JP7235597B2 - 加工装置 - Google Patents

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Description

本発明は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物を加工する加工手段と、該保持手段を加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成された加工装置に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
該ダイシング装置は、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハを切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該保持手段を加工送りする加工送り手段と、から概ね構成されていて、ウエーハを個々のデバイスチップに分割することができる。
また、該保持手段は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルを着脱自在に支持する基台と、から少なくとも構成されていて、ウエーハの大きさに対応した複数種類のチャックテーブルが用意され、該基台は、該複数種類のチャックテーブルを装着可能に構成されている(例えば、特許文献１を参照）。
特開２０１５－１６２５５５号公報
ところで、複数の種類のチャックテーブルが装着可能に構成されている場合、加工送り手段に加わる慣性力（負荷）は、保持手段のチャックテーブルを移動させる際の加速度が一定である場合、一番大きいサイズ、すなわち一番重いチャックテーブルを選択して装着したときに最大になる。よって、加工送り手段を制御する際の加工送り条件（加速度、等速度等）は、一番重いチャックテーブルが選択された場合であっても加工送り手段に過剰な負荷が掛からないように設定されている。
しかし、小さくて軽いチャックテーブルが選択されているにも関わらず、上記したように、一番重いチャックテーブルを想定して設定した加工送り条件に基づく制御を実行したのでは、加工送り手段に係る負荷が小さいにも関わらず保持手段を移動させる際の加速度が制限され、生産性が悪いという問題がある。このような問題は、ＣＳＰ（Chip Size (又は Scale) Package）基板を含むパッケージ基板を保持する保持手段（保持治具）が、パッケージ基板の大きさ、形状に対応して交換されるため、パッケージ基板を個々のチップに分割する加工装置においても起こり得る問題である。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物の大きさ、又は形状に対応して複数種類のチャックテーブルが装着可能に構成されたチャックテーブルを備えた加工装置において、生産性を向上させることができる加工装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物を加工する加工手段と、該保持手段を加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成された加工装置であって、該保持手段は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルを着脱自在に支持する基台と、から少なくとも構成され、該基台は、被加工物の大きさ、又は形状に対応して複数種類のチャックテーブルが装着可能であり、該基台に装着されるチャックテーブルが選択されると、該基台に装着されるチャックテーブルの種類に応じた該加工送り手段の加速度を含む加工送り条件を設定し、該チャックテーブルに対応した加工送り条件で該加工送り手段を制御する制御手段を備えた加工装置が提供される。
該保持手段の該基台は、チャックテーブルを回転する回転駆動部を備えており、該制御手段は、該基台に装着されるチャックテーブルが選択されると、該基台に装着されるチャックテーブルの種類に応じた該回転駆動部の回転加速度を含む回転条件を設定し、該チャックテーブルに対応した回転条件で該回転駆動部を制御することが好ましい。
該制御手段は、該加工送り手段を構成する駆動源を制御する周波数を設定し、該駆動源が設定された目標周波数に至る時間が許容時間となる周波数をチャックテーブルに対応した周波数として、該加工送り条件に含まれた加速度を生成することが好ましい。さらに、該制御手段は、該回転駆動部を構成する回転駆動源を制御する周波数を設定し、該回転駆動源が設定された目標周波数に至る時間が許容時間となる周波数をチャックテーブルに対応した周波数として、該回転条件に含まれた回転加速度を生成することが好ましい。
