶片照射该激光光线；移动单元，其使该卡盘台与该激光光线照射单元在加工进给方向和分度进给方向上相对移动；显示单元，其显示对保持于该卡盘台的晶片进行摄像而得到的摄像图像；输入单元，其输入对晶片进行加工的加工条件；以及存储单元，其存储被输入到该输入单元中的该加工条件，在该显示单元中显示重叠于该摄像图像的标记部，通过使该标记部移动至显示于该显示单元中的该摄像图像的期望位置处，将与该摄像图像的该期望位置对应的坐标作为待形成该改质层的分割预定线的起点或终点存储于该存储单元中。
发明的效果
在本发明的激光加工装置中，与摄像图像重叠的标记部显示于显示单元，通过使标记部移动至显示于显示单元中的摄像图像的期望位置处，将与摄像图像的期望位置对应的坐标作为待形成以规定的长度连续的改质层的分割预定线的起点或终点存储于存储单元中，因此能够以视觉方式设定与形成改质层的分割预定线有关的信息。即，根据本发明的激光加工装置，能够容易地设定晶片加工所需的信息。
附图说明
图1是示意性表示激光加工装置的结构例的图。
图2是示意性表示晶片的结构例的立体图。
图3是示意性表示晶片的结构例的俯视图。
图4的(A)和图4的(B)是示意性表示对激光加工装置设定分割预定线的起点和终点的步骤的图。
图5的(A)和图5的(B)是示意性表示改质层的形成工序的局部剖面侧视图。
图6的(A)和图6的(B)是示意性表示加工变形例的晶片时，对激光加工装置设定分割预定线的起点和终点的步骤的图。
标号说明
2：激光加工装置，4：基台，6：基部，8：壁部，10：卡盘台，10a：保持面，12：激光加工头(激光光线照射单元)，14：相机，16：Y轴移动组件(分度进给单元、移动单元)，18：Y轴导轨，20：Y轴移动台，22：Y轴滚珠丝杠，24：Y轴脉冲电动机，26：X轴移动组件(加工进给单元、移动单元)，28：X轴导轨，30：X轴移动台，32：X轴滚珠丝杠，34：X轴脉冲电动机，36：支撑台，38：夹钳，40：支撑臂，42：控制装置(控制单元)，42a：标记控制部，42b：存储部(存储单元)，44：显示面板(显示单元、输入单元)，52：标记(标记部)，54：标记(标记部)，11：晶片，11a：正面，11b：背面，13：器件，13a：第1器件，13b：第2器件，13c：变形器件，13d：端材部，15、15a：分割预定线(切割线)，15b：起点，15c：终点，17：保护带，19：框架，21：改质层，L：激光光线。
具体实施方式
参照附图，说明本发明的实施方式。图1是示意性表示本实施方式的激光加工装置的结构例的图。如图1所示，激光加工装置2具有支撑各结构的基台4。基台4包括长方体状的基部6、以及在基部6的后端向上方延伸的壁部8。
在基部6的上表面配置有隔着保护带17吸附保持晶片11的卡盘台10。在卡盘台10的上方设有向晶片11照射激光光线的激光加工头(激光光线照射单元)12。此外，在与激光加工头12相邻的位置处设置有对晶片11摄像的相机14。
在卡盘台10的下方设有用于使卡盘台10在Y轴方向(分度进给方向)上移动的Y轴移动组件(分度进给单元、移动单元)16。Y轴移动组件16具有固定于基部6的上表面且平行于Y轴方向的一对Y轴导轨18。
Y轴移动台20以能够滑动的方式设置于Y轴导轨18。在Y轴移动台20的背面侧(下表面侧)设有螺母部(未图示)，在该螺母部上螺合了与Y轴导轨18平行的Y轴滚珠丝杠22。
在Y轴滚珠丝杠22的一端部连结有Y轴脉冲电动机24。如果通过Y轴脉冲电动机24使Y轴滚珠丝杠22进行旋转，则Y轴移动台20沿着Y轴导轨18在Y轴方向上移动。
在Y轴移动台20的正面侧(上表面侧)设有用于使卡盘台10在与Y轴方向正交的X轴方向(加工进给方向)上移动的X轴移动组件(加工进给单元、移动单元)26。X轴移动组件26具有固定于Y轴移动台20的上表面且平行于X轴方向的一对X轴导轨28。
X轴移动台30以能够滑动的方式设置于X轴导轨28。在X轴移动台30的背面侧(下表面侧)设有螺母部(未图示)，在该螺母部上螺合了平行于X轴导轨28的X轴滚珠丝杠32。
在X轴滚珠丝杠32的一端部连结有X轴脉冲电动机34。如果通过X轴脉冲电动机34使X轴滚珠丝杠32进行旋转，则X轴移动台30沿着X轴导轨28在X轴方向上移动。
在X轴移动台30的正面侧(上表面侧)设有支撑台36。在支撑台36的上部配置有卡盘台10。卡盘台10与设置于下方的旋转驱动源(未图示)连结，并且绕Z轴旋转。在卡盘台10的周围设有从四方夹持固定用于支撑晶片11的环状框架19的4个夹钳38。
卡盘台10的正面成为隔着贴附于晶片的保护带17而吸附保持晶片11的保持面10a。吸附源(未图示)的负压通过形成于卡盘台10的内部的流路(未图示)而作用于该保持面10a上，从而产生吸附保护带17的吸附力。
在壁部8的上部前表面设有向前方延伸的支撑臂40，在该支撑臂40的前端部配置有激光加工头12和相机14。
激光加工头12具有振荡出透过晶片11的波长的激光光线的激光振荡器(未图示)、以及使激光光线会聚于在卡盘台10上保持的晶片11的内部的聚光器(未图示)。该激光加工头12使激光光线会聚于晶片11的内部，以形成基于多光子吸收的改质层。
相机14具有例如检测难以被晶片11吸收的红外区域的光的摄像元件，其从上方对晶片11进行摄像。通过摄像而形成的摄像图像可用于后述的加工条件的设定等。
卡盘台10、激光加工头12、相机14、Y轴移动组件16、X轴移动组件26等连接于控制装置(控制单元)42。该控制装置42根据通过作为用户接口的触摸式显示面板(显示单元、输入单元)44而设定的加工条件等，控制上述各要素的动作。
此外，控制装置42将摄像图像显示于显示面板44，并且将与摄像图像重叠的标记(标记部)显示于显示面板44。例如，通过将该标记移动至所显示的摄像图像的期望位置处，能够设定待照射激光光线的区域。控制装置42包括控制标记的标记控制部42a、以及存储各种信息的存储部(存储单元)42b。后面具体叙述具体的功能等。
