JP6366486B2 - ウエーハの生成方法 - Google Patents
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Description
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :3.2W
パルス幅 :4ns
スポット径 :10μm
集光レンズの開口数(NA) :0.45
インデックス量 :400μm
(実験1)
分離起点形成ステップでレーザービームを集光する集光レンズ50の開口数(NA)を0.1〜0.95の範囲で変化させて改質層23のY軸方向の幅と改質層23の片側に形成されるクラック25の幅を計測したところ、以下の結果が得られた。
0.1 0(アブレーションが発生) 0
0.15 2(アブレーションが発生) 50
0.2 7(僅かにアブレーション発:品質に問題なし) 120
0.25 12.5 250
0.3 12.5 250
0.35 12 240
0.4 10 230
0.45 8 230
0.5 7.5 210
0.55 7.5 200
0.6 7.5 150
0.65 7.5 140
0.7 7.5 100
0.75 7.5 90
0.8 7.5 80
0.85 7.5 70
0.9 7.5 40
0.95 7.5 20
11 六方晶単結晶インゴット
11a 第一の面(表面)
11b 第二の面(裏面)
13 第一のオリエンテーションフラット
15 第二のオリエンテーションフラット
17 第一の面の垂線
19 c軸
21 c面
23 改質層
25 クラック
26 支持テーブル
30 レーザービーム照射ユニット
36 集光器(レーザーヘッド)
54 押圧機構
56 ヘッド
58 押圧部材
Claims (4)
- 第一の面と該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至るc軸と、該c軸に直交するc面とを有する六方晶単結晶インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該第一の面から生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動して該レーザービームを該第一の面に照射し、該第一の面に平行な改質層及び該改質層から伸長するクラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、
該分離起点形成ステップを実施した後、該分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を該六方晶単結晶インゴットから剥離して六方晶単結晶ウエーハを生成するウエーハ剥離ステップと、を備え、
該分離起点形成ステップは、該第一の面の垂線に対して該c軸がオフ角分傾き、該第一の面と該c面との間にオフ角が形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の改質層を形成する改質層形成ステップと、
該オフ角が形成される方向に該集光点を相対的に移動して所定量インデックスするインデックスステップと、を含み、
該改質層形成ステップでレーザービームの集光点を形成する集光レンズの開口数は0.2〜0.85に設定されていることを特徴とするウエーハの生成方法。 - 集光レンズの開口数は0.25〜0.55に設定される請求項1記載のウエーハの生成方法。
- 集光レンズの開口数は0.25〜0.45に設定される請求項2記載のウエーハの生成方法。
- 六方晶単結晶インゴットは、SiCインゴット、又はGaNインゴットから選択される請求項1〜3の何れかに記載のウエーハの生成方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
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