本発明の加工装置は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物を加工する加工手段と、該保持手段を加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成された加工装置であって、該保持手段は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルを着脱自在に支持する基台と、から少なくとも構成され、該基台は、被加工物の大きさ、又は形状に対応して複数種類のチャックテーブルが装着可能であり、 該基台に装着されるチャックテーブルが選択されると、該基台に装着されるチャックテーブルの種類に応じた該加工送り手段の加速度を含む加工送り条件を設定し、該チャックテーブルに対応した加工送り条件で該加工送り手段を制御する制御手段を備えていることから、チャックテーブルの大きさ、又は形状に応じた適切な加速度を含む加工送り条件で加工送り手段を制御することができ、加工送り手段に過剰な負荷が掛かることが回避されると共に、生産性を向上させることができる。
ダイシング装置の全体斜視図である。 図１に示すダイシング装置に配設されたテーブル機構の拡大斜視図である。 図２に示すテーブル機構を構成する保持手段の構成を示す分解斜視図である。 図３に示す保持手段の一部断面図である。 チャックテーブル選択画面が表示された表示手段の正面図である。 制御手段に設定されたチャックテーブルの種類に応じて設定される周波数を示すグラフである。
以下、本発明に基づいて構成される加工装置に係る実施形態について添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
図１には、加工装置の一実施例として示すダイシング装置１の全体斜視図が示されている。以下に、図１に示すダイシング装置１の概略について説明する。なお、ダイシング装置１によって加工される被加工物（ウエーハＷ）は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され形成されたものであり、環状のフレームＦに粘着テープＴを介して支持されている。
図１に示すように、ダイシング装置１は、略直方体形状のハウジング１Ａを備え、ハウジング１Ａのカセット載置領域４に載置されるカセット４Ａと、カセット４ＡからフレームＦに支持されたウエーハＷを仮置きテーブル５に搬出する搬出入手段３と、仮置きテーブル５に搬出されたウエーハＷをテーブル機構１０に搬送する旋回アームを有する搬送手段６と、テーブル機構１０に配設されウエーハＷを保持するチャックテーブル２４（２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ）を含む保持手段２０と、保持手段２０の矢印Ｘで示すＸ方向の移動経路上に配設されるアライメント手段１１と、保持手段２０に保持されるウエーハＷに加工を施す加工手段として配設される切削手段１２と、加工状況を表示すると共に作業者が後述する加工送り条件等を設定するためのタッチパネル機能を備えた表示手段１４と、を備えている。
図１に加え、図２、図３を参照しながら、ダイシング装置１のテーブル機構１０について、より具体的に説明する。図２には、ハウジング１Ａの内部に収容され、静止基台２上に配設されるテーブル機構１０の拡大斜視図が示されている。図２に示すように、テーブル機構１０は、被加工物であるウエーハＷを吸引保持する保持手段２０と、ウエーハＷを加工する際に、保持手段２０を矢印Ｘ１で示すＸ１方向に加工送りする加工送り手段３０とを備えている。
保持手段２０は、Ｘ１方向において移動自在に静止基台２に搭載される矩形状のＸ方向可動板２１と、チャックテーブル２４を着脱自在に支持する基台２５と、基台２５の周囲を覆う矩形状のカバー板２３と、を備える。基台２５は、Ｘ方向可動板２１上に載置され基台２５と共にチャックテーブル２４を回転駆動する回転駆動部２２と、基台２５の上面とチャックテーブル２４との間に配設され、ウエーハＷを支持するフレームＦのサイズに対応してフレームＦを把持するクランプ機構２６（図３も参照）とを備える。回転駆動部２２の内部には、回転駆動部２２を構成し、基台２５と共にチャックテーブル２４を回転する回転駆動源２７が収容されている。回転駆動源２７は、回転速度、及び回転位置を精密に制御可能な、例えばパルス（ステッピング）モータにより構成される。
加工送り手段３０は、駆動源３１と、駆動源３１の回転を直線運動に変換してＸ方向可動板２１の図示しない雌ねじ部に伝達するボールねじ３２を備え、静止基台２上の案内レール２ａ、２ａに沿ってＸ方向可動板２１をＸ１方向において進退させる。駆動源３１は、回転速度、及び回転位置を精密に制御可能な、例えば、パルス（ステッピング）モータから構成される。