接着，说明使用本实施方式的激光加工装置2形成作为分割起点的改质层的激光加工方法。图2是示意性表示通过本实施方式的激光加工装置2加工的晶片11的结构例的立体图，图3是示意性表示晶片11的结构例的俯视图。
如图2所示，本实施方式的晶片11是所谓的多项目类型的半导体晶片，在其正面11a侧排列着形状、大小不同的多个器件13(第1器件13a、第2器件13b)。
相邻的器件13彼此由具有规定宽度的的区域隔开，利用该区域，规定用于分割晶片11的分割预定线(切割线)15。
此外，在晶片11的正面11a侧贴附有用于保护器件13的保护带17。保护带17的外周部分固定于环状框架19。亦即，晶片11隔着保护带17而支撑于框架19。
在本实施方式的激光加工方法中，首先，在卡盘台10上吸附保持晶片11的正面11a侧(保护带17)。由此，晶片11的背面11b侧在上方露出。接着，通过相机14对保持于卡盘台10的晶片11进行摄像，并根据所形成的摄像图像使晶片11的分割预定线15平行于X轴方向或Y轴方向。
如上所述，第1器件13a和第2器件13b的形状、大小不同。具体而言，第2器件13b大于第1器件13a。因此，产生了从晶片11的一端至另一端并不连续的分割预定线15。
例如图3所示，在被第2器件13b夹住的位置处，配置有在X轴方向延伸的较短的分割预定线15a。为了在这种较短的分割预定线15a上形成改质层，就需要对激光加工装置2设定各分割预定线15a的起点15b和终点15c。
于是，在本实施方式的激光加工方法中，使用对晶片11摄像而形成的摄像图像，对激光加工装置2设定各分割预定线15a的起点15b和终点15c。图4的(A)和图4的(B)是示意性表示对激光加工装置2设定分割预定线15a的起点15b和终点15c的步骤的图。
如图4的(A)和图4的(B)所示，首先，对包含分割预定线15a的起点15b和终点15c的区域进行摄像，并将摄像图像显示于显示面板44上。在显示面板44上显示摄像图像时，控制装置42的标记控制部42a将指定摄像图像内的期望位置的标记(标记部)52显示于显示面板44。
标记52例如是十字线，并且以在重叠于摄像图像上的状态下能够被目视观察到的方式显示。其中，关于标记52的形状、大小等不做特别限定。此外，为了易于理解标记52的所在，可以一并显示出包围标记52的其他标记(标记部)54等。
在显示出与摄像图像重叠的标记52的状态下，操作者例如触摸显示面板44，如图4的(A)所示，将标记52移动至相当于分割预定线15的起点15b的位置处。此后，例如在触摸了显示于显示面板44上的起点设定用的图标时，控制装置42的标记控制部42a将由标记52指定的摄像图像的位置变换为激光加工装置2的XY坐标。变换后的XY坐标作为起点15b的位置被存储于存储部42b中。
此外，如图4的(B)所示，操作者将标记52移动至相当于分割预定线15的终点15c的位置处。此后，例如在触摸了显示于显示面板44的终点设定用的图标时，标记控制部42a将由标记52指定的摄像图像的位置变换为激光加工装置2的XY坐标。变换后的XY坐标作为终点15c的位置被存储于存储部42b中。
这样，操作者就能够对激光加工装置2设定以规定长度连续的分割预定线15a的起点15b和终点15c。在设定了所有的分割预定线15a的起点15b和终点15c之后，开始执行改质层的形成工序。
图5的(A)和图5的(B)是示意性表示改质层的形成工序的局部剖面侧视图。如图5的(A)和图5的(B)所示，在改质层的形成工序中，首先，将激光加工头12定位于在卡盘台10上保持的晶片11的上方。然后，使卡盘台10与激光加工头12相对移动，同时对晶片11照射激光光线L。
激光光线L例如将YAG、YVO4等作为激光介质而被振荡出，且被照射在晶片11的背面11b侧。此外，根据如上所述设定的起点15b和终点15c，切换激光光线L的照射与非照射。激光光线L的聚光点(焦点)被定位于晶片11的内部。
如图5的(A)所示，在激光光线L所照射的区域上形成有改质层21。另一方面，如图5的(B)所示，在未被照射激光光线L的区域上也未形成改质层21。如上，根据本实施方式的激光加工方法，能够根据所设定的起点15b和终点15c适当形成改质层21。
另外，在晶片11由硅构成的情况下，优选使用红外区域的波长(例如，1064nm)的激光光线L。这样，通过使用难以被晶片11吸收的波长的激光光线L，从而能够在晶片11的内部形成作为分割起点的良好的改质层21。
如上所述，在本实施方式的激光加工装置2中，与摄像图像重叠的标记(标记部)52显示于显示面板(显示单元)44，并且通过将标记52移动至显示于显示面板44上的摄像图像的期望位置处，能够将与摄像图像的期望位置对应的坐标作为待形成以规定长度连续的改质层21的分割预定线15a的起点15b或终点15c而存储于存储部(存储单元)42b，因此能够以视觉方式设定与分割预定线15a有关的信息。
另外，本发明不限于上述实施方式的描述，能够进行各种变更并实施。例如，本发明的激光加工装置2还可以用于加工不同于上述实施方式中所述的晶片。图6的(A)和图6的(B)是示意性表示加工变形例的晶片时，对激光加工装置2设定分割预定线15a的起点15b和终点15c的步骤的图。
如图6的(A)和图6的(B)所示，在变形例的晶片上排列有以对角部进行倒角的方式而被切取的变形器件13c、以及相当于被切取后的角部的端材部13d。即，在该晶片上，多条分割预定线不一定彼此正交。
在这种情况下，如图6的(A)和图6的(B)所示，首先，依然对包括以规定长度连续的分割预定线15a的起点15b和终点15c的区域进行摄像，并将摄像图像显示于显示面板44。此外，控制装置42的标记控制部42a将标记(标记部)52显示于显示面板44。
