JP6478821B2 - ウエーハの生成方法 - Google Patents
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Description
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :3.2W
パルス幅 :4ns
スポット径 :10μm
集光レンズの開口数(NA) :0.45
インデックス量 :250μm
11 六方晶単結晶インゴット
13 楔状部材
17 c軸
19 改質層
21 クラック
23 初期ウエーハ
25 六方晶単結晶ウエーハ
26 支持テーブル
30 レーザービーム照射ユニット
36 集光器(レーザーヘッド)
54 押圧機構
56 ヘッド
58 押圧部材
Claims (7)
- c面が上面に露出しc面に直交するc軸を有する六方晶単結晶インゴットからαのオフ角を有するウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
楔角度αの楔状部材を介して支持テーブルで該六方晶単結晶インゴットを支持し、該上面を水平面に対してオフ角α傾斜させる支持ステップと、
該支持ステップを実施した後、該六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該上面から第1の深さに位置付けると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを該オフ角αが形成される方向と直交する方向に相対的に移動してレーザービームを該上面に照射し、該六方晶単結晶インゴットの内部に第1の直線状の改質層と該改質層からc面方向に伸びる第1クラックとを形成する第1改質層形成ステップと、
該オフ角αが形成される方向に該集光点を相対的に移動して所定量インデックス送りする第1インデックスステップと、
該六方晶単結晶インゴットの内部に形成された該第1の改質層と該第1クラックとを起点として、初期ウエーハを該六方晶単結晶インゴットから剥離する初期ウエーハ生成ステップと、を備え、
該第1改質層形成ステップにおいて、インデックス送りする間隔をLとした場合、Lは隣接する該第1の直線状の改質層から該c面方向に伸びる隣接する該第1クラックが重なる長さ以下に設定されることを特徴とするウエーハの生成方法。 - 該初期ウエーハ生成ステップを実施した後、
該初期ウエーハが剥離され露出した上面から該六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動してレーザービームを該露出した上面に照射し、該露出した上面に平行な第2改質層及び該第2改質層から伸長する第2クラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、
該分離起点形成ステップを実施した後、該分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を該六方晶単結晶インゴットから剥離してウエーハを生成するウエーハ剥離ステップと、を更に備え、
該分離起点形成ステップは、該オフ角αが形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の該第2改質層を形成する第2改質層形成ステップと、
該オフ角αが形成される方向に該集光点を相対的に移動して該所定量インデックス送りする第2インデックスステップと、
を含むことを特徴とする請求項1記載のウエーハの生成方法。 - 該分離起点形成ステップを実施する前に、該第1改質層と該第1クラック又は該第2改質層と該第2クラックとが露出してc面からオフ角α傾斜した該六方晶単結晶インゴットの露出した該上面を研削して平坦化する平坦化ステップを更に備えた請求項2記載のウエーハの生成方法。
- c面が上面に露出し該c面に直行するc軸を有する六方晶単結晶インゴットからαのオフ角を有するウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該上面から第1の深さに位置付けると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動してレーザービームを該上面に照射し、該六方晶単結晶インゴット内部に第1の直線状の改質層とc面方向に伸びる第1クラックとを形成する第1改質層形成ステップと、
該第1改質層形成ステップを実施した後、該第1の直線状の改質層に対して直交する方向に該六方晶単結晶インゴットと該集光点とを相対的にインデックス送りした後、該集光点を第2の深さに位置付けてレーザービームを照射し、該六方晶単結晶インゴットと該集光点とを相対的に加工送りして該六方晶単結晶インゴット内部に該第1の直線状の改質層に平行な第2の直線状の改質層とc面方向に伸びる第2クラックとを形成する第2改質層形成ステップと、
該第2改質層形成ステップにおいて、インデックス送りする間隔をLとした場合、Lは該第1の直線状の改質層からc面方向に伸びる該第1クラックと該第2の直線状の改質層からc面方向に該第1クラックに対向して伸びる該第2クラックとが重なる長さ以下に設定され、
該集光点が位置付けられる該第1の深さと該第2の深さとのc軸方向の差をhとした場合、h=L・tanαに設定され、
tanαの勾配で規定される直線とインデックス間隔Lとの交点にレーザービームの集光点を順次下げながら該第2改質層形成ステップを順次繰り返して実施し、生成すべきウエーハの全面に対応して該第2改質層と該第2クラックとを形成する第2改質層形成繰り返しステップと、
該六方晶単結晶インゴットの内部に形成された該第1及び第2改質層と該第1及び第2クラックとを起点として、初期ウエーハを該六方晶単結晶インゴットから剥離する初期ウエーハ剥離ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの生成方法。 - インデックス送りする間隔Lは、hが50μm以下となるように設定される請求項4記載のウエーハの生成方法。
- 該初期ウエーハ生成ステップを実施した後、
該初期ウエーハが剥離され露出した上面から該六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動してレーザービームを照射し、該露出した上面に平行な第3改質層及び第3クラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、
該分離起点形成ステップを実施した後、該分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を該六方晶単結晶インゴットから剥離してウエーハを生成するウエーハ剥離ステップと、を更に備え、
該分離起点形成ステップは、オフ角αが形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の該第3改質層を形成する第3改質層形成ステップと、
該オフ角αが形成された方向に該集光点を相対的に移動して該所定量インデックス送りすると共に、tanαの勾配で規定される直線とインデックス間隔との交点にレーザービームの集光点を位置付けるインデックスステップと、
を含むことを特徴とする請求項4記載のウエーハの生成方法。 - 該六方晶単結晶インゴットは、SiCインゴット、又はGaNインゴットから選択される請求項1〜6の何れかに記載のウエーハの生成方法。
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