図２に示すように、上記した回転駆動源２７、及び駆動源３１は、制御手段１００に接続されている。制御手段１００は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている（詳細についての図示は省略）。回転駆動源２７、及び駆動源３１は、制御手段１００において任意に設定される加工送り条件、回転条件に基づいて制御され、より具体的には、該加工送り条件、及び該回転条件によって設定されるパルス信号の周波数によって制御される。図示は省略するが、Ｘ方向可動板２１、基台２５には、位置検出手段が配設されており、チャックテーブル２４のＸ１方向における位置、及び周方向の回転位置が正確に検出され、制御手段１００から指示されるパルス信号に基づいて基台２５の回転駆動源２７、及び加工送り手段３０の駆動源３１が制御される。これにより、チャックテーブル２４をＸ１方向に加工送りする際に、該加工送り条件に含まれた加速度、及び等速度で、所望の位置に移動することが可能であり、同様に、チャックテーブル２４を回転させる際に、該回転条件に含まれた回転加速度、及び回転速度で、所望の回転角度位置に回転させることが可能である。
図３には、上段にダイシング装置１において選択可能な複数のチャックテーブル２４の斜視図、中段に各チャックテーブル２４の断面図、下段に基台２５の斜視図を示されている。基台２５は、チャックテーブル２４を着脱自在に支持することができ、被加工物（ウエーハＷ）の大きさに対応して、複数種類のチャックテーブル２４Ａ、２４Ｂ、２５Ｃから選択されたチャックテーブル２４が装着可能に構成されている。チャックテーブル２４Ａは、例えば、４インチサイズのウエーハを保持するためのチャックテーブルであって直径が１００ｍｍに設定され、チャックテーブル２４Ｂは、例えば、６インチサイズのウエーハを保持するためのチャックテーブルであって直径が１５０ｍｍに設定され、チャックテーブル２４Ｃは、例えば、８インチサイズのウエーハを保持するためのチャックテーブルであって直径が２００ｍｍに設定されている。チャックテーブル２４Ｂを代表例として、図３、及び図４を参照しながら、チャックテーブル２４、及び基台２５を含むテーブル機構１０の構成について、さらに具体的に説明する。
図３、及び図４に示すように、チャックテーブル２４Ｂは、上面を構成する吸着チャック２４２Ｂと、吸着チャック２４２Ｂを囲繞する外周枠体２４１Ｂとを備える。吸着チャック２４２Ｂは、通気性を有するポーラスセラミックスからなり、その上面高さは、通気性を有しないセラミックスからなる外周枠体２４１Ｂの上面高さと同一になるように構成されている。外周枠体２４１Ｂの下面側中央には、円形凸部２４３Ｂが形成され、外周枠体２４１Ｂの下面であって円形凸部２４３Ｂの近傍には円柱状の係合凸部２４５Ｂが形成されている。吸着チャック２４２Ｂの下面と、外周枠体２４１Ｂとの間には、吸引負圧が作用する空間２４６Ｂが形成され、該空間２４６Ｂには、円形凸部２４３Ｂの中央に形成された吸引通路２４４Ｂが接続される。
基台２５は、基台２５上に配設されチャックテーブル２４Ｂを保持するためのテーブル保持台２５１と、テーブル保持台２５１を囲繞する外周領域に配置される２つのクランプ機構２６とを備える。クランプ機構２６は、ウエーハＷを支持するフレームＦのサイズに応じて、フレームＦを把持する把持部材２６Ａの位置が変更可能に構成されている。
テーブル保持台２５１は、略円柱形状をなし、基台２５の直径よりも小さく（例えば、１／２程度の大きさ）形成されている。テーブル保持台２５１の中央には、チャックテーブル２４Ｂの円形凸部２４３Ｂの外径よりも僅かに大きく形成され、円形凸部２４３Ｂが挿入される円形凹部２５２が形成されている。図４からも理解されるように、円形凹部２５２の底部の中央には、図示しない吸引源に接続されて、チャックテーブル２４Ｂの円形凸部２４３Ｂが基台２５の円形凹部２５２に挿入された状態で、吸着チャック２４２Ｂを介してウエーハＷを吸引する負圧Ｖｍを作用させるためのウエーハ吸引孔２５３が形成されている。
また、図４に示すように、テーブル保持台２５１の上面において円形凹部２５２を囲繞する上面には、チャックテーブル２４Ｂの下面に形成された円形凸部２４３Ｂの近傍の底面に当接しチャックテーブル２４Ｂを基台２５に吸着する負圧Ｖｍを作用させるためのチャックテーブル吸着孔２５４が形成されている。さらに、テーブル保持台２５１の上面には、外周枠体２４１Ｂの下面に形成された係合凸部２４５Ｂが係合する係合凹部２５５が形成される。上記した円形凹部２５２に対し円形凸部２４３Ｂが挿入されると共に、係合凸部２４５Ｂがテーブル保持台２５１の係合凹部２５５に係合することにより、基台２５にチャックテーブル２４Ｂが吸着され固定される際の周方向の位置が一義的に決まり、さらに、基台２５に対するチャックテーブル２４Ｂの回転方向における相対移動が規制され、基台２５の回転がチャックテーブル２４Ｂに対して確実に伝達される。