在显示了与摄像图像重叠的标记52的状态下，操作者例如触摸显示面板44，如图6的(A)所示，将标记52移动至相当于分割预定线15的起点15b的位置处。此后，例如在触摸了显示于显示面板44上的起点设定用的图标时，控制装置42的标记控制部42a将由标记52指定的摄像图像的位置变换为激光加工装置2的XY坐标。变换后的XY坐标作为起点15b的位置被存储于存储部42b中。
此外，如图6的(B)所示，操作者将标记52移动至相当于分割预定线15的终点15c的位置处。此后，例如在触摸了显示于显示面板44上的终点设定用的图标时，标记控制部42a将通过标记52指定的摄像图像的位置变换为激光加工装置2的XY坐标。变换后的XY坐标作为终点15c的位置被存储于存储部42b中。
如上，在加工变形例的晶片时，操作者能够对以规定长度连续的分割预定线15a设定起点15b和终点15c。在对所有的分割预定线15a设定了起点15b和终点15c之后，开始执行与上述实施方式同样的改质层的形成工序。
此外，在上述实施方式中，在设定了分割预定线15a的起点15b后再设定终点15c，然而也可以在设定了终点15c后设定起点15b。另外，关于上述实施方式的结构、方法等，可以在不脱离本发明目的的范围内适当变更并实施。

Claims (1)

1.一种激光加工装置，其对晶片上的隔开相邻的器件的分割预定线照射透过该晶片的波长的激光光线，在晶片的内部形成以规定的长度连续的改质层，其中，该晶片在正面排列有多个该器件，
该激光加工装置的特征在于，具有：
卡盘台，其保持晶片；
激光光线照射单元，其对保持于该卡盘台的晶片照射该激光光线；
移动单元，其使该卡盘台与该激光光线照射单元在加工进给方向和分度进给方向上相对移动；
显示单元，其显示对保持于该卡盘台的晶片进行摄像而得到的摄像图像；
输入单元，其输入对晶片进行加工的加工条件；以及
存储单元，其存储被输入到该输入单元中的该加工条件，
在该显示单元中显示重叠于该摄像图像的标记部，
通过使该标记部移动至显示于该显示单元中的该摄像图像的期望位置处，将与该摄像图像的该期望位置对应的坐标作为待形成该改质层的分割预定线的起点或终点存储于该存储单元中。
CN201510570407.2A 2014-09-12 2015-09-09 激光加工装置 Pending CN105414744A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-186235 2014-09-12
JP2014186235A JP6604715B2 (ja) 2014-09-12 2014-09-12 レーザー加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105414744A true CN105414744A (zh) 2016-03-23

Family

ID=55453884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510570407.2A Pending CN105414744A (zh) 2014-09-12 2015-09-09 激光加工装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9925618B2 (zh)
JP (1) JP6604715B2 (zh)
KR (1) KR102305378B1 (zh)
CN (1) CN105414744A (zh)
TW (1) TWI683718B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107464762A (zh) * 2016-06-03 2017-12-12 株式会社迪思科 被加工物的检查方法、检查装置、激光加工装置、扩展装置
CN109862989A (zh) * 2016-10-18 2019-06-07 通快机床两合公司 激光焊接时的基于图像的技术选择
CN110176410A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 株式会社迪思科 加工装置
CN110560884A (zh) * 2018-06-05 2019-12-13 株式会社迪思科 加工装置和加工装置的控制方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6666173B2 (ja) * 2016-03-09 2020-03-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6698440B2 (ja) * 2016-06-21 2020-05-27 株式会社ディスコ 加工装置
DE112017007622A5 (de) * 2017-06-09 2020-07-02 Bystronic Laser Ag Verfahren zur steuerung einer strahlschneidvorrichtung mit einem schneidwerkzeug, ein computerimplementiertes verfahren zum automatischen bestimmen und erzeugen von bewegungsbefehlen zum steuern eines schneidwerkzeugs einer strahlschneidvorrichtung, sowie strahlschneidvorrichtung zum ausfuehren der verfahren
JP7017949B2 (ja) * 2018-03-02 2022-02-09 株式会社ディスコ 加工装置
