JP6478821B2 - ウエーハの生成方法 - Google Patents
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Description
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :3.2W
パルス幅 :4ns
スポット径 :10μm
集光レンズの開口数(NA) :0.45
インデックス量 :250μm
11 六方晶単結晶インゴット
13 楔状部材
17 c軸
19 改質層
21 クラック
23 初期ウエーハ
25 六方晶単結晶ウエーハ
26 支持テーブル
30 レーザービーム照射ユニット
36 集光器(レーザーヘッド)
54 押圧機構
56 ヘッド
58 押圧部材
Claims (7)
- c面が上面に露出しc面に直交するc軸を有する六方晶単結晶インゴットからαのオフ角を有するウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
楔角度αの楔状部材を介して支持テーブルで該六方晶単結晶インゴットを支持し、該上面を水平面に対してオフ角α傾斜させる支持ステップと、
該支持ステップを実施した後、該六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該上面から第1の深さに位置付けると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを該オフ角αが形成される方向と直交する方向に相対的に移動してレーザービームを該上面に照射し、該六方晶単結晶インゴットの内部に第1の直線状の改質層と該改質層からc面方向に伸びる第1クラックとを形成する第1改質層形成ステップと、
該オフ角αが形成される方向に該集光点を相対的に移動して所定量インデックス送りする第1インデックスステップと、
該六方晶単結晶インゴットの内部に形成された該第1の改質層と該第1クラックとを起点として、初期ウエーハを該六方晶単結晶インゴットから剥離する初期ウエーハ生成ステップと、を備え、
該第1改質層形成ステップにおいて、インデックス送りする間隔をLとした場合、Lは隣接する該第1の直線状の改質層から該c面方向に伸びる隣接する該第1クラックが重なる長さ以下に設定されることを特徴とするウエーハの生成方法。 - 該初期ウエーハ生成ステップを実施した後、
該初期ウエーハが剥離され露出した上面から該六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動してレーザービームを該露出した上面に照射し、該露出した上面に平行な第2改質層及び該第2改質層から伸長する第2クラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、
該分離起点形成ステップを実施した後、該分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を該六方晶単結晶インゴットから剥離してウエーハを生成するウエーハ剥離ステップと、を更に備え、
該分離起点形成ステップは、該オフ角αが形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の該第2改質層を形成する第2改質層形成ステップと、
該オフ角αが形成される方向に該集光点を相対的に移動して該所定量インデックス送りする第2インデックスステップと、
を含むことを特徴とする請求項1記載のウエーハの生成方法。 - 該分離起点形成ステップを実施する前に、該第1改質層と該第1クラック又は該第2改質層と該第2クラックとが露出してc面からオフ角α傾斜した該六方晶単結晶インゴットの露出した該上面を研削して平坦化する平坦化ステップを更に備えた請求項2記載のウエーハの生成方法。
- c面が上面に露出し該c面に直行するc軸を有する六方晶単結晶インゴットからαのオフ角を有するウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該上面から第1の深さに位置付けると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動してレーザービームを該上面に照射し、該六方晶単結晶インゴット内部に第1の直線状の改質層とc面方向に伸びる第1クラックとを形成する第1改質層形成ステップと、
該第1改質層形成ステップを実施した後、該第1の直線状の改質層に対して直交する方向に該六方晶単結晶インゴットと該集光点とを相対的にインデックス送りした後、該集光点を第2の深さに位置付けてレーザービームを照射し、該六方晶単結晶インゴットと該集光点とを相対的に加工送りして該六方晶単結晶インゴット内部に該第1の直線状の改質層に平行な第2の直線状の改質層とc面方向に伸びる第2クラックとを形成する第2改質層形成ステップと、
該第2改質層形成ステップにおいて、インデックス送りする間隔をLとした場合、Lは該第1の直線状の改質層からc面方向に伸びる該第1クラックと該第2の直線状の改質層からc面方向に該第1クラックに対向して伸びる該第2クラックとが重なる長さ以下に設定され、
該集光点が位置付けられる該第1の深さと該第2の深さとのc軸方向の差をhとした場合、h=L・tanαに設定され、
tanαの勾配で規定される直線とインデックス間隔Lとの交点にレーザービームの集光点を順次下げながら該第2改質層形成ステップを順次繰り返して実施し、生成すべきウエーハの全面に対応して該第2改質層と該第2クラックとを形成する第2改質層形成繰り返しステップと、
該六方晶単結晶インゴットの内部に形成された該第1及び第2改質層と該第1及び第2クラックとを起点として、初期ウエーハを該六方晶単結晶インゴットから剥離する初期ウエーハ剥離ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの生成方法。 - インデックス送りする間隔Lは、hが50μm以下となるように設定される請求項4記載のウエーハの生成方法。
- 該初期ウエーハ生成ステップを実施した後、
該初期ウエーハが剥離され露出した上面から該六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動してレーザービームを照射し、該露出した上面に平行な第3改質層及び第3クラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、
該分離起点形成ステップを実施した後、該分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を該六方晶単結晶インゴットから剥離してウエーハを生成するウエーハ剥離ステップと、を更に備え、
該分離起点形成ステップは、オフ角αが形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の該第3改質層を形成する第3改質層形成ステップと、
該オフ角αが形成された方向に該集光点を相対的に移動して該所定量インデックス送りすると共に、tanαの勾配で規定される直線とインデックス間隔との交点にレーザービームの集光点を位置付けるインデックスステップと、
を含むことを特徴とする請求項4記載のウエーハの生成方法。 - 該六方晶単結晶インゴットは、SiCインゴット、又はGaNインゴットから選択される請求項1〜6の何れかに記載のウエーハの生成方法。
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JP6976745B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2021-12-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成装置 |
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JP6974133B2 (ja) * | 2017-11-22 | 2021-12-01 | 株式会社ディスコ | SiCインゴットの成型方法 |
JP7009194B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2022-01-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成装置および搬送トレー |
JP7009224B2 (ja) * | 2018-01-16 | 2022-01-25 | 株式会社ディスコ | 平坦化方法 |
DE102018001327A1 (de) * | 2018-02-20 | 2019-08-22 | Siltectra Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von kurzen unterkritischen Rissen in Festkörpern |
US10388526B1 (en) | 2018-04-20 | 2019-08-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer thinning systems and related methods |
US10685863B2 (en) * | 2018-04-27 | 2020-06-16 | Semiconductor Components Industries, Llc | Wafer thinning systems and related methods |
US11121035B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-09-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate processing methods |
US10896815B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-01-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate singulation systems and related methods |
US20190363018A1 (en) | 2018-05-24 | 2019-11-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Die cleaning systems and related methods |
US11830771B2 (en) | 2018-05-31 | 2023-11-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate production systems and related methods |
US10468304B1 (en) | 2018-05-31 | 2019-11-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate production systems and related methods |
US11309191B2 (en) * | 2018-08-07 | 2022-04-19 | Siltectra Gmbh | Method for modifying substrates based on crystal lattice dislocation density |
JP7164396B2 (ja) * | 2018-10-29 | 2022-11-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成装置 |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US20220181157A1 (en) * | 2019-04-19 | 2022-06-09 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
JP7235597B2 (ja) * | 2019-06-03 | 2023-03-08 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
CN112476115A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-03-12 | 廖子宁 | 一种五金用铁板焊接痕旋转式打磨设备 |
CN112757150A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-07 | 南京航空航天大学 | 一种电子器件用氮化镓单晶材料的快速抛光方法 |
WO2023220610A1 (en) * | 2022-05-09 | 2023-11-16 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Restricted area printing by ink drawing (rapid) for solution-processed thin films |