上記した説明では、６インチサイズのウエーハＷに対応する、直径が１５０ｍｍのチャックテーブル２４Ｂを代表例として、チャックテーブル２４及び基台２５の構成について説明したが、４インチサイズのウエーハＷに対応するチャックテーブル２４Ａ、及び８インチサイズのウエーハＷに対応するチャックテーブル２４Ｃは、チャックテーブル２４Ｂに対し、外周枠体２４１Ａ及び２４１Ｃ、並びに、吸着チャック２４２Ａ及び２４２Ｃの直径が異なる以外は同一の構成を有するものであることから、詳細についての説明は省略する。
ダイシング装置１は、概ね上記したとおりの構成を備えており、カセット４Ａから搬出され、保持手段２０に搬送されたウエーハＷは、チャックテーブル２４上に載置されて吸引保持され、Ｘ方向に移動させられると共に、撮像手段を備えたアライメント手段１１の直下に移動させられて、加工手段として配設された切削手段１２の切削ブレードとウエーハＷの分割予定ラインとの位置合わせを行うアライメント工程が実施される。該アライメント工程が実施されたならば、切削手段１２による切削領域に保持手段２０を加工送りして、ダイシング装置１に備えられた制御手段１００（図２を参照）に記憶された所定の制御プログラムに従い、切削手段１２によってウエーハＷの所定の方向に形成された分割予定ラインを切削する。所定の方向に形成された分割予定ラインを切削したならば、切削手段１２を、矢印Ｙで示すＹ方向に割り出し送りして、ウエーハＷの該所定の方向に形成された全ての分割予定ラインに沿って切削する。次いで、回転駆動部２２の回転駆動源２７の作用により、チャックテーブル２４が９０°回転させられ、該所定の方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ラインに沿って切削し、ウエーハＷを個々のチップに分割する。切削加工され個々のチップに分割されたウエーハＷは、途中の洗浄処理工程を経て、搬送手段１３、搬送手段６、及び搬出入手段３等により搬送されて、再びカセット４Ａに収容される。ここで、本実施形態により実現される機能、作用について、さらに具体的に説明する。
ダイシング装置１において、切削加工を実施するに先立ち、作業者は、被加工物の大きさ、形状に基づいて、複数種類用意されているチャックテーブル２４の中から、これから切削加工を施す被加工物、例えば、８インチサイズのウエーハＷを切削加工する場合は、８インチサイズのウエーハＷの大きさに対応する直径が２００ｍｍのチャックテーブル２４Ｃを選択して、基台２５に載置する。基台２５にチャックテーブル２４Ｃを載置したならば、図示しない吸引手段を作動して、チャックテーブル２４Ｃを基台２５に吸着して固定する。
基台２５にチャックテーブル２４Ｃを載置し固定したならば、作業者は、図５に示すように、表示手段１４にチャックテーブル選択画面１５を表示させる。このチャックテーブル選択画面１５には、チャックテーブル２４Ａに対応した選択ボタン１４１ａ、チャックテーブル２４Ｂに対応した選択ボタン１４１ｂ、チャックテーブル２４Ｃに対応した選択ボタン１４１ｃが表示されると共に、各選択ボタンを選択した場合の加工送り条件の一部である保持手段２０の加速度と、ウエーハＷに加工が施される際に維持される保持手段２０の等速度が表示されている。作業者は、表示手段１４に表示されたチャックテーブル選択画面１５の中から、チャックテーブル２４Ｃに対応する選択ボタン１４１ｃ（φ２００ｍｍ）をタッチして選択する。この選択により、制御手段１００において、チャックテーブル２４Ｃに対応した加工送り条件（加速度＝２５ｍｍ／ｓ２、等速度１００ｍｍ／ｓ等）が設定される。
上記したように、本実施形態の加工送り手段３０を構成する駆動源３１は、パルスモータにより構成されていることから、加工送り手段３０によって保持手段２０のチャックテーブル２４Ｃを移動させる際の加速度、及び等速度は、駆動源３１を駆動するパルス信号の周波数によって実現される。以下に、図３、図５に加えて、図６を参照しながら、該加工送り条件の設定について、より具体的に説明する。
図３に基づいて説明したように、チャックテーブル２４Ａ～２４Ｃは、直径がそれぞれ１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍである以外の基本構造は同一であることから、同一の形状である係合凸部２４５Ａ、２４５Ｂ、及び２４５Ｃ、並びに、円形凸部２４３Ａ、２４３Ｂ、及び２４３Ｃを除く上方部位が略円柱であるとした場合、その重量は、半径の二乗に略比例する。例えば、チャックテーブル２４Ａの上方部位の重量をＳとしたとき、チャックテーブル２４Ｂの上方部位の重量は約２．２５Ｓであり、チャックテーブル２４Ｃの上方部位の重量は約４Ｓとなる。