JP7345963B2 (ja) * 2019-05-13 2023-09-19 株式会社ディスコ 加工装置
JP7235597B2 (ja) * 2019-06-03 2023-03-08 株式会社ディスコ 加工装置
CN113305442B (zh) * 2021-05-12 2022-08-12 杭州大和热磁电子有限公司 一种石英环自动刻字装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351406U (zh) * 1986-09-24 1988-04-07
JP2005203541A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2005251882A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
CN101112735A (zh) * 2006-07-27 2008-01-30 株式会社其恩斯 激光加工装置、激光加工条件设定装置、方法、及程序
US20100189917A1 (en) * 2009-01-27 2010-07-29 Hidekazu Suzuki Cross section processing method and method of manufacturing cross section observation sample
JP2012125781A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Disco Corp 加工方法
JP2013135026A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
CN103706951A (zh) * 2012-10-02 2014-04-09 三星钻石工业股份有限公司 具有图案的基板的加工方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6038401Y2 (ja) * 1979-06-05 1985-11-16 松下電器産業株式会社 ヘア−アイロン
JPH04180649A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Nec Yamagata Ltd 半導体チップサンプリング装置
JP2910032B2 (ja) * 1996-08-09 1999-06-23 日本電気株式会社 自動塗布装置
JP3157751B2 (ja) * 1997-09-03 2001-04-16 山口日本電気株式会社 半導体基板のダイシング方法
US6591154B2 (en) * 2000-12-15 2003-07-08 International Business Machines Corporation System and method for modifying enclosed areas for ion beam and laser beam bias effects
JPWO2002075806A1 (ja) 2001-03-16 2004-07-08 株式会社日立製作所 ウエハの検査方法、集束イオンビーム装置及び透過電子ビーム装置
JP4398686B2 (ja) 2003-09-11 2010-01-13 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20050205778A1 (en) * 2003-10-17 2005-09-22 Gsi Lumonics Corporation Laser trim motion, calibration, imaging, and fixturing techniques
US7380322B2 (en) * 2005-12-13 2008-06-03 Von Detten Volker Device for insertion of contacts into connector insulator cavities
JP2008294106A (ja) 2007-05-23 2008-12-04 Sony Corp レーザアニール装置
JP2010123723A (ja) 2008-11-19 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
KR20110051442A (ko) * 2009-11-10 2011-05-18 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 방법, 레이저 가공 장치 및 칩의 제조 방법
JP2013226588A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Olympus Corp リペア装置及びリペア方法
TWI543830B (zh) * 2013-05-10 2016-08-01 財團法人工業技術研究院 視覺誤差校正方法
US9063330B2 (en) * 2013-05-30 2015-06-23 Oculus Vr, Llc Perception based predictive tracking for head mounted displays
JP6189700B2 (ja) * 2013-10-03 2017-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351406U (zh) * 1986-09-24 1988-04-07