Family Cites Families (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000094221A (ja) | 1998-09-24 | 2000-04-04 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | 放電式ワイヤソー |
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP4509578B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP3998639B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2007-10-31 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
US20050217560A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Tolchinsky Peter G | Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same |
JP5183892B2 (ja) * | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4402708B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
JP2010153590A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 切断用加工方法 |
JP5446325B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2014-03-19 | 豊田合成株式会社 | レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法 |
US20120061356A1 (en) * | 2009-08-11 | 2012-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device and laser machining method |
US8933367B2 (en) * | 2011-02-09 | 2015-01-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser processing method |
KR20130103624A (ko) * | 2011-02-10 | 2013-09-23 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 단결정 기판 제조 방법 및 내부 개질층 형성 단결정 부재 |
JP5917862B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2016-05-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2014041925A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP6026222B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2016-11-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6062315B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2017-01-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
WO2015010706A1 (de) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur trennung eines flachen werkstücks in mehrere teilstücke |
JP6341639B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2018-06-13 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6180223B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-08-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの製造方法 |
JP6189700B2 (ja) * | 2013-10-03 | 2017-08-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6208521B2 (ja) * | 2013-10-07 | 2017-10-04 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6246561B2 (ja) * | 2013-11-01 | 2017-12-13 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP6250429B2 (ja) * | 2014-02-13 | 2017-12-20 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2016015463A (ja) * | 2014-06-10 | 2016-01-28 | エルシード株式会社 | SiC材料の加工方法及びSiC材料 |
JP6390898B2 (ja) * | 2014-08-22 | 2018-09-19 | アイシン精機株式会社 | 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置 |
JP6604715B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2019-11-13 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6506520B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2019-04-24 | 株式会社ディスコ | SiCのスライス方法 |
JP6399913B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6358941B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6358940B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6399914B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP5917677B1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-05-18 | エルシード株式会社 | SiC材料の加工方法 |
JP6395613B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6391471B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2018-09-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395633B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395632B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395634B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6429715B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2018-11-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6425606B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6494382B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6456228B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2019-01-23 | 株式会社ディスコ | 薄板の分離方法 |
JP6444249B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2018-12-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6482389B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6472333B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6478821B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP2017011592A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 株式会社ディスコ | Sawデバイスの製造方法 |
JP6560040B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2019-08-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6552898B2 (ja) * | 2015-07-13 | 2019-07-31 | 株式会社ディスコ | 多結晶SiCウエーハの生成方法 |
JP6482423B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6472347B2 (ja) * | 2015-07-21 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6482425B2 (ja) * | 2015-07-21 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6486240B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-03-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6486239B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-03-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6562819B2 (ja) * | 2015-11-12 | 2019-08-21 | 株式会社ディスコ | SiC基板の分離方法 |
JP6602207B2 (ja) * | 2016-01-07 | 2019-11-06 | 株式会社ディスコ | SiCウエーハの生成方法 |
JP2017152569A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6604891B2 (ja) * | 2016-04-06 | 2019-11-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6690983B2 (ja) * | 2016-04-11 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法及び実第2のオリエンテーションフラット検出方法 |
JP6246444B1 (ja) * | 2016-05-17 | 2017-12-13 | エルシード株式会社 | 加工対象材料の切断方法 |
JP6721420B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2020-07-15 | 株式会社ディスコ | 漏れ光検出方法 |
JP6669594B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2020-03-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
-
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