本実施形態では、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛からないようにするため、チャックテーブル２４の種類毎に上記加工送り条件が設定されており、該加工送り条件を実現するために、駆動源３１を制御するための周波数Ｈａ～Ｈｃが適宜選択される。なお、図６に示すグラフは、縦軸が駆動源３１を駆動するパルス信号の周波数（Ｈｚ）を示し、横軸は経過時間（ｓｅｃ）を示し、周波数Ｈａ～Ｈｃのグラフの傾きが保持手段２０を移動させる際の加速度に対応する。
ダイシング装置１によって加工されるウエーハＷの大きさに応じて、例えば、最も重いチャックテーブル２４Ｃが選択された場合は、保持手段２０の移動が開始されてから、切削加工に適した等速度（１００ｍｍ／ｓ）に至るまでの時間、すなわち、駆動源３１を駆動するパルス信号の周波数が目標周波数Ｈに至るまでの時間が、許容時間Ｔ１となる周波数Ｈｃを、チャックテーブル２４Ｃに対応した周波数として選択し、加工送り条件に含まれた加速度を生成する。
上記した許容時間Ｔ１は、チャックテーブル２４Ｃが選択された場合であって、それ以上短い時間で目標周波数Ｈに到達させた場合、すなわち、それ以上加速度を大きくした場合に、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛かり、故障等を引き起こす恐れがある時間を基準として予め実験等により設定される時間である。本実施形態では、該許容時間Ｔ１で、保持手段２０を１００ｍｍ／ｓの等速度で移動させる目標周波数Ｈに至るように加速し、その後、所定の位置に至るまで保持手段２０を１００ｍｍ／ｓの等速度で移動させる。なお、図示は省略するが、保持手段２０が該所定の位置に至り、その後減速する際にも、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛からないように、所定の減速度で減速して保持手段２０を所定の停止位置で停止させる。このように、チャックテーブル２４Ｃを選択した場合であって、目標周波数Ｈに至る時間が許容時間Ｔ１となる周波数Ｈｃに従って駆動源３１が駆動されることで、加工送り条件に含まれた加速度（２５ｍｍ／ｓ２）が生成されて所定の等速度（１００ｍｍ／ｓ）に至り、保持手段２０が加工送りされることから、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛かることが回避される。
また、ダイシング装置１によって加工されるウエーハＷの大きさに応じて、チャックテーブル２４Ｃよりも軽いチャックテーブル２４Ｂが選択され基台２５に装着された場合、作業者は、表示手段１４に表示されたチャックテーブル選択画面１５（図５を参照）の中から、チャックテーブル２４Ｂに対応する「φ１５０ｍｍ」の選択ボタン１４１ｂをタッチして選択する。これにより、保持手段２０の移動が開始されてから、切削加工に適した等速度（１００ｍｍ／ｓ）に至るまでの時間、すなわち、パルス信号の周波数が目標周波数Ｈに至るまでの時間が、上記した許容時間Ｔ１よりも短い許容時間Ｔ２となる周波数Ｈｂが設定され、許容時間Ｔ２に至るまでの間、加工送り条件に含まれた加速度（３８ｍｍ／ｓ２）を生成する。
許容時間Ｔ２は、チャックテーブル２４Ｂが選択された場合であって、それ以上短い時間で、駆動源３１を駆動するパルス信号の周波数を目標周波数Ｈに到達させた場合に、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛かる時間を基準として予め実験等により設定される時間であり、図示は省略するが、保持手段２０が所定の位置に至った後は、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛からないように、所定の減速度で減速して保持手段２０を所定の停止位置で停止させる。これにより、チャックテーブル２４Ｃが選択された場合に比して、加速度をより大きくすることができ、短い時間でウエーハＷに対して切削加工が施され、且つ加工送り手段３０に過剰な負荷が掛かることが回避される。
さらに、ダイシング装置１によって加工されるウエーハＷの大きさに応じて、チャックテーブル２４Ｂよりも軽いチャックテーブル２４Ａが選択基台２５に装着された場合、作業者は、表示手段１４に表示されたチャックテーブル選択画面１５（図５を参照）の中から、チャックテーブル２４Ａに対応する「φ１００ｍｍ」の選択ボタン１４１ａをタッチして選択する。これにより、保持手段２０の移動が開始されてから、切削加工に適した等速度（１００ｍｍ／ｓ）に至るまでの時間、すなわち、パルス信号の周波数が目標周波数Ｈに至るまでの時間が、上記した時間Ｔ２よりもさらに短い許容時間Ｔ３となる周波数Ｈａが設定され、許容時間Ｔ３に至るまでの間、加工送り条件に含まれた加速度（５０ｍｍ／ｓ２）を生成する。