JP2005203541A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2005251882A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
CN101112735A (zh) * 2006-07-27 2008-01-30 株式会社其恩斯 激光加工装置、激光加工条件设定装置、方法、及程序
US20100189917A1 (en) * 2009-01-27 2010-07-29 Hidekazu Suzuki Cross section processing method and method of manufacturing cross section observation sample
JP2012125781A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Disco Corp 加工方法
JP2013135026A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
CN103706951A (zh) * 2012-10-02 2014-04-09 三星钻石工业股份有限公司 具有图案的基板的加工方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107464762A (zh) * 2016-06-03 2017-12-12 株式会社迪思科 被加工物的检查方法、检查装置、激光加工装置、扩展装置
CN107464762B (zh) * 2016-06-03 2022-10-18 株式会社迪思科 被加工物的检查方法、检查装置、激光加工装置、扩展装置
CN109862989A (zh) * 2016-10-18 2019-06-07 通快机床两合公司 激光焊接时的基于图像的技术选择
CN109862989B (zh) * 2016-10-18 2021-03-02 通快机床两合公司 激光焊接时的基于图像的技术选择
CN110176410A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 株式会社迪思科 加工装置
CN110176410B (zh) * 2018-02-20 2023-08-18 株式会社迪思科 加工装置
CN110560884A (zh) * 2018-06-05 2019-12-13 株式会社迪思科 加工装置和加工装置的控制方法
CN110560884B (zh) * 2018-06-05 2023-01-10 株式会社迪思科 加工装置和加工装置的控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160074959A1 (en) 2016-03-17
TW201609297A (zh) 2016-03-16
KR102305378B1 (ko) 2021-09-24
JP2016058684A (ja) 2016-04-21
US9925618B2 (en) 2018-03-27
TWI683718B (zh) 2020-02-01
KR20160031410A (ko) 2016-03-22
JP6604715B2 (ja) 2019-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105414744A (zh) 激光加工装置
KR102355837B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP5904720B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP5641835B2 (ja) 分割方法
CN107363413B (zh) 蓝宝石晶片的加工方法和激光加工装置
JP6360411B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6034219B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2016107330A (ja) レーザー加工装置およびウエーハの加工方法
JP2011108708A (ja) ウエーハの加工方法
JP5722071B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法およびレーザー加工装置
JP2016054207A (ja) ウエーハの加工方法
JP2013152988A (ja) ウエーハの加工方法
JP6116420B2 (ja) レーザー加工装置
JP2013152987A (ja) ウエーハの加工方法
JP6068074B2 (ja) ゲッタリング層形成方法
JP2012059989A (ja) 分割方法
JP2016042516A (ja) ウエーハの加工方法
JP6698440B2 (ja) 加工装置
JP5442303B2 (ja) 板状ワークの加工装置
CN107186366A (zh) 激光加工装置
JP2023002418A (ja) ウエーハの確認方法
JP6935314B2 (ja) レーザー加工方法
JP2017162855A (ja) ウエーハの加工方法
JP2008126237A (ja) レーザ加工装置
JP2013105823A (ja) 板状物の分割方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160323

RJ01 Rejection of invention patent application after publication