許容時間Ｔ３は、チャックテーブル２４Ａが選択された場合であって、それ以上短い時間で目標周波数Ｈに到達させた場合に、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛かる時間を基準として予め実験等により設定される時間であり、図示は省略するが、保持手段２０が所定の位置に至った後は、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛からないように、所定の減速度で減速して保持手段２０を所定の停止位置で停止させる。これにより、チャックテーブル２４Ｂが選択された場合に比して、加速度をより大きくすることができ、より短い時間でウエーハＷに対して切削加工が施され、且つ加工送り手段３０に過剰な負荷が掛かることが回避される。
上記した実施形態によれば、チャックテーブル２４の種類に応じた適切な加速度を含む加工送り条件で加工送り手段３０を制御することができることから、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛かることが回避されると共に、生産性を向上させることができる。
本実施形態のダイシング装置１は、上記したように、ウエーハＷに形成された分割予定ラインに沿って切削加工を実施するに際し、チャックテーブル２４を回転する回転駆動部２２を備えている。そこで、本実施形態では、被加工物（ウエーハＷ）の大きさに応じたチャックテーブル２４が選択された場合に、チャックテーブル２４の大きさに対応した回転加速度を含む回転条件を設定して回転駆動部２２を制御する。
より具体的には、制御手段１００は、回転駆動部２２を構成する回転駆動源２７を制御するに際し、チャックテーブル２４の大きさに対応して設定される回転条件を実現するための周波数を、チャックテーブル２４に応じて設定するものであり、回転駆動源２７が目標の回転速度となる目標周波数に至る時間が、許容時間となる周波数をチャックテーブル２４に対応した周波数として設定し、該回転条件に含まれた回転加速度を生成する。
ここでいう許容時間は、上記した加工送り手段３０を駆動する駆動源３１を制御する際に設定される加工送り条件と同様に、ウエーハＷの大きさに応じてチャックテーブル２４が選択された場合であって、該許容時間よりも短い時間で目標周波数に到達させた場合、すなわち、それ以上加速度を大きくした場合に、回転駆動部２２に過剰な負荷が掛かり故障等を引き起こすおそれがある時間を基準として設定されるものであり、予め実験等により設定される時間である。
この回転駆動源２７を制御する周波数を設定する場合も、図６に示された周波数のグラフに準じて設定することができ、選択されたチャックテーブル２４の重量が大きい場合には、所定の目標回転速度に対応する目標周波数に至る時間（許容時間）が長くなるようにして、回転加速度が小さくなるように設定し、選択されたチャックテーブル２４の重量が小さい場合には、所定の目標回転速度に対応する目標周波数に至る時間（許容時間）が短くなるように、すなわち、回転加速度が大きくなるように設定する。これにより、回転駆動部２２に過剰な負荷が掛かることが回避されると共に、より生産性を向上させることができる。
本発明によれば、上記した実施形態に限定されず、種々の変形例が提供される。例えば、上記した実施形態では、基台２５に装着したチャックテーブル２４が、いずれのチャックテーブル（２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ）であるのかを、作業者が表示手段１４に表示されたチャックテーブル選択画面１５の選択ボタン１４１ａ～１４１ｃをタッチすることによって選択し、チャックテーブル２４の種類に対応する加工送り条件を設定して加工送り手段３０を制御するようにしたが、本発明はこれに限定されず、ダイシング装置１の制御手段１００に格納する制御プログラムによって実現される自己設定機能を用いて、加工送り手段３０の加速度を含む加工送り条件を設定することも可能である。該自己設定機能の概略について、以下に説明する。
該自己設定機能は、作業者が加工を施すウエーハＷに対応するチャックテーブル２４を基台２５に載置した後、カセット４Ａに収容されたウエーハＷに対して切削加工を実施する前に実行される。該自己設定機能を実行するに際し、まず、基台２５に、作業者が選択したチャックテーブル２４を載置した後、チャックテーブル２４上にウエーハＷを載置しない状態で、加工送り手段３０を作動して、チャックテーブル２４を保持手段２０上に載置するウエーハ搬出入領域（図１において保持手段２０が位置付けられている領域）から、切削手段１２によって切削加工が施される切削領域に向けて、保持手段２０を移動させるカラ加工送りを実施する。この際の駆動源３１を駆動するための目標周波数は、例えば、保持手段２０を１００ｍｍ／ｓの等速度で移動させる所定の周波数とすることができる。このカラ加工送りが実施され、保持手段２０が、該ウエーハ搬出入領域から移動を開始した場合、直ぐには該所定の周波数には到達せず、徐々に加速した後、１００ｍｍ／ｓで等速度となる該所定の周波数に到達する。ここで、制御手段１００は、保持手段２０の移動開始から、該所定の周波数に到達するまでの到達時間を計測する。該到達時間は、チャックテーブル２４の重量が大きい場合に長くなり、重量が小さい場合に短くなることから、チャックテーブル２４の種類（重量）に応じたものとなる。そこで、制御手段１００は、該カラ加工送りにおいて計測された該到達時間に対して所定時間を加え、加工送り手段３０に過剰な負荷が掛からない許容時間を設定し、この許容時間に基づいて、基台２５に装着されたチャックテーブル２４の種類に応じた加工送り手段の加速度を設定する。これにより、作業者がチャックテーブル選択画面１５上で選択ボタン１４１ａ～１４１ｃから選択することなく、ダイシング装置１の制御手段１００によって、基台２５に装着されたチャックテーブル２４に応じた加工送り手段３０の加速度を含む加工送り条件を設定する自己設定機能が実現される。この自己設定機能によれば、予め使用するチャックテーブル２４の種類毎に加工送り条件に含まれる加速度を制御手段１００に登録しておく必要がなく、未知のチャックテーブル２４に対しても、適切な加工送り条件を設定することができる。
さらに、上記した自己設定機能は、加工送り手段３０の加速度を含む加工送り条件を設定する場合に限定されず、回転駆動部２２の回転加速度を含む回転条件を設定する場合にも適用することが可能である。より具体的には、基台２５に、作業者が選択したチャックテーブル２４を載置した後、チャックテーブル２４上にウエーハＷを載置しない状態で、回転駆動部２２の回転駆動源２７を作動して、チャックテーブル２４を所定回転、例えば、９０°回転させるカラ回転を実施する。この際の回転駆動源２７を駆動するための目標周波数は、例えば、チャックテーブル２４を所定の目標回転速度で移動させる所定の周波数とすることができる。このカラ回転を実施した場合、チャックテーブル２４は、直ぐには該所定の目標周波数には到達せず、徐々に加速した後、所定の目標回転速度となる該所定の周波数に到達する。ここで、制御手段１００は、チャックテーブル２４の回転開始から、該所定の目標周波数に到達するまでの到達時間を計測する。該到達時間は、チャックテーブル２４の重量が大きい場合に長くなり、重量が小さい場合に短くなることから、チャックテーブル２４の種類（重量）に応じたものとなる。そこで、制御手段１００は、該カラ回転において計測された該到達時間に対して所定時間を加え、回転駆動部２２に過剰な負荷が掛からない許容時間を設定し、この許容時間に基づいて、基台２５に装着されたチャックテーブル２４の種類に応じた回転駆動部２２の回転加速度を設定する。これにより、作業者がチャックテーブル選択画面１５上で選択ボタン１４１ａ～１４１ｃから選択することなく、ダイシング装置１の制御手段１００によって、基台２５に装着されたチャックテーブル２４に応じた回転駆動部２２の回転加速度を含む回転条件を設定することができる。
上記した実施形態では、被加工物が円形状のウエーハＷである場合について説明したが、チャックテーブル２４が、例えば、矩形状のＣＳＰを保持するチャックテーブル（保持治具）である場合にも、本発明を適用することが可能である。被加工物として加工されるＣＳＰの大きさ、又は形状に対応して、チャックテーブルの重量が異なる場合、上記した実施形態と同様に、被加工物に応じて選択されるチャックテーブルに対応した加工送り条件、回転条件を設定して、加工送り手段を構成する駆動源、回転駆動部を構成する回転駆動源を制御するようにすればよい。
１：ダイシング装置
３：搬出入手段
４：カセット載置領域
４Ａ：カセット
５：仮置きテーブル
６：搬送手段
１０：テーブル機構
１２：切削手段
１４：表示手段
１５：チャックテーブル選択画面
２０：保持手段
２１：Ｘ方向可動板
２２：回転駆動部
２４Ａ：チャックテーブル（４インチ用）
２４Ｂ：チャックテーブル（６インチ用）
２４１Ｂ：外周枠体
２４２Ｂ：吸着チャック
２４３Ｂ：円形凸部
２４４Ｂ：吸引通路
２４５Ｂ：係合凸部
２４６Ｂ：空間
２４Ｃ：チャックテーブル（８インチ用）
２５：基台
２５１：テーブル保持台
２５２：円形凹部
２５３：ウエーハ吸引孔
２５４：チャックテーブル吸着孔
２５５：係合凹部
２６：クランプ機構
２７：回転駆動源
３０：加工送り手段
３１：駆動源
３２：ボールねじ
１００：制御手段
１４１ａ～１４１ｃ：選択ボタン

Claims (4)

  1. 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物を加工する加工手段と、該保持手段を加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成された加工装置であって、
    該保持手段は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルを着脱自在に支持する基台と、から少なくとも構成され、
    該基台は、被加工物の大きさ、又は形状に対応して複数種類のチャックテーブルが装着可能であり、
    該基台に装着されるチャックテーブルが選択されると、該基台に装着されるチャックテーブルの種類に応じた該加工送り手段の加速度を含む加工送り条件を設定し、該チャックテーブルに対応した加工送り条件で該加工送り手段を制御する制御手段を備えた加工装置。
  2. 該保持手段の該基台は、チャックテーブルを回転する回転駆動部を備えており、該制御手段は、該基台に装着されるチャックテーブルが選択されると、該基台に装着されるチャックテーブルの種類に応じた該回転駆動部の回転加速度を含む回転条件を設定し、該チャックテーブルに対応した回転条件で該回転駆動部を制御する請求項１に記載の加工装置。
  3. 該制御手段は、該加工送り手段を構成する駆動源を制御する周波数を設定し、該駆動源が設定された目標周波数に至る時間が許容時間となる周波数をチャックテーブルに対応した周波数として、該加工送り条件に含まれた加速度を生成する請求項１に記載の加工装置。
  4. 該制御手段は、該回転駆動部を構成する回転駆動源を制御する周波数を設定し、該回転駆動源が設定された目標周波数に至る時間が許容時間となる周波数をチャックテーブルに対応した周波数として、該回転条件に含まれた回転加速度を生成する請求項２に記載の加工装置。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011070538A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Mitsubishi Electric Corp 加工制御装置およびレーザ加工装置
JP2013052483A (ja) 2011-09-05 2013-03-21 Disco Corp 加工装置
CN106098624A (zh) 2016-06-27 2016-11-09 江苏鲁汶仪器有限公司 一种晶圆切割方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012146723A (ja) 2011-01-07 2012-08-02 Disco Abrasive Syst Ltd ダイシング加工装置
JP6101140B2 (ja) * 2013-04-18 2017-03-22 株式会社ディスコ 切削装置
JP6223862B2 (ja) 2014-02-27 2017-11-01 株式会社ディスコ 切削装置
JP6604715B2 (ja) * 2014-09-12 2019-11-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6723877B2 (ja) * 2016-08-29 2020-07-15 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6815138B2 (ja) * 2016-09-06 2021-01-20 株式会社ディスコ 吸引保持システム
JP6955933B2 (ja) 2017-08-31 2021-10-27 株式会社ディスコ 加工装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011070538A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Mitsubishi Electric Corp 加工制御装置およびレーザ加工装置
JP2013052483A (ja) 2011-09-05 2013-03-21 Disco Corp 加工装置
CN106098624A (zh) 2016-06-27 2016-11-09 江苏鲁汶仪器有限公司 一种晶圆切割方法

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